MOS 管在逆變電路，開光電源電路中經(jīng)常是成對出現(xiàn)，習(xí)慣上稱之為上管和下管，如圖Figure 1中的同步Buck 變換器，High-side MOSFET 為上管， Low-side MOSFET為下管。
2023-07-23 14:03:20
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MOS 管的開關(guān)損耗對ＭOS 管的選型和熱評估有著重要的作用，尤其是在高頻電路中，比如開關(guān)電源，逆變電路等。
2023-07-23 14:17:006321 
MOS管的導(dǎo)通與截止由柵源電壓來控制，對于增強型MOS管來說，N溝道的管子加正向電壓即導(dǎo)通，P溝道的管子則加反向電壓。
2024-03-14 15:47:3810621 
SOC的多種計算方法
2024-06-05 09:34:595371 
MOS管損耗的8個組成部分在器件設(shè)計選擇過程中需要對MOSFET的工作過程損耗進行先期計算（所謂先期計算是指在沒能夠測試各工作波形的情況下，利用器件規(guī)格書提供的參數(shù)及工作電路的計算值和預(yù)計波形，套用
2025-02-11 10:39:334787 
N溝道 P溝道 MOS管什么電平導(dǎo)通啊跟增強型的 一樣嗎 初學(xué)者！感謝大家！
2013-03-25 10:16:45
我在網(wǎng)上一些帖子上面看到，MOS管導(dǎo)通后如果工作在現(xiàn)行放大區(qū)的話就有可能燒壞管子，這是因為線性區(qū)的ID電流較大，同時RDS也較大，功耗較高所致。但我看了 一下MOS的應(yīng)用手冊，上面提到的導(dǎo)通后RDS都是mΩ級別的，這個也算是電阻大嘛？這不是與上面的介紹想矛盾嗎？另外，MOS的功耗究竟應(yīng)該怎么計算呢？
2018-10-25 11:14:39
就上升到了Ids_off。
那這種情況下，導(dǎo)通損耗怎么計算呢？我們可以用積分推導(dǎo)的方式求解出來，具體過程如下圖：開關(guān)損耗應(yīng)該是最難的，要想搞清楚，需要了解 MOS管的開關(guān)過程，下面我們分別說下MOS管
2025-03-31 10:34:07
MOS體內(nèi)寄生二極管在承載正向電流后因反向壓致使的反向恢復(fù)造成的損耗?！ ◇w內(nèi)寄生二極管反向恢復(fù)損耗計算 這一損耗原理及計算方法與普通二極管的反向恢復(fù)損耗一樣。公式如下： Pd_recover
2020-06-28 17:48:13
MOS管的開關(guān)損耗測試是電源調(diào)試中非常關(guān)鍵的環(huán)節(jié)，但很多工程師對開關(guān)損耗的測量還停留在人工計算的感性認知上，PFCMOS管的開關(guān)損耗更是只能依據(jù)口口相傳的經(jīng)驗反復(fù)摸索，那么該如何量化評估呢
2018-11-09 11:43:12
-請問各位專家，我是個電源新手，剛開始接觸MOS管?，F(xiàn)在又些問題，開關(guān)損耗主要是導(dǎo)通和關(guān)斷這兩個過程，其它損耗可忽略嗎？
2019-06-27 09:10:01
，MOS管處于穩(wěn)態(tài)，此時電流連續(xù)通過器件。脈沖尖峰是指有大量電涌（或尖峰電流）流過器件。一旦確定了這些條件下的最大電流，只需直接選擇能承受這個最大電流的器件便可?！ ∵x好額定電流后，還必須計算導(dǎo)通損耗
2020-07-10 14:54:36
PMOS，導(dǎo)通后都有導(dǎo)通電阻存在，這樣電流就會在這個電阻上消耗能量，這部分消耗的能量叫做導(dǎo)通損耗。選擇導(dǎo)通電阻小的MOS管會減小導(dǎo)通損耗?，F(xiàn)在的小功率MOS管導(dǎo)通電阻一般在幾十毫歐左右，幾毫歐的也有
2012-11-12 15:40:55
高端驅(qū)動中，通常還是使用NMOS。3，MOS開關(guān)管損失不管是NMOS還是PMOS，導(dǎo)通后都有導(dǎo)通電阻存在，這樣電流就會在這個電阻上消耗能量，這部分消耗的能量叫做導(dǎo)通損耗。選擇導(dǎo)通電阻小的MOS管會減小
2012-12-18 15:37:14
通期間損耗，小的Rth值可減小溫度差（同樣耗散功率條件下），故有利于散熱。五、損耗功率初算 MOS管損耗計算主要包含如下8個部分： PD
2019-12-10 17:51:58
本帖最后由 小小的大太陽 于 2017-5-31 10:06 編輯
MOS管的導(dǎo)通損耗影響最大的就是Rds，而開關(guān)損耗好像不僅僅和開關(guān)的頻率有關(guān)，與MOS管的結(jié)電容，輸入電容，輸出電容都有關(guān)系吧？具體的關(guān)系是什么？有沒有具體計算開關(guān)損耗的公式？
2017-05-31 10:04:51
本帖最后由 一只耳朵怪 于 2018-6-1 09:28 編輯
四個MOS管這么排列，Q3Q4是打開，Q1Q2是關(guān)閉， 電源是12V為啥AB兩點的電壓也有11多V，MOS是如何導(dǎo)通的呢，體二極管也是對立的。
2018-05-31 19:41:07
如圖片所示，為什么MOS管的開關(guān)損耗（開通和關(guān)斷過程中）的損耗是這樣算的，那個72pF應(yīng)該是MOS的輸入電容，2.5A是開關(guān)電源限制的平均電流
2018-10-11 10:21:49
SCTWA40N120G2AG型號SiC MOS，按照datasheet上給定的條件，按照開關(guān)過程計算，Eon約為127uJ，Eoff約為164uJ。開關(guān)過程計算方法：Eon=0.5*VDD*ID
2024-04-03 06:35:37
MOS的參數(shù)選擇以及導(dǎo)通速度的計算
根據(jù)MOS的Td（on）+Td（off）推算出MOS的導(dǎo)通速度，這個方法對不對？
有沒有相近的NMOS推薦！VDS≥60V，ID≥15A，導(dǎo)通內(nèi)阻≤20m
2023-06-03 09:35:35
電源工程師知道，整個電源系統(tǒng)中開關(guān)MOS的損耗比不小. 討論最多的是導(dǎo)通損耗和關(guān)斷損耗，因為這兩種損耗與傳導(dǎo)損耗或驅(qū)動損耗不同，因為它很直觀，所以有些人對其計算仍然有些困惑.今天，我們將詳細分析
2021-10-29 08:43:49
時，MOS管的損耗是不容忽視的一部分。下面將詳細計算MOS管的損耗。2. MOS管的損耗來源2.1 MOS開關(guān)損耗MOS在開關(guān)電源中用作開關(guān)器件，顧名思義，MOS會經(jīng)常的開通和關(guān)斷。由于電壓和電流都是
2021-07-29 06:01:56
IGBT作為電力電子領(lǐng)域的核心元件之一，其結(jié)溫Tj高低，不僅影響IGBT選型與設(shè)計，還會影響IGBT可靠性和壽命。因此，如何計算IGBT的結(jié)溫Tj，已成為大家普遍關(guān)注的焦點。由最基本的計算公式Tj=Ta+Rth(j-a)*Ploss可知，損耗Ploss和熱阻Rth(j-a)是Tj計算的關(guān)鍵。
2019-08-13 08:04:18
、 IGBT的關(guān)斷損耗計算 同理設(shè)開關(guān)頻率為Fsw情況下，那么直接計算損耗為： 9、二極管的導(dǎo)通損耗 該部分損耗和IGBT導(dǎo)通損耗計算方法一致，只不過將占空比設(shè)置成1-Don即可。在此不做重復(fù)
2023-02-24 16:47:34
請問LED燈的阻抗計算方法是什么？
2020-03-06 14:43:47
或者是通過TI官網(wǎng)UC3842手冊上的方法學(xué)習(xí)Rstart的計算方法。
2021-10-29 07:04:40
承載正向電流后因反向壓致使的反向恢復(fù)造成的損耗。體內(nèi)寄生二極管反向恢復(fù)損耗計算這一損耗原理及計算方法與普通二極管的反向恢復(fù)損耗一樣。公式如下：Pd_recover=VDR × Qrr × fs其中
2019-09-02 08:30:00
阻小的MOS管40N120會降低導(dǎo)通損耗。 MOS在開啟和關(guān)閉時，一定不是瞬間完成。MOS兩端的電壓有一個下降的過程，流過的電流有一個上升的過程。在此期間，MOS管的損失是電壓和電流的乘積，稱為開關(guān)損失
2021-12-29 16:53:46
計算導(dǎo)通損耗。在實際情況下，MOS管并不是理想的器件，因為在導(dǎo)電過程中會有電能損耗，這稱之為導(dǎo)通損耗。MOS管在"導(dǎo)通"時就像一個可變電阻，由器件的RDS（ON）所確定，并隨溫度
2013-10-29 17:27:29
/ 源極及漏極/源極電容。這些電容會在器件中產(chǎn)生開關(guān)損耗，因為在每次開關(guān)時都要對它們充電。MOS管的開關(guān)速度因此被降低，器件效率也下降。為計算開關(guān)過程中器件的總損耗，設(shè)計人員必須計算開通過程中的損耗
2018-10-19 10:10:44
像2301那種mos導(dǎo)通后，VDS電壓是0嗎？也就是沒有損耗?仿真是沒有損耗的
2020-04-16 15:44:28
什么是晶體管？目錄晶體管?由來概略晶體管數(shù)字晶體管的原理MOSFET特性導(dǎo)通電阻安全使用晶體管的選定方法元件溫度計算方法負載開關(guān)常見問題
2019-04-10 21:55:53
MOS管或?qū)χM行等級劃分。 柵極電荷和導(dǎo)通阻抗之所以重要，是因為二者都對電源的效率有直接的影響。對效率有影響的損耗主要分為兩種形式--傳導(dǎo)損耗和開關(guān)損耗。`
2018-12-17 14:16:21
功率開關(guān)管功耗計算方法
2019-04-12 12:27:35
基于場路耦合的電機性能快速計算方法的實現(xiàn)
2021-01-26 06:14:06
本文以Intersil 公司專用于DSSS無線設(shè)計的PRISM芯片組為例，說明處理增益的計算方法，適合于從事RF收發(fā)器應(yīng)用的中國設(shè)計工程師閱讀。
2021-06-01 06:29:47
這個mos管是如何導(dǎo)通，控制電源開斷
2019-07-02 23:34:55
如何計算MOS管的損耗？
2021-11-01 08:02:22
開關(guān)MOS的損耗如何計算？
2021-03-02 08:36:47
所有情況下能夠承受的最大電流。與電壓的情況相似，設(shè)計人員必須確保所選的mos管能承受這個額定電流，即使在系統(tǒng)產(chǎn)生尖峰電流時，兩個考慮的電流情況是連續(xù)模式和脈沖尖峰。4.計算導(dǎo)通損耗。在實際情況
2019-11-21 09:14:39
計算 這一損耗原理及計算方法與普通二極管的反向恢復(fù)損耗一樣。公式如下： Pd_recover=VDR × Qrr × fs 其中：VDR 為二極管反向壓降， Qrr 為二極管反向恢復(fù)電量，由器件提供之
2019-09-06 09:00:00
`<p> 揭秘高效電源如何選擇合適的mos管 目前，影響開關(guān)電源電源效率的兩個損耗因素是：導(dǎo)通損耗和開關(guān)損耗，以下分別對這兩種損耗做具體分析。 導(dǎo)通損耗 導(dǎo)通損耗
2018-11-06 13:45:30
機器視覺計算方法
2015-08-14 09:23:59
` ?。?）不同耐壓的MOS管的導(dǎo)通電阻分布。不同耐壓的MOS管，其導(dǎo)通電阻中各部分電阻比例分布也不同。如耐壓30V的MOS管，其外延層電阻僅為總導(dǎo)通電阻的29%，耐壓600V的MOS管的外延層電阻
2018-11-01 15:01:12
電機轉(zhuǎn)子運動慣量的計算方法哪些，如何避免轉(zhuǎn)子慣性失配？
2021-02-02 07:25:12
值有利于減小導(dǎo)通期間損耗，小的Rth值可減小溫度差（同樣耗散功率條件下），故有利于散熱。 五、損耗功率初算 MOS管損耗計算主要包含如下8個部分： PD
2019-02-21 12:02:20
這個圖上的R1怎么取值，怎么選這個三極管，以及計算方法 ，我很急，謝謝大家?guī)蛶臀野?。萬分感謝
2013-07-03 12:26:15
親愛的大家，我使用的是PIC24FJ64GB004。在ADC部分，A/D轉(zhuǎn)換時鐘周期計算有一個注釋“基于TCY=2*TOSC，打瞌睡模式和鎖相環(huán)被禁用。”所以如果我使用的是PLL（32MHZ，F(xiàn)Cy 16Mhz），那么ADCS的計算方法是什么？請參考附件圖像。謝謝，Gaurav Patni。
2019-09-25 07:04:20
這個電路，MOS管控制電路的GND怎么接，才能使MOS管導(dǎo)通。
2019-04-23 20:20:48
請問伺服電機的選型計算方法是什么？
2021-09-28 08:45:32
大家?guī)兔聪逻@兩個電路圖，我不太明白其MOS管是如何導(dǎo)通的？
2018-12-26 15:28:56
阻抗計算方法，希望有所幫助
2013-06-10 16:58:32
最大的兩個損耗因素是：導(dǎo)通損耗和開關(guān)損耗，以下分別對這兩種損耗做具體分析?！ ?b class="flag-6" style="color: red">導(dǎo)通損耗 導(dǎo)通損耗具體來講是由MOS管的導(dǎo)通阻抗Rds產(chǎn)生的，Rds與柵極驅(qū)動電壓Vgs和流經(jīng)MOS管的電流有關(guān)。如果想要
2016-12-23 19:06:35
pcb載流能力的計算方法
2008-03-06 15:56:22
63 發(fā)光二極管主波長的優(yōu)化計算方法摘要: 從發(fā)光二極管主波長的定義出發(fā),比較分析了計算發(fā)光二極管主波長的3 種方法,并提出了一種優(yōu)化的計算方法。先將色品
2009-11-11 16:50:5718 線路電能損耗計算方法:線路電能損耗計算方法 A1 線路電能損耗計算的基本方法是均方根電流法，其代表日的損耗電量計算為： ΔA=3 Rt×10-3 (kW•h) (Al-1) Ijf = (A) (Al-2) 式
2010-01-27 11:53:4939 IFFT的計算方法
FFT算法同樣可以應(yīng)用于IDFT的計算，稱為快速傅里葉反變換，簡寫為IFFT。前述DFT和IDFT公式為
2008-10-30 13:14:4914186 
針對目前PWM 逆變器中廣泛使用的IGBT，提出了一種快速損耗計算方法。該方法只需已知所使用的IGBT 器件在額定狀態(tài)下的特性參數(shù)，就可以快速估算各種條件下的功率損耗。該方法的計算
2011-09-01 16:42:33114 冰箱冰柜盤管計算方法匯編
2013-09-06 15:14:5234 甲類單端的簡易計算方法甲類單端的簡易計算方法甲類單端的簡易計算方法
2016-01-19 15:37:380 特征阻抗的計算方法
2017-06-09 14:53:1227 不管是NMOS還是PMOS，導(dǎo)通后都有導(dǎo)通電阻存在，這樣電流就會在這個電阻上消耗能量，這部分消耗的能量叫做導(dǎo)通損耗。選擇導(dǎo)通電阻小的MOS管會減小導(dǎo)通損耗?，F(xiàn)在的小功率MOS管導(dǎo)通電阻一般在幾十毫歐左右，幾毫歐的也有。
2019-06-19 08:49:4327965 
什么是MOS管？它有什么特點？在常見的控制器電路中，MOS管有幾個工作狀態(tài)，而MOS 主要損耗也對應(yīng)這幾個狀態(tài)，本文就來探討一下MOS的這些狀態(tài)的原理。MOS的工作狀態(tài)分為：開通過程（由截止到導(dǎo)通的過渡過程）、導(dǎo)通狀態(tài)、關(guān)斷過程（由導(dǎo)通到截止的過渡過程）、截止?fàn)顟B(tài)。
2020-08-09 14:15:007139 MOS管是金屬—氧化物-半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管，或者稱是金屬—絕緣體—半導(dǎo)體。MOS管因導(dǎo)通壓降下，導(dǎo)通電阻小，柵極驅(qū)動不需要電流，損耗小，價格便宜等優(yōu)點在電子行業(yè)深受人們的喜愛與追捧。但是一些廠商
2021-05-20 10:28:4110898 MOS管的導(dǎo)通與截止由柵源電壓來控制，對于增強型MOS管來說，N溝道的管子加正向電壓即導(dǎo)通，P溝道的管子則加反向電壓。
2021-06-15 15:43:5288953 
公路坡度的表示和計算方法綜述
2021-08-11 14:34:482 原文：http://www.kiaic.com/article/detail/1404.html開關(guān)電源 MOS管損耗MOS管開關(guān)電源損耗開關(guān)模式電源（Switch Mode Power
2021-10-22 09:51:1318 在BUCK型開關(guān)電源中，如果沒有損耗，那效率就是100%，但這是不可能的，BUCK型開關(guān)電源中主要的損耗是導(dǎo)通損耗和交流開關(guān)損耗，導(dǎo)通損耗主要是指MOS管導(dǎo)通后的損耗和肖特基二極管導(dǎo)通的損耗（是指完
2021-10-22 15:05:5927 電源工程師知道，整個電源系統(tǒng)中開關(guān)MOS的損耗比不小. 討論最多的是導(dǎo)通損耗和關(guān)斷損耗，因為這兩種損耗與傳導(dǎo)損耗或驅(qū)動損耗不同，因為它很直觀，所以有些人對其計算仍然有些困惑.今天，我們將詳細分析
2021-10-22 17:35:5954 電源工程師們都知道開關(guān)MOS在整個電源系統(tǒng)里面的損耗占比是不小的，我們談及最多的就是開通損耗和關(guān)斷損耗，由于這兩個損耗不像導(dǎo)通損耗或驅(qū)動損耗一樣那么直觀，所以有部分人對于它計算還有些迷茫。
2022-02-10 10:35:2316 MOS管損耗的8個組成部分
在器件設(shè)計選擇過程中需要對 MOSFET 的工作過程損耗進行先期計算（所謂先期計算是指在沒能夠測試各工作波形的情況下，利用器件規(guī)格書提供的參數(shù)及工作電路的計算值和預(yù)計波形
2022-02-11 14:06:463 詳解MOS驅(qū)動電路功率損耗的構(gòu)成以及計算方法
2022-04-13 08:35:0030914 
エンジニアコラム第19篇 EMC計算方法和EMC仿真（4）傳導(dǎo)抗擾度（CI）的試行計算方法什么是IEC 62132-4 DPI法？大家好！我是ROHM的稻垣。
2023-02-14 09:26:264315 
EMC計算方法概述2021/11/16大家好！我是ROHM的稻垣。本文是第16篇，從本文開始我們來談一談電磁兼容性（EMC）的計算方法和仿真。
2023-02-14 09:26:284454 上一篇文章介紹了電源IC整體損耗的計算方法，即求出各部分的損耗并將這些損耗相加的方法。本文將在“簡單”的前提下，介紹一種利用現(xiàn)有數(shù)據(jù)求出電源IC損耗的方法。
2023-02-23 10:40:513760 
最近一直在說MOS管的知識，就有朋友留言說能具體說一下MOS管的導(dǎo)通和關(guān)斷過程嗎，那我們今天來說一下MOS管的導(dǎo)通和關(guān)斷具體過程。
2023-03-26 16:15:438583 
MOS管在電源應(yīng)用中作為開關(guān)用時將會導(dǎo)致一些不可避免的損耗，這些損耗可以分為兩類。
2023-03-26 16:18:5510934 
先從理論上分析MOS管選型是否合理，從MOS管的規(guī)格書上獲取MOS管的參數(shù)，包括導(dǎo)通電阻、g、s極的導(dǎo)通電壓等。
在確保實際驅(qū)動電壓大于導(dǎo)通電壓的前提下，如果負載電流為I，那么MOS管在導(dǎo)
2023-06-26 17:26:234667 
MOS管噪聲計算方法 噪聲是電路設(shè)計和性能評估中的一個關(guān)鍵問題，特別是在高頻率和低功耗應(yīng)用中。MOSFET是一種廣泛應(yīng)用于各種電路的半導(dǎo)體器件。因此，正確計算MOS管噪聲是非常重要的。本文將介紹
2023-09-19 16:49:584434 EMC計算方法和EMC仿真（1） ——計算方法簡介
2023-12-05 14:56:082943 
晶體管的元件溫度計算方法
2023-11-23 09:09:351518 
MOS管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管）在電子設(shè)備中扮演著重要角色，然而其在實際應(yīng)用中的損耗問題也是不容忽視的。為了減少MOS管的損耗，提高其工作效率，以下將從多個方面進行深入探討。
2024-05-30 16:41:512658 MOS管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，金屬-氧化層半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管）作為電子工程中的重要元件，其導(dǎo)通條件和導(dǎo)通特性對于電路設(shè)計和性能優(yōu)化至關(guān)重要。以下將詳細闡述MOS管的導(dǎo)通條件和導(dǎo)通特性。
2024-07-16 11:40:5621227 MOS管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，金屬-氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管）的導(dǎo)通電壓與溫度之間存在著復(fù)雜而重要的關(guān)系。這種關(guān)系不僅
2024-07-23 11:44:078617 ，晶體管的導(dǎo)通角通常小于180度，這意味著晶體管在每個周期內(nèi)只導(dǎo)通了一部分時間。這種設(shè)計可以顯著降低功率損耗，提高放大器的效率。 C類功率放大器的導(dǎo)通角計算方法 C類功率放大器的導(dǎo)通角可以通過以下公式計算： 導(dǎo)通角 = (Vp/Vs)
2024-08-01 10:42:203677 開關(guān)電源中的MOS管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，金屬-氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管）在工作過程中會產(chǎn)生多種損耗，這些損耗不僅
2024-08-07 14:58:555015 MOS管的損耗是一個復(fù)雜而重要的議題，它涉及到多個因素，包括MOS管本身的物理特性、電路設(shè)計、工作條件以及外部環(huán)境等。
2024-08-07 15:24:124219 MOS管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，金屬-氧化層半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管）作為電子工程中的重要元件，其導(dǎo)通特性對于電路設(shè)計和性能
2024-09-14 16:09:242887 MOS管（金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管）的導(dǎo)通電壓與漏電流之間的關(guān)系是MOS管工作特性的重要方面。以下是對這一關(guān)系的分析： 一、MOS管的導(dǎo)通電壓 MOS管的導(dǎo)通電壓通常指的是柵極-源極電壓（VGS
2024-11-05 14:03:294627 MOS管的功耗計算與散熱設(shè)計是確保其穩(wěn)定工作和延長使用壽命的關(guān)鍵環(huán)節(jié)。以下是對MOS管功耗計算與散熱設(shè)計要點的詳細分析： 一、MOS管的功耗計算 MOS管的功耗主要包括驅(qū)動損耗、開關(guān)損耗和導(dǎo)通損耗
2025-03-27 14:57:231518 
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