目前客戶用的防燒電路中的MOS管一個主要規(guī)格要求Vth低，當前使用的防燒MOS管Vth (Vgs=Vds，Id=250uA)小于1V。實際用1.8V的電壓來控制，可以完全打開MOS管了。但是當前Vth小于1V的功率MOS 阻抗偏大 Id較小。

如果要使用阻抗更小 Id更大的功率MOS，Vth(Vgs=Vds，Id=250uA) 在2.5V左右，現(xiàn)在手機平臺的GPIO是1.8V，未來還會進一步降低為1.2V。1.2V或者1.8V的電壓就不足與控制現(xiàn)有防燒MOS以及功率更大的功率MOS。

實際上可以在原來防燒MOS的電路上，通過增加Vth較低的小信號MOS，來實現(xiàn)1.2V/1.8V 電壓去控制打開Vth=2.5V 的功率MOS。原理介紹如下：

一.原防燒電路

原防燒功率MOS Vth較低，用1.8V完全可以控制打開?？刂七^程如下：

GPIO=1.8V ，NMOS G=1.8V，S=0V， Vgs=1.8V，NMOS導通。

   GPIO=0V    ，NMOS G=0V， S=0V ，Vgs=0V，  NMOS關閉。

二.增加2個小信號NMOS管

通過增加2顆Vth較小(小于1.2V或1.8V)的NNOS，可以實現(xiàn)1.2V/1.8V的信號電平，來使能打開Vth>2.5V的功率MOS，其中3.4V來自于電池電壓或者VBOB?？刂七^程如下：

GPIO=1.2V ，G1=1.2V，S1=0V， Vgs1=1.2V，NMOS1導通，D1=S1=G2=0V，NMOS2關閉，D2=G3=3.4V，防燒MOS G3=3.4V，防燒MOS Vgs=3.4V，防燒MOS管打開。

GPIO=0V ，NMOS G1=0V，S1=0V ，Vgs=0V，NMOS1關閉，D1=G2=G2=3.4V，NMOS2打開，D2=0V，Vgs=0V，防燒MOS G3=0V ，防燒MOS Vgs=0V，防燒MOS關閉。

二.增加一顆NMOS+一顆PMOS

通過增加2顆Vth較小(小于1.2V或1.8V)的NNOS和PMOS，可以實現(xiàn)1.2V/1.8V的信號電平，來使能打開Vth>2.5V的功率MOS，其中3.4V來自于電池電壓或者VBOB?？刂七^程如下：

GPIO=1.2V ，NMOS G1=1.2V，S1=0V， Vgs1=1.2V，NMOS導通，D1=S1=G2=0V，S2=3.4V，Vgs2=-3.4VV ，PMOS導通，D2=S2=3.4V，防燒MOS G=3.4V，防燒MOS Vgs=3.4V，防燒MOS管打開。

GPIO=0V ，NMOS G1=0V，S1=0V ，Vgs=0V，NMOS關閉，D1=G2=S2=3.4V，D2=0V，Vgs=0V，PMOS關閉不導通，D2=0V，防燒MOS G=0V，Vgs=0V，防燒MOS關閉。