MOS晶體管金屬-氧化物-半導(dǎo)體(Metal-Oxide-SEMIconductor)結(jié)構(gòu)的晶體管簡(jiǎn)稱MOS晶體管，有P型MOS管和N型MOS管之分。MOS管構(gòu)成的集成電路稱為MOS集成電路，而PMOS管
2009-11-05 11:50:36
4309 MOS管是一種基于金屬-氧化物-半導(dǎo)體(MOS)結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體器件，也被稱為MOSFET(MOS場(chǎng)效應(yīng)管)，是現(xiàn)代電子技術(shù)中應(yīng)用最廣泛的晶體管之一。
2023-02-25 15:53:4518154 
前面解決了MOS管的接法問題，接下來談?wù)?b class="flag-6" style="color: red">MOS管的開關(guān)條件。
2023-03-31 15:04:315487 
通過了解MOS管的的開關(guān)過程，以及MOS米勒電容的影響，來改進(jìn)MOS管設(shè)計(jì)。
2023-07-21 09:19:369974 
怎么判定MOS管的帶載能力，如何選擇MOS管?
2023-07-24 13:14:525194 
? 什么是MOS管？ MOS管的英文全稱叫MOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)，即金屬氧化物半導(dǎo)體型場(chǎng)效應(yīng)管，屬于
2023-08-01 09:59:0622130 
MOS管數(shù)據(jù)手冊(cè)上的相關(guān)參數(shù)有很多，以MOS管VBZM7N60為例，下面一起來看一看，MOS管的數(shù)據(jù)手冊(cè)一般會(huì)包含哪些參數(shù)吧。
2023-09-27 10:12:493385 
區(qū)別：1.MOS管損耗比三極管小，導(dǎo)通后壓降理論上為0。2.MOS管為電壓驅(qū)動(dòng)型，只需要給電壓即可，意思是即便串入一個(gè)100K的電阻，只要電壓夠，MOS管還是能夠?qū)ā?.MOS管的溫度特性要比
2021-10-29 08:38:08
，MOS管和IGBT管到底有什么區(qū)別吧！ 什么是MOS管 場(chǎng)效應(yīng)管主要有兩種類型，分別是結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管（JFET）和絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管（MOS管）。 MOS管即MOSFET，中文全稱是金屬-氧化物半導(dǎo)體
2020-07-19 07:33:42
1.物理特性 MOS管分為N溝道和P溝道的形式，N溝道和P溝道都有增強(qiáng)型和耗盡型兩種。耗盡型與增強(qiáng)型的主要區(qū)別在于耗盡型MOS管在G端（Gate）不加電壓時(shí)有導(dǎo)電溝道存在，而增強(qiáng)型MOS管只有
2021-01-15 15:39:46
MOS管的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)MOS管的工作機(jī)制MOS管的驅(qū)動(dòng)應(yīng)用
2021-03-08 06:06:47
MOS管高，中，低壓全系列
2022-09-04 15:54:44
，邏輯部分使用典型的5V或者3.3V數(shù)字電壓，而功率部分使用12V甚至更高的電壓。兩個(gè)電壓采用共地方式連接。這就提出一個(gè)要求，需要使用一個(gè)電路，讓低壓側(cè)能夠有效的控制高壓側(cè)的MOS管，同時(shí)高壓側(cè)的MOS管
2018-11-14 09:24:34
mos選型mos選型第一步：選用N溝道還是P溝道低壓側(cè)開關(guān)選N-MOS，高壓側(cè)開關(guān)選P-MOS根據(jù)電路要求選擇確定VDS，VDS要大于干線電壓或總線電壓。這樣才能提供足夠的保護(hù)，使MOS管不會(huì)失效
2019-01-11 16:25:46
誰來闡述一下mos管和三級(jí)管之間的區(qū)別？
2019-10-28 14:55:40
低壓MOS管體二極管反向擊穿電壓
2020-01-15 17:12:27
低壓MOS代替三極管降低漏電流
2021-07-22 16:05:24
溝道為設(shè)計(jì)選擇正確器件的第一步是決定采用N溝道還是P溝道MOS管。在典型的功率應(yīng)用中，當(dāng)一個(gè)MOS管接地，而負(fù)載連接到干線電壓上時(shí)，該MOS管就構(gòu)成了低壓側(cè)開關(guān)。在低壓側(cè)開關(guān)中，應(yīng)采用N溝道MOS管
2018-10-19 10:10:44
`出售ROHM公司正品庫MOS管庫存晶圓芯片，有需要的請(qǐng)聯(lián)系：沈女士***`
2020-11-09 14:59:01
想必電路設(shè)計(jì)的設(shè)計(jì)師在選擇MOS管是都有考慮過一個(gè)問題，是該選擇P溝MOS管還是N溝MOS管？作為廠家而言，一定是想要自己的產(chǎn)品能夠以更低的價(jià)格來競(jìng)爭(zhēng)其他的商家，也需要反復(fù)推選。那到底該怎么挑選呢？具有豐富經(jīng)驗(yàn)的飛虹MOS管廠家這就為大家分享。
2019-01-24 17:48:59
什么是MOS管？MOS管的工作原理是什么？MOS管和晶體三極管相比有何特性呢？
2022-02-22 07:53:36
用于無線模塊的接收端，而且我們想用一個(gè)MOS管作為開關(guān)控制超級(jí)電容的充放電，因?yàn)榻邮斩说碾妷狠^低，所以找不到好使的mos管（應(yīng)該是低壓n型增強(qiáng)MOS管）不清楚到底用哪些mos管功耗更低，開啟電壓比較小，所以希望大佬們能給個(gè)建議！急?。。。?！
2019-08-01 04:36:02
部分使用12V甚至更高的電壓。兩個(gè)電壓采用共地方式連接。這就提出一個(gè)要求，需要使用一個(gè)電路，讓低壓側(cè)能夠有效的控制高壓側(cè)的MOS管，同時(shí)高壓側(cè)的MOS管也同樣會(huì)面對(duì)1和2中提到的問題。在這三種情況下，圖騰柱結(jié)構(gòu)無法滿足輸出要求，而很多現(xiàn)成的MOS管驅(qū)動(dòng)IC，似乎也沒有包含gate電壓限制的結(jié)構(gòu)。`
2018-10-19 15:28:31
更高的電壓。兩個(gè)電壓采用共地方式連接?！ ∵@就提出一個(gè)要求，需要使用一個(gè)電路，讓低壓側(cè)能夠有效的控制高壓側(cè)的MOS管，同時(shí)高壓側(cè)的MOS管也同樣會(huì)面對(duì)1和2提到的問題?！ ≡谶@三種情況下，圖騰柱結(jié)構(gòu)無法
2018-12-03 14:43:36
MOS管是什么？NMOS管和PMOS管的工作原理是什么？NMOS管與PMOS管的區(qū)別在哪？
2021-11-03 06:17:26
，讓低壓側(cè)能夠有效的控制高壓側(cè)的MOS管，同時(shí)高壓側(cè)的MOS管也同樣會(huì)面對(duì)1和2中提到的問題?！ ≡谶@三種情況下，圖騰柱結(jié)構(gòu)無法滿足輸出要求，而很多現(xiàn)成的MOS管驅(qū)動(dòng)IC，似乎也沒有包含gate電壓限制的結(jié)構(gòu)。
2018-11-12 14:51:27
一些控制電路中，邏輯部分使用典型的5V或3.3V數(shù)字電壓，而功率部分使用12V甚至更高的電壓。兩個(gè)電壓采用共地方式連接。這就提出一個(gè)要求，需要使用一個(gè)電路，讓低壓側(cè)能夠有效的控制高壓側(cè)的MOS管，同時(shí)
2017-08-15 21:05:01
，邏輯部分使用典型的5V或3.3V數(shù)字電壓，而功率部分使用12V甚至更高的電壓。兩個(gè)電壓采用共地方式連接。這就提出一個(gè)要求，需要使用一個(gè)電路，讓低壓側(cè)能夠有效的控制高壓側(cè)的MOS管，同時(shí)高壓側(cè)的MOS管也
2017-12-05 09:32:00
物美。而逆變器后級(jí)電路可應(yīng)用的場(chǎng)效應(yīng)管除了TK8A50D，還有飛虹電子生產(chǎn)的這個(gè)FHP840 高壓MOS管。飛虹電子的這個(gè)FHP840 高壓MOS管為N溝道增強(qiáng)型高壓功率場(chǎng)效應(yīng)管，F(xiàn)HP840場(chǎng)效應(yīng)管
2019-08-15 15:08:53
什么是高低端MOS管？它們的區(qū)別是什么？請(qǐng)各位大神指教，希望能分享相關(guān)資料，非常感謝！
2016-09-01 09:51:08
采用MOS管的低壓降線性穩(wěn)壓電源
2009-10-13 10:37:458478 
三極管和MOS管做開關(guān)用時(shí)的區(qū)別
2017-01-22 21:11:02
74 MOS管開關(guān)電路是利用MOS管柵極（g）控制MOS管源極（s）和漏極（d）通斷的原理構(gòu)造的電路。因MOS管分為N溝道與P溝道，所以開關(guān)電路也主要分為兩種。
2017-05-17 08:30:28132238 
MOS管介紹在使用MOS管設(shè)計(jì)開關(guān)電源或者馬達(dá)驅(qū)動(dòng)電路的時(shí)候，一般都要考慮MOS的導(dǎo)通電阻，最大電壓等，最大
2017-10-24 11:19:2018138 
MOS管開關(guān)電路是利用一種電路，是利用MOS管柵極（g）控制MOS管源極（s）和漏極（d）通斷的原理構(gòu)造的電路。MOS管分為N溝道與P溝道，所以開關(guān)電路也主要分為兩種。本文為大家?guī)砣Npwm驅(qū)動(dòng)mos管開關(guān)電路解析。
2018-01-04 13:41:1462683 
本文開始介紹了MOS管概念和MOS管工作原理，其次介紹了MOS管的性能參數(shù)以及mos管三個(gè)引腳的區(qū)分方法，最后介紹了MOS管是如何快速判斷與好壞及引腳性能的以及介紹了mos管的作用。
2018-04-03 14:30:30110671 
本文首先介紹了mos管的概念與mos管優(yōu)勢(shì)，其次介紹了MOS管結(jié)構(gòu)原理圖及mos管的三個(gè)極判定方法，最后介紹了MOS管（場(chǎng)效應(yīng)管）的應(yīng)用領(lǐng)域及它的降壓電路。
2018-05-21 16:42:18200477 
實(shí)際在MOS管生產(chǎn)的過程中襯底在出廠前就和源極連接，所以在符號(hào)的規(guī)則中，表示襯底的箭頭也必須和源極相連接，以區(qū)別漏極和源極。圖1-4-（c）是P溝道MOS管的符號(hào)。MOS管應(yīng)用電壓的極性和我們普通
2018-08-16 10:36:3064856 
呢？具有30年經(jīng)驗(yàn)的MOS管廠家這就為大家分享。 區(qū)別一：導(dǎo)通特性 N溝MOS的特性，Vgs大于一定的值就會(huì)導(dǎo)通，適合用于源極接地時(shí)的情況（低端驅(qū)動(dòng)），只要柵極電壓達(dá)到4V或10V就可以了。而PMOS的特性，Vgs小于一定的值就會(huì)導(dǎo)通，適合用于源極接VCC時(shí)
2019-02-22 16:02:017656 mos晶體管，金屬-氧化物-半導(dǎo)體（Metal-Oxide-Semiconductor）結(jié)構(gòu)的晶體管簡(jiǎn)稱MOS晶體管，有MOS管構(gòu)成的集成電路稱為MOS集成電路。
2019-04-19 17:04:528654 讓我們來看看MOS管，分辨一下他們?cè)趺?b class="flag-6" style="color: red">區(qū)別，怎么用吧。我們?cè)诠P記本主板維修中見到的MOS管幾乎都是絕緣柵增強(qiáng)型，這里也就只說說它的那些事兒吧。而且，我們不談原理，只談應(yīng)用。我們分“電路符號(hào)”和“實(shí)物”兩部分來看
2019-10-30 16:57:3863 在電子電路中，MOS 管和 IGBT 管會(huì)經(jīng)常出現(xiàn)，它們都可以作為開關(guān)元件來使用，MOS 管和 IGBT 管在外形及特性參數(shù)也比較相似，那為什么有些電路用 MOS 管？而有些電路用 IGBT 管？
2020-03-20 15:36:5616239 
而MOS管就不一樣了，MOS管是電壓型驅(qū)動(dòng)，其驅(qū)動(dòng)電壓必須高于其死區(qū)電壓Ugs的最小值才能導(dǎo)通，不同型號(hào)的MOS管其導(dǎo)通的Ugs最小值是不同的，一般為3V~5V左右，最小的也要2.5V，但這也只是剛剛導(dǎo)通，其電流很小
2020-04-04 14:50:0055086 
在完成MOS管芯片在制作之后，需要給MOS管芯片加上一個(gè)外殼，這就是MOS管封裝。該封裝外殼主要起著支撐、保護(hù)和冷卻的作用，同時(shí)還可為芯片提供電氣連接和隔離，從而將MOS管器件與其它元件構(gòu)成完整
2020-04-17 08:50:007159 MOS管相比三極管來講，具有更低的導(dǎo)通內(nèi)阻，在驅(qū)動(dòng)大功率的負(fù)載時(shí)，發(fā)熱量就會(huì)小很多。MOS管的驅(qū)動(dòng)與三極管有一個(gè)比較大的區(qū)別，MOS管是電壓驅(qū)動(dòng)型的元件，如果驅(qū)動(dòng)電壓達(dá)不到要求，MOS就會(huì)不完全導(dǎo)通，內(nèi)阻變大而造成過熱。
2020-06-26 17:03:0083632 
什么是MOS管？它有什么特點(diǎn)？在常見的控制器電路中，MOS管有幾個(gè)工作狀態(tài)，而MOS 主要損耗也對(duì)應(yīng)這幾個(gè)狀態(tài)，本文就來探討一下MOS的這些狀態(tài)的原理。MOS的工作狀態(tài)分為：開通過程（由截止到導(dǎo)通的過渡過程）、導(dǎo)通狀態(tài)、關(guān)斷過程（由導(dǎo)通到截止的過渡過程）、截止?fàn)顟B(tài)。
2020-08-09 14:15:007139 在電子電路中，MOS 管和 IGBT 管會(huì)經(jīng)常出現(xiàn)，它們都可以作為開關(guān)元件來使用，MOS 管和 IGBT 管在外形及特性參數(shù)也比較相似，那為什么有些電路用 MOS 管？而有些電路用 IGBT 管？
2020-09-09 14:40:3813172 
場(chǎng)效應(yīng)管分為結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管（JFET）和絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管（MOS管）兩大類。
2020-10-02 17:42:0028182 來看看三極管和MOS管的區(qū)別。 1、工作性質(zhì)：三極管用電流控制，MOS管屬于電壓控制. 2、成本問題：三極管便宜，mos管貴。? 3、功耗問題：三極管損耗大。 4、驅(qū)動(dòng)能力：mos管常用來電源開關(guān)，以及大電流地方開關(guān)電路。? MOS管(場(chǎng)效應(yīng)管)的導(dǎo)
2020-12-15 16:16:0713990 MOS管和IGBT管都可以作為開關(guān)元件使用，它們?cè)谕庑?、特性參?shù)上也比較相似，那它們到底有什么區(qū)別呢？ 什么是MOS管？ MOS管是MOSFET管的簡(jiǎn)稱，是金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管，可以簡(jiǎn)化
2021-02-14 10:16:0015579 MOS管封裝說明(開關(guān)電源技術(shù)綜述課題)-MOS管簡(jiǎn)介MOS管的英文全稱叫MOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field EffectTransistor)，即金屬
2021-09-23 09:32:0466 一、MOS管并聯(lián)理論：(1)、三極管(BJT)具有負(fù)的溫度系數(shù)，即當(dāng)溫度升高時(shí)，導(dǎo)通電阻會(huì)變小。(2)、MOS管具有正的溫度系數(shù)，即當(dāng)溫度升高時(shí)，導(dǎo)通電阻會(huì)逐漸變大。MOS管的這一特性適合并聯(lián)電路中
2021-10-22 17:21:0128 MOS管的英文全稱叫MOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)，即金屬氧化物半導(dǎo)體型場(chǎng)效應(yīng)管，屬于場(chǎng)效應(yīng)晶體管中的絕緣柵型
2021-11-06 16:36:0163 在電子電路中，MOS管和IGBT管會(huì)經(jīng)常出現(xiàn)，它們都可以作為開關(guān)元件來使用，MOS管和IGBT管在外形及特性參數(shù)也比較相似。那為什么有些電路用MOS管，而有些電路用IGBT管?
2022-04-24 15:16:1512101 ASEMI高壓MOS管7N60數(shù)據(jù)手冊(cè)免費(fèi)下載。
2022-06-20 10:32:561 ASEMI高壓MOS管7N65數(shù)據(jù)手冊(cè)免費(fèi)下載。
2022-06-20 10:33:365 MOS管和三極管的區(qū)別，很多伙伴都知道，MOS管屬于電壓驅(qū)動(dòng)，三極管屬于電流驅(qū)動(dòng)。
2022-11-23 15:31:1010913 
MOS管是 金氧半場(chǎng)效晶體管 它的原理是怎么樣的？ 他又有哪些特性？ 視頻詳解來了 MOS管比三極管好在哪里？ ? MOS管的工作原理 ? MOS管驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì) ? MOS管的米勒平臺(tái) ? 更多MOS管
2022-12-14 11:34:521616 這就提出一個(gè)要求，需要使用一個(gè)電路，讓低壓側(cè)能夠有效的控制高壓側(cè)的MOS管，同時(shí)高壓側(cè)的MOS管也同樣會(huì)面對(duì)1和2中提到的問題。
2023-01-29 11:20:092893 MOS管是由源極、漏極、門極和金屬氧化物層組成，其中金屬氧化物層是MOS管的核心部分，它由一層金屬和一層氧化物組成，金屬層和氧化物層之間有一個(gè)很小的空隙，這個(gè)空隙可以控制電子的流動(dòng)，從而控制MOS管的電流。
2023-02-17 14:51:098197 MOS管、三極管、IGBT之間的因果關(guān)系 區(qū)別與聯(lián)系最全解析 大家都知道MOS管、三極管、IGBT的標(biāo)準(zhǔn)定義，但是很少有人詳細(xì)地、系統(tǒng)地從這句話抽絲剝繭，一層一層地分析為什么定義里說IGBT是由
2023-02-22 14:44:3228 ，MOS管和IGBT管到底有什么區(qū)別吧！ 什么是MOS管？ 場(chǎng)效應(yīng)管主要有兩種類型，分別是結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管（JFET）和絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管（MOS管）。MOS管即MOSFET，中文全稱是金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)
2023-02-22 13:59:501 MOS管和插件MOS管的另一個(gè)區(qū)別在于它們的封裝形式不同。MOS管的封裝形式一般是直接焊接在電路板上，而插件MOS管的封裝形式則是安裝在插座上，然后將插件MOS管插入插座中，才能與電路板連接。
2023-02-22 16:29:154266 
MOS管？而有些電路用IGBT管？ 下面我們就來了解一下，MOS管和IGBT管到底有什么區(qū)別吧！ 什么是MOS管？ 場(chǎng)效應(yīng)管主要有兩種類型，分別是結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管（JFET）和絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管（MOS管）。
2023-02-23 09:34:200 在電子電路中，MOS管和IGBT管會(huì)經(jīng)常出現(xiàn)，它們都可以作為開關(guān)元件來使用，MOS管和IGBT管在外形及特性參數(shù)也比較相
似。那為什么有些電路用MOS管，而有些電路用IGBT管？
下面我們就來了解一下，MOS管和IGBT管到底有什么區(qū)別吧！
2023-02-23 09:15:261 ，MOS管和IGBT管到底有什么區(qū)別吧！ 什么是MOS管？ 場(chǎng)效應(yīng)管主要有兩種類型：分別是結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管（JFET）和絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管（MOS管）。 MOS管即MOSFET，中文全稱是金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效
2023-02-23 16:03:254 ，MOS管和IGBT管到底有什么區(qū)別吧！ ?什么是MOS管？ 場(chǎng)效應(yīng)管主要有兩種類型，分別是結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管（JFET）和絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管（MOS管）。 MOS管即MOSFET，中文全稱是金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)
2023-02-23 15:50:052 MOS管和IGBT管有什么區(qū)別？不看就虧大了
在電子電路中，MOS管和IGBT管會(huì)經(jīng)常出現(xiàn)，它們都可以作為開關(guān)元件來使用，MOS管和IGBT管在外形及特性參數(shù)也比較相
似，那為什么有些電路用MOS管？而有些電路用IGBT管？
2023-02-24 10:34:456 了解一下，MOS管和IGBT管到底有什么區(qū)別吧！
1、什么是MOS管？
場(chǎng)效應(yīng)管主要有兩種類型，分別是結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管（JFET）和絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管（MOS管）。
MOS管即MOSFET，中文全稱是金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管，由于這種場(chǎng)效應(yīng)管的柵極被絕緣層隔離，所以又叫絕緣柵
場(chǎng)效
2023-02-24 10:36:266 便攜式儲(chǔ)能電源MOS管應(yīng)用，主逆變儲(chǔ)能單元，推薦“平面高壓MOS”系列；DC-DC單元，推薦“低壓MOS-SGT”系列
2023-04-27 09:00:511545 
IGBT管？ 下面我們就來了解一下，MOS管和IGBT管到底有什么區(qū)別吧！ 什么是MOS管？ 場(chǎng)效應(yīng)管主要有兩種類型，分別是結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管（JFET）和絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管（MOS管）。 MOS管即MOSFET，中文全稱是金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管，由于這種場(chǎng)效應(yīng)管的柵極被絕緣層隔離，所以又叫
2023-05-17 15:11:542484 ，MOS管和IGBT管到底有什么區(qū)別吧！1、什么是MOS管？場(chǎng)效應(yīng)管主要有兩種類型，分別是結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管（JFET）和絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管（MOS管）。MOS管即MOSFE
2022-07-21 17:53:517172 
便攜式儲(chǔ)能電源MOS管應(yīng)用，主逆變儲(chǔ)能單元，推薦“平面高壓MOS”系列；DC-DC單元，推薦“低壓MOS-SGT”系列
2023-04-27 10:13:571379 
mos管p溝道n溝道的區(qū)別 MOS管是一種主流的場(chǎng)效應(yīng)晶體管，分為p溝道MOS管和n溝道MOS管兩種類型。這兩種MOS管的區(qū)別主要在于導(dǎo)電性質(zhì)、靜態(tài)特性、輸入電容、噪聲功率和門極結(jié)色散等方面。 一
2023-08-25 15:11:2518495 晶體
管和
mos管的
區(qū)別是什么？ 晶體
管（transistor）和
MOS管（metal-oxide-semiconductor field-effect transistor）都是半導(dǎo)體器件，它們?cè)?/div>
2023-08-25 15:29:319194 場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET是mos管嗎？場(chǎng)效應(yīng)管mos管的區(qū)別？場(chǎng)效應(yīng)管和mos管有什么不一樣的地方？? MOSFET和場(chǎng)效應(yīng)管（FET）都屬于半導(dǎo)體器件中的一種，類似晶體管。MOSFET是MOS（金屬
2023-09-02 11:31:156348 mos管的箭頭表示什么？mos管電流方向與箭頭 MOS管（Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor）是一種常用的半導(dǎo)體器件，它是在MOS結(jié)構(gòu)
2023-09-07 16:08:359073 MOS管和三極管的區(qū)別，很多伙伴都知道，MOS管屬于電壓驅(qū)動(dòng)，三極管屬于電流驅(qū)動(dòng)。
2023-10-08 16:26:182151 
MOS管在戶用儲(chǔ)能上的應(yīng)用，推薦使用瑞森半導(dǎo)體（超結(jié)MOS系列+ 低壓SGT-MOS系列）
2023-10-12 13:46:01923 
MOS管在戶用儲(chǔ)能上的應(yīng)用，推薦使用瑞森半導(dǎo)體（超結(jié)MOS系列+ 低壓SGT-MOS系列）
2023-10-12 14:17:431281 
MOS管在微型逆變器上的應(yīng)用:推薦瑞森半導(dǎo)體超結(jié)MOS系列+低壓MOS系列
2023-10-21 10:09:001598 
MOS管在微型逆變器上的應(yīng)用
推薦瑞森半導(dǎo)體超結(jié)MOS系列+低壓MOS系列
2023-10-23 09:31:201706 
MOS管在單相離線式不間斷電源上的應(yīng)用，推薦瑞森半導(dǎo)體，650V/500V高壓MOS系列+低壓MOS系列
2023-11-10 16:37:25954 
MOS管在單相離線式不間斷電源上的應(yīng)用，推薦瑞森半導(dǎo)體
650V/500V高壓MOS系列+低壓MOS系列
2023-11-10 17:03:581058 
igbt與mos管的區(qū)別? IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor）和MOS管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect
2023-12-07 17:19:383221 igbt和mos管怎么區(qū)分 IGBT和MOS管是兩種不同類型的半導(dǎo)體器件，用途廣泛，在各種電子設(shè)備中都會(huì)使用。雖然它們有一些相似之處，但也存在一些顯著的區(qū)別，下面將詳細(xì)介紹這兩種器件的特點(diǎn)和區(qū)別
2023-12-19 09:25:1615286 開關(guān)管和MOS管是電子電路中常見的兩種半導(dǎo)體器件，它們?cè)诮Y(jié)構(gòu)和工作原理上有很多相似之處，但也存在一些區(qū)別。本文將對(duì)開關(guān)管和MOS管的區(qū)別進(jìn)行詳細(xì)介紹。 首先，我們需要了解開關(guān)管和MOS管的基本概念
2023-12-28 15:53:377956 MOS管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，金屬MOS管（Metal-Oxide-Semiconductor
2023-12-28 16:01:4212722 MOS管根據(jù)其耐壓值可分為中低壓MOS和高壓MOS管，高壓MOS也是基于場(chǎng)效應(yīng)管的原理工作，通過控制柵極電壓來調(diào)節(jié)源極和漏極之間的電流。與普通MOS管相比，高壓MOS管能承受更高的電壓和電流。
2024-04-12 11:25:031373 
在電力電子領(lǐng)域，IGBT（絕緣柵雙極型晶體管）和MOS管（金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管）是兩種非常重要的功率半導(dǎo)體器件。它們各自具有獨(dú)特的工作原理、結(jié)構(gòu)特點(diǎn)和應(yīng)用場(chǎng)景。本文將對(duì)IGBT和MOS管進(jìn)行詳細(xì)的分析和比較，以便讀者能夠更深入地理解它們之間的區(qū)別。
2024-05-12 17:11:005914 MOS管和IGBT是現(xiàn)代電子技術(shù)中兩種非常重要的半導(dǎo)體器件，它們?cè)陔娏﹄娮?、能量轉(zhuǎn)換、汽車電子等多個(gè)領(lǐng)域有著廣泛的應(yīng)用。盡管它們都是半導(dǎo)體開關(guān)器件，但它們的結(jié)構(gòu)特點(diǎn)、工作原理及應(yīng)用場(chǎng)景存在顯著差異
2024-06-09 14:24:001737 
MOS管的雪崩是一個(gè)涉及半導(dǎo)體物理和器件特性的復(fù)雜現(xiàn)象，主要發(fā)生在高壓、高電場(chǎng)強(qiáng)度條件下。以下是對(duì)MOS管雪崩的詳細(xì)解析，包括其定義、原理、影響、預(yù)防措施以及相關(guān)的技術(shù)背景。
2024-08-15 16:50:373863 MOS管，即金屬-氧化物-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管，是一種電壓驅(qū)動(dòng)大電流型器件，在電路中尤其是動(dòng)力系統(tǒng)中有著廣泛的應(yīng)用。以下是MOS管的使用方法及相關(guān)注意事項(xiàng)： 一、MOS管的極性判定與連接 三個(gè)極的判定
2024-10-17 16:07:144788 
案例分享|中低壓MOS管在雙向型逆變器上的應(yīng)用
2024-10-24 10:38:243122 
MOS管的閾值電壓（Threshold Voltage）是一個(gè)至關(guān)重要的參數(shù)，它決定了MOS管（金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管）的導(dǎo)通與截止?fàn)顟B(tài)，對(duì)MOS管的工作性能和穩(wěn)定性具有深遠(yuǎn)的影響。以下是對(duì)MOS管閾值電壓的詳細(xì)解析，包括其定義、影響因素、測(cè)量方法以及在實(shí)際應(yīng)用中的考慮。
2024-10-29 18:01:137690 高功率MOS管的選擇涉及多個(gè)關(guān)鍵因素，以確保所選器件能夠滿足特定的應(yīng)用需求。以下是一個(gè)選擇指南： 一、確定溝道類型 N溝道MOS管 ：在低壓側(cè)開關(guān)中，當(dāng)MOS管接地且負(fù)載連接到干線電壓上時(shí)，應(yīng)選用N
2024-11-05 13:40:302173 低壓側(cè)開關(guān)中，應(yīng)選用N溝道MOS管，這是出于對(duì)封閉或?qū)ㄆ骷桦妷旱目紤]。 P溝道MOS管：適用于高壓側(cè)開關(guān)，當(dāng)MOS管連接到總線及負(fù)載接地時(shí)，就要用高壓側(cè)開關(guān)。通常會(huì)在這個(gè)拓?fù)渲羞x用P溝道MOS管，這也是出于對(duì)電壓驅(qū)動(dòng)的考慮。 二、確定額定電壓
2025-01-10 15:57:581798 
在電力電子領(lǐng)域，高壓功率器件的選擇直接影響系統(tǒng)的效率、成本與可靠性。對(duì)于工程師來說，超結(jié)MOS管與碳化硅MOS管的博弈始終是設(shè)計(jì)中的核心議題，兩者基于不同的材料與結(jié)構(gòu)，在性能、成本與應(yīng)用場(chǎng)景中各有千秋，如何平衡成為關(guān)鍵。
2025-11-26 09:50:51564 MOS管，全稱?金屬-氧化物-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管?（MOSFET），是一種通過柵極電壓控制源極與漏極之間電流的半導(dǎo)體器件。它屬于電壓控制型器件，輸入阻抗極高（可達(dá)1012Ω以上），具有低噪聲、低功耗
2026-01-05 11:42:0925 
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