太陽能逆變器和ESS應(yīng)用以及其他可再生能源系統(tǒng)正在使電網(wǎng)現(xiàn)代化，以提高彈性，滿足全球能源需求并減少其整體碳足跡。這些系統(tǒng)必須在惡劣的環(huán)境中盡可能高效，并且結(jié)構(gòu)緊湊且價格低廉。

碳化硅解決方案滿足了依賴半導(dǎo)體的可再生能源系統(tǒng)的所有需求，因?yàn)樗鼈兡軌蛱岣吖β拭芏?、降低開關(guān)損耗和提高開關(guān)頻率。碳化硅解決方案為太陽能半導(dǎo)體提供更輕、更小、更高效的太陽能逆變器，這些半導(dǎo)體在經(jīng)歷環(huán)境溫度波動、高濕度和其他惡劣條件的環(huán)境中吸收陽光并將其轉(zhuǎn)化為電能。

對于ESS應(yīng)用，

碳化硅是黃金標(biāo)準(zhǔn)技術(shù)，因?yàn)槲覀兊奶蓟?a href="http://www.brongaenegriffin.com/tags/mosfet/" target="_blank">MOSFET和二極管提供更高的性能和更低的損耗，同時允許工程師創(chuàng)建使用更少組件的系統(tǒng)，從而降低整體系統(tǒng)尺寸和成本。

由于PCB設(shè)計(jì)階段的創(chuàng)新和最佳實(shí)踐，SiC技術(shù)運(yùn)行溫度更低、速度更快，并實(shí)現(xiàn)了更小、更輕的電力電子設(shè)備和更高的能源效率。讓我們回顧一下在器件、子電路和系統(tǒng)層面進(jìn)行PCB布局設(shè)計(jì)的一些挑戰(zhàn)和技巧。

PCB布局決定SiC的成功與否

基于SiC的系統(tǒng)利用卓越的開關(guān)特性和低導(dǎo)通損耗，可實(shí)現(xiàn)比硅更高的開關(guān)頻率。

這些理想的特性帶來了挑戰(zhàn)，因?yàn)镾iC功率器件固有的高電壓壓擺率（dv/dt）和電流壓擺率（di/dt）使這些電路對串?dāng)_、誤導(dǎo)通、寄生諧振和電磁干擾（EMI）敏感。

設(shè)備級

在器件級，元件之間適當(dāng)?shù)呐离娋嚯x和間隙距離至關(guān)重要，因?yàn)镸OSFET支腳/PCB走線之間的空間有助于消除它們之間的閃絡(luò)或跟蹤。各種安全標(biāo)準(zhǔn)根據(jù)電壓、應(yīng)用和其他因素規(guī)定了不同的間距要求。

IPC標(biāo)準(zhǔn)也可以用作指南，其目的是標(biāo)準(zhǔn)化電子設(shè)備/組件的組裝和生產(chǎn)要求。雖然不是強(qiáng)制性的，但I(xiàn)PC-2221印制電路板設(shè)計(jì)通用標(biāo)準(zhǔn)和IPC 9592電源轉(zhuǎn)換設(shè)備性能參數(shù)標(biāo)準(zhǔn)可用作估計(jì)PCB上導(dǎo)體之間最小間距的指南。

SiC MOSFET和散熱器之間的適當(dāng)爬電距離至關(guān)重要。在太陽能應(yīng)用中，散熱器很大，并且通過機(jī)械固定在機(jī)箱上，因此水平安裝往往很常見，在這種情況下，隔離墊的延伸通常略微超過端子的彎曲度會增加爬電距離。由于機(jī)箱形狀不同，有時端子必須彎曲成一定角度。

子電路級別

更高的轉(zhuǎn)換速率與寄生電容和環(huán)路電感相結(jié)合，使電路對串?dāng)_、誤導(dǎo)通、電壓過沖、振鈴和潛在的EMI問題更加敏感。

在這個級別上，SiC柵極驅(qū)動用于打開和關(guān)閉功率半導(dǎo)體;根據(jù)不同的元件，柵極可能會發(fā)生振蕩和過沖。振蕩可以通過更高的阻尼來控制，這與柵極電阻成正比，與柵極環(huán)路電感成反比——低電感柵極環(huán)路可在不影響壓擺率的情況下實(shí)現(xiàn)更高的阻尼。

SiC柵極驅(qū)動器的PCB布局應(yīng)包括一個緊湊的柵極環(huán)路，以抑制柵極電阻并降低振蕩電壓，使柵極驅(qū)動器不易受到外部磁場的影響。在PCB布局過程中，寄生電容也必須最小化，因?yàn)槌烁遜v/dt外，它們還會導(dǎo)致串?dāng)_、誤導(dǎo)通和開關(guān)損耗增加，它們還決定了壓擺率，并有助于將高電場和磁場的影響降至最低。

系統(tǒng)級的PCB布局會影響冷卻。仔細(xì)的元件放置也是如此，這在優(yōu)化開關(guān)單元方面起著關(guān)鍵作用。

系統(tǒng)級

最小化EMI并保護(hù)敏感信號免受高磁場和電場的影響尤為重要，因此PCB布局應(yīng)傾向于將輸入和輸出連接器放置在電路板的相對兩側(cè)，以避免噪聲耦合，而輸入EMI濾波器和輸入/輸出連接器應(yīng)放置在遠(yuǎn)離高dv/dt走線/節(jié)點(diǎn)的位置，以避免噪聲耦合。敏感信號，包括柵極環(huán)路和控制信號，應(yīng)遠(yuǎn)離高dV/dt跡線/節(jié)點(diǎn)和高磁場，如PFC扼流圈、DC-DC功率磁性元件。

元件放置可以改善或降低冷卻效果，這取決于銅平面的大小和用于散熱的層數(shù)、熱通孔直徑、間距和銅厚度。確保MOSFET不要靠近其他熱源，包括其他功率半導(dǎo)體，同時使用銅平面（最好是多層），將熱量從MOSFET散發(fā)出去。

無錫國晶微半導(dǎo)體技術(shù)有限公司是寬禁帶第三代半導(dǎo)體碳化硅SiC功率器件、氮化鎵GaN光電器件以及常規(guī)集成電路研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化的高科技創(chuàng)新型企業(yè)，從事碳化硅場效應(yīng)管，碳化硅肖特基二極管、GaN光電光耦繼電器、單片機(jī)集成電路等產(chǎn)品芯片設(shè)計(jì)、生產(chǎn)與銷售并提供相關(guān)產(chǎn)品整體方案設(shè)計(jì)配套服務(wù)，總部位于江蘇省無錫市高新技術(shù)開發(fā)區(qū)內(nèi)，并在杭州、深圳和香港設(shè)有研發(fā)中心和銷售服務(wù)支持中心及辦事處。

公司具有國內(nèi)領(lǐng)先的研發(fā)實(shí)力，專注于為客戶提供高效能、低功耗、低阻值、品質(zhì)穩(wěn)定的碳化硅高低功率器件及光電集成電路產(chǎn)品，同時提供一站式的應(yīng)用解決方案和現(xiàn)場技術(shù)支持服務(wù)，使客戶的系統(tǒng)性能優(yōu)異、靈活可靠，并具有成本競爭力。? ? ?

公司的碳化硅功率器件涵蓋650V/2A-100A，1200V/2A-90A，1700V/5A -80A等系列，產(chǎn)品已經(jīng)投入批量生產(chǎn)，產(chǎn)品完全可以對標(biāo)國際品牌同行的先進(jìn)品質(zhì)及水平。先后推出全電流電壓等級碳化硅肖特基二極管、通過工業(yè)級、車規(guī)級可靠性測試的碳化硅MOSFET系列產(chǎn)品，性能達(dá)到國際先進(jìn)水平，應(yīng)用于太陽能逆變電源、新能源電動汽車及充電樁、智能電網(wǎng)、高頻電焊、軌道交通、工業(yè)控制特種電源、國防軍工等領(lǐng)域。由于其具有高速開關(guān)和低導(dǎo)通電阻的特性，即使在高溫條件下也能體現(xiàn)優(yōu)異的電氣特性，大幅降低開關(guān)損耗，使元器件更小型化及輕量化，效能更高效，提高系統(tǒng)整體可靠性，可使電動汽車在續(xù)航里程提升10%，整車重量降低5%左右，并實(shí)現(xiàn)設(shè)計(jì)用充電樁的高溫環(huán)境下安全、穩(wěn)定運(yùn)行。?

特別在高低壓光耦半導(dǎo)體技術(shù)方面更是擁有業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的研發(fā)團(tuán)隊(duì)。在國內(nèi)創(chuàng)先設(shè)計(jì)開發(fā)了28nm 光敏光柵開關(guān)PVG芯片技術(shù)，并成功量產(chǎn)應(yīng)用于60V、400V、600V高低壓、低內(nèi)阻、低電容的光電耦合繼電器芯片、涵蓋1500kVrms SOP超小封裝及3750kVrms 隔離增強(qiáng)型常規(guī)SMD、DIP等不同封裝，單路、雙路、混合雙路、常開常閉等電路產(chǎn)品，另包括200V SOI MOS/LIGBT集成芯片、100V CMOS/LDMOS集成芯片、8bit及32bit單片機(jī)等集成電路產(chǎn)品，均獲得市場及各重點(diǎn)科研單位、檢測機(jī)構(gòu)的新產(chǎn)品認(rèn)定。

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編輯：黃飛

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