9月24日至26日，PCIM Asia Shanghai 2025上海國際電力元件、可再生能源展覽會在上海新國際博覽中心隆重開幕?；?a target="_blank">半導(dǎo)體與合作伙伴東芝電子元件聯(lián)合參展，集中展示雙方共同研發(fā)的功率半導(dǎo)體產(chǎn)品和解決方案，并重磅發(fā)布了全新封裝碳化硅MOSFET、工業(yè)級及汽車級碳化硅功率模塊等多款新品及配套驅(qū)動方案，系統(tǒng)呈現(xiàn)了公司在碳化硅功率器件領(lǐng)域的技術(shù)積累與產(chǎn)業(yè)鏈整合能力。

工業(yè)級碳化硅功率模塊新品及配套驅(qū)動

基本半導(dǎo)體此次推出了ED3、E3B、L3和62mm封裝工業(yè)級碳化硅MOSFET模塊，以及配套的模塊驅(qū)動解決方案。其中E3B封裝碳化硅模塊在導(dǎo)通電阻、開關(guān)損耗、雜散電感、可靠性等方面表現(xiàn)出色，可應(yīng)用于APF、PCS、DC/DC變換器、大功率充電樁、固態(tài)斷路器、矩陣變換器和電池功化成等領(lǐng)域應(yīng)用；62mm封裝碳化硅模塊在保持傳統(tǒng)62mm封裝尺寸優(yōu)勢的基礎(chǔ)上，通過創(chuàng)新的模塊設(shè)計顯著降低了模塊雜散電感，使碳化硅MOSFET的高頻性能得到更充分發(fā)揮，產(chǎn)品可用于儲能系統(tǒng)、焊機(jī)電源、感應(yīng)加熱、光伏逆變器等領(lǐng)域。

01ED3封裝工業(yè)級碳化硅MOSFET半橋模塊

02E3B封裝工業(yè)級碳化硅MOSFET半橋模塊

03L3封裝工業(yè)級碳化硅MOSFET模塊

0462mm封裝工業(yè)級碳化硅MOSFET半橋模塊

汽車級碳化硅功率模塊新品

為應(yīng)對電動汽車對電驅(qū)系統(tǒng)高效率、高功率密度的迫切需求，基本半導(dǎo)體推出了HPD mini、PM6和嵌入式封裝汽車級碳化硅模塊產(chǎn)品。其中HPD mini模塊基于系統(tǒng)集成小型化、集成化的趨勢設(shè)計，推出鎖螺絲和母排疊層版本，降低了雜散電感，非常符合系統(tǒng)總成的發(fā)展趨勢；PM6塑封模塊具有體積小、雜散低、低電阻等特點，可應(yīng)用于主驅(qū)逆變器、輪轂電機(jī)、飛行器電控等領(lǐng)域；嵌入式模塊推出AMB嵌入和銅塊嵌入兩個版本，可滿足多功率段的應(yīng)用，雜散電感極低，滿足主驅(qū)電控等應(yīng)用的未來發(fā)展趨勢。

01汽車級HPD Mini碳化硅MOSFET模塊

02汽車級PM6碳化硅MOSFET模塊

03汽車級碳化硅嵌入式模塊

頂部散熱封裝碳化硅MOSFET新品

PCIM展會期間，基本半導(dǎo)體還發(fā)布了多款采用先進(jìn)頂部散熱封裝的碳化硅MOSFET新品，包括T2PAK-7、QDPAK及TOLT等封裝型號，該類產(chǎn)品通過封裝頂部的金屬塊（而非PCB）直接將熱量傳導(dǎo)至散熱器，解決了傳統(tǒng)封裝散熱瓶頸的痛點，大幅縮短熱路徑、提升散熱效率，可顯著降低芯片結(jié)溫，提高系統(tǒng)功率密度與可靠性。該系列產(chǎn)品尤其適合對散熱、尺寸、效率和可靠性要求極高的應(yīng)用領(lǐng)域，如服務(wù)器電源、車載充電機(jī)、光伏逆變器等，是發(fā)揮碳化硅器件MOSFET高頻高效優(yōu)勢的關(guān)鍵封裝技術(shù)。

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PCIM Asia 現(xiàn)場聚焦

在本次展會聯(lián)合展區(qū)，基本半導(dǎo)體攜手戰(zhàn)略合作伙伴東芝電子元件共同展示了雙方合作開發(fā)的E1B、E2B、E3B以及L3等封裝的工業(yè)級碳化硅MOSFET模塊。雙方通過技術(shù)合作與資源互補(bǔ)，共同推進(jìn)碳化硅功率器件在車載及工業(yè)等領(lǐng)域的規(guī)?；瘧?yīng)用，為客戶提供更高性能與高可靠性的系統(tǒng)解決方案。

PCIM Asia Shanghai 2025展會正在火熱進(jìn)行中，基本半導(dǎo)體誠邀業(yè)界同仁蒞臨展位（N5–D30），深入了解碳化硅技術(shù)最新成果?；景雽?dǎo)體將持續(xù)致力于第三代半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新，為全球客戶提供領(lǐng)先的功率器件產(chǎn)品與解決方案。

關(guān)于基本半導(dǎo)體

深圳基本半導(dǎo)體股份有限公司是中國第三代半導(dǎo)體創(chuàng)新企業(yè)，專業(yè)從事碳化硅功率器件的研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化。公司總部位于深圳，在北京、上海、無錫、香港以及日本名古屋設(shè)有研發(fā)中心和制造基地。公司擁有一支國際化的研發(fā)團(tuán)隊，核心團(tuán)隊由來自清華大學(xué)、中國科學(xué)院、英國劍橋大學(xué)等國內(nèi)外知名高校及研究機(jī)構(gòu)的博士組成。

基本半導(dǎo)體掌握碳化硅核心技術(shù)，研發(fā)覆蓋碳化硅功率半導(dǎo)體的芯片設(shè)計、晶圓制造、封裝測試、驅(qū)動應(yīng)用等產(chǎn)業(yè)鏈關(guān)鍵環(huán)節(jié)，核心產(chǎn)品包括碳化硅二極管和MOSFET芯片、汽車級及工業(yè)級碳化硅功率模塊、功率器件驅(qū)動芯片等，性能達(dá)到國際先進(jìn)水平，服務(wù)于電動汽車、風(fēng)光儲能、軌道交通、工業(yè)控制、智能電網(wǎng)等領(lǐng)域的全球數(shù)百家客戶。

基本半導(dǎo)體是國家級專精特新“小巨人”企業(yè)，承擔(dān)了國家工信部、科技部及廣東省、深圳市的眾多研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化項目，與深圳清華大學(xué)研究院共建第三代半導(dǎo)體材料與器件研發(fā)中心，是國家5G中高頻器件創(chuàng)新中心股東單位之一，獲批中國科協(xié)產(chǎn)學(xué)研融合技術(shù)創(chuàng)新服務(wù)體系第三代半導(dǎo)體協(xié)同創(chuàng)新中心、廣東省第三代半導(dǎo)體碳化硅功率器件工程技術(shù)研究中心。