我國(guó)第四代半導(dǎo)體材料制備近期連續(xù)取得突破。

3月14日，西安郵電大學(xué)宣布，該校陳海峰教授團(tuán)隊(duì)日前成功在8英寸硅片上制備出了高質(zhì)量的氧化鎵（GaO）外延片；此前在2月底，中國(guó)電子科技集團(tuán)有限公司（中國(guó)電科）宣布，中國(guó)電科46所成功制備出我國(guó)首顆6英寸氧化鎵單晶，達(dá)到國(guó)際最高水平。

作為備受關(guān)注的第四代半導(dǎo)體材料之一，氧化鎵目前在部分產(chǎn)品上已有使用，但距離大規(guī)模產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用尚遠(yuǎn)?！暗谒拇雽?dǎo)體材料現(xiàn)在的研究成果距離應(yīng)用落地，我感覺(jué)還有5年左右的時(shí)間?！眹?guó)內(nèi)某第三代半導(dǎo)體材料大廠一位高管對(duì)第一財(cái)經(jīng)表示，“不過(guò)看用在哪里，光電類的可能會(huì)快一些，日盲探測(cè)類現(xiàn)在也有產(chǎn)品，只是襯底尺寸很小?！?/p>

相比第三代半導(dǎo)體材料性能更優(yōu)

第四代半導(dǎo)體材料包括超寬禁帶半導(dǎo)體和超窄禁帶半導(dǎo)體，前者包括氧化鎵、金剛石、氮化鋁，后者如銻化鎵、銻化銦等。

作為超寬禁帶半導(dǎo)體材料的一種，氧化鎵禁帶寬度達(dá)到4.9eV，超過(guò)第三代半導(dǎo)體材料（寬禁帶半導(dǎo)體材料）的碳化硅（3.2eV）和氮化鎵（3.39eV）。更寬的禁帶寬度意味著電子需要更多的能量從價(jià)帶躍遷到導(dǎo)帶，因此氧化鎵具有耐高壓、耐高溫、大功率、抗輻照等特性。

此外，氧化鎵的導(dǎo)通特性約為碳化硅的10倍，理論擊穿場(chǎng)強(qiáng)約為碳化硅3倍多，可以有效降低新能源汽車、軌道交通、可再生能源發(fā)電等領(lǐng)域在能源方面的消耗。數(shù)據(jù)顯示，氧化鎵的損耗理論上是硅的1/3000、碳化硅的1/6、氮化鎵的1/3。

中國(guó)科學(xué)院院士郝躍曾表示，氧化鎵材料是最有可能在未來(lái)大放異彩的材料之一，在未來(lái)10年左右，氧化鎵器件有可能成為有競(jìng)爭(zhēng)力的電力電子器件，會(huì)直接與碳化硅器件競(jìng)爭(zhēng)。

與碳化硅類似，氧化鎵在功率器件領(lǐng)域有更突出的特性優(yōu)勢(shì)，目前業(yè)內(nèi)對(duì)于氧化鎵的普遍期待都是應(yīng)用在功率器件上，尤其是大功率應(yīng)用場(chǎng)景。

日本氧化鎵領(lǐng)域知名企業(yè)FLOSFIA預(yù)計(jì)，2025年氧化鎵功率器件市場(chǎng)規(guī)模將開始超過(guò)氮化鎵，2030年達(dá)到15.42億美元（約合人民幣100億元），達(dá)到碳化硅的40%，達(dá)到氮化鎵的1.56倍。

氧化鎵理論上更具成本優(yōu)勢(shì)

在同等規(guī)格下，寬禁帶材料可以制造尺寸更小、功率密度更高的器件，節(jié)省配套散熱和晶圓面積，進(jìn)一步降低成本。上述大廠高管也表示，相比第三代半導(dǎo)體材料，理論上氧化鎵更有成本優(yōu)勢(shì)。

據(jù)悉，從同樣基于6英寸襯底的最終器件的成本構(gòu)成來(lái)看，基于氧化鎵材料的器件成本為195美元，約為碳化硅材料器件成本的五分之一，與硅基產(chǎn)品的成本所差無(wú)幾。此外，氧化鎵的晶圓產(chǎn)線與硅、碳化硅、氮化鎵的差別不大，轉(zhuǎn)換成本不高。

不過(guò)，由于高熔點(diǎn)、高溫分解以及易開裂等特性，大尺寸氧化鎵單晶制備極為困難。目前我國(guó)大尺寸氧化鎵半導(dǎo)體材料的產(chǎn)出僅限于實(shí)驗(yàn)室與高校，距離規(guī)模量產(chǎn)較遠(yuǎn)，日本則在氧化鎵量產(chǎn)方面走在前列。

據(jù)當(dāng)?shù)孛襟w報(bào)道稱，日本新興企業(yè)Novel Crystal Technology正在加緊推進(jìn)配備在純電動(dòng)汽車上的功率半導(dǎo)體使用的氧化鎵晶圓的實(shí)用化，計(jì)劃2025年起每年生產(chǎn)2萬(wàn)枚100毫米晶圓，到2028年量產(chǎn)生產(chǎn)效率更高的200毫米晶圓。該公司社長(zhǎng)倉(cāng)又認(rèn)為，氧化鎵比碳化硅更占優(yōu)勢(shì)。他表示，Novel Crystal擁有可將成本降低到三分之一的自主工藝。

審核編輯 ：李倩