PCB布線設(shè)計時寄生電容的計算方法
在PCB上布兩條靠近的走線，很容易產(chǎn)生寄生電容。由于這種寄生電容的存在，
2009-09-30 15:13:33
28853 
在被測點阻抗較高時，即使該點僅有較小的電容，其帶寬也會受限。在基于磁簧繼電器的多路選擇器中，由于各磁簧繼電器的寄生電容會在輸出端并聯(lián)，加大了輸出端的電容，使得電路的帶寬變窄。
2018-12-14 15:14:4723983 
首先，我們介紹設(shè)計寄生電容對三極管產(chǎn)生的影響；然后，我們學(xué)習(xí)上拉電阻和下拉電阻的含義以及在電路中的使用方法。
2019-05-20 07:28:0011072 
我們應(yīng)該都清楚，MOSFET 的柵極和漏源之間都是介質(zhì)層，因此柵源和柵漏之間必然存在一個寄生電容CGS和CGD，溝道未形成時，漏源之間也有一個寄生電容CDS，所以考慮寄生電容時，MOSFET
2021-01-08 14:19:5919968 
一個MOSFET管的動態(tài)響應(yīng)只取決于它充(放)電這個器件的本身寄生電容和由互連線及負(fù)載引起的額外電容所需要的時間。 本征電容的主要來源有三個：基本的MOS結(jié)構(gòu)、溝道電荷以及漏和源反向偏置pn結(jié)的耗盡區(qū)。
2023-02-13 10:30:472828 
前面我們詳細(xì)的介紹了共射放大電路的設(shè)計步驟，對于低頻信號，可以不考慮三極管的頻率特性，但是隨著輸入信號頻率的增加，MOS管的寄生電容就不得不考慮。MOS管有極間電容有Cgd，Cgs，Cds。
2023-02-21 12:36:144437 
MOS管具有三個內(nèi)在的寄生電容：Cgs、Cgd、Cds。這一點在MOS管的規(guī)格書中可以體現(xiàn)（規(guī)格書常用Ciss、Coss、Crss這三個參數(shù)代替）。MOS管之所以存在米勒效應(yīng)，以及ＧＳ之間要并電阻，其源頭都在于這三個寄生電容。
2023-05-08 09:08:545235 
MOS 管計算導(dǎo)通損耗時，應(yīng)該用平均電流IAVG還是用電流有效IRMS值呢？
2023-07-19 15:46:293960 
MOS管具有三個內(nèi)在的寄生電容：Cgs、Cgd、Cds。這一點在MOS管的規(guī)格書中可以體現(xiàn)（規(guī)格書常用Ciss、Coss、Crss這三個參數(shù)代替）。MOS管之所以存在米勒效應(yīng)，以及ＧＳ之間要并電阻
2023-08-26 08:12:553731 
本章首先介紹了MOS管的基本結(jié)構(gòu)并推導(dǎo)了其I/V特性，并闡述MOS管的二級效應(yīng)，如體效應(yīng)、溝道長度調(diào)制效應(yīng)和亞閾值傳導(dǎo)等，之后介紹了MOS管的寄生電容，并推導(dǎo)其小信號模型。
2023-10-02 17:36:007785 
寄生電容有一個通用的定義：寄生電容是存在于由絕緣體隔開的兩個導(dǎo)電結(jié)構(gòu)之間的虛擬電容（通常不需要的），是PCB布局中的一種效應(yīng)，其中傳播的信號表現(xiàn)得好像就是電容，但其實并不是真正的電容。
2024-01-18 15:36:146180 
導(dǎo)讀在汽車電子與工業(yè)控制等領(lǐng)域，CAN通信至關(guān)重要。本文圍繞CAN通信，闡述節(jié)點增多時如何減少寄生電容的策略，同時從發(fā)送、接收節(jié)點等方面，講解保障節(jié)點數(shù)量及通信可靠性的方法。如何減少寄生電容?增加
2025-01-03 11:41:513610 
電子系統(tǒng)中的噪聲有多種形式。無論是從外部來源接收到的，還是在PCB布局的不同區(qū)域之間傳遞，噪聲都可以通過兩種方法無意中接收：寄生電容和寄生電感。寄生電感相對容易理解和診斷，無論是從串?dāng)_的角度還是從板上不同部分之間看似隨機(jī)噪聲的耦合。
2025-03-17 11:31:392333 
記，一個簡單的識別方法是：（想像DS邊的三節(jié)斷續(xù)線是連通的）不論N溝道還是P溝道MOS管，中間襯底箭頭方向和寄生二極管的箭頭方向總是一致的：要么都由S指向D，要么都由D指向S。 小提示：MOS管中的寄生二極管方向是關(guān)鍵。5、常用的MOS管作為開關(guān)左右經(jīng)典電路。
2019-09-11 10:27:48
由于MOS管柵極寄生電容以及寄生電感的存在使得MOS管驅(qū)動時柵極很容易發(fā)生諧振，常采用的辦法是在柵極串接一個小電阻，我想問為什么電阻可以抑制振蕩？請眾位大神解釋原因，呵呵，知其然不知其所以然！
2014-05-24 15:28:54
串接了一個電容在其旁邊，如圖所示，由于MOS管背部存在寄生電容，這會影響到我們的MOS管的開關(guān)斷的時間?！ 」蚀?，如果MOS的開關(guān)速度很快的情況下，建議選型優(yōu)先考慮到本身MOS管器件的內(nèi)部的寄生電容
2021-01-11 15:23:51
寄生電容一般是指電感，電阻，芯片引腳等在高頻情況下表現(xiàn)出來的電容特性。實際上，一個電阻等效于一個電容，一個電感，和一個電阻的串聯(lián)，在低頻情況下表現(xiàn)不是很明顯，而在高頻情況下，等效值會增大，不能忽略。
2019-09-29 10:20:26
寄生電容的影響是什么？焊接對無源器件性能的影響是什么？
2021-06-08 06:05:47
在LTC6268-10芯片手冊中，為了減小寄生反饋電容的影響，采用反饋電阻分流的方式減小寄生電容。
請問，在這種工作方式下，為了使寄生電容降到最低，對電路板的材料類型和厚度有什么要求嗎？
2023-11-16 06:28:44
MOSFET的工作波形。由于感性負(fù)載下，電流相位上會超前電壓，因此保證了MOSFET運行的ZVS。要保證MOSFET運行在感性區(qū)，諧振電感上的諧振電流必須足夠大，以確保MOSFET源漏間等效的寄生電容上存儲
2018-11-21 15:52:43
感性負(fù)載下，電流相位上會超前電壓，因此保證了MOSFET運行的ZVS。要保證MOSFET運行在感性區(qū)，諧振電感上的諧振電流必須足夠大，以確保MOSFET源漏間等效的寄生電容上存儲的電荷可以在死區(qū)時間內(nèi)被
2018-07-13 09:48:50
系列產(chǎn)品表現(xiàn)卓越。產(chǎn)品基于PPEC數(shù)字電源控制芯片開發(fā)，在實際研發(fā)生產(chǎn)過程中，充分重視變壓器寄生電容問題，并綜合運用多種方法進(jìn)行優(yōu)化，滿足大功率數(shù)字電源領(lǐng)域?qū)Ω邏撼潆姍C(jī)高性能的要求，廣泛應(yīng)用于各類新能源汽車
2025-05-30 11:31:41
我用一個NPN三級管驅(qū)動一顆NMOS 輸入是PWM的方波 如圖 怎么在MOS管的G極變成了尖波輸入PWM信號MOS管G極各位大神幫我看看 難道是應(yīng)為MOS管的寄生電容引起的 我要怎么改電路才能好點。
2016-03-04 12:58:23
在高壓回路中，正負(fù)極對地會產(chǎn)生一個寄生電容，而寄生電容與回路中的電阻會組成一個RC充放電電路。在使用國標(biāo)電流橋檢測電路方法時，正負(fù)極對地的寄生電容和電阻的大小會影響到AD采集。在RC充滿的時間一般為3RC以上，在此過程中如何探討RC電路充滿電壓的時間？
2020-07-27 23:14:10
功率開關(guān)管功耗計算方法
2019-04-12 12:27:35
大部分傳導(dǎo) EMI 問題都是由共模噪聲引起的。而且，大部分共模噪聲問題都是由電源中的寄生電容導(dǎo)致的。對于該討論主題的第 1 部分，我們著重討論當(dāng)寄生電容直接耦合到電源輸入電線時會發(fā)生的情況1. 只需
2022-11-22 07:29:30
開關(guān)電源和馬達(dá)驅(qū)動的應(yīng)用中，一般都用NMOS。下面的介紹中，也多以NMOS為主?！ ?b class="flag-6" style="color: red">MOS管的三個管腳之間有寄生電容存在，這不是我們需要的，而是由于制造工藝限制產(chǎn)生的。寄生電容的存在使得在設(shè)計或選擇驅(qū)動
2018-10-18 18:15:23
。好處是明顯的，應(yīng)用時拋開了負(fù)電壓。 7、寄生電容 上圖的柵極通過金屬氧化物與襯底形成一個電容，越是高品質(zhì)的MOS管，膜越薄，寄生電容越大，經(jīng)常MOS管的寄生電容達(dá)到nF級。這個參數(shù)是mos管選擇
2019-01-03 13:43:48
貼片晶振的PCB layout需要注意哪些晶振相鄰層挖空是如何控制寄生電容Cp的呢？為什么溫度會影響晶振頻率呢？
2021-02-26 07:43:28
VDMOS的基本原理一種減小寄生電容的新型VDMOS結(jié)構(gòu)介紹
2021-04-07 06:58:17
和馬達(dá)驅(qū)動的應(yīng)用中，一般都用NMOS管。下面在立深鑫的介紹中，也多以NMOS管為主。 MOS管的三個管腳之間有寄生電容存在，這不是我們需要的，而是由于制造工藝限制產(chǎn)生的。寄生電容的存在使得在設(shè)計或選擇
2018-10-26 14:32:12
在現(xiàn)代電子電路設(shè)計中，晶振時鐘信號的高頻特性使得其容易受到各種干擾。其中，寄生電容、雜散電容和分布電容是影響晶振時鐘信號穩(wěn)定性的主要因素。晶發(fā)電子將詳細(xì)分析這三種電容的特性、影響及相應(yīng)的解決措施
2024-09-26 14:49:27
的寄生電容和以下的因素相關(guān)：? 溝道的寬度和溝槽的寬度? G極氧化層的厚度和一致性? 溝槽的深度和形狀? S極體-EPI層的摻雜輪廓? 體二極管PN結(jié)的面積和摻雜輪廓高壓平面功率MOSFET的Crss由
2016-12-23 14:34:52
這個圖上的R1怎么取值，怎么選這個三極管，以及計算方法 ，我很急，謝謝大家?guī)蛶臀野?。萬分感謝
2013-07-03 12:26:15
`磁芯對電感寄生電容的影響`
2012-08-13 15:11:07
`磁芯對電感寄生電容的影響`
2012-08-14 09:49:47
;strong>減小電感寄生電容的方法<br/></strong>如果磁芯是導(dǎo)體，首先：&
2009-12-23 16:07:01
的反偏壓結(jié)電容，可以合理地降低電源線上的連接寄生電容，這兒近一步探討這一應(yīng)用，來分析下“二極管如何降低寄生電容？”。二極管參數(shù)——結(jié)電容在一些高速場合，需要選結(jié)電容比較小的二極管；在某些場合，則需
2020-12-15 15:48:52
鐵氧體電感器在較高頻率時可等效為“電阻、電感”的串聯(lián)支路與一寄生電容的并聯(lián)，該電容的存在對電感器的高頻性能有重要影響。本文建立了鐵氧體環(huán)形電感器2D平行平面場和3D
2009-04-08 15:45:17
66 電容的串并聯(lián)計算方法
電容串聯(lián)后容量是減小了，但是這樣可以增加他的耐壓值。計算公式是：C1*C2/(C1+C2) 電容并聯(lián)后容量是增大了，并聯(lián)耐壓數(shù)值按最小的計
2008-12-13 22:24:17122778 
一種減少VDMOS寄生電容的新結(jié)構(gòu)
0 引 言 VDMOS與雙極晶體管相比，它的開關(guān)速度快，開關(guān)損耗小，輸入電阻高，驅(qū)動電流小，頻率特性好，跨導(dǎo)高度線性
2009-11-25 17:49:501405 一種減少VDMOS寄生電容的新結(jié)構(gòu)
0 引 言 VDMOS與雙極晶體管相比，它的開關(guān)速度快，開關(guān)損耗小，輸入電阻高，驅(qū)動電流小，頻率特性好，跨
2009-11-27 09:24:231180 一種減少VDMOS寄生電容的新結(jié)構(gòu)
0 引 言 VDMOS與雙極晶體管相比，它的開關(guān)速度快，開關(guān)損耗小，輸入電阻高，驅(qū)動
2010-01-11 10:24:052089 寄生電容,寄生電容是什么意思
寄生的含義 寄身的含義就是本來沒有在那個地方設(shè)計電容，但由于布線構(gòu)之間總是有互容，互
2010-03-23 09:33:553188 冰箱冰柜盤管計算方法匯編
2013-09-06 15:14:5234 超級電容容量及放電時間的計算方法
2017-03-01 13:05:0420 二極管以其單向?qū)щ娞匦?，在整流開關(guān)方面發(fā)揮著重要的作用；其在反向擊穿狀態(tài)下，在一定電流范圍下起到穩(wěn)壓效果。令人意外的是，利用二極管的反偏壓結(jié)電容，能夠有效地減少信號線上的接入寄生電容，這里將近一步討論這個運用。
2017-03-21 11:31:304668 
升壓設(shè)計中最關(guān)鍵的部件之一像圖1是變壓器。變壓器的寄生組件，可以使他們偏離它們的理想特性和寄生電容與二次關(guān)聯(lián)可引起大共鳴開關(guān)電流前沿的電流尖峰波形。這些尖峰可以導(dǎo)致調(diào)節(jié)器顯示表現(xiàn)為義務(wù)的不穩(wěn)定的操作
2017-05-02 14:15:4019 大家最熟悉的就是二極管的單向?qū)щ娦?，二極管如何減少寄生電容。正向接入方法，二極管接在信號線與附件功能模塊之間，這表示附加功能模塊使能時是高電平輸出的。
2017-09-23 09:40:0911193 
寄生電容一般是指電感，電阻，芯片引腳等在高頻情況下表現(xiàn)出來的電容特性。實際上，一個電阻等效于一個電容，一個電感，和一個電阻的串連，在低頻情況下表現(xiàn)不是很明顯，而在高頻情況下，等效值會增大，不能忽略。
2018-01-31 10:09:2923654 
寄生電容一般是指電感，電阻，芯片引腳等在高頻情況下表現(xiàn)出來的電容特性。實際上，一個電阻等效于一個電容，一個電感，和一個電阻的串連，在低頻情況下表現(xiàn)不是很明顯，而在高頻情況下，等效值會增大，不能忽略。
2018-01-31 10:57:5629458 電容的寄生電感和寄生電阻主要是指它的引線和極板形成的電感和電阻，尤其是容量較大的電容更為明顯。如果你解剖過電容器，會看到它的極板是用長達(dá)1米的金屬薄膜卷曲而成的，其層狀就像一個幾十、甚至上百圈的線圈
2018-01-31 13:44:5545254 
本文開始闡述了寄生電感的概念和和寄生元件危害，其次闡述了寄生電感測量儀的設(shè)計和寄生電感產(chǎn)生原因或產(chǎn)生方式，最后介紹了PCB過孔的寄生電容和電感的計算以及使用。
2018-03-28 14:50:4244534 
ADI公司的Matt Duff講解為什么運算放大器反相引腳的寄生電容會引起不穩(wěn)定。
2019-06-11 06:11:006052 本文首先介紹了寄生電容的概念，其次介紹了寄生電容產(chǎn)生的原因，最后介紹了寄生電容產(chǎn)生的危害。
2019-04-30 15:39:3731576 分布電容強調(diào)的是均勻性。寄生跟強調(diào)的是意外性，指不是專門設(shè)計成電容，卻有著電容作用的效應(yīng)，比如三極管極間電容。單點說，兩條平行走線之間會產(chǎn)生分布電容，元器件間在高頻下表現(xiàn)出來的容性叫寄生電容。
2019-04-30 15:56:3022626 
減小電感寄生電容的方法
如果磁芯是導(dǎo)體，首先：
用介電常數(shù)低的材料增加繞組導(dǎo)體與磁芯之間的距離
2019-07-18 08:00:002 寄生電感一半是在PCB過孔設(shè)計所要考慮的。在高速數(shù)字電路的設(shè)計中，過孔的寄生電感帶來的危害往往大于寄生電容的影響。它的寄生串聯(lián)電感會削弱旁路電容的貢獻(xiàn)，減弱整個電源系統(tǒng)的濾波效用。我們可以用下面的公式來簡單地計算一個過孔近似的寄生電感。
2019-10-11 10:36:3321439 MOS 管 D 極負(fù)載是電感加續(xù)流二極管，工作模式和 DC-DC BUCK 一樣，MOS 管導(dǎo)通時，VDD 對電感 L 進(jìn)行充電，因為 MOS 管導(dǎo)通時間極短，可以近似電感為一個恒流源，在 MOS 管關(guān)閉時，續(xù)流二極管給電感 L 提供一個泄放路徑，形成續(xù)流。
2020-08-13 11:22:325493 
寄生的含義就是本來沒有在那個地方設(shè)計電容，但由于布線之間總是有互容，互容就好像是寄生在布線之間的一樣，所以叫寄生電容，又稱雜散電容。
2020-09-17 11:56:1133093 寄生電容是指電感，電阻，芯片引腳等在高頻情況下表現(xiàn)出來的電容特性。實際上，一個電阻等效于一個電容，一個電感，一個電阻的串聯(lián)，低頻情況下表現(xiàn)不明顯，而高頻情況下，等效值會增大。在計算中我們要考慮進(jìn)去。
2020-10-09 12:04:1737464 電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供二極管是如何減少寄生電容的？資料下載的電子資料下載，更有其他相關(guān)的電路圖、源代碼、課件教程、中文資料、英文資料、參考設(shè)計、用戶指南、解決方案等資料，希望可以幫助到廣大的電子工程師們。
2021-04-24 08:40:343 AN39-升壓變壓器設(shè)計中的寄生電容效應(yīng)
2021-04-28 17:42:255 晶體管的輸入電容就是極間的寄生電容。
2022-02-02 17:46:243712 功率半導(dǎo)體的核心是PN結(jié)，從二極管、三極管到場效應(yīng)管，都是根據(jù)PN結(jié)特性所做的各種應(yīng)用。場效應(yīng)管分為結(jié)型、絕緣柵型，其中絕緣柵型也稱MOS管（Metal Oxide Semiconductor）。
2022-03-30 10:43:4413485 
之間或電路模塊之間，由于相互靠近所形成的電容，是設(shè)計時不希望得到的電容特性，一般來說在低頻應(yīng)用中我們一般不考慮，但是對于MOS管驅(qū)動電路來說，寄生電容的存在是個不可繞過的考慮因素。
2022-04-07 09:27:128403 
功率半導(dǎo)體的核心是PN結(jié)，從二極管、三極管到場效應(yīng)管，都是根據(jù)PN結(jié)特性所做的各種應(yīng)用。場效應(yīng)管分為結(jié)型、絕緣柵型，其中絕緣柵型也稱MOS管（Metal Oxide Semiconductor）。
2022-04-07 15:23:2811556 
詳解MOS驅(qū)動電路功率損耗的構(gòu)成以及計算方法
2022-04-13 08:35:0030914 
本來沒有在那個地方設(shè)計電容，但由于布線之間總是有互容，互容就好像是寄生在布線之間的一樣，所以叫寄生電容 寄生電容： 本質(zhì)上還是電容，滿足i=c*du/dt。 電容是用來衡量儲存電荷能力的物理量。根據(jù)
2022-07-27 14:23:5519876 
如圖，MOS管內(nèi)部有寄生電容Cgs，Cgd，Cds。因為寄生電容的存在，所以給柵極電壓的過程就是給電容充電的過程。
2022-08-25 09:47:269760 對于MOSFET，米勒效應(yīng)（Miller Effect）指其輸入輸出之間的分布電容（柵漏電容）在反相放大作用下，使得等效輸入電容值放大的效應(yīng)。由于米勒效應(yīng)，MOSFET柵極驅(qū)動過程中，會形成平臺電壓，引起開關(guān)時間變長，開關(guān)損耗增加，給MOS管的正常工作帶來非常不利的影響。
2022-10-28 10:18:3714075 在器件的手冊中，會給出MOS管的寄生參數(shù)，其中輸入電容Ciss就是從輸入回路，即端口G和S看進(jìn)去的電容，MOS管導(dǎo)通時的GS電容，是Cgd和Cds的并聯(lián)。
2023-01-19 16:00:0018489 
繼前篇的Si晶體管的分類與特征、基本特性之后，本篇就作為功率開關(guān)被廣為應(yīng)用的Si-MOSFET的特性作補充說明。MOSFET的寄生電容：MOSFET在結(jié)構(gòu)上存在下圖所示的寄生電容。
2023-02-09 10:19:244953 
mos管會有寄生二極管是因為mos管的源極和漏極之間的電阻會發(fā)生變化，這種變化會導(dǎo)致mos管內(nèi)部的電壓發(fā)生變化，從而產(chǎn)生一個寄生二極管。寄生二極管可以抑制mos管的漏電，從而提高mos管的效率。
2023-02-19 14:35:5918418 
作者：泛林集團(tuán)半導(dǎo)體工藝與整合工程師 Sumant Sarkar 使用Coventor SEMulator3D?創(chuàng)建可以預(yù)測寄生電容的機(jī)器學(xué)習(xí)模型 減少柵極金屬和晶體管的源極/漏極接觸之間的寄生電容
2023-03-28 17:19:084118 
和晶體管的源極/漏極接觸之間的寄生電容可以減少器件的開關(guān)延遲。減少寄生電容的方法之一是設(shè)法降低柵極和源極/漏極之間材料層的有效介電常數(shù)，這可以通過在該位置的介電材料中引入空氣間隙來實現(xiàn)。這種類型的方式過去已經(jīng)用于后道工序(BEOL)中，以減少金屬互連之間的電容[1-4]。本文中，
2023-06-02 17:31:461072 
本文要點寄生電容的定義寄生電容影響電路機(jī)理消除寄生電容的方法當(dāng)你想到寄生蟲時，你可能會想到生物學(xué)上的定義——一種生活在宿主身上或在宿主體內(nèi)的有機(jī)體，從宿主身上吸取食物。從這個意義上說，寄生蟲可能是
2022-05-31 11:09:015360 
使用Coventor SEMulator3D?創(chuàng)建可以預(yù)測寄生電容的機(jī)器學(xué)習(xí)模型
2023-07-06 17:27:02864 
寄生電容有一個通用的定義：寄生電容是存在于由絕緣體隔開的兩個導(dǎo)電結(jié)構(gòu)之間的虛擬電容（通常不需要的），是 PCB 布局中的一種效應(yīng)，其中傳播的信號表現(xiàn)得好像就是電容，但其實并不是真正的電容。
2023-07-24 16:01:3616203 
在MOS管的結(jié)構(gòu)中可以看到，在GS，GD之間存在寄生電容，而MOS管的驅(qū)動，實際上就是對電容的充放電。對電容的充電需要一個電流，因為對電容充電瞬間可以把電容看成短路，所以瞬間電流會比較大。選擇/設(shè)計MOS管驅(qū)動時第一要注意的是可提供瞬間短路電流的大小。
2023-08-10 12:21:2813822 
電容可能會對電路的性能和穩(wěn)定性產(chǎn)生影響。因此，在 PCB 布線設(shè)計中，充分了解寄生電容的產(chǎn)生原因和處理方法是非常必要的。 什么是 PCB 連線寄生電容 維基百科上對于 PCB 連線寄生電容的定義是“由于 PCB 上信號線之間的相互耦合而導(dǎo)致的電容效應(yīng)”。
2023-08-27 16:19:443749 寄生電容對MOS管快速關(guān)斷的影響 MOS（Metal Oxide Semiconductor）管是一種晶體管，它以其高性能和可靠性而廣泛應(yīng)用于許多電子設(shè)備，如功率放大器和開關(guān)電源。盡管MOS管具有
2023-09-17 10:46:585125 MOS管噪聲計算方法 噪聲是電路設(shè)計和性能評估中的一個關(guān)鍵問題，特別是在高頻率和低功耗應(yīng)用中。MOSFET是一種廣泛應(yīng)用于各種電路的半導(dǎo)體器件。因此，正確計算MOS管噪聲是非常重要的。本文將介紹
2023-09-19 16:49:584434 第二個作用就是MOS管的GS極間有寄生電容的存在，當(dāng)我們斷電時，由于這個寄生電容沒有放電路徑，這個MOS管還會處于一個導(dǎo)通狀態(tài)，那么我們下次上電時，這個導(dǎo)通狀態(tài)就是不受控制的，也會造成MOS管擊穿
2023-10-21 10:38:165547 
SiC MOSFET 和Si MOSFET寄生電容在高頻電源中的損耗對比
2023-12-05 14:31:211731 
晶體管的元件溫度計算方法
2023-11-23 09:09:351518 
寄生電容和寄生電感是指在電路中存在的非意圖的電容和電感元件。 它們通常是由于電路布局、線路長度、器件之間的物理距離等因素引起的。
2024-02-21 09:45:354596 
IGBT（絕緣柵雙極晶體管）是一種廣泛應(yīng)用于電力電子領(lǐng)域的功率器件。IGBT的寄生電容是指在IGBT內(nèi)部由于結(jié)構(gòu)原因產(chǎn)生的電容，這些電容會影響IGBT的開關(guān)速度和性能。 一、IGBT寄生電容
2024-08-07 17:49:252947 在電子測試和測量領(lǐng)域，探頭是連接被測設(shè)備(DUT)與測量儀器(如示波器)之間的關(guān)鍵組件。探頭的性能直接影響到測試結(jié)果的準(zhǔn)確性和可靠性。其中，寄生電容是探頭設(shè)計中一個不容忽視的因素，它對測試波形有著
2024-09-06 11:04:371503 優(yōu)化具有至關(guān)重要的影響。以下將詳細(xì)闡述MOS管的導(dǎo)通特性，包括其基本結(jié)構(gòu)、導(dǎo)通條件、導(dǎo)通過程、寄生電容影響、溫度影響以及應(yīng)用領(lǐng)域等方面。
2024-09-14 16:09:242887 MOS（金屬-氧化物-半導(dǎo)體）管作為常見的半導(dǎo)體器件，在集成電路中發(fā)揮著至關(guān)重要的作用。然而，MOS管的性能并非僅由其基本電氣特性決定，還受到多種寄生參數(shù)的影響。
2024-10-10 14:51:222423 MOS（金屬-氧化物-半導(dǎo)體）管的寄生參數(shù)是指在集成電路設(shè)計中，除MOS管基本電氣特性（如柵極電壓、漏極電壓、柵極電流等）外，由于制造工藝、封裝方式以及電路布局等因素而產(chǎn)生的額外參數(shù)。這些寄生參數(shù)對MOS管的性能和使用具有重要影響，是集成電路設(shè)計中不可忽視的重要因素。
2024-10-29 18:11:293633 本文介紹了半大馬士革工藝：利用空氣隙減少寄生電容。 隨著半導(dǎo)體技術(shù)的不斷發(fā)展，芯片制程已經(jīng)進(jìn)入了3納米節(jié)點及更先進(jìn)階段。在這個過程中，中道（MEOL）金屬互聯(lián)面臨著諸多新的挑戰(zhàn)，如寄生電容等
2024-11-19 17:09:312399 
寄生電容會對充電機(jī)輸出功率產(chǎn)生顯著影響。一、變壓器寄生電容的產(chǎn)生原因？變壓器的寄生電容主要包括初級與次級繞組之間的分布電容、繞組層間電容及匝間電容。其成因可歸納為以下
2025-05-30 12:00:001319 
本文主要探討了MOS管驅(qū)動電路的幾種常見方案，包括電源IC直接驅(qū)動、推挽電路協(xié)同加速、隔離型驅(qū)動等。電源IC直接驅(qū)動的簡約哲學(xué)適合小容量MOS管，但需要關(guān)注電源芯片的最大驅(qū)動峰值電流和MOS管的寄生電容值。
2025-06-19 09:22:00997 
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