微波GaN HEMT 技術(shù)面臨的挑戰(zhàn)

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微帶WBG MMIC工藝

GaN HEMT 結(jié)構(gòu)的生長

GaN HEMT 技術(shù)面臨的挑戰(zhàn)

縮小高頻優(yōu)化

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報告詳細內(nèi)容

報告作者：NIKLAS RORSMAN

審核編輯：黃飛

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微波(85833) 微波(85833)
GaN(79580) GaN(79580)
HEMT(14350) HEMT(14350)

GaN HEMT器件的結(jié)構(gòu)和工作模式

繼上一篇屏蔽柵MOSFET技術(shù)簡介后，我們這次介紹下GaN HEMT器件。GaN 半導(dǎo)體材料是一種由鎵元素與氮元素組成的Ⅲ-Ⅴ族化合物半導(dǎo)體，在消費電子領(lǐng)域，特別是快速充電器產(chǎn)品的成功商用，昭示了其成熟的市場地位與廣闊應(yīng)用前景。

2025-09-02 17:18:33

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Teledyne e2v HiRel新增兩款大功率GaN HEMT

Teledyne e2v HiRel為其基于GaN Systems技術(shù)的650伏行業(yè)領(lǐng)先高功率產(chǎn)品系列新增兩款耐用型GaN功率HEMT（高電子遷移率晶體管）。這兩款全新大功率HEMT

2021-01-09 11:14:21

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GaN HEMT可靠性測試：為什么業(yè)界無法就一種測試標準達成共識

受到關(guān)注。因此，這些設(shè)備可能存在于航空航天和軍事應(yīng)用的更苛刻條件下。但是這些行業(yè)對任何功率器件（硅或GaN）都要求嚴格的質(zhì)量和可靠性標準，而這正是GaN HEMT所面臨的問題。氮化鎵HEMT與硅

2020-09-23 10:46:20

GaN HEMT在電機設(shè)計中有以下優(yōu)點

最大限度的提高GaN HEMT器件帶來的好處直到最近MOSFET和IGBT器件相比GaN HEMT的一個關(guān)鍵優(yōu)勢是它們廣泛的商業(yè)可用性，但是現(xiàn)在工程師們已經(jīng)能夠很容易的使用GaN HEMT技術(shù)了，更好

2019-07-16 00:27:49

GaN基微波半導(dǎo)體器件材料的特性

材料在制作耐高溫的微波大功率器件方面也極具優(yōu)勢。筆者從材料的角度分析了GaN 適用于微波器件制造的原因，介紹了幾種GaN 基微波器件最新研究動態(tài)，對GaN 調(diào)制摻雜場效應(yīng)晶體管（MODFETs）的工作原理以及特性進行了具體分析，并同其他微波器件進行了比較，展示了其在微波高功率應(yīng)用方面的巨大潛力。

2019-06-25 07:41:00

CG2H80015D-GP4 氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT）

` 本帖最后由射頻技術(shù) 于 2021-4-8 09:16 編輯 Wolfspeed的CG2H80015D是氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT）。GaN具有比硅或砷化鎵更高的性能，包括

2021-04-07 14:31:00

CGH40010F氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管

`Cree的CGH40010是無與倫比的氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT）。 CGH40010，正在運行從28伏電壓軌供電，提供通用寬帶解決方案應(yīng)用于各種射頻和微波應(yīng)用。 GaN

2020-12-03 11:51:58

CMPA801B025F氮化鎵（GaN）高電子遷移率基于晶體管

Cree的CMPA801B025是氮化鎵（GaN）高電子遷移率基于晶體管（HEMT）的單片微波集成電路（MMIC）。氮化鎵與硅或砷化鎵相比具有更好的性能，包括更高的擊穿電壓，更高的飽和電子漂移速度

2020-12-03 11:46:10

HUD 2.0面臨哪些挑戰(zhàn)？如何去解決？

HUD 2.0的發(fā)展動力是什么？HUD 2.0面臨哪些挑戰(zhàn)？如何去解決？

2021-06-01 06:44:07

LED在汽車領(lǐng)域應(yīng)用面臨哪些挑戰(zhàn)？

控制LED的方法有哪些？LED在汽車領(lǐng)域應(yīng)用面臨哪些挑戰(zhàn)？LED主要應(yīng)用于哪些領(lǐng)域？

2021-05-11 06:08:17

運營商建設(shè)LTE網(wǎng)絡(luò)的基本策略之一為LTE網(wǎng)絡(luò)、2G和3G網(wǎng)絡(luò)將長期共存，共同發(fā)展，多模、多制式、多頻的融合。LTE網(wǎng)絡(luò)測試領(lǐng)域也在業(yè)界的持續(xù)努力與實驗網(wǎng)的驗證下取得了很大的進步。但在多網(wǎng)協(xié)同的發(fā)展方向上，仍面臨諸多挑戰(zhàn)，需要進一步積極應(yīng)對。

2019-06-10 07:48:45

RFID原理是什么？RFID技術(shù)面臨哪些挑戰(zhàn)？

RFID原理是什么？RFID技術(shù)面臨哪些挑戰(zhàn)？

2021-05-26 06:06:21

SGK5872-20A 是一款高功率 GaN-HEMT，其內(nèi)部匹配標準通信頻段，可提供最佳功率和線性度。

SGK5872-20A 類別：GaN 產(chǎn)品 > 用于無線電鏈路和衛(wèi)星通信的 GaN HEMT 外形/封裝代碼：I2C 功能：C 波段內(nèi)部匹配 GaN-HEMT 高輸出功率：P5dB

2025-06-16 16:18:36

SoC測試技術(shù)面臨的挑戰(zhàn)是什么？其發(fā)展趨勢如何？

SoC測試技術(shù)傳統(tǒng)的測試方法和流程面臨的挑戰(zhàn)是什么？SoC測試技術(shù)一體化測試流程是怎樣的？基于光子探測的SoC測試技術(shù)是什么？有什么目的？

2021-04-15 06:16:53

T2G6001528-Q3 GaN on SiC HEMT

Qorvo 的 T2G6001528-Q3 是 15 W (P3dB) 寬帶無與倫比的分立式 GaN on SiC HEMT，可在直流至 6 GHz 和 28V 電源軌范圍內(nèi)運行。該器件采用行業(yè)標準

2021-08-04 11:50:58

WiMAX的發(fā)展與應(yīng)用面臨的挑戰(zhàn)分析

和一定移動性的城域?qū)拵o線接入技術(shù)是目前業(yè)界最為關(guān)注的寬帶無線接入技術(shù)之一。本文將從WiMAX的技術(shù)發(fā)展、產(chǎn)業(yè)現(xiàn)狀、與LTE，UMB和IMT-Advanced之間的關(guān)系，以及WiMAX未來應(yīng)用面臨的挑戰(zhàn)等幾個方面進行分析。

2019-07-16 07:28:51

為什么采用WCSP？WCSP面臨的挑戰(zhàn)有哪些？

為什么采用WCSP？WCSP面臨的挑戰(zhàn)有哪些？

2021-04-21 06:14:53

什么是GaN？如何面對GaN在測試方面的挑戰(zhàn)？

什么是GaN？如何面對GaN在測試方面的挑戰(zhàn)？

2021-05-06 07:52:03

何謂Full HD？Full HD面臨哪些技術(shù)挑戰(zhàn)？

何謂Full HD？Full HD面臨哪些技術(shù)挑戰(zhàn)？

2021-06-07 07:14:47

使用空中鼠標系統(tǒng)面臨哪些挑戰(zhàn)？如何去克服這些挑戰(zhàn)？

使用空中鼠標系統(tǒng)面臨哪些挑戰(zhàn)？如何去克服這些挑戰(zhàn)？

2021-05-10 07:26:42

基于GaN HEMT的半橋LLC優(yōu)化設(shè)計和損耗分析

目前傳統(tǒng)硅半導(dǎo)體器件的性能已逐漸接近其理論極限，即使采用最新的硅器件和軟開關(guān)拓撲，效率在開關(guān)頻率超過 250 kHz 時也會受到影響。而增強型氮化鎵晶體管 GaN HEMT（gallium

2023-09-18 07:27:50

基于HEMT的ADS功率放大器軟件仿真

大家好！我是ADS的新手。我需要CREE GaN HEMT，這在我的版本（ADS 2013）中沒有。請?zhí)崆皫椭?，謝謝。以上來自于谷歌翻譯以下為原文Hello everyone! i am

2018-11-13 10:21:37

基于能量采集技術(shù)的BLE傳感器節(jié)點設(shè)計面臨哪些挑戰(zhàn)？

基于能量采集技術(shù)的BLE傳感器節(jié)點設(shè)計面臨哪些挑戰(zhàn)？如何去應(yīng)對這些挑戰(zhàn)？

2021-05-17 06:03:02

多聲道音頻技術(shù)是什么？PC音頻子系統(tǒng)面臨哪些設(shè)計挑戰(zhàn)？

多聲道音頻技術(shù)是什么？PC音頻子系統(tǒng)面臨哪些設(shè)計挑戰(zhàn)？

2021-06-04 07:02:37

多點綜合技術(shù)面臨什么挑戰(zhàn)？

隨著設(shè)計復(fù)雜性增加，傳統(tǒng)的綜合方法面臨越來越大的挑戰(zhàn)。為此，Synplicity公司開發(fā)了同時適用于FPGA或 ASIC設(shè)計的多點綜合技術(shù)，它集成了“自上而下”與“自下而上”綜合方法的優(yōu)勢，能提供高結(jié)果質(zhì)量和高生產(chǎn)率，同時削減存儲器需求和運行時間。

2019-10-17 06:29:53

如何DigRF技術(shù)進行測試？其面臨的挑戰(zhàn)是什么？

如何DigRF技術(shù)進行測試？DigRF技術(shù)生產(chǎn)測試的挑戰(zhàn)有哪些？

2021-04-15 06:05:31

如何利用非線性模型幫助GaN PA進行設(shè)計？

氮化鎵(GaN) 功率放大器(PA) 設(shè)計是當前的熱門話題。出于多種原因，GaN HEMT 器件已成為滿足大多數(shù)新型微波功率放大器需求的領(lǐng)先解決方案。過去，PA 設(shè)計以大致的起點開始并運用大量

2019-07-31 08:13:22

將音頻編解碼器整合進新一代SoC面臨哪些技術(shù)挑戰(zhàn)？

將音頻編解碼器整合進新一代SoC面臨哪些技術(shù)挑戰(zhàn)？如何去實現(xiàn)呢？

2021-06-03 06:41:10

嵌入式系統(tǒng)的網(wǎng)絡(luò)互連技術(shù)將面臨哪些挑戰(zhàn)？

由于越來越多的設(shè)備需要通過Internet進行通信或者控制，因此互連和安全功能成為除操作系統(tǒng)之外，設(shè)計者們還將面臨哪些挑戰(zhàn)呢？

2019-08-07 07:06:38

應(yīng)用GaN技術(shù)克服無線基礎(chǔ)設(shè)施容量挑戰(zhàn)

。這一增長勢頭將持續(xù)下去，到2020年，LTE用戶數(shù)將達25億?！　∫苿泳W(wǎng)絡(luò)運營商面臨著諸多挑戰(zhàn)，一方面要快速擴容以支持增量用戶，另一方面則要盡量減少網(wǎng)絡(luò)中斷并降低成本。長期而言，5G網(wǎng)絡(luò)有望大幅提升

2018-12-05 15:18:26

怎么優(yōu)化射頻和微波設(shè)計挑戰(zhàn)？

即使是最自信的設(shè)計人員，對于射頻電路也往往望而卻步，因為它會帶來巨大的設(shè)計挑戰(zhàn)，并且需要專業(yè)的設(shè)計和分析工具。怎么優(yōu)化射頻和微波設(shè)計挑戰(zhàn)？來簡化任何射頻PCB 設(shè)計任務(wù)和減輕工作壓力！這個問題急需解決。

2019-08-21 06:38:27

無線基礎(chǔ)設(shè)施容量面臨的挑戰(zhàn)是什么？

無線基礎(chǔ)設(shè)施容量面臨的挑戰(zhàn)是什么？

2021-05-20 06:47:50

無線智能IP監(jiān)控面臨的技術(shù)挑戰(zhàn)是什么？怎么解決？

無線智能IP監(jiān)控面臨的技術(shù)挑戰(zhàn)是什么？怎么解決？

2021-05-31 06:27:15

無線通信行業(yè)對5G市場的愿景和該市場面臨的技術(shù)挑戰(zhàn)是什么？

無線通信行業(yè)對5G市場的愿景和該市場面臨的技術(shù)挑戰(zhàn)是什么？BEE7原型設(shè)計環(huán)境的具體方面和設(shè)計過程中需要做出的部分利弊權(quán)衡和設(shè)計決策

2021-05-21 06:09:06

有什么方法可以解決HID設(shè)計面臨的挑戰(zhàn)？

HID設(shè)計面臨哪些挑戰(zhàn)？有什么方法可以解決HID設(shè)計面臨的挑戰(zhàn)？

2021-05-17 06:06:54

機器開發(fā)人員面臨哪些軟件挑戰(zhàn)以及硬件挑戰(zhàn)？如何去應(yīng)對這些挑戰(zhàn)？

機器開發(fā)人員面臨哪些軟件挑戰(zhàn)以及硬件挑戰(zhàn)？如何去應(yīng)對這些挑戰(zhàn)？

2021-06-26 07:27:31

模擬電路技術(shù)在數(shù)字時代面臨的挑戰(zhàn)有哪些？

模擬技術(shù)的無可替代的優(yōu)勢是什么？模擬電路技術(shù)在數(shù)字時代面臨的挑戰(zhàn)有哪些？未來，模擬技術(shù)的發(fā)展趨勢是什么？與過去相比，目前模擬技術(shù)最突出應(yīng)用領(lǐng)域有哪些？TI在模擬電路領(lǐng)域的發(fā)展方向和發(fā)展思路是什么？

2021-04-21 07:11:20

毫微安電流測量技術(shù)面臨了哪些挑戰(zhàn)？

請問毫微安電流測量技術(shù)面臨的挑戰(zhàn)有哪些？

2021-04-09 06:27:49

氮化鎵GaN技術(shù)促進電源管理的發(fā)展

的挑戰(zhàn)絲毫沒有減弱。氮化鎵（GaN）等新技術(shù)有望大幅改進電源管理、發(fā)電和功率輸出的諸多方面。預(yù)計到2030年，電力電子領(lǐng)域?qū)⒐芾泶蠹s80％的能源，而2005年這一比例僅為30％1。這相當于30億千瓦時以上

2020-11-03 08:59:19

汽車無線安全應(yīng)用面臨哪些設(shè)計挑戰(zhàn)？

汽車無線安全應(yīng)用面臨哪些設(shè)計挑戰(zhàn)？

2021-05-19 06:41:47

移動電視射頻技術(shù)面臨什么挑戰(zhàn)

隨著數(shù)字移動電視不斷向移動設(shè)備的應(yīng)用轉(zhuǎn)移，應(yīng)用和系統(tǒng)工程師正面臨著各種挑戰(zhàn)，比如外形尺寸的小型化、更低的功耗以及信號完整性。對現(xiàn)有移動電視標準的研究重點將放在了DVB-H上。本文將從系統(tǒng)角度討論DVB-H接收器設(shè)計所面臨的機遇和挑戰(zhàn)，并重點介紹射頻前端。

2019-06-03 06:28:52

第三代半導(dǎo)體材料氮化鎵/GaN 未來發(fā)展及技術(shù)應(yīng)用

處理，謝謝。GaN高電子遷移率晶體管（HEMT）已經(jīng)成為5G宏基站功率放大器的主流候選技術(shù)。GaN HEMT憑借其固有的高擊穿電壓、高功率密度、大帶寬和高效率，已成為基站PA的有力候選技術(shù)。GaN是極

2019-04-13 22:28:48

精確測量阻抗所面臨的挑戰(zhàn)有哪些

精確測量阻抗所面臨的挑戰(zhàn)

2021-01-27 07:34:05

高速通信面臨的挑戰(zhàn)是什么？

高速通信面臨的挑戰(zhàn)是什么？

2021-05-24 06:34:15

高增益50W GaN HEMT功率放大器

Toshiba推出C-BAND SATCOM應(yīng)用的高增益50W GaN HEMT功率放大器，東芝美國電子元器件公司推出其功率放大器產(chǎn)品系列中的50W C頻段氮化鎵(GaN)半導(dǎo)體高電子遷移晶體管(HEMT)。 Toshiba 的

2010-06-10 10:47:33

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首款面向衛(wèi)星通信應(yīng)用的GaN HEMT MMIC高功率放大器(HPA)

科銳公司日前在巴爾的摩舉行的 2011 年 IEEE 國際微波研討會上展出業(yè)界首款面向衛(wèi)星通信應(yīng)用的 GaN HEMT MMIC 高功率放大器 (HPA)

2011-06-23 09:09:21

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高效GaN微波功率模塊

國產(chǎn)高效GaN微波功率模塊，HEG001D、HEG205B等。針對寬帶、高功率微波系統(tǒng)及有源相控陣雷達應(yīng)用需求，最新推出小型化高功率GaN功率模塊，采用先進的平面內(nèi)匹配合成技術(shù)，基于成熟的薄膜混合

2015-11-26 15:44:53

不同的微波從柵極注入HEMT的影響

針對典型的GaAs高電子遷移率晶體管（HEMT），研究了不同頻率高功率微波從柵極注入HEMT后的影響。利用半導(dǎo)體仿真軟件Sentaurus-TCAD建立了HEMT器件二維電熱模型，考慮了高電場

2017-11-06 15:17:32

紅外顯微鏡用于測量高性能微波GaN HEMT器件和MMIC的有什么局限性？

本文討論了紅外顯微鏡用于測量高性能微波GaN HEMT器件和MMIC的局限性。它還將描述Qorvo的熱分析集成方法，它利用建模、經(jīng)驗測量（包括顯微拉曼熱成像）和有限元分析（FEA）。該方法是非常有效的，并已被經(jīng)驗驗證。通過承認紅外顯微鏡的局限性，預(yù)測和測量可以比用低功率密度技術(shù)開發(fā)的傳統(tǒng)方法更精確。

2018-08-02 11:29:00

GaN HEMT增強型器件技術(shù)路線及關(guān)鍵科學(xué)問題

在實際應(yīng)用中，為實現(xiàn)失效安全的增強模式（E-mode）操作，科研人員廣泛研究了基于凹槽柵結(jié)構(gòu)的MIS柵、p-GaN regrowth柵增強型GaN HEMT器件。在實際的器件制備過程中，精確控制柵極凹槽刻蝕深度、減小凹槽界面態(tài)密度直接影響器件閾值電壓均勻性

2020-10-09 14:18:50

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GaN HEMT概述/分類/結(jié)構(gòu)/工作原理

氮化鎵高電子遷移率晶體管GaN HEMT(High Electron Mobility Transistors)作為寬禁帶(WBG)功率半導(dǎo)體器件的代表，器件在高頻功率應(yīng)用方面有巨大的潛力。GaN材料相比于 Si 和SiC 具有更高的電子遷移率、飽和電子速度和擊穿電場，如圖1所示。

2022-02-10 15:27:43

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肖特基二極管和耗盡型 HEMT 與200-V GaN IC的單片集成

Imec 展示了高性能肖特基勢壘二極管和耗盡型（d-mode）高電子遷移率晶體管（HEMT）在基于 p 型氮化鎵（GaN） HEMT 的 200-V GaN- 上的成功共集成。在 200 毫米基板上開發(fā)的 on-SOI 智能功率集成電路（IC）平臺。

2022-07-29 15:34:03

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新的GaN技術(shù)簡化了驅(qū)動基于GaN的HEMT

雖然乍一看似乎比較簡單，但這些器件的柵極驅(qū)動器電路需要仔細設(shè)計。首先，通常關(guān)閉的基于 GaN 的 HEMT 需要負電壓來將其關(guān)閉并將其保持在關(guān)閉狀態(tài)，從而避免意外開啟。

2022-07-29 09:27:17

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高功率GaN HEMT的可靠性設(shè)計

2,000 cm2/V·s 的 1.3 倍電子遷移率，這意味著與 RDS(ON) 和擊穿電壓相同的硅基器件相比，GaN RF 高電子遷移率晶體管（HEMT）的尺寸要小得多。因此，GaN RF HEMT 的應(yīng)用超出了蜂窩基站和國防雷達范疇，在所有 RF 細分市場中獲得應(yīng)用。

2022-09-19 09:33:21

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GaN HEMT基本概述、分類及工作原理

2022-09-27 10:30:17

7365

GaN HEMT 模型初階入門：非線性模型如何幫助進行 GaN PA 設(shè)計？（第一部分，共兩部分）

GaN HEMT 模型初階入門：非線性模型如何幫助進行 GaN PA 設(shè)計？（第一部分，共兩部分）

2022-12-26 10:16:25

2036

GaN功率HEMT設(shè)計+GaN寬帶功率放大器設(shè)計

GaN功率HEMT設(shè)計+GaN寬帶功率放大器設(shè)計

2023-01-30 14:17:44

1435

用熱反射測溫技術(shù)測量GaN HEMT的瞬態(tài)溫度

第三代半導(dǎo)體器件CaN高電子遷移率晶體管（HEMT）具備較高的功率密度，同時具有較強的自熱效應(yīng)，在大功率工作條件下會產(chǎn)生較高的結(jié)溫。根據(jù)半導(dǎo)體器件可靠性理論，器件的工作溫度、性能及可靠性有著極為密切的聯(lián)系，因此準確檢測GaN HEMT的溫度就顯得極為重要。

2023-02-13 09:27:52

3312

AlN/AIGaN/GaN MIS-HEMT器件制作

絕緣柵和肖特基柵HEMT器件結(jié)構(gòu)如圖1所示， AlGaN/GaN異質(zhì)結(jié)采用MOCVD技術(shù)在2英寸c面藍寶石襯底上外延得到，由下往上依次為180nm高溫AlN成核層、13μm非摻雜GaN緩沖層、1nm AlN界面插入層、22nm AlGaN勢壘層、及2nm GaN帽層，勢壘層鋁組分設(shè)定為30%。

2023-02-14 09:31:16

5006

一款GaN HEMT內(nèi)匹配功率放大器設(shè)計過程詳解

一款GaN HEMT內(nèi)匹配功率放大器設(shè)計過程詳解張書源，鐘世昌發(fā)表于 2020-01-22 16:55:00 模擬技術(shù) +關(guān)注 0 引言近年來，寬禁帶材料與微波功率器件發(fā)展非常迅猛。GaN材料

2023-02-17 09:52:43

GaN HEMT外延材料表征技術(shù)研究進展

晶體管 ( HEMT) 的性能，不同材料特征的表征需要不同的測量工具和 技術(shù)，進而呈現(xiàn)器件性能的優(yōu)劣。綜述了 GaN HEMT 外延材料的表征技術(shù)，詳細介紹了幾種表征技術(shù)的應(yīng)用場景和近年來國內(nèi)外的相關(guān)

2023-02-20 11:47:22

3015

CHK8201-SYA?GAN HEMT微波晶體管UMS

致力于高至4GHz的普遍射頻功率應(yīng)用領(lǐng)域需求設(shè)計。CHK8201-SYA特別適合多功能應(yīng)用領(lǐng)域，例如空間和電信網(wǎng)絡(luò) CHK8101-SYC在SIC技術(shù)上使用的GAN是種表面評估的HEMT工藝技術(shù)，根據(jù)

2023-05-09 11:32:02

560

GaN HEMT大信號模型

GaN HEMT 為功率放大器設(shè)計者提供了對 LDMOS、GaAs 和 SiC 技術(shù)的許多改進。更有利的特性包括高電壓操作、高擊穿電壓、功率密度高達 8W/mm、fT 高達 25 GHz 和低靜態(tài)

2023-05-24 09:40:01

3467

GaN HEMT工藝全流程

GaN HEMT（高電子遷移率晶體管：High Electron Mobility Transistor）是新一代功率半導(dǎo)體，具有低工作電阻和高抗損性，有望應(yīng)用于大功率和高頻電子設(shè)備。

2023-05-25 15:14:06

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GaN單晶襯底顯著改善HEMT器件電流崩塌效應(yīng)

由于GaN和AlGaN材料中擁有較強的極化效應(yīng)，AlGaN/GaN異質(zhì)結(jié)無需進行調(diào)制摻雜就能在界面處形成高濃度的二維電子氣(2DEG)，在此基礎(chǔ)上發(fā)展而來的高電子遷移率晶體管(HEMT)是GaN材料

2023-06-14 14:00:55

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AlGaN/GaN結(jié)構(gòu)的氧基數(shù)字蝕刻

寬帶隙GaN基高電子遷移率晶體管(HEMTs)和場效應(yīng)晶體管(fet)能夠提供比傳統(tǒng)Si基高功率器件更高的擊穿電壓和電子遷移率。常關(guān)GaN非常需要HEMT來降低功率并簡化電路和系統(tǒng)架構(gòu)，這是GaN HEMT技術(shù)的主要挑戰(zhàn)之一。凹進的AlGaN/GaN結(jié)構(gòu)是實現(xiàn)常關(guān)操作的有用選擇之一。

2023-10-10 16:21:11

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GaN的驅(qū)動電路有哪些挑戰(zhàn)？怎么在技術(shù)上各個突破？

的應(yīng)用前景。然而，由于其特殊的材料性質(zhì)，GaN的驅(qū)動電路面臨著一些挑戰(zhàn)。為了克服這些挑戰(zhàn)并實現(xiàn)GaN驅(qū)動電路的突破，需要采取一些技術(shù)手段和設(shè)計技巧。首先，由于GaN具有較高的開關(guān)速度和能力，因此在驅(qū)動電路設(shè)計中需要考慮高頻響應(yīng)和快速

2023-11-07 10:21:44

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GaN HEMT為什么不能做成低壓器件

。由于這些優(yōu)勢，GaN HEMT在射頻功率放大器、微波通信、雷達、衛(wèi)星通信和電源應(yīng)用等領(lǐng)域被廣泛采用。然而，GaN HEMT也存在一些限制，其中一個是它不能作為低壓器件使用。下面將詳細探討為什么GaN HEMT不能做成低壓器件，以及該限制的原因。首先，為了明

2023-12-07 17:27:20

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改善GaN HEMT功率器件的短路耐受時間

在本文中，我們將討論氮化鎵 (GaN) HEMT 功率器件中的一個關(guān)鍵參數(shù)，即短路耐受時間 (SCWT)。

2024-05-09 10:43:26

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GaN HEMT有哪些優(yōu)缺點

GaN HEMT（氮化鎵高電子遷移率晶體管）作為一種先進的功率半導(dǎo)體器件，在電力電子、高頻通信、汽車電子等多個領(lǐng)域展現(xiàn)出了顯著的優(yōu)勢，但同時也存在一些缺點。以下是對GaN HEMT優(yōu)缺點的詳細分析：

2024-08-15 11:09:20

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GaN HEMT驅(qū)動芯片NSD2017助力解決激光雷達應(yīng)用挑戰(zhàn)

自動駕駛是新能源汽車智能化的重要發(fā)展方向，而具備強感知能力的激光雷達則是L2+及以上級別自動駕駛不可或缺的硬件設(shè)備。納芯微的單通道高速柵極驅(qū)動芯片NSD2017，專為激光雷達發(fā)射器中驅(qū)動GaN HEMT（高電子遷移率晶體管）而設(shè)計，助力應(yīng)對激光雷達應(yīng)用中的各項挑戰(zhàn)。

2024-08-22 09:23:27

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