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      GaN HEMT工藝全流程

      1770176343 ? 來源：半導(dǎo)體封裝工程師之家 ? 2023-05-25 15:14 ? 次閱讀
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      GaN HEMT（高電子遷移率晶體管：High Electron Mobility Transistor）是新一代功率半導(dǎo)體，具有低工作電阻和高抗損性，有望應(yīng)用于大功率和高頻電子設(shè)備。

      f9dfde16-fac9-11ed-90ce-dac502259ad0.png

      GAN HEMT的工藝流程

      f9eb5de0-fac9-11ed-90ce-dac502259ad0.png 1. GaN外延層形成
      f9f6cb1c-fac9-11ed-90ce-dac502259ad0.png 2. N+離子注入
      fa13339c-fac9-11ed-90ce-dac502259ad0.png 3. Isolate離子注入
      fa1bd74a-fac9-11ed-90ce-dac502259ad0.png 4. AlGaN Recess or 選擇刻蝕
      為了形成Gate的Recess構(gòu)造，需要非常淺的加工。極低速率、選擇加工、無損傷非常重要。
      fa3b1fb0-fac9-11ed-90ce-dac502259ad0.png 5. SiN Gate 絕緣膜形成
      fa5abe42-fac9-11ed-90ce-dac502259ad0.png 6. SiN Gate 絕緣膜加工
      要求低損傷刻蝕。
      fa660b8a-fac9-11ed-90ce-dac502259ad0.png 7. Gate電極形成&Lift off
      Gate電極的形成使用蒸鍍的
      Lift off工藝。
      fa8cf588-fac9-11ed-90ce-dac502259ad0.png 8. S/D電極形成＆加工
      Ti/Al以濺射成膜、通過刻蝕加工
      形成電極。
      faa61be4-fac9-11ed-90ce-dac502259ad0.png 9. 支持基板貼合&研磨
      faac7ad4-fac9-11ed-90ce-dac502259ad0.png 10. 背面Via刻蝕
      為了連接電極，需要對(duì)背面的
      Si/SiC進(jìn)行Via加工。
      facef820-fac9-11ed-90ce-dac502259ad0.png 11. 種子金屬層成膜
      在電鍍之前，通過濺射形成種子層。
      fae68760-fac9-11ed-90ce-dac502259ad0.png 12. 電鍍

      審核編輯：湯梓紅

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      原文標(biāo)題：GaN HEMT工藝全流程

      文章出處：【微信號(hào)：半導(dǎo)體封裝工程師之家，微信公眾號(hào)：半導(dǎo)體封裝工程師之家】歡迎添加關(guān)注！文章轉(zhuǎn)載請(qǐng)注明出處。

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