chinese直男口爆体育生外卖, 99久久er热在这里只有精品99, 又色又爽又黄18禁美女裸身无遮挡, gogogo高清免费观看日本电视,私密按摩师高清版在线,人妻视频毛茸茸,91论坛 兴趣闲谈,欧美 亚洲 精品 8区,国产精品久久久久精品免费

搜索歷史

清空
搜索熱詞
      0
      • 聊天消息
      • 系統(tǒng)消息
      • 評(píng)論與回復(fù)
      VIP于 到期 續(xù)費(fèi)
      登錄后你可以
      • 下載海量資料
      • 學(xué)習(xí)在線課程
      • 觀看技術(shù)視頻
      • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
      會(huì)員中心
      創(chuàng)作中心
      發(fā)布
      創(chuàng)作活動(dòng)

      完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識(shí)你，還能領(lǐng)取20積分哦，立即完善>

      3天內(nèi)不再提示

      GaN HEMT工藝全流程

      1770176343 ? 來(lái)源：半導(dǎo)體封裝工程師之家 ? 2023-05-25 15:14 ? 次閱讀
      加入交流群
      微信小助手二維碼

      掃碼添加小助手

      加入工程師交流群

      GaN HEMT（高電子遷移率晶體管：High Electron Mobility Transistor）是新一代功率半導(dǎo)體，具有低工作電阻和高抗損性，有望應(yīng)用于大功率和高頻電子設(shè)備。

      f9dfde16-fac9-11ed-90ce-dac502259ad0.png

      GAN HEMT的工藝流程

      f9eb5de0-fac9-11ed-90ce-dac502259ad0.png 1. GaN外延層形成
      f9f6cb1c-fac9-11ed-90ce-dac502259ad0.png 2. N+離子注入
      fa13339c-fac9-11ed-90ce-dac502259ad0.png 3. Isolate離子注入
      fa1bd74a-fac9-11ed-90ce-dac502259ad0.png 4. AlGaN Recess or 選擇刻蝕
      為了形成Gate的Recess構(gòu)造，需要非常淺的加工。極低速率、選擇加工、無(wú)損傷非常重要。
      fa3b1fb0-fac9-11ed-90ce-dac502259ad0.png 5. SiN Gate 絕緣膜形成
      fa5abe42-fac9-11ed-90ce-dac502259ad0.png 6. SiN Gate 絕緣膜加工
      要求低損傷刻蝕。
      fa660b8a-fac9-11ed-90ce-dac502259ad0.png 7. Gate電極形成&Lift off
      Gate電極的形成使用蒸鍍的
      Lift off工藝。
      fa8cf588-fac9-11ed-90ce-dac502259ad0.png 8. S/D電極形成＆加工
      Ti/Al以濺射成膜、通過(guò)刻蝕加工
      形成電極。
      faa61be4-fac9-11ed-90ce-dac502259ad0.png 9. 支持基板貼合&研磨
      faac7ad4-fac9-11ed-90ce-dac502259ad0.png 10. 背面Via刻蝕
      為了連接電極，需要對(duì)背面的
      Si/SiC進(jìn)行Via加工。
      facef820-fac9-11ed-90ce-dac502259ad0.png 11. 種子金屬層成膜
      在電鍍之前，通過(guò)濺射形成種子層。
      fae68760-fac9-11ed-90ce-dac502259ad0.png 12. 電鍍

      審核編輯：湯梓紅

      聲明：本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人，不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用，如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問(wèn)題，請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
      • 半導(dǎo)體
        +關(guān)注

        關(guān)注

        336

        文章

        29983

        瀏覽量

        258297
      • 晶體管
        +關(guān)注

        關(guān)注

        78

        文章

        10257

        瀏覽量

        146285
      • GaN
        GaN
        +關(guān)注

        關(guān)注

        21

        文章

        2330

        瀏覽量

        79244
      • 工藝流程
        +關(guān)注

        關(guān)注

        7

        文章

        113

        瀏覽量

        16808
      • HEMT
        +關(guān)注

        關(guān)注

        2

        文章

        78

        瀏覽量

        14326

      原文標(biāo)題：GaN HEMT工藝全流程

      文章出處：【微信號(hào)：半導(dǎo)體封裝工程師之家，微信公眾號(hào)：半導(dǎo)體封裝工程師之家】歡迎添加關(guān)注！文章轉(zhuǎn)載請(qǐng)注明出處。

      收藏 人收藏
      加入交流群
      微信小助手二維碼

      掃碼添加小助手

      加入工程師交流群

        評(píng)論

        相關(guān)推薦
        熱點(diǎn)推薦

        SGK5872-20A 是一款高功率 GaN-HEMT，其內(nèi)部匹配標(biāo)準(zhǔn)通信頻段，可提供最佳功率和線性度。

        SGK5872-20A 類別：GaN 產(chǎn)品 > 用于無(wú)線電鏈路和衛(wèi)星通信的 GaN HEMT 外形/封裝代碼：I2C 功能：C 波段內(nèi)部匹配 GaN-HEMT 高輸出功率：P5d
        發(fā)表于 06-16 16:18

        GaN HEMT在電機(jī)設(shè)計(jì)中有以下優(yōu)點(diǎn)

        的消息是硅供應(yīng)商現(xiàn)在可以提供基于GaN HEMT的集成解決方案，大大簡(jiǎn)化了高壓高頻交流電機(jī)的逆變器設(shè)計(jì)。在此之前GaN HEMT被包裝成一個(gè)帶有獨(dú)立驅(qū)動(dòng)的分立器件，因?yàn)榫w管和驅(qū)動(dòng)元件
        發(fā)表于 07-16 00:27

        GaN HEMT可靠性測(cè)試：為什么業(yè)界無(wú)法就一種測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)達(dá)成共識(shí)

        如果基于GaN的HEMT可靠性的標(biāo)準(zhǔn)化測(cè)試方法迫在眉睫，那么制造商在幫助同時(shí)提供高質(zhì)量GaN器件方面正在做什么？ GaN高電子遷移率晶體管（HEMT
        發(fā)表于 09-23 10:46

        芯片制造全工藝流程解析

        芯片制造全工藝流程詳情
        發(fā)表于 12-28 06:20

        基于GaN HEMT的半橋LLC優(yōu)化設(shè)計(jì)和損耗分析

        目前傳統(tǒng)硅半導(dǎo)體器件的性能已逐漸接近其理論極限， 即使采用最新的硅器件和軟開(kāi)關(guān)拓?fù)?，效率在開(kāi)關(guān)頻率超過(guò) 250 kHz 時(shí)也會(huì)受到影響。 而增強(qiáng)型氮化鎵晶體管 GaN HEMT（gallium
        發(fā)表于 09-18 07:27

        新的GaN技術(shù)簡(jiǎn)化了驅(qū)動(dòng)基于GaN的HEMT

        雖然乍一看似乎比較簡(jiǎn)單，但這些器件的柵極驅(qū)動(dòng)器電路需要仔細(xì)設(shè)計(jì)。首先，通常關(guān)閉的基于 GaN 的 HEMT 需要負(fù)電壓來(lái)將其關(guān)閉并將其保持在關(guān)閉狀態(tài)，從而避免意外開(kāi)啟。
        發(fā)表于 07-29 09:27 ?2373次閱讀
        新的<b class='flag-5'>GaN</b>技術(shù)簡(jiǎn)化了驅(qū)動(dòng)基于<b class='flag-5'>GaN</b>的<b class='flag-5'>HEMT</b>

        高功率GaN HEMT的可靠性設(shè)計(jì)

        2,000 cm2/V·s 的 1.3 倍電子遷移率，這意味著與 RDS(ON) 和擊穿電壓相同的硅基器件相比，GaN RF 高電子遷移率晶體管（HEMT）的尺寸要小得多。因此，GaN RF
        的頭像 發(fā)表于 09-19 09:33 ?3384次閱讀

        淺談GaN芯片的制備工藝（GaN HEMT工藝為例）

        本文聊一下GaN芯片的制備工藝。 GaN-般都是用外延技術(shù)制備出來(lái)。GaN的外延工藝大家可以看看中村修二的書。
        發(fā)表于 10-19 11:53 ?3127次閱讀

        GaN功率HEMT設(shè)計(jì)+GaN寬帶功率放大器設(shè)計(jì)

        GaN功率HEMT設(shè)計(jì)+GaN寬帶功率放大器設(shè)計(jì)
        發(fā)表于 01-30 14:17 ?1403次閱讀

        GaN HEMT為什么不能做成低壓器件

        GaN HEMT為什么不能做成低壓器件? GaN HEMT（氮化鎵高電子遷移率晶體管）是一種迅速嶄露頭角的高頻功率器件，具有很高的電子遷移率、大的電子飽和漂移速度、高的飽和電子流動(dòng)速度
        的頭像 發(fā)表于 12-07 17:27 ?1816次閱讀

        微波GaN HEMT 技術(shù)面臨的挑戰(zhàn)

        報(bào)告內(nèi)容包含： 微帶WBG MMIC工藝 GaN HEMT 結(jié)構(gòu)的生長(zhǎng) GaN HEMT 技術(shù)面臨的挑戰(zhàn)
        發(fā)表于 12-14 11:06 ?875次閱讀
        微波<b class='flag-5'>GaN</b> <b class='flag-5'>HEMT</b> 技術(shù)面臨的挑戰(zhàn)

        GaN HEMT有哪些優(yōu)缺點(diǎn)

        GaN HEMT（氮化鎵高電子遷移率晶體管）作為一種先進(jìn)的功率半導(dǎo)體器件，在電力電子、高頻通信、汽車電子等多個(gè)領(lǐng)域展現(xiàn)出了顯著的優(yōu)勢(shì)，但同時(shí)也存在一些缺點(diǎn)。以下是對(duì)GaN HEMT優(yōu)缺
        的頭像 發(fā)表于 08-15 11:09 ?3954次閱讀

        高速GaN E-HEMT的測(cè)量技巧方案免費(fèi)下載

        高速GaN E-HEMT的測(cè)量技巧總結(jié) 一、概述 ? 重要性 ?：GaN E-HEMT（氮化鎵增強(qiáng)型高電子遷移率晶體管）具有極高的開(kāi)關(guān)速度，因此準(zhǔn)確的測(cè)量技術(shù)對(duì)評(píng)估其性能至關(guān)重要。 ?
        的頭像 發(fā)表于 02-27 18:06 ?981次閱讀

        GaN HEMT的SPICE模型使用指南及示例

        GaN HEMT的SPICE模型使用指南及示例總結(jié) 本文檔基于GaN HEMT的實(shí)測(cè)特性描述了當(dāng)前版本的模型。該模型專為與PSpice和LTspice配合使用而開(kāi)發(fā)。本文檔首先介紹該模
        的頭像 發(fā)表于 03-11 17:43 ?1955次閱讀
        <b class='flag-5'>GaN</b> <b class='flag-5'>HEMT</b>的SPICE模型使用指南及示例

        增強(qiáng)AlN/GaN HEMT

        一種用于重?fù)诫sn型接觸的選擇性刻蝕工藝實(shí)現(xiàn)了AlN/GaN HEMT的縮小 上圖：原位SiN/AlN/GaN HEMT外延堆疊示意圖 俄亥俄
        的頭像 發(fā)表于 06-12 15:44 ?698次閱讀
        增強(qiáng)AlN/<b class='flag-5'>GaN</b> <b class='flag-5'>HEMT</b>