探索BFU520Y：雙NPN寬帶硅射頻晶體管的卓越性能 在射頻晶體管的領(lǐng)域中，NXP的BFU520Y脫穎而出，成為高速、低噪聲應(yīng)用的理想之選。今天，我們就來深入剖析這款雙NPN寬帶硅射頻晶體管，看看
2025-12-30 17:35:13
410 ，并在 “GaN and III-V Integration for Next-Generation RF Devices” 分會(huì)場(chǎng)首個(gè)亮相，標(biāo)志著氮化鎵高電子遷移率晶體管（GaN HEMT）技術(shù)在移動(dòng)終端通信領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)歷史性突破。 ? 當(dāng)前移動(dòng)通信正
2025-12-18 10:08:201760 
在電子工程師的日常設(shè)計(jì)工作中，選擇合適的晶體管至關(guān)重要。今天，我們就來深入了解一下ON Semiconductor的NSS40301MZ4 NPN晶體管，看看它在實(shí)際應(yīng)用中能為我們帶來哪些優(yōu)勢(shì)。
2025-12-02 16:14:18630 
在電子電路設(shè)計(jì)中，晶體管的合理選擇和應(yīng)用對(duì)于電路性能起著關(guān)鍵作用。今天，我們就來深入探討ON Semiconductor推出的MUN2231、MMUN2231L、MUN5231、DTC123EE、DTC123EM3、NSBC123EF3這一系列數(shù)字晶體管。
2025-12-02 15:46:03253 
在電子電路設(shè)計(jì)中，合理選擇晶體管至關(guān)重要，它關(guān)乎著電路的性能、成本和空間利用。今天就來為大家詳細(xì)介紹ON Semiconductor的MUN2234、MMUN2234L、MUN5234、DTC124XE、DTC124XM3、NSBC124XF3這一系列數(shù)字晶體管。
2025-12-02 09:41:59320 
在電子工程師的日常設(shè)計(jì)工作中，選擇合適的晶體管對(duì)于實(shí)現(xiàn)高效、可靠的電路至關(guān)重要。今天，我們將深入探討ON Semiconductor的NSV1C300CT PNP晶體管，這款器件在低電壓、高電流應(yīng)用中展現(xiàn)出了出色的性能。
2025-11-26 15:15:05236 
在電子工程師的日常設(shè)計(jì)工作中，通用晶體管是不可或缺的基礎(chǔ)元件。今天我們要深入探討的是安森美（onsemi）推出的NST846MTWFT NPN通用晶體管，它在諸多方面展現(xiàn)出了獨(dú)特的優(yōu)勢(shì)，下面我們就來詳細(xì)了解一下。
2025-11-26 15:10:43260 
在電子設(shè)備的設(shè)計(jì)中，選擇合適的晶體管對(duì)于實(shí)現(xiàn)高效、穩(wěn)定的性能至關(guān)重要。今天，我們將深入探討ON Semiconductor推出的NSS40300CT PNP晶體管，看看它在電子設(shè)計(jì)領(lǐng)域能為我們帶來哪些優(yōu)勢(shì)。
2025-11-26 15:01:11261 
在電子工程師的日常設(shè)計(jì)工作中，晶體管作為基礎(chǔ)且關(guān)鍵的元件，其性能和特性直接影響著整個(gè)電路的表現(xiàn)。今天，我們就來詳細(xì)探討 onsemi 推出的 BCP56M 通用晶體管，看看它在實(shí)際應(yīng)用中能為我們帶來哪些優(yōu)勢(shì)。
2025-11-26 14:28:03280 
安森美BCP53M PNP中等功率晶體管是一款80 V、1 A器件，設(shè)計(jì)用于通用放大器應(yīng)用。該晶體管采用可濕性側(cè)翼DFN2020-3封裝，可實(shí)現(xiàn)最佳自動(dòng)光學(xué)檢測(cè)（AOI），具有出色的熱性
2025-11-26 14:12:12437 
安森美NST856MTWFT PNP晶體管設(shè)計(jì)用于通用放大器應(yīng)用。這些晶體管采用緊湊型DFN1010-3封裝，帶可濕性側(cè)翼，適用于汽車行業(yè)。NST856MTWFT晶體管 無鉛、無鹵/無BFR,符合
2025-11-26 13:45:33430 
安森美 (onsemi) NSVT5551M雙極晶體管通過了AEC-Q101認(rèn)證，是一款NPN通用型低V~CE(sat)~ 放大器。這款NPN雙極晶體管具有匹配的芯片，存放溫度范圍為-55°C至
2025-11-25 10:50:45364 
onsemi MUN5136數(shù)字晶體管旨在取代單個(gè)器件及其外部電阻偏置網(wǎng)絡(luò)。這些數(shù)字晶體管包含一個(gè)晶體管和一個(gè)單片偏置網(wǎng)絡(luò)，單片偏置網(wǎng)絡(luò)由兩個(gè)電阻器組成，一個(gè)是串聯(lián)基極電阻器，另一個(gè)是基極-發(fā)射極
2025-11-24 16:27:15579 
安森美 (onsemi) NSBAMXW PNP偏置電阻晶體管 (BRT) 設(shè)計(jì)用于替換單個(gè)設(shè)備和相關(guān)外部偏置電阻網(wǎng)絡(luò)。 這些PNP偏置電阻晶體管集成了單個(gè)晶體管和一個(gè)單片偏置網(wǎng)絡(luò)，該網(wǎng)絡(luò)由一個(gè)系列
2025-11-21 16:22:38626 
電壓選擇晶體管應(yīng)用電路第二期
以前發(fā)表過關(guān)于電壓選擇晶體管的結(jié)構(gòu)和原理的文章，這一期我將介紹一下電壓選擇晶體管的用法。如圖所示：
當(dāng)輸入電壓Vin等于電壓選擇晶體管QS的柵極控制電壓時(shí)，三極管Q
2025-11-17 07:42:37
【2025年11月5日, 德國慕尼黑訊】 英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）宣布推出其首款符合汽車電子委員會(huì)（AEC）汽車應(yīng)用標(biāo)準(zhǔn)的氮化鎵（GaN）晶體管系列
2025-11-05 14:31:0559496 
列GaN氮化鎵晶體管現(xiàn)新增底部散熱型ThinPAK8x8和DPAK封裝版本，專為各種工業(yè)與消費(fèi)類應(yīng)用中的最優(yōu)散熱性能而設(shè)計(jì)。產(chǎn)品型號(hào)：■IGD70R500D2■IGD7
2025-11-03 18:18:052815 
晶體管是一種以半導(dǎo)體材料為基礎(chǔ)的電子元件，具有檢波、整流、放大、開關(guān)、穩(wěn)壓和信號(hào)調(diào)制等多種功能?。其核心是通過控制輸入電流或電壓來調(diào)節(jié)輸出電流，實(shí)現(xiàn)信號(hào)放大或電路開關(guān)功能?。 基本定義 晶體管泛指
2025-10-24 12:20:23351 
本文將深入探討兩種備受矚目的功率晶體管——英飛凌的 CoolGaN（氮化鎵高電子遷移率晶體管）和 OptiMOS 6（硅基場(chǎng)效應(yīng)晶體管），在極端短路條件下的表現(xiàn)。通過一系列嚴(yán)謹(jǐn)?shù)臏y(cè)試，我們將揭示
2025-10-07 11:55:002980 
隨著集成電路科學(xué)與工程的持續(xù)發(fā)展，當(dāng)前集成電路已涵蓋二極管、晶體管、非易失性存儲(chǔ)器件、功率器件、光子器件、電阻與電容器件、傳感器件共 7 個(gè)大族，衍生出 100 多種不同類型的器件，推動(dòng)集成電路技術(shù)
2025-09-22 10:53:481312 
電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供()0.45-6.0 GHz 低噪聲晶體管相關(guān)產(chǎn)品參數(shù)、數(shù)據(jù)手冊(cè)，更有0.45-6.0 GHz 低噪聲晶體管的引腳圖、接線圖、封裝手冊(cè)、中文資料、英文資料，0.45-6.0
2025-09-18 18:33:55
多值電場(chǎng)型電壓選擇晶體管結(jié)構(gòu)
為滿足多進(jìn)制邏輯運(yùn)算的需要，設(shè)計(jì)了一款多值電場(chǎng)型電壓選擇晶體管。控制二進(jìn)制電路通斷需要二進(jìn)制邏輯門電路，實(shí)際上是對(duì)電壓的一種選擇，而傳統(tǒng)二進(jìn)制邏輯門電路通常比較復(fù)雜
2025-09-15 15:31:09
繼上一篇屏蔽柵MOSFET技術(shù)簡(jiǎn)介后，我們這次介紹下GaN HEMT器件。GaN 半導(dǎo)體材料是一種由鎵元素與氮元素組成的Ⅲ-Ⅴ族化合物半導(dǎo)體，在消費(fèi)電子領(lǐng)域，特別是快速充電器產(chǎn)品的成功商用，昭示了其成熟的市場(chǎng)地位與廣闊應(yīng)用前景。
2025-09-02 17:18:334522 
選型手冊(cè)：MRFE6VP61K25 系列 RF 功率 LDMOS 晶體管
2025-08-27 17:51:246131 
CHK8201-SYA CHK8201-SYA 的高功率特性令人驚嘆。25W 的輸出功率，猶如磅礴的洪流，為各種射頻功率應(yīng)用提供了源源不斷的動(dòng)力
2025-08-20 15:44:15
CHK015AaQIA CHK015AaQIA 的身體是由 GaN HEMT 技術(shù)和 SiC 材料構(gòu)成的，這讓它擁有超凡的力量。它能
2025-08-20 14:54:22
CHK8013-99F CHK8013-99F 擁有 14W 的強(qiáng)大輸出功率，如同夜空中最亮的星，照亮了微波射頻的天地。它的效率高達(dá) 70%，如同
2025-08-20 11:18:02
基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家Nexperia（安世半導(dǎo)體）近日宣布擴(kuò)展其雙極性晶體管(BJT)產(chǎn)品組合，推出12款采用銅夾片封裝(CFP15B)的MJD式樣的雙極性晶體管。這款名為MJPE系列
2025-07-18 14:19:472331 Texas Instruments LMG2100R026 GaN半橋功率級(jí)集成了柵極驅(qū)動(dòng)器和增強(qiáng)型氮化鎵（GaN）場(chǎng)效應(yīng)晶體管。93V連續(xù)、100V脈沖、53A半橋功率級(jí)包含兩個(gè)GaN FET，由
2025-07-11 14:40:22679 
GaN器件當(dāng)前被稱作HEMT(高電子遷移率晶體管)，此類高電子遷移率的晶體管應(yīng)用于諸多電子設(shè)備中，如全控型電力開關(guān)、高頻放大器或振蕩器。與傳統(tǒng)的硅金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管 (MOSFET) 相比
2025-07-09 11:13:063371 
電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供()密封高速晶體管雙通道光耦合器相關(guān)產(chǎn)品參數(shù)、數(shù)據(jù)手冊(cè)，更有密封高速晶體管雙通道光耦合器的引腳圖、接線圖、封裝手冊(cè)、中文資料、英文資料，密封高速晶體管雙通道光耦合器真值表，密封高速晶體管雙通道光耦合器管腳等資料，希望可以幫助到廣大的電子工程師們。
2025-07-08 18:33:02
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2025-07-08 18:29:59
芯片制程從微米級(jí)進(jìn)入2納米時(shí)代，晶體管架構(gòu)經(jīng)歷了從 Planar FET 到 MBCFET的四次關(guān)鍵演變。這不僅僅是形狀的變化，更是一次次對(duì)物理極限的挑戰(zhàn)。從平面晶體管到MBCFET，每一次架構(gòu)演進(jìn)到底解決了哪些物理瓶頸呢？
2025-07-08 16:28:022047 
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2025-07-04 18:35:19
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2025-07-04 18:31:58
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2025-07-04 18:31:18
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2025-07-04 18:30:49
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2025-07-03 18:31:17
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2025-07-03 18:30:33
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2025-07-03 18:30:00
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2025-07-02 18:35:21
晶體管光耦（PhotoTransistorCoupler）是一種將發(fā)光器件和光敏器件組合在一起的半導(dǎo)體器件，用于實(shí)現(xiàn)電路之間的電氣隔離，同時(shí)傳遞信號(hào)或功率。晶體管光耦的工作原理基于光電效應(yīng)和半導(dǎo)體
2025-06-20 15:15:49731 
在半導(dǎo)體工藝演進(jìn)到2nm，1nm甚至0.7nm等節(jié)點(diǎn)以后，晶體管結(jié)構(gòu)該如何演進(jìn)？2017年，imec推出了叉片晶體管（forksheet），作為環(huán)柵（GAA）晶體管的自然延伸。不過，產(chǎn)業(yè)對(duì)其可制造
2025-06-20 10:40:07
SGK5872-20A
類別：GaN 產(chǎn)品 > 用于無線電鏈路和衛(wèi)星通信的 GaN HEMT
外形/封裝代碼：I2C
功能：C 波段內(nèi)部匹配 GaN-HEMT
高輸出功率：P5dB
2025-06-16 16:18:36
尺寸小得多、工作頻率高得多的AlN/GaN HEMT。 該團(tuán)隊(duì)的突破涉及原位鈍化和使用選擇性刻蝕工藝添加再生長(zhǎng)重?fù)诫sn型接觸。 AlN/GaN HEMT是一類極具前景的晶體管，可用于射頻和功率器件
2025-06-12 15:44:37800 
深圳市三佛科技有限公司供應(yīng)2SC5200音頻配對(duì)功率管PNP型晶體管，原裝現(xiàn)貨
2SC5200是一款PNP型晶體管，2SA1943的補(bǔ)充型。
擊穿電壓：250V (集射極電壓 Vceo) min
2025-06-05 10:24:29
自半導(dǎo)體晶體管問世以來，集成電路技術(shù)便在摩爾定律的指引下迅猛發(fā)展。摩爾定律預(yù)言，單位面積上的晶體管數(shù)量每?jī)赡攴环?，而這一進(jìn)步在過去幾十年里得到了充分驗(yàn)證。
2025-06-03 18:24:131495 
橫向氮化鎵高電子遷移率晶體管(HEMT)在中低功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用領(lǐng)域正呈現(xiàn)強(qiáng)勁增長(zhǎng)態(tài)勢(shì)。將這一材料體系擴(kuò)展至更高電壓等級(jí)需要器件設(shè)計(jì)和襯底技術(shù)的創(chuàng)新。本文總結(jié)了臺(tái)灣研究團(tuán)隊(duì)在工程襯底上開發(fā)1500V擊穿
2025-05-28 11:38:15669 
導(dǎo)語薄膜晶體管（TFT）作為平板顯示技術(shù)的核心驅(qū)動(dòng)元件，通過材料創(chuàng)新與工藝優(yōu)化，實(shí)現(xiàn)了從傳統(tǒng)非晶硅向氧化物半導(dǎo)體、柔性電子的技術(shù)跨越。本文將聚焦于薄膜晶體管制造技術(shù)與前沿發(fā)展。
2025-05-27 09:51:412514 
IGBT/SiC/GaN HEMT功率芯片/模塊/模組 一、核心器件定義 ? IGBT（絕緣柵雙極型晶體管） ? 電力電子領(lǐng)域核心開關(guān)器件，通過柵極電壓控制導(dǎo)通狀態(tài)： ? 結(jié)構(gòu)特性 ?：融合
2025-05-26 14:37:052284 集成電路是現(xiàn)代信息技術(shù)的基石，而晶體管則是集成電路的基本單元。沿著摩爾定律發(fā)展，現(xiàn)代集成電路的集成度不斷提升，目前單個(gè)芯片上已經(jīng)可以集成數(shù)百億個(gè)晶體管。
2025-05-22 16:06:191150 
NPT2022 是一款由 MACOM 生產(chǎn)的寬帶 GaN（氮化鎵）HEMT（高電子遷移率晶體管），專為高頻、高功率射頻應(yīng)用而設(shè)計(jì)。以下是其主要特性、參數(shù)和應(yīng)用信息：### 主要特性- **工作頻率
2025-05-22 15:40:33
英飛凌推出CoolGaN G5中壓晶體管，它是全球首款集成肖特基二極管的工業(yè)用氮化鎵（GaN）功率晶體管。該產(chǎn)品系列通過減少不必要的死區(qū)損耗提高功率系統(tǒng)的性能，進(jìn)一步提升整體系統(tǒng)效率。此外，該集成解決方案還簡(jiǎn)化了功率級(jí)設(shè)計(jì)，降低了用料成本。
2025-05-21 10:00:44806 電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供()耐輻射、光電晶體管表面貼裝光耦合器相關(guān)產(chǎn)品參數(shù)、數(shù)據(jù)手冊(cè)，更有耐輻射、光電晶體管表面貼裝光耦合器的引腳圖、接線圖、封裝手冊(cè)、中文資料、英文資料，耐輻射、光電晶體管表面貼裝光耦合器真值表，耐輻射、光電晶體管表面貼裝光耦合器管腳等資料，希望可以幫助到廣大的電子工程師們。
2025-05-19 18:33:42
場(chǎng)效應(yīng)晶體管（TFET）沿溝道方向有一個(gè) PN結(jié)，金屬-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管（MESFET）或高電子遷移率晶體管（HEMT）垂直于溝道方向含有一個(gè)柵電極肖特基勢(shì)壘結(jié)。
2025-05-16 17:32:071122 
晶體管（Transistor）是一種?半導(dǎo)體器件?，用于?放大電信號(hào)?、?控制電流?或作為?電子開關(guān)?。它是現(xiàn)代電子技術(shù)的核心元件，幾乎所有電子設(shè)備（從手機(jī)到超級(jí)計(jì)算機(jī)）都依賴晶體管實(shí)現(xiàn)功能。以下
2025-05-16 10:02:183877 本文針對(duì)當(dāng)前及下一代電力電子領(lǐng)域中市售的碳化硅（SiC）與氮化鎵（GaN）晶體管進(jìn)行了全面綜述與展望。首先討論了GaN與SiC器件的材料特性及結(jié)構(gòu)差異?；趯?duì)市售GaN與SiC功率晶體管的分析，描述了這些技術(shù)的現(xiàn)狀，重點(diǎn)闡述了各技術(shù)平臺(tái)的首選功率變換拓?fù)浼瓣P(guān)鍵特性。
2025-05-15 15:28:571759 
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本文共分上下二冊(cè)。本文檔作為下冊(cè)主要介紹晶體管/FET電路設(shè)計(jì)技術(shù)的基礎(chǔ)知識(shí)和基本實(shí)驗(yàn),內(nèi)容包括FET放大電路、源極跟隨器電路
2025-05-15 14:24:23
LP395 是一款具有完全過載保護(hù)的快速單片晶體管。這非常 片上包括高增益晶體管、電流限制、功率限制和熱 過載保護(hù)，使其幾乎難以因任何類型的過載而銷毀。適用于 該器件采用環(huán)氧樹脂 TO-92 晶體管封裝，額定電流為 100 mA。
2025-05-15 10:36:29602 
我的理解晶體管的cb be都是有固定壓降的，加在發(fā)射極上那么大電壓還不連電阻。
2025-05-15 09:20:48
電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供()耐輻射光電晶體管非密封表面貼裝光耦合器相關(guān)產(chǎn)品參數(shù)、數(shù)據(jù)手冊(cè)，更有耐輻射光電晶體管非密封表面貼裝光耦合器的引腳圖、接線圖、封裝手冊(cè)、中文資料、英文資料，耐輻射光電晶體管非密封
2025-05-12 18:34:41
晶體管的性能得到了顯著提升，開啟了更高效率和更快動(dòng)態(tài)響應(yīng)的可能性。寬帶隙
晶體管在現(xiàn)代電力系統(tǒng)中扮演著關(guān)鍵角色，包括開關(guān)電源(SMPS)、逆變器和電動(dòng)機(jī)驅(qū)動(dòng)器，因?yàn)?/div>
2025-04-23 11:36:00780 
為滿足多進(jìn)制邏輯運(yùn)算的需要，設(shè)計(jì)了一款多值電場(chǎng)型電壓選擇晶體管?？刂贫M(jìn)制電路通斷需要二進(jìn)制邏輯門電路，實(shí)際上是對(duì)電壓的一種選擇，而傳統(tǒng)二進(jìn)制邏輯門電路通常比較復(fù)雜，有沒有一種簡(jiǎn)單且有效的器件實(shí)現(xiàn)
2025-04-16 16:42:26
2 多值電場(chǎng)型電壓選擇晶體管結(jié)構(gòu)
為滿足多進(jìn)制邏輯運(yùn)算的需要，設(shè)計(jì)了一款多值電場(chǎng)型電壓選擇晶體管?？刂贫M(jìn)制電路通斷需要二進(jìn)制邏輯門電路，實(shí)際上是對(duì)電壓的一種選擇，而傳統(tǒng)二進(jìn)制邏輯門電路通常比較復(fù)雜
2025-04-15 10:24:55
晶體管，F(xiàn)ET和IC，F(xiàn)ET放大電路的工作原理，源極接地放大電路的設(shè)計(jì)，源極跟隨器電路設(shè)計(jì)，F(xiàn)ET低頻功率放大器的設(shè)計(jì)與制作，柵極接地放大電路的設(shè)計(jì)，電流反饋型OP放大器的設(shè)計(jì)與制作，進(jìn)晶體管
2025-04-14 17:24:55
晶體管和FET的工作原理，觀察放大電路的波形，放大電路的設(shè)計(jì)，放大電路的性能，共發(fā)射極應(yīng)用，觀察射極跟隨器的波形，增強(qiáng)輸出電路的設(shè)計(jì)，射極跟隨器的性能和應(yīng)用電路，小型功率放大器的設(shè)計(jì)和制作
2025-04-14 16:07:46
本文介紹了多晶硅作為晶體管的柵極摻雜的原理和必要性。
2025-04-02 09:22:242365 
柵極（Gate）是晶體管的核心控制結(jié)構(gòu)，位于源極（Source）和漏極（Drain）之間。其功能類似于“開關(guān)”，通過施加電壓控制源漏極之間的電流通斷。例如，在MOS管中，柵極電壓的變化會(huì)在半導(dǎo)體表面形成導(dǎo)電溝道，從而調(diào)節(jié)電流的導(dǎo)通與截止。
2025-03-12 17:33:202749 
模型導(dǎo)入PSpice和LTspice的說明，最后比較一些測(cè)試和仿真結(jié)果。按照以下說明正確加載模型后，晶體管符號(hào)將如圖1所示出現(xiàn)。 深度詳細(xì)的PDF文檔免費(fèi)下載： *附件：GaN HEMT的SPICE
2025-03-11 17:43:112142 
；內(nèi)置ESD保護(hù)功能，有助于實(shí)現(xiàn)高可靠性的設(shè)計(jì)。另外，通過采用通用性高的DFN封裝，不僅散熱性能出色，還非常易于安裝。采用DFN8080K 封裝，屬于 650V 增強(qiáng)型氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管（GaN FET
2025-03-07 15:46:54909 
本書主要介紹了晶體管，F(xiàn)ET和Ic，F(xiàn)ET放大電路的工作原理，源極接地放大電路的設(shè)計(jì)，源極跟隨電路的設(shè)計(jì)，F(xiàn)ET低頻功率放大器的設(shè)計(jì)和制作，柵極接地放大電路的設(shè)計(jì)，電流反饋行型op放大器的設(shè)計(jì)與制作
2025-03-07 13:55:19
本書主要介紹了晶體管和FET的工作原理，放大電路的工作，增強(qiáng)輸出的電路，小型功率放大器的設(shè)計(jì)與制作，功率放大器的設(shè)計(jì)與制作，拓寬頻率特性，視頻選擇器的設(shè)計(jì)和制作，渥爾曼電路的設(shè)計(jì)，負(fù)反饋放大電路的設(shè)計(jì)，直流穩(wěn)定電源的設(shè)計(jì)與制作，差動(dòng)放大電路的設(shè)計(jì)，op放大器電路的設(shè)計(jì)與制作等
2025-03-07 13:46:06
CHK文件恢復(fù)專家u盤文件格式的輔助程序?
2025-03-06 17:21:540 。 ? 目的 ?：本手冊(cè)詳細(xì)闡述了氮化鎵（GaN）晶體管并聯(lián)設(shè)計(jì)的具體細(xì)節(jié)，旨在幫助設(shè)計(jì)者優(yōu)化系統(tǒng)性能。 二、氮化鎵的關(guān)鍵特性及并聯(lián)好處 1. 關(guān)鍵特性 ? 正溫度系數(shù)的R DS(on) ?：有助于并聯(lián)器件的熱平衡。 ? 穩(wěn)定的門檻電壓V GS(th) ?：在工作
2025-02-27 18:26:311103 高速GaN E-HEMT的測(cè)量技巧總結(jié) 一、概述 ? 重要性 ?：GaN E-HEMT（氮化鎵增強(qiáng)型高電子遷移率晶體管）具有極高的開關(guān)速度，因此準(zhǔn)確的測(cè)量技術(shù)對(duì)評(píng)估其性能至關(guān)重要。 ? 內(nèi)容概覽
2025-02-27 18:06:411061 硅基半導(dǎo)體經(jīng)過多年發(fā)展，其性能逐漸接近極限，在進(jìn)一步降本增效的背景下，第三代寬禁帶半導(dǎo)體氮化鎵功率器件GaN HEMT被寄予厚望。
2025-02-27 09:38:48905 
這本書介紹了晶體管的基本特性，單管電路的設(shè)計(jì)與制作， 雙管電路的設(shè)計(jì)與制作，3~5管電路的設(shè)計(jì)與制作，6管以上電路的設(shè)計(jì)與制作。書中具體內(nèi)容有：直流工作解析，交流工作解析，接地形式，單管反相放大器，雙管反相放大器，厄利效應(yīng)，雙管射極跟隨器等內(nèi)容。
2025-02-26 19:55:46
全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM Co., Ltd.（以下簡(jiǎn)稱“羅姆”）的650V耐壓、TOLL封裝的EcoGaN產(chǎn)品GaN HEMT，被先進(jìn)的日本電子元器件、電池和電源制造商村田制作所Murata
2025-02-26 15:41:251002 HFA3134和HFA3135是采用Intersi1公司的互補(bǔ)雙極UHF-1X工藝制造的超高頻晶體管對(duì)，NFN晶體管的fT為8.5CHz，而FPNP晶體管的為7CHz。這兩種類型都表現(xiàn)出低噪聲，使其
2025-02-26 09:29:07866 
HFA3134 和 HFA3135 是超高頻晶體管，采用 Intersil Corporation 的互補(bǔ)雙極 UHF-1X 工藝制造。NPN 晶體管的 fT 為 8。5GHz，而 PNP 晶體管
2025-02-25 17:26:35897 
HFA3046、HFA3096、HFA3127 和 HFA3128 是采用瑞薩電子互補(bǔ)雙極 UHF-1 工藝制造的超高頻晶體管陣列。每個(gè)陣列由位于公共單片襯底上的五個(gè)介電隔離晶體管組成。NPN
2025-02-25 17:19:09953 
HFA3046、HFA3096、HFA3127 和 HFA3128 是采用瑞薩電子互補(bǔ)雙極 UHF-1 工藝制造的超高頻晶體管陣列。每個(gè)陣列由位于公共單片襯底上的五個(gè)介電隔離晶體管組成。NPN
2025-02-25 16:15:33859 
HFA3046、HFA3096、HFA3127 和 HFA3128 是采用瑞薩電子互補(bǔ)雙極 UHF-1 工藝制造的超高頻晶體管陣列。每個(gè)陣列由位于公共單片襯底上的五個(gè)介電隔離晶體管組成。NPN
2025-02-25 16:05:09826 
?在科技飛速發(fā)展的當(dāng)下，電子元件的創(chuàng)新成為推動(dòng)各領(lǐng)域進(jìn)步的關(guān)鍵力量。Ziener 公司最新推出的 ZN70C1R460D 氮化鎵（GaN）場(chǎng)效應(yīng)晶體管（FET），以其卓越性能在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域掀起波瀾
2025-02-18 16:47:25949 
全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM近日宣布，其采用TOLL(TO-LeadLess)封裝的650V耐壓GaN HEMT(高電子遷移率晶體管)“GNP2070TD-Z”已成功投入量產(chǎn)。這一里程碑式的進(jìn)展
2025-02-18 10:03:531191 FinFET(鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管)從平面晶體管到FinFET的演變是一種先進(jìn)的晶體管架構(gòu)，旨在提高集成電路的性能和效率。它通過將傳統(tǒng)的平面晶體管轉(zhuǎn)換為三維結(jié)構(gòu)來減少短溝道效應(yīng)，從而允許更小、更快且功耗更低的晶體管。本文將從硅底材開始介紹FinFET制造工藝流程，直到鰭片(Fin)的制作完成。
2025-02-17 14:15:022611 
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《BCP52系列晶體管規(guī)格書.pdf》資料免費(fèi)下載
2025-02-13 15:36:370 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《Nexperia共源共柵氮化鎵(GaN)場(chǎng)效應(yīng)晶體管的高級(jí)SPICE模型.pdf》資料免費(fèi)下載
2025-02-13 15:23:257 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《PBSS4480X晶體管規(guī)格書.pdf》資料免費(fèi)下載
2025-02-13 14:24:530 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《PBSS5350PAS晶體管規(guī)格書.pdf》資料免費(fèi)下載
2025-02-12 15:09:070 金剛石場(chǎng)效應(yīng)晶體管 (Vth? （Extreme Enhancement-Mode Operation Accumulation Channel Hydrogen-Terminated Diamond
2025-02-11 10:19:01820 
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《PDTA123ET晶體管規(guī)格書.pdf》資料免費(fèi)下載
2025-02-08 18:18:200 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《PDTC123EMB晶體管規(guī)格書.pdf》資料免費(fèi)下載
2025-02-08 16:58:190 隨著半導(dǎo)體技術(shù)不斷逼近物理極限，傳統(tǒng)的平面晶體管（Planar FET）、鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管（FinFET）從平面晶體管到FinFET的演變，乃至全環(huán)繞柵或圍柵（GAA
2025-01-24 10:03:514438 
制造工藝，RF3932D高性能放大器在單一放大器設(shè)計(jì)中實(shí)現(xiàn)在寬頻率范圍內(nèi)的高效化和平整增益值。RF3932D是款前所未有的GaN晶體管，選用法蘭盤陶瓷封裝，根據(jù)使用最先進(jìn)的散熱器和功耗技術(shù)提供優(yōu)異的耐熱
2025-01-22 09:03:00
經(jīng)典的雙極性晶體管(BJT- Bipolar Junction Transistor)的物理原理已有大約100年的歷史，可追溯到Julius E Lilienfeld進(jìn)行的開創(chuàng)性研究，它構(gòu)成了現(xiàn)代
2025-01-10 16:01:501488 1月8日消息，日本豐田合成株式會(huì)社（Toyoda Gosei Co., Ltd.）宣布，成功開發(fā)出了用于垂直晶體管的 200mm（8英寸）氮化鎵 （GaN）單晶晶圓。 據(jù)介紹，與使用采用硅基GaN
2025-01-09 18:18:221358 已全部加載完成
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