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電子發(fā)燒友網>電源/新能源>電源設計應用>英飛凌攜高能效增強模式和共源共柵配置硅基板GaN平臺組合亮相2015年APEC

英飛凌攜高能效增強模式和共源共柵配置硅基板GaN平臺組合亮相2015年APEC

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2023-09-21 15:55:408383

為什么只有級有密勒效應,而級、漏級沒有密勒效應?

為什么只有級有密勒效應,而級、漏級沒有密勒效應? 密勒效應是指在半導體器件中,頻率越高時電路增益越低的現(xiàn)象。 該現(xiàn)象是由于半導體器件電容的存在而導致的,而這個電容主要是空乏區(qū)電容和晶體管
2023-09-21 15:55:432431

放大器工作原理及應用特點

放大器用于增強模擬電路的性能。利用是一種常見的方法,可用于晶體管和真空管的應用。Roger Wayne Hickman 和 Frederick Vinton Hunt 在 1939
2023-09-28 11:23:206757

在半導體開關中使用拓撲消除米勒效應

在半導體開關中使用拓撲消除米勒效應
2023-12-07 11:36:431446

英飛凌參加2024美國國際電力電子應用展覽會,以豐富的功率解決方案組合推動低碳化和數(shù)字化進程

全球功率系統(tǒng)和物聯(lián)網領域的領導者英飛凌科技股份公司于2月25日至29日參加2024美國國際電力電子應用展覽會(APEC),并重點展示其在業(yè)界非常全面的功率電子器件。英飛凌的寬禁帶解決方案具有高能
2024-04-07 14:00:32880

放大器的特點是什么

放大器(Common Source Amplifier)是一種常見的晶體管放大器配置,主要應用于模擬電路設計中。它使用一個晶體管作為放大元件,通過控制輸入信號的電壓來改變輸出信號的電壓。 1.
2024-09-27 09:29:402810

放大器的特點是什么

放大器是一種特殊的場效應晶體管(FET)放大器,它結合了放大器和放大器的優(yōu)點。在這種放大器中,一個晶體管作為放大器,另一個晶體管作為放大器。這種放大器具有高增益、低噪聲、高
2024-09-27 09:38:422191

放大器的偏置電壓怎么取

放大器的偏置電壓取值是一個相對復雜的過程,需要考慮多個因素以確保放大器能夠穩(wěn)定且高效地工作。以下是一個大致的步驟和考慮因素: 一、確定工作點電流 分析場效應管特性 :首先,需要了解所
2024-09-27 09:41:331902

放大器的增益是多少

放大器的增益是一個相對復雜的參數(shù),它受到多個因素的影響,包括晶體管的跨導、負載電阻、電阻、以及電路的具體設計等。因此,無法直接給出一個具體的增益值,而需要根據(jù)具體的電路情況來計算
2024-09-27 09:45:072171

放大器增益偏小的原因

放大器(Cascode)是一種在集成電路設計中常用的放大器結構,它結合了放大器和放大器的優(yōu)點,具有高輸入阻抗、高輸出阻抗和較大的電壓擺幅。然而,在實際應用中,放大器的增益
2024-09-27 09:46:381932

放大器的優(yōu)缺點是什么

放大器(Cascode amplifier)是一種在模擬電路設計中常用的放大器結構,它結合了(Common Source,CS)和(Common Gate,CG)兩種放大器的優(yōu)點
2024-09-27 09:48:124243

折疊放大器的優(yōu)缺點

折疊放大器(Folded Cascode Amplifier)是一種在模擬集成電路設計中常用的放大器結構,它結合了(Common Source)和(Common Gate)放大器
2024-09-27 09:50:034777

英飛凌推出全球最薄功率晶圓,突破技術極限并提高能

?英飛凌是首家掌握20μm超薄功率半導體晶圓處理和加工技術的公司;?通過降低晶圓厚度將基板電阻減半,進而將功率損耗減少15%以上;?新技術可用于各種應用,包括英飛凌的AI賦能路線圖;?超薄晶圓技術
2024-10-31 08:04:38826

Nexperia氮化鎵(GaN)場效應晶體管的高級SPICE模型

電子發(fā)燒友網站提供《Nexperia氮化鎵(GaN)場效應晶體管的高級SPICE模型.pdf》資料免費下載
2025-02-13 15:23:257

SiC 市場的下一個爆點:(cascode)結構詳解

常開特性,這意味著如果沒有電壓,或者JFET的柵極處于懸空狀態(tài),那么JFET將完全導通。 然而,開關模式在應用中通常需要常關狀態(tài)。因此,將SiC JFET與低電壓MOSFET以cascode 配置結合在一起,構造出一個常關開關模式“FET”,這種結構保留了大部分SiC JFET的優(yōu)點。 Cas
2025-06-14 23:47:191065

解析GaN-MOSFET的結構設計

GaN-MOSFET 的結構設計中,p-GaN gate(p 型氮化鎵) 和Cascode() 是兩種主流的柵極控制方案,分別適用于不同的應用場景,核心差異體現(xiàn)在結構設計、性能特點和適用范圍上。
2025-10-14 15:28:15676

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