傾佳電子功率半導體銷售培訓手冊：電力電子核心技術(shù)與SiC碳化硅功率器件的應用 傾佳電子（Changer Tech）是一家專注于功率半導體和新能源汽車連接器的分銷商。主要服務于中國工業(yè)電源、電力
2026-01-04 07:36:23
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半導體玻璃基板劃片切割技術(shù)：博捷芯劃片機深度解析半導體玻璃基板作為下一代先進封裝的關(guān)鍵材料，其劃片切割技術(shù)正成為行業(yè)關(guān)注的焦點。在眾多國產(chǎn)劃片機品牌中，博捷芯憑借其技術(shù)創(chuàng)新和市場表現(xiàn)脫穎而出，為
2025-12-22 16:24:39659 
下，全球能源結(jié)構(gòu)正經(jīng)歷著從化石能源向以電力為中心的可再生能源體系的根本性轉(zhuǎn)變。作為電力電子系統(tǒng)的核心“心臟”，功率半導體器件的技術(shù)迭代直接決定了電能轉(zhuǎn)換的效率、體積與可靠性。傾佳電子（Changer Tech）作為中國工業(yè)電源、新能源汽車及電力電子產(chǎn)業(yè)鏈的核心分銷商，
2025-12-22 08:17:35170 
市面上現(xiàn)有的GaN電源適配器和充電器能夠為筆記本電腦提供功率充足的電能，還能解決USB-C快充對功率的需求，而且能效很高，能夠滿足即將到來的環(huán)保要求嚴格的生態(tài)設(shè)計標準。意法半導體最新的GaN芯片讓這項技術(shù)能夠惠及洗衣機、吹風機、電動工具、工廠自動化設(shè)備內(nèi)的電機驅(qū)動裝置。
2025-12-19 16:01:04873 電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報道 小米公布GaN射頻器件研發(fā)新進展！在近期舉行的第 71 屆國際電子器件大會（IEDM 2025）上，小米集團手機部與蘇州能訊高能半導體有限公司、香港科技大學合作的論文
2025-12-18 10:08:201760 
創(chuàng)新：GaN（氮化鎵）技術(shù)突破材料特性：GaN作為寬禁帶半導體，電子遷移率（2000cm2/Vs）和飽和漂移速度（2.5×10?cm/s）遠超傳統(tǒng)硅基器件，開關(guān)速度可達硅基的10倍。這一特性使得GaN
2025-12-17 09:35:07
雙向器件，GaN BDS 的出現(xiàn)可以大大降低元器件的成本：無需工藝調(diào)整和 MASK 變動，通過合并漂移區(qū)和漏極及雙柵控制，即可實現(xiàn)單片集成的氮化鎵雙向器件（Monolithic Bi-Directional
2025-12-15 18:35:01
日前，由21世紀電源網(wǎng)、電子研習社聯(lián)合主辦的“第十六屆亞洲電源技術(shù)發(fā)展論壇”在深圳隆重舉行。在活動同期舉辦的“2025第四屆電源行業(yè)配套品牌頒獎典禮”中，瑞能半導體憑借在功率器件領(lǐng)域的技術(shù)突破，榮膺“國際功率器件行業(yè)卓越獎”。
2025-12-15 15:38:28302 ）兼容性。技術(shù)優(yōu)勢GaN 材料特性：高功率密度：GaN 的寬帶隙特性使其在相同尺寸下輸出功率遠高于 GaAs 或硅基器件。高頻性能優(yōu)異：在 6GHz 頻段仍能保持高效率與線性度，適合寬帶線性放大應用。高
2025-12-12 09:40:25
和更大的電流，從而實現(xiàn)更高的功率密度、更高的效率和更緊湊的系統(tǒng)設(shè)計。垂直架構(gòu)：功率技術(shù)新高度垂直GaN創(chuàng)新：vGaN支持高電壓和高頻率運行，效率優(yōu)于硅芯片先進制造工廠
2025-12-04 17:13:20471 
在傳統(tǒng)橫向結(jié)構(gòu)的GaN器件中，電流沿芯片表面流動。而垂直 GaN 的 GaN 層生長在氮化鎵襯底上，其獨特結(jié)構(gòu)使電流能直接從芯片頂部流到底部，而不是僅在表面流動。這種垂直電流路徑讓器件能夠承受更高的電壓和更大的電流，從而實現(xiàn)更高的功率密度、更高的效率和更緊湊的系統(tǒng)設(shè)計。
2025-12-04 09:28:281692 
半導體的芯片制造超過1000道工序，每步良率99.9%最終良率也只有36.8%，半導體量檢測設(shè)備是實現(xiàn)芯片制程亞納米級精度管控的核心裝備，面臨多物理場合干擾、吞吐效率與精度互斥、高維護成本等挑戰(zhàn)，直
2025-12-02 10:35:10265 
在半導體設(shè)計與制造過程中，器件性能的精確測試是確保產(chǎn)品可靠性與一致性的關(guān)鍵環(huán)節(jié)。蘇州永創(chuàng)智能科技有限公司推出的 STD2000X 半導體靜態(tài)電性測試系統(tǒng) ，正是面向 Si、SiC、GaN 等材料
2025-11-21 11:16:03118 
電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報道 CPO量產(chǎn)繼續(xù)加速，最近Tower Semiconductor 高塔半導體宣布，將其成熟的 300mm 晶圓鍵合技術(shù)拓展至硅光子（SiPho）與硅鍺雙極互補金屬氧化物半導體
2025-11-21 08:46:004242 隨著新能源汽車、光伏儲能以及工業(yè)電源的迅速發(fā)展，半導體器件在這些領(lǐng)域中的應用也愈發(fā)廣泛，為了提升系統(tǒng)的性能，半導體器件系統(tǒng)正朝著更高效率、更高功率密度和更小體積的方向快速發(fā)展。對于半導體器件性能質(zhì)量
2025-11-17 18:18:372314 
一、GaN（氮化鎵）與硅基材料的核心差異及優(yōu)劣勢對比 ? ? ? ?GaN（氮化鎵）屬于寬禁帶半導體（禁帶寬度 3.4 eV），硅基材料（硅）為傳統(tǒng)半導體（禁帶寬度 1.1 eV），二者在功放芯片
2025-11-14 11:23:573097 ），在發(fā)動機艙內(nèi)+93℃的高溫下，模塊支持20分鐘快充，功率密度達10kW/L，效率96.8%。數(shù)據(jù)中心
英特爾數(shù)據(jù)中心12V電源采用GaN后，PUE（能源使用效率）降至1.08。在高溫數(shù)據(jù)中心環(huán)境中
2025-11-12 09:19:03
云鎵半導體云鎵工業(yè)級GaN產(chǎn)品器件參數(shù)解讀&3kW服務器電源DEMO1.前言云鎵半導體在工業(yè)級GaN產(chǎn)品上不斷耕耘，推出系列化GaN功率器件以及驅(qū)動器產(chǎn)品。在應用DEMO上陸續(xù)展示了鈦金
2025-11-11 13:45:21302 
云鎵半導體雙向創(chuàng)“芯”—云鎵半導體國內(nèi)首發(fā)高壓GaN雙向器件MBDS1.前言長期以來，器件工程師都在追求一種可雙向?qū)ㄇ译p向耐壓的開關(guān)元件，該類器件在AC/DC、DC/AC及AC/AC變換的應用場
2025-11-11 13:43:51852 云鎵半導體云鎵半導體發(fā)布3kW無橋圖騰柱GaNPFC評估板GaN-based3kWbridgelesstotem-polePFC1.前言本技術(shù)文檔將重點介紹基于云鎵半導體650VGaN器件的3kW無
2025-11-11 13:43:26816 GaN-on-GaN 功率半導體能夠使電流垂直流過化合物半導體，能實現(xiàn)更高的工作電壓和更快的開關(guān)頻率，助力AI 數(shù)據(jù)中心、電動汽車（EV）、可再生能源，以及航空航天等領(lǐng)域實現(xiàn)更節(jié)能、更輕量緊湊的系統(tǒng)。?? 要點： 專有的GaN-on-GaN技術(shù)實現(xiàn)更高壓垂直電流導
2025-10-31 13:56:161980 一臺半導體參數(shù)分析儀抵得上多種測量儀器Keysight B1500A 半導體參數(shù)分析儀是一款一體化器件表征分析儀，能夠測量 IV、CV、脈沖/動態(tài) I-V 等參數(shù)。 主機和插入式模塊能夠表征大多數(shù)
2025-10-29 14:28:09
化合物半導體（Compound Semiconductor，SiC/GaN）憑借優(yōu)越節(jié)能效果，已成為未來功率半導體發(fā)展焦點，預期今后幾年年復合成長率（CAGR）可達35%以上。然而，盡管其從磊晶成長
2025-10-26 17:36:53988 
在新能源汽車、5G通信和人工智能的推動下，功率半導體正經(jīng)歷前所未有的技術(shù)變革。SiC和GaN等第三代半導體器件的高頻、高壓特性，對封裝基板提出了更嚴苛的要求——既要承受超高功率密度，又要確保信號
2025-10-22 18:13:11243 
場景提供高性價比的全國產(chǎn)解決方案。一、功率密度提升的核心邏輯材料特性突破：
GaN（氮化鎵）作為寬禁帶半導體，電子遷移率（2000cm2/Vs）和飽和漂移速度（2.5×10?cm/s）遠超傳統(tǒng)硅基器件
2025-10-22 09:09:58
自從氮化鎵（GaN）器件問世以來，憑借其相較于傳統(tǒng)硅基半導體的多項關(guān)鍵優(yōu)勢，GaN 被廣泛認為是快速充電與工業(yè)電源應用領(lǐng)域中的變革性技術(shù)。
2025-10-21 14:56:442575 
當前，全球半導體產(chǎn)業(yè)正處于技術(shù)迭代與格局重塑的關(guān)鍵時期，以碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）為代表的寬禁帶半導體在新能源汽車、服務器電源、光伏儲能、高密度電源等領(lǐng)域有著廣泛的應用。10月14日，正值
2025-10-21 14:28:572221 合作將支持快速增長的應用市場，共同推廣 CGD 的可持續(xù)節(jié)能型 ICeGaN 技術(shù) 英國劍橋，2025 年 10 月 13 日 —— 無晶圓廠半導體公司 Cambridge GaN Devices
2025-10-15 09:39:57860 “芯”生態(tài)，“圳”綻放！優(yōu)可測攜半導體領(lǐng)域亞納米級精度測量產(chǎn)品亮相“灣芯展”！
2025-10-11 17:35:231183 
器件都承載著巨大的科技使命，它的穩(wěn)定性和壽命直接決定著設(shè)備的整體壽命與系統(tǒng)安全的保障，而半導體分立器件測試設(shè)備正是守護這些芯小小器件品質(zhì)的關(guān)鍵利器，為半導體制造企業(yè)及應用終端行業(yè)為半導體核心功率轉(zhuǎn)換元件
2025-10-10 10:35:17
傾佳電子代理的BASiC基本半導體SiC功率器件產(chǎn)品線選型指南 傾佳電子（Changer Tech）是一家專注于功率半導體和新能源汽車連接器的分銷商。主要服務于中國工業(yè)電源、電力電子設(shè)備和新能源
2025-10-08 10:04:18589 
，在器件選型、拓撲架構(gòu)等都需要有新的改進。 ? 最近英飛凌推出了一款12kW高功率密度AI數(shù)據(jù)中心與服務器電源（PSU）參考設(shè)計，值得關(guān)注的是，這款PSU參考設(shè)計中充分利用了Si、SiC、GaN等多種功率半導體產(chǎn)品，實現(xiàn)了超過98.5%的超高峰值效率。 ? 為了實現(xiàn)這個性
2025-09-22 02:40:007768 
傾佳電子功率半導體驅(qū)動電路設(shè)計深度解析：SiC MOSFET驅(qū)動挑戰(zhàn)與可靠性實現(xiàn) 傾佳電子（Changer Tech）是一家專注于功率半導體和新能源汽車連接器的分銷商。主要服務于中國工業(yè)電源、電力
2025-09-14 22:59:12920 
今天下午，“第七屆硬核芯生態(tài)大會暨頒獎典禮”在深圳國際會展中心（寶安新館）盛大舉行。瑞能半導體憑借其在功率半導體領(lǐng)域的技術(shù)突破與市場表現(xiàn)，成功摘得“2025年度硬核功率器件獎”的桂冠。這一殊榮不僅彰顯了公司在功率半導體賽道的領(lǐng)先地位，更是對其持續(xù)創(chuàng)新能力的權(quán)威認可。
2025-09-11 17:42:53879 近年來，氮化鎵(GaN)技術(shù)憑借其相較于傳統(tǒng)硅MOSFET的優(yōu)勢，包括更低的寄生電容、無體二極管、出色的熱效率和緊湊的尺寸，極大地改變了半導體行業(yè)。GaN器件變得越來越可靠，并且能夠在很寬的電壓范圍內(nèi)工作。現(xiàn)在，GaN器件已被廣泛用于消費電子產(chǎn)品、汽車電源系統(tǒng)等眾多應用，有效提升了效率和功率密度。
2025-09-05 16:53:4210116 
繼上一篇屏蔽柵MOSFET技術(shù)簡介后，我們這次介紹下GaN HEMT器件。GaN 半導體材料是一種由鎵元素與氮元素組成的Ⅲ-Ⅴ族化合物半導體，在消費電子領(lǐng)域，特別是快速充電器產(chǎn)品的成功商用，昭示了其成熟的市場地位與廣闊應用前景。
2025-09-02 17:18:334522 
基本半導體產(chǎn)品在125kW工商業(yè)PCS中的應用
2025-09-01 16:20:25
1 8月29日，2025誠邁SuperBrain線上研討會成功舉辦。本次活動以“當艙駕一體擁有‘SuperBrain’：一個開放的生態(tài)系統(tǒng)平臺”為主題，匯聚恩智浦半導體、大陸集團汽車
2025-08-30 17:53:16566 
微量摻雜元素表征的意義1.材料性能摻雜元素可改變半導體的能帶結(jié)構(gòu)和載流子行為，從而決定器件的電學特性。以硅材料為例，摻入五價砷（As）元素可為晶格引入多余電子，使本征硅轉(zhuǎn)變?yōu)閚型半導體，直接影響導電
2025-08-27 14:58:20650 
功率半導體概述功率半導體是一種特殊的半導體器件，它們在電力系統(tǒng)中扮演著至關(guān)重要的角色。這些器件能夠高效地控制和調(diào)節(jié)電力的流動，包括電壓和頻率的轉(zhuǎn)換，以及交流電（AC）和直流電（DC）之間的轉(zhuǎn)換。這種
2025-08-25 15:30:17664 
在半導體照明與光電子領(lǐng)域，氮化鎵（GaN）基發(fā)光二極管（LED）憑借其卓越性能，長期占據(jù)研究焦點位置。它廣泛應用于照明、顯示、通信等諸多關(guān)鍵領(lǐng)域。在6英寸藍寶石基板上，基于六方氮化硼（h-BN）模板
2025-08-11 14:27:241615 
在半導體功率器件（如IGBT、SiC MOSFET、GaN HEMT）的研發(fā)、生產(chǎn)與品控中，精準、高效、可靠的測量系統(tǒng)是確保器件性能達標、加速產(chǎn)品上市的關(guān)鍵。天恒科儀功率器件測量系統(tǒng)集尖端硬件與智能
2025-07-29 16:21:17
突破性的 SuperQ 技術(shù)標志著自 25 年前 Super Junction 以來 硅 MOSFET 架構(gòu)的首次重大進展。 ? 美國賓州利哈伊谷，2025年7月24日?– iDEAL半導體，一家
2025-07-28 16:18:19880 深愛半導體推出新品IPM模塊
IPM（Intelligent Power Module，智能功率模塊） 是集成了功率器件、驅(qū)動電路、保護功能的“系統(tǒng)級”功率半導體方案。其高度集成方案可縮減 PCB
2025-07-23 14:36:03
的垂直GaN HEMT功率器件技術(shù)。 ? 致能半導體全球首次在硅襯底上實現(xiàn)了垂直的GaN/AlGaN結(jié)構(gòu)生長和垂直的二維電子氣溝道(2DEG)。以此為基礎(chǔ)，致能實現(xiàn)了全球首個具有垂直2DEG的常開器件(D-mode HEMT)和全球首個垂直常關(guān)器件(E-mode HEMT)。通過去除生長用硅襯底并在
2025-07-22 07:46:004783 
目錄
第1章?半導體中的電子和空穴第2章?電子和空穴的運動與復合
第3章?器件制造技術(shù)
第4章?PN結(jié)和金屬半導體結(jié)
第5章?MOS電容
第6章?MOSFET晶體管
第7章?IC中的MOSFET
2025-07-12 16:18:42
本書較全面地講述了現(xiàn)有各類重要功率半導體器件的結(jié)構(gòu)、基本原理、設(shè)計原則和應用特性，有機地將功率器件的設(shè)計、器件中的物理過程和器件的應用特性聯(lián)系起來。
書中內(nèi)容由淺入深，從半導體的性質(zhì)、基本的半導體
2025-07-11 14:49:36
GaN器件當前被稱作HEMT(高電子遷移率晶體管)，此類高電子遷移率的晶體管應用于諸多電子設(shè)備中，如全控型電力開關(guān)、高頻放大器或振蕩器。與傳統(tǒng)的硅金屬氧化物半導體場效應晶體管 (MOSFET) 相比
2025-07-09 11:13:063371 
開關(guān)器件作為數(shù)字電源的核心部件，其性能直接影響整個電源系統(tǒng)的效率、穩(wěn)定性和可靠性。隨著開關(guān)頻率從傳統(tǒng)的 kHz 級躍升至 MHz 級，以及碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）等第三代半導體器件
2025-07-02 11:22:49
生態(tài)系統(tǒng)，富士通將助力企業(yè)在應對復雜社會挑戰(zhàn)的同時實現(xiàn)業(yè)務增長，并為環(huán)境、經(jīng)濟和人類福祉創(chuàng)造凈積極影響的(Net Positive)價值。
2025-06-28 10:15:081235 【導讀】高功率密度 (100W/立方英寸) 如何實現(xiàn)？48V供電系統(tǒng)升級如何破局？國產(chǎn)核心器件能否完成替代？答案就在這場頂尖峰會！ ? AI電源是2025-2026年AI硬件確定的增量，英偉達超級
2025-06-17 10:36:151090 
的“守門人”。關(guān)于光電子器件光電子器件是一類基于半導體材料光電效應等物理機制，實現(xiàn)光信號與電信號相互轉(zhuǎn)換的電子器件。當光線照射半導體材料時，電子吸收光子能量產(chǎn)生電子-
2025-06-12 19:17:281516 
GaN FET支持MHz級開關(guān)頻率，顯著高于傳統(tǒng)硅基器件，通過減小無源元件體積實現(xiàn)系統(tǒng)小型化，使開關(guān)損耗降低20%-30%。深圳銀聯(lián)寶快充電源ic U8609合封第三代半導體GaN FET，最高工作頻率130kHz，采用原邊反饋控制，可節(jié)省光耦和TL431，簡化電源BOM，有利于降低電源尺寸！
2025-05-30 15:43:48798 半導體硅作為現(xiàn)代電子工業(yè)的核心材料，其表面性質(zhì)對器件性能有著決定性影響。表面氧化處理作為半導體制造工藝中的關(guān)鍵環(huán)節(jié)，通過在硅表面形成高質(zhì)量的二氧化硅（SiO?）層，顯著改善了硅材料的電學、化學和物理
2025-05-30 11:09:301781 
電壓(BV)GaNHEMT器件的研究成果。Qromis襯底技術(shù)(QST?)硅基氮化鎵(GaN-on-Si)是目前商用功率HEMT器件的首選技術(shù)，其主流最高工作電壓范
2025-05-28 11:38:15669 
近日，納微半導體宣布推出專為超大規(guī)模AI數(shù)據(jù)中心設(shè)計的最新12kW量產(chǎn)電源參考設(shè)計，可適配功率密度達120kW的高功率服務器機架。
2025-05-27 16:35:011288 MOSFET高輸入阻抗與BJT低導通壓降，形成四層半導體復合結(jié)構(gòu)（PNPN排列），支持600V以上高壓場景 ? 功能特性 ?：兼具高頻開關(guān)與高電流承載能力，導通功耗僅為傳統(tǒng)器件的1/5~1/10 ? SiC（碳化硅）功率器件 ? 第三代寬禁帶半導體技術(shù)的代表： ? 材料優(yōu)勢 ?：禁帶寬度達3.3eV（硅的3倍）
2025-05-26 14:37:052284 功率器件與拓撲優(yōu)化
寬禁帶半導體器件應用
傳統(tǒng)硅基IGBT/MOSFET因開關(guān)損耗高，限制了系統(tǒng)效率。采用碳化硅（SiC）或氮化鎵（GaN）器件可顯著降低損耗：
SiC MOSFET導通電阻低（僅為硅
2025-05-21 14:38:45
英飛凌推出2.5kW功率因數(shù)校正（PFC）評估板，展示TO-247 4針CoolMOS? C7 MOSFET的高效能表現(xiàn)。該評估板集成PFC控制器、MOSFET驅(qū)動器和碳化硅二極管，專為電源電子工程師設(shè)計，用于評估4針封裝在效率和信號質(zhì)量上的優(yōu)勢。
2025-05-19 13:49:001208 
從清華大學到鎵未來科技，張大江先生在半導體功率器件十八年的堅守！近年來，珠海市鎵未來科技有限公司（以下簡稱“鎵未來”）在第三代半導體行業(yè)異軍突起，憑借領(lǐng)先的氮化鎵（GaN）技術(shù)儲備和不斷推出的新產(chǎn)品
2025-05-19 10:16:02
當今的電源設(shè)計要求高效率和高功率密度。因此，設(shè)計人員將氮化鎵 (GaN) 器件用于各種電源轉(zhuǎn)換拓撲。
2025-05-19 09:29:571013 
本文針對當前及下一代電力電子領(lǐng)域中市售的碳化硅（SiC）與氮化鎵（GaN）晶體管進行了全面綜述與展望。首先討論了GaN與SiC器件的材料特性及結(jié)構(gòu)差異。基于對市售GaN與SiC功率晶體管的分析，描述了這些技術(shù)的現(xiàn)狀，重點闡述了各技術(shù)平臺的首選功率變換拓撲及關(guān)鍵特性。
2025-05-15 15:28:571759 
（GaN）功率器件生產(chǎn)商，致力于開發(fā)節(jié)能高效GaN功率管和IC。該公司專利產(chǎn)品ICeGaN?通過高度的集成化極大的簡化設(shè)計流程，加速產(chǎn)品落地。近日，CGD宣布與總部位于上海的碳化硅（SiC）功率器件與IC
2025-05-13 13:52:111298 
燒結(jié)工藝可提供更優(yōu)異的電氣和熱性能表現(xiàn)。在功率電子應用中，這種直接將半導體芯片及傳感器等相關(guān)無源元件固定于基板的技術(shù)，已成為焊接工藝極具吸引力的替代方案。結(jié)合碳化硅等寬禁帶半導體材料的使用，該技術(shù)
2025-05-07 11:15:38773 
安森美推出了一款基于GaNFETNCP58921與次級控制芯片NCL38046的智能工業(yè)電源解決方案，支持通過Analog與PWM方式調(diào)整輸出功率，最大功率可達1KW。這一設(shè)計結(jié)合了多種先進架構(gòu)與技術(shù)，旨在實現(xiàn)高效率、高功率密度的小型化電源應用。
2025-04-23 08:02:00803 
電子發(fā)燒友綜合報道 最近多家GaN廠商推出雙向GaN功率開關(guān)，即GaN BDS（Bidirectional Switch，雙向開關(guān)）。這是一種較為新型的GaN功率器件產(chǎn)品，顧名思義，雙向GaN主要
2025-04-20 09:15:001348 IGBT模塊是一種重要的功率半導體器件，具有結(jié)構(gòu)簡單、容量大、損耗低等優(yōu)點，被廣泛應用于各種高功率電子設(shè)備中。絕緣柵極雙極晶體管（IGBT）功率模塊將MOSFET的高效和快速開關(guān)能力與雙極晶體管
2025-04-16 08:06:431298 
半導體材料是現(xiàn)代信息技術(shù)的基石，其發(fā)展史不僅是科技進步的縮影，更是人類對材料性能極限不斷突破的見證。從第一代硅基材料到第四代超寬禁帶半導體，每一代材料的迭代都推動了電子器件性能的飛躍。 1 第一代
2025-04-10 15:58:562597 在半導體技術(shù)的不斷演進中，功率半導體器件作為電力電子系統(tǒng)的核心組件，其性能與成本直接影響著整個系統(tǒng)的效率與可靠性。碳化硅（SiC）功率模塊與硅基絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）功率模塊作為當前市場上
2025-04-02 10:59:415531 
GaN驅(qū)動技術(shù)手冊免費下載 氮化鎵半導體功率器件門極驅(qū)動電路設(shè)計方案
2025-03-13 18:06:0046931 
功率器件變革中SiC碳化硅中國龍的崛起：從技術(shù)受制到全球引領(lǐng)的歷程與未來趨勢 當前功率器件正在經(jīng)歷從傳統(tǒng)的硅基功率器件持續(xù)躍升到SiC碳化硅材料功率半導體的歷史變革： 傾佳電子楊茜致力于推動國產(chǎn)
2025-03-13 00:27:37767 富士通采用 AMD Zynq RFSoC 數(shù)字前端（ DFE ）器件來提供具有成本效益、高容量和高能效的無線電，以滿足不同市場需求。
2025-03-12 17:12:141256 ??氮化鎵功率芯片 進入長城電源供應鏈 ，成功助力其打造 AI數(shù)據(jù)中心專用的超高功率密度2.5kW模塊電源。 AI的迅猛發(fā)展對數(shù)據(jù)中心提出了更高的算力要求，為了容納更多的GPUs進行計算，400V獨立機柜的架構(gòu)將成為數(shù)據(jù)中心的全新發(fā)展趨勢。小體積、高效率、更獨立的模塊電源將釋放出寶
2025-03-12 11:02:36726 
融資，技術(shù)覆蓋芯片制造關(guān)鍵環(huán)節(jié)。
總結(jié)
以上企業(yè)覆蓋了車規(guī)芯片、AI計算、晶圓制造、存儲技術(shù)等核心領(lǐng)域，展現(xiàn)了北京在半導體產(chǎn)業(yè)鏈的全面布局。若需更完整名單或細分領(lǐng)域分析，可參考相關(guān)來源
2025-03-05 19:37:43
2025 功率半導體的五大發(fā)展趨勢：功率半導體在AI數(shù)據(jù)中心應用的增長，SiC在非汽車領(lǐng)域應用的增長，GaN導入到快速充電器之外的應用領(lǐng)域， 中國功率半導體生態(tài)系統(tǒng)的壯大以及晶圓尺寸的顯著升級。
2025-03-04 09:33:412258 
硅基半導體經(jīng)過多年發(fā)展，其性能逐漸接近極限，在進一步降本增效的背景下，第三代寬禁帶半導體氮化鎵功率器件GaN HEMT被寄予厚望。
2025-02-27 09:38:48903 
什么是氮化鎵（GaN）充電頭？氮化鎵充電頭是一種采用氮化鎵（GalliumNitride,GaN）半導體材料制造的新型電源適配器。相比傳統(tǒng)硅基（Si）充電器，GaN材料憑借其物理特性顯著提升了功率
2025-02-27 07:20:334528 
全球知名半導體制造商ROHM Co., Ltd.（以下簡稱“羅姆”）的650V耐壓、TOLL封裝的EcoGaN產(chǎn)品GaN HEMT，被先進的日本電子元器件、電池和電源制造商村田制作所Murata
2025-02-26 15:41:25999 GaNFast氮化鎵功率芯片和GeneSiC碳化硅功率器件的行業(yè)領(lǐng)導者——納微半導體（納斯達克股票代碼：NVTS）今日宣布于下月發(fā)布全新的功率轉(zhuǎn)換技術(shù)，將觸發(fā)多個行業(yè)領(lǐng)域的顛覆性變革。該創(chuàng)新涵蓋半導體與系統(tǒng)級解決方案，預計將顯著提升能效與功率密度，加速氮化鎵和碳化硅技術(shù)對傳統(tǒng)硅基器件的替代進程。
2025-02-21 16:41:10867 全球知名半導體制造商ROHM近日宣布，其采用TOLL(TO-LeadLess)封裝的650V耐壓GaN HEMT(高電子遷移率晶體管)“GNP2070TD-Z”已成功投入量產(chǎn)。這一里程碑式的進展
2025-02-18 10:03:531191 2025 亞洲國際功率半導體、材料及裝備技術(shù)展覽會將于2025年11月20-22日在廣州保利世貿(mào)博覽館舉辦；展會將匯聚全球優(yōu)質(zhì)品牌廠商齊聚現(xiàn)場，打造功率半導體全產(chǎn)業(yè)鏈創(chuàng)新展示、一站式采購及技術(shù)交流平臺，集中展示半導體器件、功率模塊、第三代半導體、材料、封裝技術(shù)、測試技術(shù)、生產(chǎn)設(shè)備、散熱管理等熱門產(chǎn)品
2025-02-13 11:49:01742 
中的未來前景。 如今，電源管理設(shè)計工程師常常會問道： 現(xiàn)在應該從硅基功率開關(guān)轉(zhuǎn)向GaN開關(guān)了嗎？ 氮化鎵(GaN)技術(shù)相比傳統(tǒng)硅基 MOSFET 有許多優(yōu)勢。GaN 是寬帶隙半導體，可以讓功率開關(guān)在高溫下工作并實現(xiàn)高功率密度。這種材料的擊穿電壓較高
2025-02-11 13:44:551177 
半導體常用器件的介紹
2025-02-07 15:27:210 近年來，隨著電力電子技術(shù)的快速發(fā)展，功率半導體器件在風力發(fā)電、光伏發(fā)電、電動汽車等戶外工況中的應用日益廣泛。然而，這些戶外環(huán)境往往伴隨著較高的濕度，這對功率半導體器件的運行可靠性構(gòu)成了嚴峻挑戰(zhàn)
2025-02-07 11:32:251527 
在《意法半導體新能源功率解決方案：從產(chǎn)品到應用，一文讀懂（上篇）》文章中，我們著重介紹了ST新能源功率器件中的傳統(tǒng)IGBT和高壓MOSFET器件，讓大家對其在相關(guān)領(lǐng)域的應用有了一定了解。接下來，本文將聚焦于ST的SiC、GaN等第三代半導體產(chǎn)品以及其新能源功率解決方案。
2025-02-07 10:38:501640 
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《GaNSafe–世界上最安全的GaN功率半導體.pdf》資料免費下載
2025-01-24 13:50:270 新唐科技開始量產(chǎn)業(yè)界最高水平(*)的光輸出1.7 W、波長420 nm發(fā)光的靛藍半導體激光器[1]。本產(chǎn)品有助于光學系統(tǒng)的小型化和運行成本的降低。此外，通過與新唐量產(chǎn)的紫外半導體激光器（378 nm）和紫色半導體激光器（402 nm）組合使用，作為汞燈的替代光源解決方案，有助于實現(xiàn)可持續(xù)社會。
2025-01-24 09:35:49894 我們將高功率SiC器件定義為處理1kV和100A范圍內(nèi)的器件，這相當于100kW的功率。SiC晶體管處理和服務的高電壓、高電流和快速開關(guān)系統(tǒng)的性質(zhì)帶來了許多在普通5V或12V系統(tǒng)中不會出現(xiàn)的挑戰(zhàn)。
2025-01-22 17:30:263078 
近日，泰克科技與遠山半導體的合作再次取得了突破性進展，雙方共同對遠山半導體最新推出的1700V GaN(氮化鎵)器件進行了全面深入的測試與評估，取得了令人矚目的成果。 此次合作不僅驗證了遠山半導體
2025-01-20 11:07:33962 垂直和橫向氮化鎵(GaN)器件的集成可以成為功率電子學領(lǐng)域的一次革命性進展。這種集成能夠使驅(qū)動和控制橫向GaN器件與垂直功率器件緊密相鄰。在本文中，我們將總結(jié)一種解決橫向和垂直器件隔離問題的方法
2025-01-16 10:55:521228 
遠山半導體在連續(xù)推出幾款高壓GaN器件后，最終將他們最新款產(chǎn)品的額定電壓推向1700V，相較于之前的1200V器件又有了顯著的提升。為了解決GaN器件常見的電流崩塌問題，他們采用特有的極化超級結(jié)
2025-01-14 09:42:281899 
/前言/功率半導體熱設(shè)計是實現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎(chǔ)，只有掌握功率半導體的熱設(shè)計基礎(chǔ)知識，才能完成精確熱設(shè)計，提高功率器件的利用率，降低系統(tǒng)成本，并保證系統(tǒng)的可靠性。功率器件熱
2025-01-13 17:36:111819 
趨勢一：碳化硅（SiC）與氮化鎵（GaN）大放異彩 在功率半導體領(lǐng)域，碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）宛如兩顆冉冉升起的新星，正以迅猛之勢改變著行業(yè)格局。 與傳統(tǒng)的硅基半導體相比，SiC
2025-01-08 16:32:155035 隨著新能源汽車、5G通信、高端裝備制造等領(lǐng)域的蓬勃發(fā)展，功率半導體器件作為其核心組件，正面臨著前所未有的挑戰(zhàn)與機遇。在這些領(lǐng)域中，功率半導體器件不僅需要有更高的效率和可靠性，還要滿足壽命長、制造步驟
2025-01-08 13:06:132115 
器件實現(xiàn)安全可靠的操作。特征：頻率范圍從0.02到18.0 GHz（倍頻程/多倍頻程）高至100w的輸出功率（@Psat單偏壓電源緊湊型薄膜和封裝架構(gòu)經(jīng)濟實用應用：通用性高功率實驗室射頻源。檢測設(shè)備中
2025-01-08 09:31:22
近日，株式會社電裝（以下簡稱“電裝”）與富士電機株式會社（以下簡稱“富士電機”）共同推出的“半導體供應保障計劃”獲得批準并正式啟動。該計劃總投資規(guī)模達2,116億日元，其中包含705億日元的專項補助
2025-01-06 17:09:051342 /前言/功率半導體熱設(shè)計是實現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎(chǔ)，只有掌握功率半導體的熱設(shè)計基礎(chǔ)知識，才能完成精確熱設(shè)計，提高功率器件的利用率，降低系統(tǒng)成本，并保證系統(tǒng)的可靠性。功率器件熱
2025-01-06 17:05:481328 近日，全球氮化鎵(GaN)功率半導體領(lǐng)域的佼佼者英諾賽科(2577.HK)成功登陸港交所主板，為港股市場增添了一枚稀缺且優(yōu)質(zhì)的投資標的。 英諾賽科作為全球首家實現(xiàn)量產(chǎn)8英吋硅基氮化鎵晶圓的公司，其在
2025-01-06 11:29:141123
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工商網(wǎng)監(jiān)
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