MOS管是指場效應(yīng)晶體管，有G(gate 柵極)/D(drain 漏極)/S(source 源極)三個端口，分為PMOS管(P溝道型)和NMOS(N溝道型)兩種。
2023-02-03 15:12:59
19916 
目前MOSFET仍是數(shù)字集成電路廣泛使用的器件，根據(jù)MOS管的靜態(tài)模型，以NMOS為例，分析其電流電壓特性。 器件部分涉及到很多半導(dǎo)體物理、器件物理相關(guān)知識，暫不深入探究，MOS管的基本結(jié)構(gòu)如圖所示。
2023-02-13 10:32:365525 
期我們介紹了NMOS當(dāng)作為放大器時的等效電路是什么?包括大信號模型和小信號模型，模型中當(dāng)V_DS>V_GS-V_TH時，我們把NMOS當(dāng)成一個理想的壓控電流源，實際上由于溝道長度的變化會隨著V_DS略微改變，如果考慮這個因素就需要溝道長度修正模型。
2023-02-16 15:15:253007 
NMOS英文全稱為N-Metal-Oxide-Semiconductor。 意思為N型金屬-氧化物-半導(dǎo)體，而擁有這種結(jié)構(gòu)的晶體管我們稱之為NMOS晶體管。 MOS晶體管有P型MOS管和N型
2023-02-16 17:00:1510476 
NMOS英文全稱為N-Metal-Oxide-Semiconductor。 意思為N型金屬-氧化物-半導(dǎo)體，而擁有這種結(jié)構(gòu)的晶體管我們稱之為NMOS晶體管。 MOS晶體管有P型MOS管和N型
2023-02-21 17:23:4627681 
MOS管的管腳有三個：源極S(source)、柵極G(Gate)和漏極(Drain)，但是實際工程應(yīng)用中，經(jīng)常無法區(qū)分PMOS管和NMOS管、各管腳的位置以及它們各自導(dǎo)通的條件。
2023-02-28 17:08:428562 
如上圖MOS管符號，要注意如果剛學(xué)完三極再來看這個會覺得很別扭，記不住，下面與NMOS原理做介紹，PMOS就剛好是相反的。
2023-03-28 09:53:245926 根據(jù)上一篇對CMOS工作原理的分析，我們可以將MOS管的工作狀態(tài)分為以下4個區(qū)域，以NMOS為例。
2023-04-25 14:23:0046946 
引言：MOSFET是金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管（MetalOxide Semiconductor Field Effect Transistor）的縮寫，具有高速和低損耗的特性，廣泛應(yīng)用于各種領(lǐng)域。和普通的阻容一樣，MOS也有其寄生模型，了解其等效寄生模型有助于我們在高速應(yīng)用中快速掌握其特性。
2023-06-08 11:56:064493 
本章首先介紹了MOS管的基本結(jié)構(gòu)并推導(dǎo)了其I/V特性，并闡述MOS管的二級效應(yīng)，如體效應(yīng)、溝道長度調(diào)制效應(yīng)和亞閾值傳導(dǎo)等，之后介紹了MOS管的寄生電容，并推導(dǎo)其小信號模型。
2023-10-02 17:36:007785 
分析IGBT，一般可以采用兩種模型，一種是簡化的“PIN+MOS”模型，一種是更切合實際的“PNP+MOS”模型，前者邏輯分析簡單
2023-11-30 17:00:483697 
在前面關(guān)于PIN&MOS模型分析中，特別強(qiáng)調(diào)了這個模型所存在的一個短板，即所有電流都通過MOS溝道，實際上只有電子電流通過MOS溝道，而空穴電流則通過p-base。
2023-12-01 10:17:462687 
此處以增強(qiáng)型PMOS，NMOS為例，通常說的MOS管說的都是增強(qiáng)型MOS管。
2025-03-12 15:31:224617 
MOS管型防反接保護(hù)電路圖3利用了MOS管的開關(guān)特性，控制電路的導(dǎo)通和斷開來設(shè)計防反接保護(hù)電路，由于功率MOS管的內(nèi)阻很小，現(xiàn)在 MOSFET Rds（on）已經(jīng)能夠做到毫歐級，解決了現(xiàn)有采用二極管
2021-10-29 08:31:20
電源設(shè)計，也涉及嵌入式開發(fā)，對大小功率mos管，都有一定的理解，所以把心中理解的經(jīng)驗總結(jié)一番，形成理論模型。MOS管等效電路及應(yīng)用電路如下圖所示：把MOS管的微觀模型疊加起來，就如下圖所示：我們知道
2018-11-21 14:43:01
的是一個三極管加一個MOS管，或者一個NMOS加一個PMOS。常用電路如圖1圖2所示。而我們今天來討論的是基于圖2電路引起的MOS關(guān)做開關(guān)對輸入端電源的影響。圖1 三極管加MOS管形式開關(guān)電路圖2 NMOS加PMOS形式開關(guān)電路2. ...
2021-10-29 06:49:15
一般有三個極。四類MOS管增強(qiáng)型運(yùn)用較為普遍，下圖是畫原理圖時增強(qiáng)型NMOS和PMOS管的符號：漏極和源極之間有一個寄生二極管。這個叫體二極管，在驅(qū)動感性負(fù)載（指有線圈負(fù)載的電路，如馬達(dá)），這個二極管
2019-01-28 15:44:35
我最近在做一個微能源收集的項目，我們有1.5V 20mA的交流輸出，現(xiàn)在我想通過MOS管來降低整流過程中的壓降，但是相關(guān)資料里的4MOS管整流電路使用了2個PMOS和2個NMOS，為什么不使用4個NMOS來做這個整流電路那？NMOS不是各方面都比PMOS強(qiáng)嗎？
2019-07-24 15:39:22
了解MOS管的開通/關(guān)斷原理你就會發(fā)現(xiàn)，使用PMOS做上管、NMOS做下管比較方便。使用PMOS做下管、NMOS做上管的電路設(shè)計復(fù)雜，一般情況下意義不大，所以很少采用。下面先了解MOS管的開通/關(guān)斷
2021-10-28 08:37:47
等效模型MOS管相比于三極管，開關(guān)速度快，導(dǎo)通電壓低，電壓驅(qū)動簡單，所以越來越受工程師的喜歡，然而，若不當(dāng)設(shè)計，哪怕是小功率MOS管，也會導(dǎo)致芯片燒壞，原本想著更簡單的，最后變得更加復(fù)雜。這幾年來
2022-01-03 06:55:36
MOS管詳解，讓你頭痛的MOS管不在難~?。?！
2018-06-25 09:57:31
什么是MOS管？NMOS是什么？PMOS又是什么？NMOS管與PMOS管有哪些不同？
2021-10-15 09:09:38
最近在看利用增強(qiáng)型NMOS管或者PMOS管對電路或電源極性反接保護(hù)設(shè)計，網(wǎng)上眾說紛紜，其中經(jīng)典的說法為： 或（個人認(rèn)為右側(cè)圖中的MOS管畫錯了，應(yīng)是增強(qiáng)型NMOS管） 或（個人認(rèn)為右側(cè)圖中的MOS管
2019-07-13 14:13:40
您好，我使用的是“IC-CAP”軟件，因此我可以訪問我的MOS晶體管的VerilogA模型。外部電壓和流動電流由IC-CAP存儲。另外，我在每次調(diào)用我的模型時，在一個單獨的文件中保存自己的計算值
2018-12-19 16:29:13
在真實世界中，存在著許多十分相似的網(wǎng)絡(luò)結(jié)構(gòu)，可以使用極為簡單的圖來建立它們的模型。圖模型和圖數(shù)據(jù)庫得到廣泛的關(guān)注，并且在許多應(yīng)用領(lǐng)域獲得的應(yīng)用。圖模型的概念將和面向?qū)ο蟮母拍钜粯?，在?shù)字化建模中獲得
2021-09-02 07:18:12
詳解MOS管驅(qū)動電路在使用MOS管設(shè)計開關(guān)電源或者馬達(dá)驅(qū)動電路的時候，大部分人都會考慮MOS管的導(dǎo)通電阻、最大電壓、最大電流等，也有很多人僅僅考慮這些因素。這樣的電路也許是可以工作的，但并不是優(yōu)秀
2017-08-15 21:05:01
增強(qiáng)型或耗盡型，P溝道或N溝道共4種類型，但實際應(yīng)用的只有增強(qiáng)型的N溝道MOS管和增強(qiáng)型的P溝道MOS管，所以通常提到的NMOS，或者PMOS就是指這兩種。至于為什么不適用號耗盡型的MOS管，不建議
2017-12-05 09:32:00
介紹了如何使用分類任務(wù)進(jìn)行手寫數(shù)字的分類。相信大家腦海中可能會產(chǎn)生如下疑問：
數(shù)據(jù)依賴性強(qiáng)：分類模型的表現(xiàn)通常依賴于大量的標(biāo)注數(shù)據(jù)進(jìn)行訓(xùn)練。獲取高質(zhì)量、大規(guī)模的數(shù)據(jù)集既耗時又昂貴。
泛化能力有限：模型
2024-12-19 14:33:06
就Edge Impulse的三大模型之一的分類模型進(jìn)行淺析。針對于圖像的分類識別模型，讀者可參考OpenMv或樹莓派等主流圖像識別單片機(jī)系統(tǒng)的現(xiàn)有歷程，容易上手，簡單可靠。單擊此處轉(zhuǎn)到——星瞳科技OpenMv 所以接下來的分析主要是針對數(shù)據(jù)進(jìn)行識別的分類模型。...
2021-12-20 06:51:26
`MOS集成電路特點：制造工藝比較簡單、成品率較高、功耗低、組成的邏輯電路比較簡單，集成度高、抗干擾能力強(qiáng)，特別適合于大規(guī)模集成電路。MOS集成電路包括:NMOS管組成的NMOS電路、PMOS管組成
2011-12-27 09:50:37
P型MOS管開關(guān)電路圖PMOS是指n型襯底、p溝道，靠空穴的流動運(yùn)送電流的MOS管。P溝道MOS晶體管的空穴遷移率低，因而在MOS晶體管的幾何尺寸和工作電壓絕對值相等的情況下，PMOS晶體管的跨導(dǎo)
2021-10-28 10:07:00
，Select調(diào)用就 會返回，然后進(jìn)程再通過recvfrom來進(jìn)行數(shù)據(jù)拷貝。但實際上，它并未向內(nèi)核注冊信號處理函數(shù)，所以它并不是非阻塞的?！ 】吹介_篇的那張圖，大家肯定會有疑問，為什么之前的這四種模型都是
2019-10-09 16:12:11
pspice場效應(yīng)管模型如何修改想用pspice做場效應(yīng)管MTP2P50E和BUK456800的電路仿真，但是沒有它們的模型，想用一個現(xiàn)成的管子修改一下，挑了一個F1020，edit pspice
2011-09-06 15:52:54
并不重要，只要記住他們分別簡稱g、d、s就可以。圖3我們把單片機(jī)的一個IO口接到這個MOS管的gate端口，就可以控制這個燈泡的亮滅了。當(dāng)然別忘了供電。當(dāng)這個單片機(jī)的IO口輸出為高的時候，NMOS就等
2023-01-29 23:05:20
制造成增強(qiáng)型或耗盡型，P溝道或N溝道共4種類型，但實際應(yīng)用的只有增強(qiáng)型的N溝道MOS管和增強(qiáng)型的P溝道MOS管，所以通常提到的NMOS，或者PMOS就是指這兩種。至于為什么不適用號耗盡型的MOS管，不建議
2015-12-21 15:35:48
1.理想模型所謂理想模型,是指在正向偏置時,其管壓降為零,相當(dāng)于開關(guān)的閉合。當(dāng)反向偏置時,其電流為零,阻抗為無窮,相當(dāng)于開關(guān)的斷開。具有這種理想特性的二極管也叫做理想二極管。
2019-05-22 09:06:25
如圖所示，我用nmos做開關(guān)管，通過鋰電池供電，隨著電池電量損耗，柵極電壓會從14v到8v變化，保證mos管一直導(dǎo)通，我想知道，柵極電壓變化會不會影響mos管的導(dǎo)通特性？電池電壓為48v，負(fù)載電流比較大
2019-10-23 11:08:33
在Pspice中仿真，怎么仿真壓敏電阻和放電管，另外，如果庫中沒有其仿真模型，怎么自己建立仿真模型
2017-11-23 15:26:48
1 MOS管導(dǎo)通截止原理NMOS管的主回路電流方向為D—>S，導(dǎo)通條件為VGS有一定的壓差，如 5V（G電位比S電位高）。PMOS管的主回路電流方向為S—>D，導(dǎo)通條件為
2023-02-17 13:58:02
的是MOS場效應(yīng)管，簡稱MOS管（即金屬-氧化物-半導(dǎo)體場效應(yīng)管MOSFET）；此外還有PMOS、NMOS和VMOS功率場效應(yīng)管，以及最近剛問世的πMOS場效應(yīng)管、VMOS功率模塊等?！ “礈系腊雽?dǎo)體
2009-04-25 15:38:10
音頻的自動分類,尤其是語音和音樂的分類,是提取音頻結(jié)構(gòu)和內(nèi)容語義的重要手段之一,它在基于內(nèi)容的音頻檢索、視頻的檢索和摘要以及語音文檔檢索等領(lǐng)域都有重大的應(yīng)用價值.由于隱馬爾可夫模型能夠很好地刻畫音頻
2011-03-06 23:50:22
1. 前言MOS管做為開關(guān)是一種常用的方式，在電路中比較常用的是一個三極管加一個MOS管，或者一個NMOS加一個PMOS。常用電路如圖1圖2所示。而我們今天來討論的是基于圖2電路引起的MOS關(guān)做開關(guān)
2021-10-28 06:50:48
，我們先要來介紹一下NMOS的等效模型。
圖5：NMOS等效模型
MOS其實可以看成是一個由電壓控制的電阻。這個電壓指的是G、S的電壓差，電阻指的是D、S之間的電阻。這個電阻的大小會隨著G、S電壓
2024-04-08 14:16:03
MOS管是什么？NMOS管和PMOS管的工作原理是什么？NMOS管與PMOS管的區(qū)別在哪？
2021-11-03 06:17:26
請問誰有氣體放電管的仿真模型，跪求給位大神。
2016-09-08 15:17:12
一、簡介MOS管，是MOSFET的縮寫。MOSFET金屬-氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管，簡稱金氧半場效晶體管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect
2021-11-11 06:28:29
系統(tǒng)模型及其分類[hide][/hide]
2017-10-03 22:59:25
系統(tǒng)模型及其分類.zip
2017-10-04 11:23:53
MOS管STH240N10F7-2仿真模型的TJ和TCASE輸出是按1℃/mV標(biāo)定的嗎？
2025-03-14 07:53:07
請問buck-boost電路中的MOS管一定要是NMOS管么，可不可以用PMOS管？已知G極的控制電壓為3.3V
2022-02-12 17:44:53
請問如何建立MOS或IGBT模型到TINA TI使用
2024-08-14 06:21:30
MOS管開關(guān)電路學(xué)習(xí)過模擬電路的人都知道三極管是流控流器件，也就是由基極電流控制集電極與發(fā)射極之間的電流；而MOS管是壓控流器件，也就是由柵極上所加的電壓控制漏極與源極之間電流。選擇NMOS or PMOS？在選擇這兩種MOS管之前，需要弄清兩個問題：1.高端驅(qū)動 2.低端驅(qū)動...
2021-10-29 08:16:03
基于模型的動態(tài)測試工具TPTTPT特性PikeTec公司是全球知名的基于模型的嵌入式系統(tǒng)測試工具TPT的軟件供應(yīng)商，總部位于德國柏林，其創(chuàng)始人均在戴姆勒公司擁有十多年的軟件測試經(jīng)驗。TPT作為針對
2022-07-25 15:35:26
系統(tǒng)模型及其分類系統(tǒng)：具有特定功能的總體，可以看作信號的變換 器、處理器。系統(tǒng)模型：系統(tǒng)物理特性的數(shù)學(xué)抽象，一般也稱為數(shù)學(xué)模型。 電路的微分方程為:該微
2009-09-08 21:00:25
10 DNA序列的分類模型本文提出了DNA序列分類的三種模型,基一,基于A,G,T,C四種堿基出現(xiàn)的頻率,其二利用了同一堿基在序列中的間隔,這一信息是單純考慮頻率所不能包含的.
2009-09-16 11:52:4517 二極管模型和模型參數(shù)二極管模型(1) 基本關(guān)系式若外加電壓為：VA流過二極管的電流為：ID=IS[exp(qVA/kt)-1]所以基本直流特性中只有飽和電流IS(Saturation current)1個參數(shù)。
2009-11-11 16:44:0850 晶體管的小信號模型
場效應(yīng)晶體管低頻小信號模型
雙極型晶體管低頻小信號模型
2010-09-25 16:22:3459 MXAM簡介MES是一家專注于為嵌入式軟件提供高質(zhì)量開發(fā)工具和服務(wù)的高科技公司，尤其在基于模型的開發(fā)領(lǐng)域具有顯著影響力。MXAM（Model Examiner）是一款由MES開發(fā)的專業(yè)工具，專為
2024-05-16 09:05:14
MOS管開關(guān)等效電路
1、NMOS 管開關(guān)等效電路
2010-02-28 19:06:3915658 
關(guān)于mos管的應(yīng)用詳解及例子，方便初學(xué)者使用
2015-11-10 11:03:2519 MOS管參數(shù)詳解及驅(qū)動電阻選擇，很好的資料學(xué)習(xí)。快來下載學(xué)習(xí)吧
2016-01-13 14:47:410 本文介紹了場效應(yīng)管的分類及金屬-氧化物-半導(dǎo)體（MOS）場效應(yīng)管相關(guān)知識的詳解。
2017-11-22 19:54:1335 系統(tǒng)模型及其分類
2017-12-06 14:52:040 本文主要研究了基于非參數(shù)方法的分類模型交叉驗證結(jié)果比較，主要是對實例通過非參數(shù)的方法進(jìn)行模型比較的假設(shè)檢驗，檢驗兩分類模型是否存在顯著差異。模型的真實泛化誤差是一個較為科學(xué)的模型比較標(biāo)準(zhǔn)，對于分類
2017-12-08 15:28:441 本文開始介紹了mos管的結(jié)構(gòu)特點、工作原理和MOS管應(yīng)用，其次介紹了PMOS管的概念和工作原理，最后介紹了兩種判斷NMOS管和PMOS管的方法。
2018-04-03 14:12:1829704 
輸入端，那一極連接輸出端 2>控制極電平為？V 時MOS管導(dǎo)通 3>控制極電平為？V 時MOS管截止 NMOS：D極接輸入，S極接輸出 PMOS：S極接輸入，D極接輸出 反證法加強(qiáng)
2018-09-12 10:24:00167809 
MOSFET管是FET的一種（另一種是JFET），可以被制構(gòu)成增強(qiáng)型或耗盡型，P溝道或N溝道共4種類型，但理論應(yīng)用的只需增強(qiáng)型的N溝道MOS管和增強(qiáng)型的P溝道MOS管，所以通常提到NMOS，或者PMOS指的就是這兩種。
2018-11-06 11:00:367422 MOS管的等效模型 我們通?？吹降?b class="flag-6" style="color: red">MOS管圖形是左邊這種，右邊的稱為MOS管的等效模型。
2020-09-24 11:24:3731522 
了解 MOS 管的開通 / 關(guān)斷原理你就會發(fā)現(xiàn)，使用 PMOS 做上管、NMOS 做下管比較方便。使用 PMOS 做下管、NMOS 做上管的電路設(shè)計復(fù)雜，一般情況下意義不大，所以很少采用。
2020-12-11 22:57:0037 今天的文章內(nèi)容很簡單，也很簡短，但卻很實用。 以NMOS舉例，只用萬用表二極管檔測量MOS管的好壞。 NMOS的D極和S極之間有一個寄生二極管，方向為S到D，利用二極管單向?qū)щ娦砸约?b class="flag-6" style="color: red">MOS管導(dǎo)
2021-02-12 16:04:0023133 
決策樹是一種解決分類問題的算法，本文將介紹什么是決策樹模型，常見的用途，以及如何使用“億圖圖示”軟件繪制決策樹模型。
2021-02-18 10:12:2013931 
針對點云數(shù)據(jù)本身信息量不足導(dǎo)致現(xiàn)有三維點云分類方法分類精度較低的問題，結(jié)合多模態(tài)特征融合，設(shè)計一種三維點云分類模型。通過引入投影圖對點云數(shù)據(jù)信息進(jìn)行擴(kuò)充，將點云數(shù)據(jù)與圖像數(shù)據(jù)同時作為輸入
2021-03-11 14:09:113 shapelets集合，一般所獲得的shapelets只在平均意義上具有某種鑒別性;與此同時，普通模型往往忽略了待分類實例所具有的局部特征。為此，我們提出了一種依據(jù)待分類實例顯著局部特征的懶惰式分類模型。這種模型為每個待分類實例構(gòu)建各自的數(shù)據(jù)驅(qū)動的懶惰式 shapelets分類模型，
2021-03-31 10:50:036 針對提取圖表征用于圖分類過程中的結(jié)構(gòu)信息提取過程的問題，提出了一種圖卷積神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)與膠囊網(wǎng)絡(luò)融合的圖分類模型。首先，利用圖卷積神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)處理圖中的節(jié)點信息，迭代以后得到節(jié)點表征，表征中蘊(yùn)含著該節(jié)點的子樹
2021-05-07 15:17:119 現(xiàn)有基于卷積神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)（CNN）的惡意代碼分類方法存在計算資源消耗較大的問題。為降低分類過程中的計算量和參數(shù)量，構(gòu)建基于惡意代碼可視化和輕量級CNN模型的惡意軟件家族分類模型。將惡意軟件可視化為灰度圖
2021-06-02 15:40:3120 的關(guān)鍵。為了獲得妤的文本表示，提高文本分類性能，構(gòu)建了基于LSTM的表示學(xué)習(xí)-文本分類模型，其中表示學(xué)習(xí)模型利用語言模型為文本分類模型提供初始化的文本表示和網(wǎng)絡(luò)參數(shù)。文中主要采用對抗訓(xùn)練方法訓(xùn)練語言模型，即在詞向量
2021-06-15 16:17:1718 MOS管表面貼裝式封裝方式詳解
2021-07-07 09:14:480 1. 前言MOS管做為開關(guān)是一種常用的方式，在電路中比較常用的是一個三極管加一個MOS管，或者一個NMOS加一個PMOS。常用電路如圖1圖2所示。而我們今天來討論的是基于圖2電路引起的MOS關(guān)做開關(guān)
2021-10-21 14:36:0014 了解MOS管的開通/關(guān)斷原理你就會發(fā)現(xiàn)，使用PMOS做上管、NMOS做下管比較方便。使用PMOS做下管、NMOS做上管的電路設(shè)計復(fù)雜，一般情況下意義不大，所以很少采用。下面先了解MOS管的開通/關(guān)斷
2021-10-21 17:06:04102 P型MOS管開關(guān)電路圖PMOS是指n型襯底、p溝道，靠空穴的流動運(yùn)送電流的MOS管。P溝道MOS晶體管的空穴遷移率低，因而在MOS晶體管的幾何尺寸和工作電壓絕對值相等的情況下，PMOS晶體管的跨導(dǎo)
2021-10-21 19:36:1158 的是一個三極管加一個MOS管，或者一個NMOS加一個PMOS。常用電路如圖1圖2所示。而我們今天來討論的是基于圖2電路引起的MOS關(guān)做開關(guān)對輸入端電源的影響。圖1 三極管加MOS管形式開關(guān)電路圖2 NMOS加PMOS形式開關(guān)電路2. ...
2021-10-22 09:51:0926 等效模型MOS管相比于三極管，開關(guān)速度快，導(dǎo)通電壓低，電壓驅(qū)動簡單，所以越來越受工程師的喜歡，然而，若不當(dāng)設(shè)計，哪怕是小功率MOS管，也會導(dǎo)致芯片燒壞，原本想著更簡單的，最后變得更加復(fù)雜。這幾年來
2022-01-11 13:57:165 說起單片機(jī)MOS管，有些人的腦子里可能是一團(tuán)漿糊，書上說的文字一大堆，今天小億從物聯(lián)網(wǎng)實用角度來介紹MOS管中最常用的NMOS，
2022-07-12 15:14:257614 
前面給大家分別匯總了OpenCV中支持的圖像分類與對象檢測模型，視覺視覺任務(wù)除了分類與檢測還有很多其他任務(wù)，這里我們就來OpenCV中支持的非分類與檢測的視覺模型匯總一下。
2022-08-19 09:10:031978 NMOS管，其電路模型可分為大信號模型和小信號模型。
2022-10-14 13:04:1311802 如上圖MOS管符號，要注意如果剛學(xué)完三極再來看這個會覺得很別扭，記不住，下面與NMOS原理做介紹，PMOS就剛好是相反的。
2023-03-28 09:54:4329551 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《PyTorch教程4.3之基本分類模型.pdf》資料免費(fèi)下載
2023-06-05 15:43:550 NMOS當(dāng)下管，即S極（源極）直接接地，只需控制G極（柵極）電壓即可控制NMOS管的導(dǎo)通或截止，因為MOS管導(dǎo)通的條件取決于VGS的壓差。
2024-01-15 18:17:148956 
深度學(xué)習(xí)模型訓(xùn)練是一個復(fù)雜且關(guān)鍵的過程，它涉及大量的數(shù)據(jù)、計算資源和精心設(shè)計的算法。訓(xùn)練一個深度學(xué)習(xí)模型，本質(zhì)上是通過優(yōu)化算法調(diào)整模型參數(shù)，使模型能夠更好地擬合數(shù)據(jù)，提高預(yù)測或分類的準(zhǔn)確性。本文將
2024-07-01 16:13:104023 MOS管選型需考慮溝道類型（NMOS或PMOS）、電壓、電流、熱要求、開關(guān)性能及封裝，同時需結(jié)合電路設(shè)計、工作環(huán)境及成本，避免混淆NMOS和PMOS。“不知道MOS管要怎么選?！?? “這個需要
2025-02-17 10:50:251545 
【HarmonyOS 5】鴻蒙中Stage模型與FA模型詳解 ##鴻蒙開發(fā)能力 ##HarmonyOS SDK應(yīng)用服務(wù)##鴻蒙金融類應(yīng)用 （金融理財# 一、前言 在HarmonyOS 5的應(yīng)用開發(fā)
2025-07-07 11:50:23765 今天我們來聊聊工程師在仿真時比較關(guān)注的問題。眾多的器件模型，我在仿真的時候到底應(yīng)該怎么選擇一個器件的模型？我使用的這個器件模型的精確度夠嗎？我自己能否做一個器件模型來支持我的電路仿真？要想探究這些問題，我想我們有必要先了解一下器件模型工程師他們是怎么做出一個模型的。
2025-08-28 13:42:261172 
東莞市華舵模型科技有限公司：模型動力領(lǐng)域的科技先鋒 東莞市華舵模型科技有限公司（以下簡稱“華舵模型”）成立于2012年1月17日，是一家專注于模型舵機(jī)及精密傳動系統(tǒng)研發(fā)、生產(chǎn)與銷售的高新技術(shù)企業(yè)
2022-07-29 14:58:21
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