本文針對當前及下一代電力電子領(lǐng)域中市售的碳化硅（SiC）與氮化鎵（GaN）晶體管進行了全面綜述與展望。首先討論了GaN與SiC器件的材料特性及結(jié)構(gòu)差異?；趯κ惺?b class="flag-6" style="color: red">GaN與SiC功率晶體管的分析，描述了這些技術(shù)的現(xiàn)狀，重點闡述了各技術(shù)平臺的首選功率變換拓撲及關(guān)鍵特性。
2025-05-15 15:28:57
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全新60W GaN HEMT Psat晶體管幫助降低軍用和民用雷達系統(tǒng)，對于高功率放大器尺寸、重量以及散熱的要求
2012-07-10 09:36:521380 TriQuint半導(dǎo)體公司（納斯達克代碼：TQNT），推出四款具有卓越增益和效率，并且非常耐用的新氮化鎵（GaN）HEMT射頻功率晶體管產(chǎn)品。
2012-12-18 09:13:261621 移動應(yīng)用、基礎(chǔ)設(shè)施與航空航天、國防應(yīng)用中 RF 解決方案的領(lǐng)先供應(yīng)商 Qorvo?， Inc.（納斯達克代碼：QRVO）今天推出全球功率最高的碳化硅基氮化鎵（GaN-on-SiC）RF晶體管
2018-03-21 16:37:1013115 
GaN晶體管越來越多地用于各個領(lǐng)域：汽車領(lǐng)域中的電源供應(yīng)以及電流的轉(zhuǎn)換和使用。這些組件將很快取代它們各自的前身。讓我們看一下如何更好地管理包括臨界條件在內(nèi)的不同工作條件，以優(yōu)化電路性能并獲得
2021-04-01 14:23:255798 
可以使用極快的開關(guān)晶體管：超級結(jié) MOSFET (SJ)、碳化硅 MOSFET (SiC) 和基于氮化鎵 (GaN) 的晶體管；這些仍然比傳統(tǒng)晶體管昂貴得多，但它們使設(shè)計更小、更高效的開關(guān)電源
2021-10-14 15:33:005187 
基于氮化鎵 (GaN) 的高電子遷移率晶體管 (HEMT) 器件具有出色的電氣特性，是高壓和高開關(guān)頻率電機控制應(yīng)用中 MOSFET 和 IGBT 的有效替代品。我們在這里的討論集中在 GaN HEMT 晶體管在高功率密度電動機應(yīng)用的功率和逆變器階段提供的優(yōu)勢。
2022-07-27 14:03:562999 
)晶體管已成為能夠取代硅基MOSFET的高性能開關(guān)，從而可提高能源轉(zhuǎn)換效率和密度。為了發(fā)揮GaN晶體管的優(yōu)勢，需要一種具有新規(guī)格要求的新隔離方案。 GaN晶體管的開關(guān)速度比硅MOSFET要快得多，并可降低開關(guān)損耗，原因在于： 柵極電容和輸出電容更低。
2023-06-12 10:53:2810231 
氮化鎵系統(tǒng) (GaN Systems) E-HEMTs 的EZDriveTM方案
2025-03-13 16:33:054789 
D類放大器和SMPS板均包含GaN Systems的增強型高電子遷移率晶體管 （E-HEMT）。E-HEMT采用GaN Systems的島技術(shù) （Island Technology?） 單元布局以減小器件尺寸和成本，同時提供比其他GaN器件更高的電流和更優(yōu)異的性能。
2020-07-06 14:10:191412 基于GaN的功率晶體管和集成電路的早期成功最初源于GaN與硅相比的速度優(yōu)勢。GaN-on-Si晶體管的開關(guān)速度比MOSFET快10倍，比IGBT快100倍。
2021-04-23 11:27:114434 
GaN Systems其低電流，大批量氮化鎵晶體管的價格已跌至1美元以下。
2021-03-12 09:04:443429 ，繼續(xù)朝著成為GaN技術(shù)領(lǐng)導(dǎo)企業(yè)的目標邁進，并進一步鞏固了其全球汽車半導(dǎo)體領(lǐng)導(dǎo)者的地位。 ? ? 英飛凌CoolGaN? 100V G1車規(guī)級晶體管 ? 英飛凌正式推出CoolGaN? 100V G1
2025-11-05 14:31:0559497 
硅MOSFET功率晶體管多年來一直是電源設(shè)計的支柱。雖然它們?nèi)匀槐粡V泛使用，但是在一些新設(shè)計中，氮化鎵（GaN）晶體管正在逐漸替代MOSFET。GaN技術(shù)的最新發(fā)展，以及改進的GaN器件和驅(qū)動器電路
2017-05-03 10:41:53
如果基于GaN的HEMT可靠性的標準化測試方法迫在眉睫，那么制造商在幫助同時提供高質(zhì)量GaN器件方面正在做什么？ GaN高電子遷移率晶體管（HEMT）由于其極高的耐高溫性和高功率密度而在半導(dǎo)體行業(yè)中
2020-09-23 10:46:20
的消息是硅供應(yīng)商現(xiàn)在可以提供基于GaN HEMT的集成解決方案，大大簡化了高壓高頻交流電機的逆變器設(shè)計。在此之前GaN HEMT被包裝成一個帶有獨立驅(qū)動的分立器件，因為晶體管和驅(qū)動元件是基于不同工
2019-07-16 00:27:49
50V以下。需要說明的一點是，捕捉波形時使用的是1GHz示波器和探頭。結(jié)論GaN晶體管與其驅(qū)動器的封裝集成消除了共源電感，從而實現(xiàn)了高電流壓擺率。它還減少了柵極環(huán)路電感，以盡可能地降低關(guān)閉過程中的柵極應(yīng)力，并且提升器件的關(guān)斷保持能力。集成也使得設(shè)計人員能夠為GaN FET搭建高效的過熱和電流保護電路。
2018-08-30 15:28:30
，幾代MOSFET晶體管使電源設(shè)計人員實現(xiàn)了雙極性早期產(chǎn)品不可能實現(xiàn)的性能和密度級別。然而，近年來，這些已取得的進步開始逐漸弱化，為下一個突破性技術(shù)創(chuàng)造了空間和需求。這就是氮化鎵（GaN）引人注目
2022-11-14 07:01:09
（MOSFET）是在20世紀70年代末開發(fā)的，但直到20世紀90年代初，JEDEC才制定了標準。目前尚不清楚JEDEC硅材料合格認證對GaN晶體管而言意味著什么。 標準滯后于技術(shù)的采用，但標準無需使技術(shù)可靠
2018-09-10 14:48:19
半導(dǎo)體的關(guān)鍵特性是能帶隙，能帶動電子進入導(dǎo)通狀態(tài)所需的能量。寬帶隙（WBG）可以實現(xiàn)更高功率，更高開關(guān)速度的晶體管，WBG器件包括氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC），以及其他半導(dǎo)體。 GaN和SiC
2022-08-12 09:42:07
材料在制作耐高溫的微波大功率器件方面也極具優(yōu)勢。筆者從材料的角度分析了GaN 適用于微波器件制造的原因，介紹了幾種GaN 基微波器件最新研究動態(tài)，對GaN 調(diào)制摻雜場效應(yīng)晶體管（MODFETs）的工作原理以及特性進行了具體分析，并同其他微波器件進行了比較，展示了其在微波高功率應(yīng)用方面的巨大潛力。
2019-06-25 07:41:00
本帖最后由 刺客508 于 2017-4-18 15:03 編輯
可靠性和成本效益比較長的工作壽命在烹飪和加熱應(yīng)用中，射頻功率晶體管具有比磁控管長得多的工作壽命。磁控管典型的總工作壽命一般為
2017-04-17 18:19:05
` 本帖最后由 射頻技術(shù) 于 2021-4-8 09:16 編輯
Wolfspeed的CG2H80015D是氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT）。GaN具有比硅或砷化鎵更高的性能，包括
2021-04-07 14:31:00
Cree的CGH40010是無與倫比的氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT）。 CGH40010，正在運行從28伏電壓軌供電，提供通用寬帶解決方案應(yīng)用于各種射頻和微波應(yīng)用。 GaN HEMT
2020-12-15 15:06:50
`Cree的CGH40010是無與倫比的氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT）。 CGH40010，正在運行從28伏電壓軌供電，提供通用寬帶解決方案應(yīng)用于各種射頻和微波應(yīng)用。 GaN
2020-12-03 11:51:58
Wolfspeed的CGHV40030是無與倫比的氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT），專為高效率，高增益和寬帶寬功能而設(shè)計。 該器件可部署在L，S和C頻段放大器應(yīng)用中。 數(shù)據(jù)手冊中的規(guī)格
2020-02-24 10:48:00
相比較，GaN具有更加優(yōu)異的性能；包含更高的擊穿場強；更高的飽和電子漂移效率和更高的導(dǎo)熱系數(shù)。與GaAs晶體管相比較，GaN HEMT還推出更高的功率密度和更寬的帶寬。CGHV96050F1使用金屬/陶瓷
2024-01-19 09:27:13
是碳化硅（SiC）襯底上的氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT）。這種GaN內(nèi)匹配（IM）場效應(yīng)晶體管與其他技術(shù)相比，提供了優(yōu)異的功率附加效率。GaN與硅或砷化鎵相比具有更高的性能，包括更高
2018-08-13 10:58:03
`Cree的CGHV96100F2是氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT）在碳化硅（SiC）基板上。 該GaN內(nèi)部匹配（IM）FET與其他技術(shù)相比，具有出色的功率附加效率。 氮化鎵與硅或砷化
2020-12-03 11:49:15
Cree的CMPA801B025是氮化鎵（GaN）高電子遷移率基于晶體管（HEMT）的單片微波集成電路（MMIC）。 氮化鎵與硅或砷化鎵相比具有更好的性能，包括更高的擊穿電壓，更高的飽和電子漂移速度
2020-12-03 11:46:10
`IGN0450M250是一款高功率GaN-on-SiC RF功率晶體管，旨在滿足P波段雷達系統(tǒng)的獨特需求。它在整個420-450 MHz頻率范圍內(nèi)運行。 在100毫秒以下，10％占空比脈沖條件
2021-04-01 10:35:32
Technologies公司成立于1997年，是一家通過ISO 9001：2008認證的射頻功率晶體管，托盤和高功率放大器（HPA）認證的制造商。 這些產(chǎn)品基于GaN HEMT和Si LDMOS，VDMOS
2019-05-20 09:16:24
Technologies公司成立于1997年，是一家通過ISO 9001：2008認證的射頻功率晶體管，托盤和高功率放大器（HPA）認證的制造商。 這些產(chǎn)品基于GaN HEMT和Si LDMOS，VDMOS
2018-11-12 11:14:03
）認證的制造商。 這些產(chǎn)品基于GaN HEMT和Si LDMOS，VDMOS和雙極技術(shù)。產(chǎn)品型號：IGT2731L120產(chǎn)品名稱： S波段晶體管 產(chǎn)品特性GaN HEMT技術(shù)對SiCP out-pk
2018-11-12 10:26:20
°CSGN19H181M1H砷化鎵晶體管SGN19H240M1H砷化鎵晶體管SGN21H180M1H砷化鎵晶體管SGN21H121M1H砷化鎵晶體管SGN21H181M1H砷化鎵晶體管SGN26H080M1H砷化鎵
2021-03-30 11:37:49
作者： Steve Tom在德州儀器不斷推出的“技術(shù)前沿”系列博客中，一些TI全球頂尖人才正在探討目前最大的技術(shù)趨勢以及如何應(yīng)對未來挑戰(zhàn)等問題。相較于以往使用的硅晶體管，氮化鎵 (GaN) 可以讓
2018-09-10 15:02:53
方形，通過兩個晶格常數(shù)（圖中標記為a 和c）來表征。GaN 晶體結(jié)構(gòu)在半導(dǎo)體領(lǐng)域，GaN 通常是高溫下（約為1,100°C）在異質(zhì)基板（射頻應(yīng)用中為碳化硅[SiC]，電源電子應(yīng)用中為硅[Si]）上通過
2019-08-01 07:24:28
典型GaN晶體管的核心是一個導(dǎo)電通道，它由AlGaN阻擋層和GaN緩沖層間界面上產(chǎn)生的二維電子氣形成（見圖1）。這種器件傾向在一個異質(zhì)基板上生產(chǎn)，典型的是硅或碳化硅，并具備三個電極：源極、漏極、柵極。為
2020-11-27 16:30:52
目前傳統(tǒng)硅半導(dǎo)體器件的性能已逐漸接近其理論極限， 即使采用最新的硅器件和軟開關(guān)拓撲，效率在開關(guān)頻率超過 250 kHz 時也會受到影響。 而增強型氮化鎵晶體管 GaN HEMT（gallium
2023-09-18 07:27:50
在過去的十多年里，行業(yè)專家和分析人士一直在預(yù)測，基于氮化鎵(GaN)功率開關(guān)器件的黃金時期即將到來。與應(yīng)用廣泛的MOSFET硅功率器件相比，基于GaN的功率器件具有更高的效率和更強的功耗處理能力
2019-06-21 08:27:30
）需要幾毫安才能上電，并且可以由邏輯門輸出驅(qū)動。然而，螺線管、燈和電機等大功率電子設(shè)備比邏輯門電源需要更多的電力。輸入晶體管開關(guān)?！ ?b class="flag-6" style="color: red">晶體管開關(guān)操作和操作區(qū)域 圖 1 中圖表上的藍色陰影區(qū)域表示飽和
2023-02-20 16:35:09
您已了解GaN晶體管出色的性能，您很興奮。樣品總算來到，您將它們放入板中。您打開電源，施加負載，結(jié)果……性能并沒有比以前更好。更糟糕的是，遇到了以前不存在的開關(guān)問題。這些晶體管不好。真遺憾。為何出現(xiàn)這種情況？有沒有可能遺漏了什么？如何正確理解GaN？十分重要！
2019-07-30 06:21:32
Conversion；EPC)、GaNSystems與Transphorm等公司。各大功率半導(dǎo)體業(yè)者的不同GaN功率晶體管專利（來源：Yole）然而，這一市場也存在整并壓力，這一點從英飛凌收購IR、英飛凌
2015-09-15 17:11:46
X-GaN晶體管在Vds尖峰電壓額定值為750V（1微秒）時獲得認證。垂直場依賴擊穿也在相同的1kV范圍內(nèi); 松下柵極驅(qū)動器IC 松下于2016年底為希望使用GiT快速部署解決方案的開發(fā)人員推出了自己
2023-02-27 15:53:50
是 電感與電路板厚度無關(guān) 是 是 需要屏蔽層 是 否 否 表1：傳統(tǒng)和最佳電源回路設(shè)計的特點 積分對寄生效應(yīng)的影響 為了進一步降低基于GaN晶體管的設(shè)計的寄生電感，可以使用單片GaN功率級
2023-02-24 15:15:04
的改善也同樣顯著。圖 1：100KHz 和 500KHz 時的半橋 LLC 諧振轉(zhuǎn)換器本文討論了商用GaN功率晶體管與Si SJMOS和SiC MOS晶體管相比在軟開關(guān)LLC諧振轉(zhuǎn)換器中的優(yōu)勢。對晶體管
2023-02-27 09:37:29
和頻率電子應(yīng)用中實現(xiàn)更高的效率而制造的。ST’s vipergan50高電壓轉(zhuǎn)換器我們首先要宣布的是來自意法半導(dǎo)體的消息。最近，它推出了 VIPERGAN50，一種基于 GaN 晶體管的功率轉(zhuǎn)換器，為
2022-06-15 11:43:25
的電荷差使柵極電壓VG變?yōu)樨撝?，從而在硬開關(guān)應(yīng)用中關(guān)斷晶體管?！ D1：E模式GaN HEMT等效電路（左）和建議的驅(qū)動方案（右）?！ ‘敳⒙?lián)配置CoolGaN?晶體管時，可使用相同參數(shù)的RC驅(qū)動網(wǎng)絡(luò)
2021-01-19 16:48:15
受益于集成器件保護，直接驅(qū)動GaN器件可實現(xiàn)更高的開關(guān)電源效率和更佳的系統(tǒng)級可靠性。高電壓（600V）氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT）的開關(guān)特性可實現(xiàn)提高開關(guān)模式電源效率和密度的新型
2020-10-27 06:43:42
增長，未來功率GaN技術(shù)將成為高效率功率轉(zhuǎn)換的新標準。以下是維安新推出的E-Mode GaN器件，歡迎大家前來索樣并與維安的專家討論其特性。[size=0.19]WGB65E450S WGB65E225S WGB65E150S WGZ65E150S表三 維安GaN晶體管新品列表
2021-12-01 13:33:21
。本文中，我們將為您介紹需要了解的非線性GaN 模型的基礎(chǔ)知識。什么是非線性GaN 模型？對許多工程師來說，設(shè)計PA 的第一步是閱讀晶體管產(chǎn)品的數(shù)據(jù)手冊并查看S 參數(shù)。S 參數(shù)文件很有用，但有關(guān)器件大信號
2018-08-04 14:55:07
日前，射頻功率技術(shù)領(lǐng)先供應(yīng)商飛思卡爾宣布為其Airfast RF功率解決方案推出最新成員：包括三個LDMOS功率晶體管與一個氮化鎵（GaN）晶體管，所有產(chǎn)品均超越地面移動市場要求。
2013-06-09 10:18:372188 半導(dǎo)體技術(shù)產(chǎn)品的領(lǐng)先供應(yīng)商美高森美公司推出新型750W RF晶體管擴展其基于碳化硅（silicon carbide，SiC）襯底氮化鎵（gallium nitride，GaN）高電子遷移率晶體管
2013-09-30 15:34:162478 Modelithics， Inc. 和 Qorvo 宣布，近期將擴展用于 Qorvo GaN 晶體管的 Modelithics? 高精度非線性模型庫。當前的 GaN 模型版本 （v1.5） 廣受歡迎
2015-08-28 17:00:003215 當測定氮化鎵（GaN）晶體管的皮秒量級上升時間時，即使有1GHz的觀察儀器和1GHz的探針仍可能不夠。準確測定GaN晶體管的上升和下降時間需要細心留意您的測量設(shè)置和設(shè)備。讓我們初步了解一下使用TI最近推出的LMG5200集成式半橋GaN電源模塊進行準確測量的最佳實踐方法。
2017-04-18 12:34:043878 
這篇文章的目的是提供一個指南，高功率SiC MESFET和GaN HEMT晶體管的熱性能的克里寬禁帶半導(dǎo)體設(shè)備的用戶。
2017-06-27 08:54:11
24 低壓氮化鎵（GaN）器件市場越來越重要，EPC是低壓硅上氮化鎵（GaN-on-silicon）高電子遷移率晶體管（HEMT）器件的主要供應(yīng)商。
2017-10-18 17:22:0712441 松下宣布研發(fā)出新型MIS結(jié)構(gòu)的Si基GaN功率晶體管，可以連續(xù)穩(wěn)定的工作，柵極電壓高達10V，工作電流在20A，擊穿電壓達到730V。
2018-03-15 09:56:087522 
經(jīng)過大量實踐檢驗，已被證明安全可靠的硅MOSFET已經(jīng)成為電源電路設(shè)計的中流砥柱，但隨著基于氮化鎵的最新功率器件技術(shù)的發(fā)展，電源設(shè)計的趨勢正逐漸轉(zhuǎn)向GaN晶體管。
2018-08-06 15:04:376648 
CRE的CGH09120是一種氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT），專為高效率、高增益和寬帶能力，這使得CGH09120理想的MC-GSM，WCDMA和LTE放大器應(yīng)用。晶體管提供在陶瓷/金屬法蘭封裝中。
2018-08-14 08:00:0016 英國斯旺西大學和塞爾維亞尼斯大學的研究人員聲稱他們首次制造出氮化鎵（GaN）磁性高電子遷移率晶體管（MagHEMT）。
2018-09-23 10:45:004416 ）晶體管已成為能夠取代硅基MOSFET的高性能開關(guān)，從而可提高能源轉(zhuǎn)換效率和密度。為了發(fā)揮GaN晶體管的優(yōu)勢，需要一種具有新規(guī)格要求的新隔離方案。
2020-09-28 14:16:52945 
）晶體管已成為能夠取代硅基MOSFET的高性能開關(guān)，從而可提高能源轉(zhuǎn)換效率和密度。為了發(fā)揮GaN晶體管的優(yōu)勢，需要一種具有新規(guī)格要求的新隔離方案。
2020-09-30 14:30:214299 
ST 發(fā)布了市場首個也是唯一的單封裝集成 600 V 柵極驅(qū)動器和兩個加強版氮化鎵（GaN）晶體管的 MASTERGAN1。同類競品只提供一顆 GaN 晶體管，而 ST 決定增加一顆 GaN，實現(xiàn)半
2020-10-30 12:04:45897 年1月18日——基于MasterGaN?平臺的創(chuàng)新優(yōu)勢，意法半導(dǎo)體推出了MasterGaN2，作為新系列雙非對稱氮化鎵（GaN）晶體管的首款產(chǎn)品，是一個適用于軟開關(guān)有源鉗位反激拓撲的GaN集成化
2021-01-20 11:20:443769 ) 晶體管的開關(guān)速度比硅MOSFET快很多，從而有可能實現(xiàn)更低的開關(guān)損耗。然而，當壓擺率很高時，特定的封裝類型會限制GaN FET的開關(guān)性能。將GaN FET與驅(qū)動器集成在一個封裝內(nèi)可以減少寄生電感
2022-01-26 15:11:022728 
我經(jīng)常感到的奇怪的是，我們的行業(yè)為什么不在加快氮化鎵 (GaN) 晶體管的部署和采用方面加大合作力度；畢竟，大潮之下，沒人能獨善其身。每年，我們都看到市場預(yù)測的前景不太令人滿意。通過共同努力，我們
2022-01-21 15:22:40735 如何高效、安全地驅(qū)動Rad-Hard E型GaN晶體管
2021-11-29 16:31:421 GaN材料是第三代半導(dǎo)體的典型代表，具備寬禁帶、高擊穿場強、高熱導(dǎo)率和高峰值電子漂移速度等優(yōu)質(zhì)性能。因此，GaN材料可以很好地滿足耐高溫、高頻率和功率大的工作要求，GaN功率晶體管一直是L和S波段
2022-04-14 09:12:14797 ) 和氮化鎵 (GaN)。在這些潛在材料中，GaN 或氮化鎵正變得被廣泛認可和首選。這是因為 GaN 晶體管與材料對應(yīng)物相比具有多個優(yōu)勢。
2022-07-29 15:00:302352 GaN 晶體管是新電源應(yīng)用的理想選擇。它們具有小尺寸、非常高的運行速度并且非常高效。它們可用于輕松構(gòu)建任何電力項目。在本教程中，我們將使用 EPC 的 GaN EPC2032 進行實驗。
2022-08-05 08:04:541727 
GaN 晶體管是新電源應(yīng)用的理想選擇。它們具有小尺寸、非常高的運行速度并且非常高效。它們可用于輕松構(gòu)建任何電力項目。在本教程中，我們將使用 GaN Systems 的 GaN GS61008T 進行實驗。
2022-08-05 08:04:552235 
GaN 晶體管越來越多地用于各個領(lǐng)域：汽車領(lǐng)域、電力供應(yīng)以及電流的轉(zhuǎn)換和使用。這些組件將很快取代它們各自的前身。讓我們來看看如何更好地管理不同的操作條件，包括關(guān)鍵的操作條件，以優(yōu)化電路的性能并獲得出色的冷卻效果。
2022-08-05 09:34:231925 
是一種高度移動的半導(dǎo)體電子半導(dǎo)體 (HEMT)，被證明在滿足新應(yīng)用方面具有真正的附加值。 GaN 晶體管比硅 MOSFET 更快、更小。GaN 的性能表明效率和性能得到了顯著提高，從而帶來了一些硅技術(shù)無法實現(xiàn)的新應(yīng)用。板空間非常昂貴。eGaN?的FET，從EPC，在低電感，低電阻，
2022-08-08 09:38:243647 
GaN功率晶體管:器件、技術(shù)和可靠性詳解
2022-12-21 16:07:11978 基于模型的 GAN PA 設(shè)計基礎(chǔ)知識：GAN 晶體管 S 參數(shù)、線性穩(wěn)定性分析與電阻穩(wěn)定性
2022-12-26 10:16:214288 
由于 GaN 具有更小的晶體管、更短的電流路徑、超低的電阻和電容等優(yōu)勢，GaN 充電器的運行速度，比傳統(tǒng)硅器件要快 100 倍。GaN 在電力電子領(lǐng)域主要優(yōu)勢在于高效率、低損耗與高頻率，GaN 材料的這一特性令其在充電器行業(yè)大放異彩。
2023-04-25 15:08:216118 
Airfast GaN A3G26D055N是一款55W峰值GaN分立晶體管，采用緊湊型DFN 7 x 6.5 mm超模壓塑封。該器件具有優(yōu)異的輸出，可填充多個頻段，在48 V下運行時，能效提升超過50%，增益超過13 dB。
2023-05-25 10:04:49981 
潤新微電子（Runxin Microelectronics）榮幸推出了最新一代的650V GaN功率晶體管（FET），該產(chǎn)品具備卓越的性能和廣泛的應(yīng)用領(lǐng)域。 產(chǎn)品特點： 易于使用：650V GaN
2023-06-12 16:38:342033 解決方案帶來了極高的附加值。采用GaN技術(shù)有助于實現(xiàn)上述目標，隨著該項技術(shù)商用步伐的加快，在功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用中也獲得了廣泛運用。 GaN晶體管與硅基晶體管相比的優(yōu)點 與硅基晶體管相比，GaN功率晶體管有什么優(yōu)點呢？GaN在品質(zhì)因數(shù)（
2023-08-03 14:43:28694 650V硅上GaN增強型功率品體管，采用5mm雙扁平無引線封裝(DFN)X6毫米大小。增強型晶體管-正常關(guān)閉電源開關(guān)，符合JEDEC標準的工業(yè)應(yīng)用。
2023-08-16 23:36:512182 
650V硅上GaN增強模式功率晶體管，英諾賽科INN650D150A采用雙扁平無引線封裝(DFN),8mmx8mm尺寸，增強型晶體管-正常關(guān)閉電源開關(guān)
2023-08-07 17:22:174139 
無論是在太空還是在地面，這些基于GaN的晶體管都比硅具有新的優(yōu)勢。
2023-09-28 17:44:222460 
寬帶隙GaN基高電子遷移率晶體管(HEMTs)和場效應(yīng)晶體管(fet)能夠提供比傳統(tǒng)Si基高功率器件更高的擊穿電壓和電子遷移率。常關(guān)GaN非常需要HEMT來降低功率并簡化電路和系統(tǒng)架構(gòu)，這是GaN HEMT技術(shù)的主要挑戰(zhàn)之一。凹進的AlGaN/GaN結(jié)構(gòu)是實現(xiàn)常關(guān)操作的有用選擇之一。
2023-10-10 16:21:111555 
GaN（氮化鎵）晶體管，特別是GaN HEMT（高電子遷移率晶體管），是近年來在電力電子和高頻通信領(lǐng)域受到廣泛關(guān)注的一種新型功率器件。其結(jié)構(gòu)復(fù)雜而精細，融合了多種材料和工藝，以實現(xiàn)高效、高頻率和高功率密度的性能。
2024-08-15 11:01:063439 GaN HEMT（氮化鎵高電子遷移率晶體管）作為一種先進的功率半導(dǎo)體器件，在電力電子、高頻通信、汽車電子等多個領(lǐng)域展現(xiàn)出了顯著的優(yōu)勢，但同時也存在一些缺點。以下是對GaN HEMT優(yōu)缺點的詳細分析：
2024-08-15 11:09:204130 GaN（氮化鎵）晶體管和SiC（碳化硅）晶體管作為兩種先進的功率半導(dǎo)體器件，在電力電子、高頻通信及高溫高壓應(yīng)用等領(lǐng)域展現(xiàn)出了顯著的優(yōu)勢。然而，它們在材料特性、性能表現(xiàn)、應(yīng)用場景以及制造工藝等方面存在諸多不同。以下是對這兩種晶體管差異的詳細分析。
2024-08-15 11:16:212935 GaN（氮化鎵）晶體管，特別是GaN HEMT（高電子遷移率晶體管），近年來在多個領(lǐng)域展現(xiàn)出廣泛的應(yīng)用場景。其出色的高頻性能、高功率密度、高溫穩(wěn)定性以及低導(dǎo)通電阻等特性，使得GaN晶體管成為電力電子和高頻通信等領(lǐng)域的優(yōu)選器件。以下將詳細闡述GaN晶體管的主要應(yīng)用場景，并結(jié)合具體實例進行說明。
2024-08-15 11:27:203066 晶體管的主要材料是半導(dǎo)體材料，這些材料在導(dǎo)電性能上介于導(dǎo)體和絕緣體之間，具有獨特的電子結(jié)構(gòu)和性質(zhì)，使得晶體管能夠?qū)崿F(xiàn)對電流的有效控制。以下將詳細探討晶體管的主要材料，包括硅（Si）、鍺（Ge）、氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）等，并介紹它們在晶體管制造中的應(yīng)用和特性。
2024-08-15 11:32:354405 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《GaN晶體管的命名、類型和結(jié)構(gòu).pdf》資料免費下載
2024-09-12 10:01:200 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《Nexperia共源共柵氮化鎵(GaN)場效應(yīng)晶體管的高級SPICE模型.pdf》資料免費下載
2025-02-13 15:23:257 模型導(dǎo)入PSpice和LTspice的說明，最后比較一些測試和仿真結(jié)果。按照以下說明正確加載模型后，晶體管符號將如圖1所示出現(xiàn)。 深度詳細的PDF文檔免費下載： *附件：GaN HEMT的SPICE
2025-03-11 17:43:112142 
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