選型手冊:VS1401ATHN溝道增強(qiáng)型功率MOSFET晶體管威兆半導(dǎo)體推出的VS1401ATH是一款面向100V中壓超大電流場景的N溝道增強(qiáng)型功率
發(fā)表于 11-28 12:14
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選型手冊:MOT5122TN溝道功率MOSFET晶體管仁懋電子(MOT)推出的MOT5122T是一款面向大電流低壓場景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET,憑借120V耐壓、2.0mΩ超低導(dǎo)
發(fā)表于 11-05 15:53
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新品第五代CoolGaN650-700V氮化鎵功率晶體管G5第五代650-700VGaN氮化鎵功率晶體管
發(fā)表于 11-03 18:18
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本文將深入探討兩種備受矚目的功率晶體管——英飛凌的 CoolGaN(氮化鎵高電子遷移率晶體管)和 OptiMOS 6(硅基場效應(yīng)晶體管),在極端短路條件下的表現(xiàn)。通過一系列嚴(yán)謹(jǐn)?shù)臏y試,
發(fā)表于 10-07 11:55
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Texas Instruments LMG2100R026 GaN半橋功率級集成了柵極驅(qū)動器和增強(qiáng)型氮化鎵(GaN)場效應(yīng)晶體管。93V連續(xù)
發(fā)表于 07-11 14:40
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新品TOLL和DFN封裝CoolGaN650VG5第五代氮化鎵功率晶體管第五代CoolGaN650VG5氮化鎵功率
發(fā)表于 06-26 17:07
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深圳市三佛科技有限公司供應(yīng)2SC5200音頻配對功率管PNP型晶體管,原裝現(xiàn)貨
2SC5200是一款PNP型晶體管,2SA1943的補(bǔ)充型。
擊穿電壓:250V (集射極電壓 Vceo) min
發(fā)表于 06-05 10:24
本文針對當(dāng)前及下一代電力電子領(lǐng)域中市售的碳化硅(SiC)與氮化鎵(GaN)晶體管進(jìn)行了全面綜述與展望。首先討論了GaN與SiC器件的材料特性及結(jié)構(gòu)差異?;趯κ惺?b class='flag-5'>GaN與SiC
發(fā)表于 05-15 15:28
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晶體管的性能得到了顯著提升,開啟了更高效率和更快動態(tài)響應(yīng)的可能性。寬帶隙晶體管在現(xiàn)代電力系統(tǒng)中扮演著關(guān)鍵角色,包括開關(guān)電源(SMPS)、逆變器和電動機(jī)驅(qū)動器,因為
發(fā)表于 04-23 11:36
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晶體管,F(xiàn)ET和IC,F(xiàn)ET放大電路的工作原理,源極接地放大電路的設(shè)計,源極跟隨器電路設(shè)計,F(xiàn)ET低頻功率放大器的設(shè)計與制作,柵極接地放大電路的設(shè)計,電流反饋型OP放大器的設(shè)計與制作,進(jìn)晶體管
發(fā)表于 04-14 17:24
晶體管和FET的工作原理,觀察放大電路的波形,放大電路的設(shè)計,放大電路的性能,共發(fā)射極應(yīng)用,觀察射極跟隨器的波形,增強(qiáng)輸出電路的設(shè)計,射極跟隨器的性能和應(yīng)用電路,小型功率放大器的設(shè)計和制作
發(fā)表于 04-14 16:07
;內(nèi)置ESD保護(hù)功能,有助于實現(xiàn)高可靠性的設(shè)計。另外,通過采用通用性高的DFN封裝,不僅散熱性能出色,還非常易于安裝。采用DFN8080K 封裝,屬于 650V 增強(qiáng)型氮化鎵場效應(yīng)晶體管(Ga
發(fā)表于 03-07 15:46
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本書主要介紹了晶體管,F(xiàn)ET和Ic,F(xiàn)ET放大電路的工作原理,源極接地放大電路的設(shè)計,源極跟隨電路的設(shè)計,F(xiàn)ET低頻功率放大器的設(shè)計和制作,柵極接地放大電路的設(shè)計,電流反饋行型op放大器的設(shè)計與制作
發(fā)表于 03-07 13:55
本書主要介紹了晶體管和FET的工作原理,放大電路的工作,增強(qiáng)輸出的電路,小型功率放大器的設(shè)計與制作,功率放大器的設(shè)計與制作,拓寬頻率特性,視頻選擇器的設(shè)計和制作,渥爾曼電路的設(shè)計,負(fù)反
發(fā)表于 03-07 13:46
必須理解和管理PCB布局產(chǎn)生的寄生阻抗,確保電路正常、可靠地運(yùn)行,并且不會引起不必要的電磁干擾(EMI)?!秲?yōu)化HVCoolGaN功率晶體管的PCB布局》應(yīng)用指南,
發(fā)表于 01-03 17:31
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