為了幫助解決引發(fā)溫室效應(yīng)及全球變暖的汽車排放問(wèn)題，飛思卡爾半導(dǎo)體現(xiàn)已在32位汽車微控制器（MCU）系列中引入集成的排放控制技術(shù)。與飛思卡爾其它動(dòng)力總成微控制器類似，這些MCU幫助減少二氧化碳廢氣，為新興市場(chǎng)提供經(jīng)濟(jì)高效且精密的引擎控制設(shè)計(jì)。
2019-06-26 06:01:27
飛思卡爾開(kāi)發(fā)工具，嵌入式學(xué)習(xí)，實(shí)驗(yàn)室必備昆山鑫盛盟創(chuàng)科技有限公司依托于蘇州大學(xué)和清華大學(xué)飛思卡爾嵌入式研發(fā)中心，是freescale大學(xué)計(jì)劃中國(guó)地區(qū)的推廣單位，專注于嵌入式硬件、軟件設(shè)計(jì)開(kāi)發(fā)和培訓(xùn)
2011-06-23 16:00:15
本人剛到一家公司，現(xiàn)在用到的主單片機(jī)有stm32和
飛思卡爾，之前用的都是stm32系列的，
飛思卡爾的從沒(méi)用過(guò)，了下代碼，配置方面的基本看不太懂。這里想找些學(xué)習(xí)
飛思卡爾系列單片機(jī)的方法與資料推薦，謝謝大家?guī)兔Γ?/div>
2016-04-16 17:27:31
請(qǐng)問(wèn)大家有沒(méi)有參加過(guò)飛思卡爾比賽？現(xiàn)在我想?yún)⒓?，?qǐng)問(wèn)我該怎么準(zhǔn)備？謝謝
2014-03-29 19:02:49
飛思卡爾用到哪些軟件,繪制PCB板一般用哪個(gè)軟件更好？
2014-11-07 22:43:55
鉛封裝，并提供最低功率損耗，平均只需提供29微安培，讓代工廠商能滿足嚴(yán)格的功率目標(biāo)?！ PR121是飛思卡爾繼MPR03x系列組件之后的第二代感應(yīng)控制器。MPR121具備更豐富的內(nèi)建智能功能，同時(shí)也
2018-11-15 14:50:56
是碳化硅（SiC）襯底上的氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT）。這種GaN內(nèi)匹配（IM）場(chǎng)效應(yīng)晶體管與其他技術(shù)相比，提供了優(yōu)異的功率附加效率。GaN與硅或砷化鎵相比具有更高的性能，包括更高
2018-08-13 10:58:03
鎵相比具有更高的性能，包括更高的擊穿電壓，更高的飽和電子漂移速度和更高的熱電導(dǎo)率。 GaN HEMT還提供更高的功率密度和更寬的帶寬與砷化鎵晶體管相比。 該IM FET提供金屬/陶瓷法蘭提供最佳電氣
2020-12-03 11:49:15
和更高導(dǎo)熱系數(shù)。 GaN HEMT還提供更高的功率密度和更寬的功率范圍相較于Si和GaAs晶體管的帶寬。 此MMIC可用于10引線金屬/陶瓷法蘭封裝（CMPA801B025F）或小型藥丸包裝
2020-12-03 11:46:10
脈沖功率。 在沒(méi)有外部調(diào)諧的情況下，所有設(shè)備都在寬帶RF測(cè)試夾具中100％屏蔽了大信號(hào)RF參數(shù)。硅雙極匹配50歐姆210W輸出功率經(jīng)過(guò)100％大功率射頻測(cè)試C級(jí)操作IB0607S10功率晶體管
2021-04-01 10:07:29
于1997年，是一家通過(guò)ISO 9001：2008認(rèn)證的射頻功率晶體管，托盤和高功率放大器（HPA）認(rèn)證的制造商。 這些產(chǎn)品基于GaN HEMT和Si LDMOS，VDMOS和雙極技術(shù)。產(chǎn)品型號(hào)
2019-05-14 11:00:13
的高功率晶體管產(chǎn)品組合。我們目前的產(chǎn)品提供超過(guò)80％的效率，并利用GaN-on-SiC，Si-LDMOS和Si-VDMOS半導(dǎo)體技術(shù)。我們還致力于制造一些首批Si-bipolar器件，從而支持傳統(tǒng)方案
2019-04-15 15:12:37
`IGN0450M250是一款高功率GaN-on-SiC RF功率晶體管，旨在滿足P波段雷達(dá)系統(tǒng)的獨(dú)特需求。它在整個(gè)420-450 MHz頻率范圍內(nèi)運(yùn)行。 在100毫秒以下，10％占空比脈沖條件
2021-04-01 10:35:32
Technologies公司成立于1997年，是一家通過(guò)ISO 9001：2008認(rèn)證的射頻功率晶體管，托盤和高功率放大器（HPA）認(rèn)證的制造商。 這些產(chǎn)品基于GaN HEMT和Si LDMOS，VDMOS
2019-05-20 09:16:24
Technologies公司成立于1997年，是一家通過(guò)ISO 9001：2008認(rèn)證的射頻功率晶體管，托盤和高功率放大器（HPA）認(rèn)證的制造商。 這些產(chǎn)品基于GaN HEMT和Si LDMOS，VDMOS
2018-11-12 11:14:03
`IGN2856S40是高功率脈沖晶體管，指定用于AB類操作下。 該晶體管提供2.856 GHz的工作頻率，最小40W的峰值脈沖功率，50V和3％的占空比。 該單元采用金線技術(shù)通過(guò)芯片和線材技術(shù)組裝
2021-04-01 09:57:55
9001：2008認(rèn)證的射頻功率晶體管，托盤和高功率放大器（HPA）認(rèn)證的制造商。 這些產(chǎn)品基于GaN HEMT和Si LDMOS，VDMOS和雙極技術(shù)。相關(guān)
2018-11-12 10:26:20
眾所周知，像硅雙極晶體管等一些晶體管能夠在其中一些半導(dǎo)體單元因短路或負(fù)載失配等原因損壞時(shí)繼續(xù)工作。因此，將一個(gè)器件定義為“耐用晶體管”可能沒(méi)有清晰的界限。對(duì)硅LDMOS晶體管的耐用性測(cè)試通常是指器件
2019-06-26 07:11:37
應(yīng)用提供高性能射頻以及微波晶體管并不是一個(gè)大挑戰(zhàn)，該公司的產(chǎn)品在特性、封裝以及應(yīng)用工程方面具有明顯優(yōu)勢(shì)。飛思卡爾半導(dǎo)體在生產(chǎn)及銷售分立和集成射頻半導(dǎo)體器件方面具有雄厚實(shí)力。該公司采用HV7工藝的第七代
2019-07-05 06:56:41
應(yīng)用提供高性能射頻以及微波晶體管并不是一個(gè)大挑戰(zhàn)，該公司的產(chǎn)品在特性、封裝以及應(yīng)用工程方面具有明顯優(yōu)勢(shì)。飛思卡爾半導(dǎo)體在生產(chǎn)及銷售分立和集成射頻半導(dǎo)體器件方面具有雄厚實(shí)力。該公司采用HV7工藝的第七代
2019-07-09 08:17:05
晶體管通道完全閉合；二維過(guò)渡金屬二硫化物受損于其比透明導(dǎo)電氧化物還低的載流子遷移率?！ ≡谛录悠?麻省理工學(xué)院研究與技術(shù)聯(lián)盟，正在先行研發(fā)一種有前景的替代材料：GaN。從光學(xué)角度看，GaN的帶隙為
2020-11-27 16:30:52
晶體管，鍺PNP晶體管，硅NPN晶體管和硅PNP晶體管?！芳夹g(shù)根據(jù)其結(jié)構(gòu)和制造工藝，晶體管可分為擴(kuò)散晶體管、合金晶體管和平面晶體管?！?當(dāng)前容量根據(jù)目前的容量，晶體管可分為低功率晶體管、中功率晶體管和高
2023-02-03 09:36:05
目前制造的大功率射頻晶體管比以往任何時(shí)候都更堅(jiān)實(shí)耐用。針對(duì)特高耐用性設(shè)計(jì)的器件可以承受嚴(yán)重的失配，即使在滿輸出電平時(shí)也是如此?，F(xiàn)在多家制造商可提供大功率硅橫向擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體(LDMOS)晶體管
2019-08-22 08:14:59
提供高于15%的效能，能滿足3.8GHz WiMAX要求。 這款RFIC是采用飛思卡爾(Freescale)半導(dǎo)體公司的高壓HV7 RF LDMOS工藝技術(shù)設(shè)計(jì)開(kāi)發(fā)的MW7IC3825N/NB。這款兩級(jí)
2019-06-25 06:55:46
什么是微波功率晶體管？如何提高微波功率晶體管可靠性？
2021-04-06 09:46:57
目前制造的大功率射頻晶體管比以往任何時(shí)候都更堅(jiān)實(shí)耐用。針對(duì)特高耐用性設(shè)計(jì)的器件可以承受嚴(yán)重的失配，即使在滿輸出電平時(shí)也是如此?，F(xiàn)在多家制造商可提供大功率硅橫向擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體(LDMOS)晶體管
2019-08-22 06:13:27
換向故障損壞。總之，與用于LLC拓?fù)鋺?yīng)用的Si和SiC晶體管相比，GaN在效率和功率密度方面提供了更高的價(jià)值。
2023-02-27 09:37:29
和功率密度，這超出了硅MOSFET技術(shù)的能力。開(kāi)發(fā)工程師需要能夠滿足這些要求的新型開(kāi)關(guān)設(shè)備。因此，開(kāi)始了氮化鎵晶體管（GaN）的概念。 HD-GIT的概述和優(yōu)勢(shì) 松下混合漏極柵極注入晶體管（HD-GIT
2023-02-27 15:53:50
求飛思卡爾資料
2012-12-08 15:47:03
求大佬分享一款適用于激光及MRI的寬帶LDMOS晶體管
2021-06-08 06:29:42
(MicrosemiCorporation)擴(kuò)展其基于碳化硅襯底氮化鎵(GaNonSiC)技術(shù)的射頻(RF)晶體管系列，推出新型S波段500WRF器件2729GN-500，新器件瞄準(zhǔn)大功率空中交通控制機(jī)場(chǎng)監(jiān)視雷達(dá)(ASR
2012-12-06 17:09:16
的高可靠性，EPC 公司已經(jīng)宣布了其新的 EPC7019 eGaN 抗輻射功率晶體管器件。EGaN 晶體管采用鈍化模具形式，圖像由 EPC 提供新產(chǎn)品利用 GaN 白光柵材料實(shí)現(xiàn)高電子遷移率和低溫系數(shù)。該
2022-06-15 11:43:25
` 引言 在功率變換器應(yīng)用中，寬帶隙（WBG）技術(shù)日益成為傳統(tǒng)硅晶體管的替代產(chǎn)品。在某些細(xì)分市場(chǎng)的應(yīng)用場(chǎng)景中，提升效率極限一或兩個(gè)百分點(diǎn)依然關(guān)系重大，變換器功率密度的提高可以提供更多應(yīng)用優(yōu)勢(shì)
2021-01-19 16:48:15
受益于集成器件保護(hù)，直接驅(qū)動(dòng)GaN器件可實(shí)現(xiàn)更高的開(kāi)關(guān)電源效率和更佳的系統(tǒng)級(jí)可靠性。高電壓（600V）氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT）的開(kāi)關(guān)特性可實(shí)現(xiàn)提高開(kāi)關(guān)模式電源效率和密度的新型
2020-10-27 06:43:42
導(dǎo)讀：近日，英飛凌宣布推出700瓦L波段射頻功率晶體管。該晶體管具備業(yè)界最高的L波段輸出功率（700瓦），適用于工作頻率范圍為1200 MHz~1400 MHz的雷達(dá)系統(tǒng)。這種新型器件可通過(guò)減少
2018-11-29 11:38:26
請(qǐng)問(wèn)誰(shuí)能提供一個(gè)飛思卡爾的CAN-BOOTLOADER分享，這個(gè)真的不曉得該如何入手呀。
2016-12-27 13:58:49
恩智浦半導(dǎo)體(NXP Semiconductors)（由飛利浦創(chuàng)建的獨(dú)立半導(dǎo)體公司）日前推出了全球首款真正的300W超高頻（ UHF）晶體管，即第六代高壓LDMOS晶體管BLF878。這一新的大功率晶體管是市場(chǎng)
2010-09-17 18:29:31
20 飛思卡爾為L(zhǎng)波段雷達(dá)應(yīng)用推出LDMOS
一直致力于突破高功率射頻（RF）技術(shù)的飛思卡爾半導(dǎo)體近日揭開(kāi)了全球首款適用于L波段雷達(dá)應(yīng)用的
2008-06-07 23:56:39
1124 飛思卡爾針對(duì)TD-SCDMA無(wú)線網(wǎng)絡(luò)推出RF功率器件和參考設(shè)計(jì):MRF7P20040H LDMOS FET和MD7IC2050N
飛思卡爾半導(dǎo)體引入兩個(gè)末級(jí)LDMOS RF功率晶體管，為設(shè)計(jì)人員提供
2009-09-07 07:15:01697 什么是RF LDMOS晶體管
DMOS主要有兩種類型，垂直雙擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管VDMOSFET（ vertical double-diffused MOSFET）和橫向雙擴(kuò)
2010-03-05 16:22:597373 晶體管耗散功率,晶體管耗散功率是什么意思
晶體管耗散功率也稱集電極最大允許耗散功率PCM，是指晶體管參數(shù)變化不超過(guò)規(guī)定允許值時(shí)的最大
2010-03-05 17:34:108979 恩智浦半導(dǎo)體NXP Semiconductors今天宣布推出廣播發(fā)射機(jī)和工業(yè)用600W LDMOS超高頻(UHF)射頻功率晶體管BLF888A。恩智浦
2010-09-30 09:28:381185 飛思卡爾半導(dǎo)體公司以合理的性價(jià)比點(diǎn)，面向OEM(原始設(shè)備制造商)推出三款先進(jìn)的工業(yè)RF功率晶體管。 增強(qiáng)的耐用性與領(lǐng)先的RF性能結(jié)合，使OEM廠商能夠大幅縮減在工業(yè)和商用
2010-11-23 09:31:271367 2011年9月9日，德克薩斯州奧斯汀市 – 飛思卡爾半導(dǎo)體 (NYSE:FSL)宣布推出高功率射頻LDMOS晶體管，該產(chǎn)品結(jié)合了業(yè)界最高的輸出功率、效率和其同類競(jìng)爭(zhēng)器件中最強(qiáng)的耐用性，專門面向U
2011-09-13 18:25:061462 恩智浦半導(dǎo)體（NXP Semiconductors N.V.）（納斯達(dá)克：NXPI）近日宣布推出全新Gen8+ LDMOS RF功率晶體管，作為特別關(guān)注TD-LTE的無(wú)線基站第八代LDMOS產(chǎn)品線的擴(kuò)展產(chǎn)品。
2013-06-21 11:09:261974 過(guò)去，RF功率的性能完全取決于線性效率。如今，開(kāi)發(fā)者遇到更加復(fù)雜的挑戰(zhàn)：需要滿足多種標(biāo)準(zhǔn)、信號(hào)變化和嚴(yán)格的帶寬要求等。針對(duì)這一問(wèn)題，飛思卡爾半導(dǎo)體(NYSE：FSL)日前推出新型
2013-09-26 14:37:2932 半導(dǎo)體技術(shù)產(chǎn)品的領(lǐng)先供應(yīng)商美高森美公司推出新型750W RF晶體管擴(kuò)展其基于碳化硅（silicon carbide，SiC）襯底氮化鎵（gallium nitride，GaN）高電子遷移率晶體管
2013-09-30 15:34:162478 荷蘭奈梅亨 – 2016年1月13日 -Ampleon宣布推出全面廣泛的模壓塑料（overmoulded plastic， OMP） RF功率晶體管產(chǎn)品組合，采用眾所周知的非常穩(wěn)固LDMOS技術(shù)
2016-01-13 11:14:372001 Ampleon宣布推出全面廣泛的模壓塑料（overmoulded plastic， OMP） RF功率晶體管產(chǎn)品組合，采用眾所周知的非常穩(wěn)固LDMOS技術(shù)。
2016-01-13 15:37:092386 飛思卡爾__所有的算法、飛思卡爾智能車賽道曲率計(jì)算、由入門到精通吃透PID、飛思卡爾智能車黑線識(shí)別算法及控制策略研究。
2016-03-11 17:47:5266 這篇文章的目的是提供一個(gè)指南，高功率SiC MESFET和GaN HEMT晶體管的熱性能的克里寬禁帶半導(dǎo)體設(shè)備的用戶。
2017-06-27 08:54:1124 本報(bào)告將介紹一些最新的耐用型大功率LDMOS晶體管以及它們的電氣特性，并通過(guò)比較測(cè)試過(guò)程來(lái)判斷它們的耐用水平。
2017-09-15 16:10:1517 飛思卡爾KEA介紹
2017-09-25 14:33:4242 （ Lateral Diffused Metal-ide-semiconductor） 晶體管設(shè)計(jì)了一款輸出功率oXi為4 W 用于基站的AB 類功率放大器; 采用GaN （Gallium
2017-10-31 11:06:4317 目前制造的大功率射頻晶體管比以往任何時(shí)候都更堅(jiān)實(shí)耐用。針對(duì)特高耐用性設(shè)計(jì)的器件可以承受嚴(yán)重的失配，即使在滿輸出電平時(shí)也是如此?，F(xiàn)在多家制造商可提供大功率硅橫向擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體(LDMOS)晶體管
2017-11-23 18:58:37738 過(guò)去，RF功率的性能完全取決于線性效率。如今，開(kāi)發(fā)者遇到更加復(fù)雜的挑戰(zhàn)：需要滿足多種標(biāo)準(zhǔn)、信號(hào)變化和嚴(yán)格的帶寬要求等。針對(duì)這一問(wèn)題，飛思卡爾半導(dǎo)體推出新型硅片RF LDMOS功率晶體管Airfast
2017-12-09 03:48:05811 松下宣布研發(fā)出新型MIS結(jié)構(gòu)的Si基GaN功率晶體管，可以連續(xù)穩(wěn)定的工作，柵極電壓高達(dá)10V，工作電流在20A，擊穿電壓達(dá)到730V。
2018-03-15 09:56:087522 
安譜隆半導(dǎo)體（Ampleon）今天宣布，推出600W的BLF0910H9LS600 LDMOS功率放大器晶體管。這是第一款采用安譜隆最新Gen9HV 50V LDMOS工藝的射頻能量晶體管——該節(jié)點(diǎn)已為大幅提高效率、功率和增益做了優(yōu)化。
2018-04-26 09:42:001878 ） MOSFET晶體管，此系列器件采用了最新的LDMOS（橫向擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體）技術(shù)。MRFX1K80H運(yùn)用LDMOS技術(shù)來(lái)提高寬頻應(yīng)用的輸出功率，同時(shí)維持適當(dāng)?shù)妮敵鲎杩埂?
2018-05-08 18:36:001523 240 W LDMOS功率晶體管封裝了用于基站應(yīng)用的不對(duì)稱多爾蒂功率晶體管，其頻率為2300 MHz至2400 MHz。
2018-08-14 08:00:0019 180 W LDMOS功率晶體管在2000 MHz至2200 MHz的頻率下用于基站應(yīng)用。
2018-08-14 08:00:0012 10 W WiMAX LDMOS功率晶體管在3400 MHz至3600 MHz的頻率下用于基站應(yīng)用。
2018-08-14 08:00:007 130 W LDMOS功率晶體管在2000 MHz至2200 MHz的頻率下用于基站應(yīng)用。
2018-08-14 08:00:005 140 W LDMOS功率晶體管在2500 MHz至2700 MHz的頻率下用于基站應(yīng)用。
2018-08-14 08:00:008 170 W LDMOS功率晶體管，具有改善的視頻帶寬，用于從1800 MHz到1990 MHz的頻率的基站應(yīng)用。
2018-08-14 08:00:007 GaN（氮化鎵）功率晶體管的全球領(lǐng)導(dǎo)者GaN Systems今天宣布，其低電流，大批量氮化鎵晶體管的價(jià)格已跌至1美元以下。
2021-03-13 11:38:461081 飛思卡爾塔系統(tǒng)
2021-05-22 09:38:431 GaN 晶體管是新電源應(yīng)用的理想選擇。它們具有小尺寸、非常高的運(yùn)行速度并且非常高效。它們可用于輕松構(gòu)建任何電力項(xiàng)目。在本教程中，我們將使用 GaN Systems 的 GaN GS61008T 進(jìn)行實(shí)驗(yàn)。
2022-08-05 08:04:552235 
GaN功率晶體管:器件、技術(shù)和可靠性詳解
2022-12-21 16:07:11978 潤(rùn)新微電子（Runxin Microelectronics）榮幸推出了最新一代的650V GaN功率晶體管（FET），該產(chǎn)品具備卓越的性能和廣泛的應(yīng)用領(lǐng)域。 產(chǎn)品特點(diǎn)： 易于使用：650V GaN
2023-06-12 16:38:342033 解決方案帶來(lái)了極高的附加值。采用GaN技術(shù)有助于實(shí)現(xiàn)上述目標(biāo)，隨著該項(xiàng)技術(shù)商用步伐的加快，在功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用中也獲得了廣泛運(yùn)用。 GaN晶體管與硅基晶體管相比的優(yōu)點(diǎn) 與硅基晶體管相比，GaN功率晶體管有什么優(yōu)點(diǎn)呢？GaN在品質(zhì)因數(shù)（
2023-08-03 14:43:28694 無(wú)論是在太空還是在地面，這些基于GaN的晶體管都比硅具有新的優(yōu)勢(shì)。
2023-09-28 17:44:222460 
GaN（氮化鎵）晶體管，特別是GaN HEMT（高電子遷移率晶體管），是近年來(lái)在電力電子和高頻通信領(lǐng)域受到廣泛關(guān)注的一種新型功率器件。其結(jié)構(gòu)復(fù)雜而精細(xì)，融合了多種材料和工藝，以實(shí)現(xiàn)高效、高頻率和高功率密度的性能。
2024-08-15 11:01:063437 GaN（氮化鎵）晶體管和SiC（碳化硅）晶體管作為兩種先進(jìn)的功率半導(dǎo)體器件，在電力電子、高頻通信及高溫高壓應(yīng)用等領(lǐng)域展現(xiàn)出了顯著的優(yōu)勢(shì)。然而，它們?cè)诓牧咸匦?、性能表現(xiàn)、應(yīng)用場(chǎng)景以及制造工藝等方面存在諸多不同。以下是對(duì)這兩種晶體管差異的詳細(xì)分析。
2024-08-15 11:16:212935 GaN（氮化鎵）晶體管，特別是GaN HEMT（高電子遷移率晶體管），近年來(lái)在多個(gè)領(lǐng)域展現(xiàn)出廣泛的應(yīng)用場(chǎng)景。其出色的高頻性能、高功率密度、高溫穩(wěn)定性以及低導(dǎo)通電阻等特性，使得GaN晶體管成為電力電子和高頻通信等領(lǐng)域的優(yōu)選器件。以下將詳細(xì)闡述GaN晶體管的主要應(yīng)用場(chǎng)景，并結(jié)合具體實(shí)例進(jìn)行說(shuō)明。
2024-08-15 11:27:203066 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《GaN晶體管的命名、類型和結(jié)構(gòu).pdf》資料免費(fèi)下載
2024-09-12 10:01:200 
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