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電子發(fā)燒友網(wǎng)>電源/新能源>開關(guān)損耗測量中時(shí)間偏移對測量結(jié)果的影響分析

開關(guān)損耗測量中時(shí)間偏移對測量結(jié)果的影響分析

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2018-08-30 15:47:38

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FPGA平臺(tái)實(shí)現(xiàn)最小開關(guān)損耗的SVPWM算法

FPGA平臺(tái)實(shí)現(xiàn)最小開關(guān)損耗的SVPWM算法
2016-04-13 16:12:1110

基于DSP的最小開關(guān)損耗SVPWM算法實(shí)現(xiàn)

基于DSP的最小開關(guān)損耗SVPWM算法實(shí)現(xiàn)。
2016-04-18 09:47:497

最優(yōu)最小開關(guān)損耗SVPWM地板水暖變頻調(diào)速系統(tǒng)

最優(yōu)最小開關(guān)損耗SVPWM地板水暖變頻調(diào)速系統(tǒng)
2016-03-30 14:40:3215

使用示波器測量電源開關(guān)損耗

使用示波器測量電源開關(guān)損耗。
2016-05-05 09:49:380

寄生電感對IGBT開關(guān)損耗測量平臺(tái)的搭建

MOS門極功率開關(guān)元件的開關(guān)損耗受工作電壓、電流、溫度以及門極驅(qū)動(dòng)電阻等因素影響,在測量時(shí)主要以這些物理量為參變量。但測量的非理想因素對測量結(jié)果影響是值得注意的,比如常見的管腳引線電感。本文在理論分析和實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)基礎(chǔ)上闡述了各寄生電感對IGBT開關(guān)損耗測量結(jié)果的影響。
2017-09-08 16:06:5221

開關(guān)損耗測試在電源調(diào)試重要作用

MOSFET/IGBT的開關(guān)損耗測試是電源調(diào)試中非常關(guān)鍵的環(huán)節(jié),但很多工程師對開關(guān)損耗測量還停留在人工計(jì)算的感性認(rèn)知上,PFC MOSFET的開關(guān)損耗更是只能依據(jù)口口相傳的經(jīng)驗(yàn)反復(fù)摸索,那么該如何量化評估呢?
2017-11-10 08:56:427071

基于CMM下開關(guān)損耗和反激開關(guān)損耗分析以及公式計(jì)算

1、CCM 模式開關(guān)損耗 CCM 模式與 DCM 模式的開關(guān)損耗有所不同。先講解復(fù)雜 CCM 模式,DCM 模式很簡單了。
2018-01-13 09:28:5710741

儀器帶寬對測量結(jié)果的影響分析

工程師們在調(diào)試的過程,會(huì)經(jīng)常發(fā)現(xiàn),同一個(gè)信號(hào)用不同的設(shè)備測試,結(jié)果往往會(huì)有些差別。到底哪一個(gè)結(jié)果才是準(zhǔn)確的?我們要科學(xué)的選用設(shè)備進(jìn)行測試,不要被錯(cuò)誤的結(jié)果蒙騙了。 不同的測試設(shè)備都有典型的應(yīng)用場
2018-01-17 09:52:002783

怎樣準(zhǔn)確測量開關(guān)損耗

一個(gè)高質(zhì)量的開關(guān)電源效率高達(dá)95%,而開關(guān)電源的損耗大部分來自開關(guān)器件(MOSFET和二極管),所以正確的測量開關(guān)器件的損耗,對于效率分析是非常關(guān)鍵的。那我們該如何準(zhǔn)確測量開關(guān)損耗呢?
2019-06-26 15:49:451211

如何準(zhǔn)確的測量開關(guān)損耗

一個(gè)高質(zhì)量的開關(guān)電源效率高達(dá)95%,而開關(guān)電源的損耗大部分來自開關(guān)器件(MOSFET和二極管),所以正確的測量開關(guān)器件的損耗,對于效率分析是非常關(guān)鍵的。那我們該如何準(zhǔn)確測量開關(guān)損耗呢?
2019-06-27 10:22:083155

開關(guān)損耗的準(zhǔn)確測量

一個(gè)高質(zhì)量的開關(guān)電源效率高達(dá)95%,而開關(guān)電源的損耗大部分來自開關(guān)器件(MOSFET和二極管),所以正確的測量開關(guān)器件的損耗,對于效率分析是非常關(guān)鍵的。
2019-07-31 16:54:536877

Boost PFC電路開關(guān)器件的損耗分析與計(jì)算的詳細(xì)資料說明

根據(jù)開關(guān)器件的物理模型 ,分析開關(guān)器件在 Boost 電路損耗 ,并計(jì)算了 Boost PWM 和 PFC 兩種不同電路的開關(guān)損耗 ,給出了開關(guān)器件的功耗分布。最后對一臺(tái) 3kW 的 Boost 型 PFC 整流電源進(jìn)行了優(yōu)化設(shè)計(jì)。
2019-08-08 08:00:0016

關(guān)于開關(guān)節(jié)點(diǎn)產(chǎn)生的開關(guān)損耗問題探討

同步整流降壓轉(zhuǎn)換器的同步開關(guān)(高邊+低邊)是對VIN和GND電壓進(jìn)行切換(ON/OFF),該過渡時(shí)間的功率乘以開關(guān)頻率后的值即開關(guān)損耗。
2020-04-06 10:51:002871

功率MOSFET的開關(guān)損耗分析

功率MOSFET的開關(guān)損耗分析。
2021-04-16 14:17:0250

BoostPFC電路開關(guān)器件的損耗分析與計(jì)算

根據(jù)開關(guān)器件的物理模型 ,分析開關(guān)器件在 Boost 電路損耗 ,并計(jì)算了 Boost PWM 和PFC 兩種不同電路的開關(guān)損耗 ,給出了開關(guān)器件的功耗分布。最后對一臺(tái) 3kW 的 Boost 型 PFC 整流電源進(jìn)行了優(yōu)化設(shè)計(jì)。
2021-05-11 11:01:2524

開關(guān)損耗原理分析

一、開關(guān)損耗包括開通損耗和關(guān)斷損耗兩種。開通損耗是指功率管從截止到導(dǎo)通時(shí)所產(chǎn)生的功率損耗;關(guān)斷損耗是指功率管從導(dǎo)通到截止時(shí)所產(chǎn)生的功率損耗。二、開關(guān)損耗原理分析:(1)、非理想的開關(guān)管在開通時(shí),開關(guān)
2021-10-22 10:51:0611

matlabmos管開通損耗和關(guān)斷損耗,終于明白了!開關(guān)電源MOS開關(guān)損耗的推導(dǎo)過程和計(jì)算方法...

電源工程師知道,整個(gè)電源系統(tǒng)開關(guān)MOS的損耗比不小. 討論最多的是導(dǎo)通損耗和關(guān)斷損耗,因?yàn)檫@兩種損耗與傳導(dǎo)損耗或驅(qū)動(dòng)損耗不同,因?yàn)樗苤庇^,所以有些人對其計(jì)算仍然有些困惑.今天,我們將詳細(xì)分析
2021-10-22 17:35:5954

直流/直流穩(wěn)壓器部件的開關(guān)損耗

歡迎回到直流/直流轉(zhuǎn)換器數(shù)據(jù)表系列。鑒于在上一篇文章我介紹了系統(tǒng)效率方面的內(nèi)容,在本文中,我將討論直流/直流穩(wěn)壓器部件的開關(guān)損耗,從第1部分的圖3(此處為圖1)開始:VDS和ID曲線隨時(shí)間變化
2022-01-21 17:01:121592

開關(guān)損耗測試方案的探頭應(yīng)用

,熱損耗極低。 開關(guān)設(shè)備極大程度上決定了SMPS的整體性能。開關(guān)器件的損耗可以說是開關(guān)電源中最為重要的一個(gè)損耗點(diǎn),課件開關(guān)損耗測試是至關(guān)重要的。接下來普科科技PRBTEK就開關(guān)損耗測試方案的探頭應(yīng)用進(jìn)行介紹。 上圖使用MSO5配合THDP0200及TCP003
2021-11-23 15:07:571458

開關(guān)損耗測量的注意事項(xiàng)及影響因素解析

功率損耗開關(guān)器件性能評估的重要環(huán)節(jié),也是工程師在選配時(shí)重點(diǎn)關(guān)注的一項(xiàng)高級功能。雖然很多實(shí)驗(yàn)室配備了功率損耗測量環(huán)境,對設(shè)備和探頭也投入不菲,但如果工程師忽略了探頭之間的時(shí)間偏移,測試結(jié)果很可能
2021-12-15 15:22:401170

開關(guān)電源的八大損耗(2)

3、開關(guān)動(dòng)態(tài)損耗?? 由于開關(guān)損耗是由開關(guān)的非理想狀態(tài)引起的,很難估算MOSFET 和二極管的開關(guān)損耗,器件從完全導(dǎo)通到完全關(guān)閉或從完全關(guān)閉到完全導(dǎo)通需要一定時(shí)間,也稱作死區(qū)時(shí)間,在這個(gè)過程中會(huì)產(chǎn)生
2022-01-07 11:10:271

使用LTspice估算SiC MOSFET的開關(guān)損耗

。此外,今天的開關(guān)元件沒有非常高的運(yùn)行速度,不幸的是,在轉(zhuǎn)換過程不可避免地會(huì)損失一些能量(幸運(yùn)的是,隨著新電子元件的出現(xiàn),這種能量越來越少)。讓我們看看如何使用“LTspice”仿真程序來確定 SiC MOSFET 的開關(guān)損耗率。
2022-08-05 08:05:0715145

開關(guān)電源功率MOSFET開關(guān)損耗的2個(gè)產(chǎn)生因素

開關(guān)過程中,穿越線性區(qū)(放大區(qū))時(shí),電流和電壓產(chǎn)生交疊,形成開關(guān)損耗。其中,米勒電容導(dǎo)致的米勒平臺(tái)時(shí)間,在開關(guān)損耗占主導(dǎo)作用。
2023-01-17 10:21:002535

全SiC功率模塊的開關(guān)損耗

全SiC功率模塊與現(xiàn)有的IGBT模塊相比,具有1)可大大降低開關(guān)損耗、2)開關(guān)頻率越高總體損耗降低程度越顯著 這兩大優(yōu)勢。
2023-02-08 13:43:221533

通過驅(qū)動(dòng)器源極引腳改善開關(guān)損耗-傳統(tǒng)的MOSFET驅(qū)動(dòng)方法

MOSFET和IGBT等電源開關(guān)器件被廣泛應(yīng)用于各種電源應(yīng)用和電源線路。需要盡可能地降低這種開關(guān)器件產(chǎn)生的開關(guān)損耗和傳導(dǎo)損耗,但不同的應(yīng)用其降低損耗的方法也不盡相同。近年來,發(fā)現(xiàn)有一種方法可以改善
2023-02-09 10:19:181670

IGBT導(dǎo)通損耗開關(guān)損耗

從某個(gè)外企的功率放大器的測試數(shù)據(jù)上獲得一個(gè)具體的感受:導(dǎo)通損耗60W開關(guān)損耗251。大概是1:4.5 下面是英飛凌的一個(gè)例子:可知,六個(gè)管子的總功耗是714W這跟我在項(xiàng)目用用的那個(gè)150A的模塊試驗(yàn)測試得到的總功耗差不多。 導(dǎo)通損耗開關(guān)損耗大概1:2
2023-02-23 09:26:4918

DC/DC評估篇損耗探討-同步整流降壓轉(zhuǎn)換器死區(qū)時(shí)間損耗

上一篇文章中介紹了同步整流降壓轉(zhuǎn)換器的開關(guān)節(jié)點(diǎn)產(chǎn)生的開關(guān)損耗。本文將探討開關(guān)節(jié)產(chǎn)生的死區(qū)時(shí)間損耗。死區(qū)時(shí)間損耗是指在死區(qū)時(shí)間中因低邊開關(guān)(MOSFET)體二極管的正向電壓和負(fù)載電流而產(chǎn)生的損耗。
2023-02-23 10:40:494029

DC/DC評估篇損耗探討-同步整流降壓轉(zhuǎn)換器的開關(guān)損耗

上一篇文章探討了同步整流降壓轉(zhuǎn)換器的功率開關(guān)--輸出端MOSFET的傳導(dǎo)損耗。本文將探討開關(guān)節(jié)點(diǎn)產(chǎn)生的開關(guān)損耗。開關(guān)損耗:見文識(shí)意,開關(guān)損耗就是開關(guān)工作相關(guān)的損耗。在這里使用PSWH這個(gè)符號(hào)來表示。
2023-02-23 10:40:491866

IGBT數(shù)據(jù)手冊開關(guān)損耗圖表的理解

英飛凌按照“10%-2%”積分限計(jì)算開關(guān)損耗,而有些其他廠商按照”10%-10%”計(jì)算,后者結(jié)果比前者會(huì)小10-25%Eon,Eoff受IC,VCE,驅(qū)動(dòng)能力(VGE,IG,RG),T和分布電感影響我們假設(shè)Eon和Eoff正比于IC,在VCE test(900V)的20%范圍內(nèi)正比于VCE,則有:
2023-02-23 15:54:460

全SiC功率模塊的開關(guān)損耗

全SiC功率模塊與現(xiàn)有的功率模塊相比具有SiC與生俱來的優(yōu)異性能。本文將對開關(guān)損耗進(jìn)行介紹,開關(guān)損耗也可以說是傳統(tǒng)功率模塊所要解決的重大課題。
2023-02-24 11:51:281234

異步降壓轉(zhuǎn)換器的導(dǎo)通開關(guān)損耗

MOSFET的柵極電荷(米勒電容)以及控制IC的驅(qū)動(dòng)能力。本應(yīng)用筆記將詳細(xì)分析導(dǎo)通開關(guān)損耗以及選擇開關(guān)P溝道MOSFET的標(biāo)準(zhǔn)。
2023-03-10 09:26:351621

MOS管的開關(guān)損耗計(jì)算

CCM 模式與 DCM 模式的開關(guān)損耗有所不同。先講解復(fù)雜 CCM 模式,DCM 模式很簡單了。
2023-07-17 16:51:2219016

同步buck電路的mos自舉驅(qū)動(dòng)可以降低mos的開關(guān)損耗嗎?

,廣泛應(yīng)用于電源供應(yīng)、機(jī)器人控制、電動(dòng)車控制等領(lǐng)域。在同步Buck電路,MOS開關(guān)管起到了關(guān)鍵的作用,其開關(guān)速度和損耗對于整個(gè)系統(tǒng)效率的影響十分重要。 傳統(tǒng)的Buck電路采用一個(gè)反饋環(huán)路來控制輸出電壓,這會(huì)增加電路的穩(wěn)定性,但同時(shí)也會(huì)增加開關(guān)頻率帶來的開關(guān)損耗
2023-10-25 11:45:141820

高精度測量運(yùn)放的噪聲對最終測量結(jié)果的具體影響如何通過定量結(jié)算得出?

高精度測量運(yùn)放的噪聲對最終測量結(jié)果的具體影響如何通過定量結(jié)算得出? 高精度測量運(yùn)放的噪聲對最終測量結(jié)果的具體影響是一個(gè)重要的問題。在本文中,我們將詳細(xì)介紹噪聲的定義、運(yùn)放噪聲的類型和來源、噪聲
2023-11-09 15:48:441701

如何偏移和校正示波器電壓探頭和電流探頭?

和能量損耗測量的大誤差。推薦的U1880A偏移校正夾具(圖1)可以消除不同探頭的傳輸延遲差異,提高開關(guān)電源的測量精度。 快速偏移校正步驟: 1.用U1880A功率測量偏移校正夾具的USB電纜連接偏移校正夾具和示波器背面的USB端口。 2.按下前面板[DefaultSetup]鍵。 3
2023-11-20 11:53:231933

使用SiC MOSFET時(shí)如何盡量降低電磁干擾和開關(guān)損耗

使用SiC MOSFET時(shí)如何盡量降低電磁干擾和開關(guān)損耗
2023-11-23 09:08:342159

如何對示波器電壓探頭和電流探頭進(jìn)行偏移校正

使用電壓探頭和電流探頭等不同類型的示波器探頭進(jìn)行測量時(shí),對探頭進(jìn)行偏移校正是十分必要的。 圖1 Keysight U1880A 偏移校正夾具 偏移校正十分重要,因?yàn)閷τ?b class="flag-6" style="color: red">開關(guān)損耗測量,晶體管開關(guān)打開
2024-02-04 11:31:302135

如何使用示波器測量電源開關(guān)損耗

電源開關(guān)損耗是電子電路中一個(gè)重要的性能指標(biāo),它反映了開關(guān)器件在開關(guān)過程中產(chǎn)生的能量損失。準(zhǔn)確測量電源開關(guān)損耗對于優(yōu)化電路設(shè)計(jì)、提高系統(tǒng)效率具有重要意義。本文將詳細(xì)介紹使用示波器測量電源開關(guān)損耗的步驟、方法和注意事項(xiàng),旨在幫助讀者更好地理解和掌握這一測量技術(shù)。
2024-05-27 16:03:292547

差分探頭在測量開關(guān)損耗的應(yīng)用

開關(guān)損耗是電力電子設(shè)備的一個(gè)重要性能指標(biāo),它直接影響到設(shè)備的效率和熱管理。差分探頭作為一種高精度的測量工具,在開關(guān)損耗測量中發(fā)揮著關(guān)鍵作用。本文將介紹差分探頭的基本原理,探討其在開關(guān)損耗測量
2024-08-09 09:47:13910

影響MOSFET開關(guān)損耗的因素

MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor,金屬-氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)的開關(guān)損耗是電子工程中一個(gè)關(guān)鍵的性能參數(shù),它直接影響到電路的效率、熱設(shè)計(jì)和可靠性。下面將詳細(xì)闡述MOSFET開關(guān)損耗的概念、組成以及影響因素。
2024-09-14 16:11:522432

是德頻譜分析儀的預(yù)熱時(shí)間測量的影響

,我們需要了解預(yù)熱時(shí)間的定義。預(yù)熱時(shí)間是指從儀器開機(jī)到可以進(jìn)行測量時(shí)間段。在此期間,儀器會(huì)進(jìn)行自我校準(zhǔn)、穩(wěn)定和升溫,以確保測量結(jié)果的準(zhǔn)確性。在頻譜分析,預(yù)熱時(shí)間尤為重要,因?yàn)樗苯佑绊懙?b class="flag-6" style="color: red">測量結(jié)果的可靠性。
2024-10-22 16:56:31864

傳感器的響應(yīng)時(shí)間測量結(jié)果有何影響?

傳感器 的響應(yīng)時(shí)間測量結(jié)果有以下幾方面的影響:測量準(zhǔn)確性 快速變化信號(hào)測量失真:當(dāng)測量對象的物理量變化較快時(shí),如果 傳感器 響應(yīng)時(shí)間過長,就無法及時(shí)跟上變化,導(dǎo)致測量結(jié)果與實(shí)際值存在偏差。例如
2024-11-29 09:24:141788

溫度對電橋測量結(jié)果的影響

溫度對電橋測量結(jié)果的影響是顯著的,主要體現(xiàn)在以下幾個(gè)方面: 一、電阻值變化 電橋電路的電阻值會(huì)隨著溫度的變化而變化。通常,電阻的阻值會(huì)隨著溫度的升高而增大,這種變化會(huì)導(dǎo)致電橋電路的電流和電壓
2025-01-09 10:21:312068

基于LTSpice的GaN開關(guān)損耗的仿真

基于LTSpice的GaN開關(guān)損耗的仿真
2025-03-13 15:44:492318

芯干線GaN/SiC功率器件如何優(yōu)化開關(guān)損耗

在功率器件的世界里,開關(guān)損耗是一個(gè)繞不開的關(guān)鍵話題。
2025-05-07 13:55:181052

時(shí)間間隔測量分析儀特點(diǎn)總結(jié)

時(shí)間頻率行業(yè),時(shí)間間隔測量是不可缺少的一部分,選擇一款合適的時(shí)間間隔測量儀就會(huì)顯得尤為重要,今天我們來分析一下時(shí)間間隔分析儀的特點(diǎn)。 關(guān)鍵詞:時(shí)間間隔測量儀,時(shí)間間隔分析儀 1、測量功能多樣化
2025-05-08 11:29:29427

如何平衡IGBT模塊的開關(guān)損耗和導(dǎo)通損耗

IGBT模塊的開關(guān)損耗(動(dòng)態(tài)損耗)與導(dǎo)通損耗(靜態(tài)損耗)的平衡優(yōu)化是電力電子系統(tǒng)設(shè)計(jì)的核心挑戰(zhàn)。這兩種損耗存在固有的折衷關(guān)系:降低導(dǎo)通損耗通常需要提高載流子濃度,但這會(huì)延長關(guān)斷時(shí)的載流子抽取時(shí)間
2025-08-19 14:41:232336

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