在本教程中，我們將使用MOSFET和晶體管構(gòu)建一個(gè)100W RMS輸出功率放大器電路，并連接一個(gè)4歐姆阻抗揚(yáng)聲器。
2022-10-28 17:31:10
9306 
該晶體管功率放大器電路僅使用準(zhǔn)互補(bǔ)放大器配置中的四個(gè)晶體管，即可以低成本向 4 歐姆負(fù)載提供 90W 的功率。
2023-08-10 15:29:343837 
埃賦隆半導(dǎo)體宣布推出一款高效率750W射頻功率晶體管BLF0910H9LS750P。
2019-04-09 08:48:222012 埃賦隆半導(dǎo)體（Ampleon）現(xiàn)在面向工業(yè)加熱、除霜、等離子照明和醫(yī)療應(yīng)用推出基于LDMOS 的BLP05H9S500P功率放大器晶體管。 BLP05H9S500P的工作頻率范圍為423至
2020-02-01 16:59:333919 分享一篇關(guān)于使用2SC52000晶體管和2SA1943作為最終晶體管的1000W單聲道功率放大器的帖子。在這個(gè)1000W功率放大器中有一個(gè)帶發(fā)射器公共端的晶體管放大器配置。發(fā)射器公共加強(qiáng)的一個(gè)小解
2018-07-24 18:02:23
600mV，電壓增益30dB，信噪比80dB。制作兩套該功放，分別用于左、右聲道，即可構(gòu)成2×40W立體聲功率放大器。
2009-09-17 15:44:11
這種70-90瓦的功率放大器電路是使用一些功率晶體管和其他一些常見的電子元件設(shè)計(jì)的，能夠提供90W的最大輸出功率。這種基于晶體管的70-90瓦功率放大器電路能夠在70歐姆負(fù)載下提供8W的輸出
2023-08-01 17:25:06
功率放大器基本電路特點(diǎn)是什么？如何去改進(jìn)功率放大器的基本電路？如何去完善功率放大器實(shí)用電路？
2021-06-08 06:37:08
輸出?！ ?b class="flag-6" style="color: red">功率放大器如何工作 功率放大器的工作原理是利用晶體管的電流控制動(dòng)作或場(chǎng)效應(yīng)管的電壓控制動(dòng)作，將電源的功率轉(zhuǎn)換為根據(jù)輸入信號(hào)變化的電流。因?yàn)槁曇羰遣煌取⒉煌l率的波，也就是交流信號(hào)電流
2023-02-14 16:32:38
的放大器都不相同。功率放大器的主要特點(diǎn)介紹：盡量大的輸出功率由于功率放大器要向負(fù)載提供足夠大的功率，功放管在安全工作的前提下工作電壓和工作電流接近極限值。電子管的電流是電子在真空中受電場(chǎng)力的吸引，運(yùn)動(dòng)
2017-08-10 10:25:14
）層和鋁鎵砷（AlGaAs）層構(gòu)成的雙極晶體管。CMOS工藝雖然已經(jīng)比較成熟，但Si CMOS功率放大器的應(yīng)用并不廣泛。成本方面，CMOS工藝的硅晶圓雖然比較便宜，但CMOS功放版圖面積比較大，再加上
2020-12-14 15:03:10
`功率放大器，簡(jiǎn)稱“功放”。ATA-3000系列功率放大器是一款理想的可放大交、直流信號(hào)的功率放大器。最大輸出功率810W，可以驅(qū)動(dòng)功率型負(fù)載。增益數(shù)控可調(diào)，一鍵保存常用設(shè)置，為您提供了方便簡(jiǎn)潔
2017-09-19 15:13:02
一、實(shí)驗(yàn)?zāi)康恼莆?b class="flag-6" style="color: red">功率放大器的設(shè)計(jì)方法。了解功率放大器的測(cè)試方法。二、實(shí)驗(yàn)內(nèi)容及結(jié)果實(shí)驗(yàn)內(nèi)容自主設(shè)計(jì)一低頻功率放大器，滿足如下要求：（1）輸入正弦信號(hào)電壓有效值為5mV，在8Ω電阻負(fù)載（一端接地）上
2021-11-12 07:27:26
工作時(shí)，晶體管的正負(fù)通道不論有或沒有信號(hào)都處于常開狀態(tài)，這就意味著更多的功率消耗為熱量。純甲類功率放大器在汽車音響的應(yīng)用中比較少見，像意大利的Sinfoni高品質(zhì)系列才有這...
2021-11-11 09:01:17
。 5、T類放大器 T類功率放大器的功率輸出電路和脈寬調(diào)制D類功率放大器相同，功率晶體管也是工作在開關(guān)狀態(tài)，效率和D類功率放大器相當(dāng)。但它和普通D類功率放大器不同的是：1、它不是使用脈沖調(diào)寬的方法
2017-10-17 15:36:11
`功率放大器，超聲功率放大器定義分類和應(yīng)用超聲功率放大器是一種電子實(shí)驗(yàn)室常用的測(cè)試儀器，通常是在實(shí)驗(yàn)過程中幫助輸出信號(hào)達(dá)到最大輸出功率用以驅(qū)動(dòng)某一特定的負(fù)載的裝置。超聲功率放大器的常見的應(yīng)用有：壓電
2017-12-15 09:36:31
寬帶 LDMOS 系列產(chǎn)品組合中選擇您的解決方案。手機(jī)寬帶 晶體管脈沖雷達(dá)晶體管功率放大器超高頻廣播XR 晶體管 50V、60V寬帶放大器12 V、32 V 和 50 V
2021-06-28 18:02:51
在于功率放大器，對(duì)于窄帶寬其具有一流的功率和效率性能。半導(dǎo)體技術(shù)過去幾年，行波管(TWT)放大器一直將更高功率電子設(shè)備作為許多這類系統(tǒng)中的輸出功率放大器級(jí)TWT擁有一些不錯(cuò)的特性，包括千瓦級(jí)功率、倍頻程
2018-10-17 10:35:37
` 本帖最后由 吳下阿蒙1 于 2018-10-23 17:53 編輯
國(guó)外開源DIY項(xiàng)目。您好，朋友這次我將分享使用分立元件（晶體管，電阻器，電容器）而不使用IC的D類功率放大器電路方案
2018-10-23 17:49:16
`國(guó)外開源DIY項(xiàng)目。原作者：Wahyu Eko Romadhon您好，朋友這次我將分享使用分立元件（晶體管，電阻器，電容器）而不使用IC的D類功率放大器電路方案。功率放大器可以產(chǎn)生200瓦至500
2018-11-11 21:17:24
設(shè)備是單級(jí)非匹配的。功率放大器晶體管。QPDO500可用于多爾蒂體系結(jié)構(gòu)小型基站功率放大器的最后階段小區(qū)、微小區(qū)和有源天線系統(tǒng)。這個(gè)QPD00也可以用作宏單元中的驅(qū)動(dòng)程序?；?b class="flag-6" style="color: red">功率放大器產(chǎn)品型號(hào)
2018-07-24 10:01:31
2.5-2.7GHz。該設(shè)備是單級(jí)的匹配功率放大器晶體管。QPD27 95可用于多爾蒂體系結(jié)構(gòu)基站功率放大器的最后階段宏蜂窩高效率系統(tǒng)。QPD27 95可在48 V操作下提供364 W的PSAT。無(wú)鉛
2018-07-24 11:23:36
的新應(yīng)用。本文將簡(jiǎn)要描述支持這些發(fā)展的半導(dǎo)體技術(shù)的狀態(tài)、實(shí)現(xiàn)最佳性能的電路設(shè)計(jì)考慮因素，還列舉了展現(xiàn)當(dāng)今技術(shù)的GaAs和GaN寬帶功率放大器(PA)。
2019-07-16 07:56:10
功率放大器提高效率的基本理論；在第五章，通過負(fù)載牽引原理獲得功放管在大信號(hào)下的輸出阻抗，設(shè)計(jì)了一個(gè)中心頻率為2．4GHz，工作帶寬為200MHz的AB類功率放大器，其輸入輸出匹配網(wǎng)絡(luò)通過微帶線來(lái)實(shí)現(xiàn)
2021-12-22 14:35:59
TS4962是STMicroelectronics（意法半導(dǎo)體）生產(chǎn)的3w D類音頻功率放大器。小尺寸9焊球(300μm)GBA封裝；是一種差動(dòng)輸入、輸出1．2W的D類功率放大器。
2021-04-28 07:51:28
有沒有大神用pspice做高頻丙類功率放大器的啊輸出10W電壓24V效率60%高頻晶體管使用哪個(gè)請(qǐng)哪位大神幫幫忙啊
2013-04-09 11:12:28
請(qǐng)問一下低頻功率放大器怎么設(shè)計(jì)能夠使功率放大到5w，且不失真
2023-05-16 23:03:15
功率晶體管的功率適用范圍為什么是由它的安全工作區(qū)（SOA）來(lái)決定的？影響SOA功耗及散熱器的因素有哪些？你知道功率放大器的使用極限在哪里嗎？
2021-04-14 06:38:16
概述：TA8259H是一款四通道BTL音頻功率放大器的，這種集成電路可以產(chǎn)生更高的功率:POUT MAX = 37W，因?yàn)樗兓パa(bǔ)PNP和NPN晶體管輸出。四通道BTL音頻功率放大器的低失真率，...
2021-04-12 07:24:27
在設(shè)計(jì)功率放大器時(shí)必須考慮的因素？引起功放失效的原因是什么？功放保護(hù)電路設(shè)計(jì)類型有哪幾種功率放大器的保護(hù)模型功率放大器的狀態(tài)監(jiān)測(cè)分析
2021-04-07 06:53:01
要部分 ， 它對(duì)整個(gè)治療系統(tǒng)起到?jīng)Q定性作用 。 因此 ， 在 對(duì)短波治療儀研制過程中 ， 首先要設(shè)計(jì)一款性能良好的 功率放大器 。 本文設(shè)計(jì)采用的是飛思卡爾公司研制的半導(dǎo)體 LD- M OS 晶體管
2022-01-14 11:43:32
)，這樣就可以進(jìn)行下一步設(shè)計(jì)了。2．3 輸入／輸出匹配設(shè)計(jì) 確定靜態(tài)工作點(diǎn)和穩(wěn)定電路后，需要對(duì)晶體管的輸入和輸出進(jìn)行匹配設(shè)計(jì)，在本例功率放大器的設(shè)計(jì)中，出發(fā)點(diǎn)是輸出大功率，一般是讓晶體管工作在其額定輸出
2011-09-02 12:33:49
預(yù)料到這一需求并推出了3G五頻PA模塊AWT6223?；诓捎昧薆iFET工藝的HELP2技術(shù)，AWT6223功率放大器模塊大大降低了工作在WCDMA以及GSM模式下的平均功耗。ANADIGICS現(xiàn)正
2019-07-08 07:16:11
什么是功率放大器（PA）？如何去測(cè)試功率放大器（PA）？
2021-05-21 06:13:28
功率放大器仍采用分立晶體管和分立匹配器件進(jìn)行設(shè)計(jì)。功率晶體管的體積本身就要比低噪聲或小信號(hào)晶體管大。它們比低噪聲晶體管散發(fā)更多的熱量，需要更大的支撐性(阻抗匹配、供電)無(wú)源器件，這些都使得功率放大器
2019-06-19 08:25:12
LDMOS RF功率放大器因其極高的性價(jià)比在GSM和CDMA基站市場(chǎng)占據(jù)了主導(dǎo)地位。使用LDMOS放大器時(shí)，保證高性能的一個(gè)關(guān)鍵因素是補(bǔ)償柵極偏置電壓，以在溫度變化時(shí)保持恒定的靜態(tài)電流。Maxim的DS1870偏置控制器是目前眾多的LDMOS RF功放偏置方案中的一款。
2019-08-23 06:38:37
基于LDMOS的TD-SCDMA射頻功率放大器該如何去設(shè)計(jì)？
2021-06-01 06:14:41
之一。GaN HEMT（高電子遷移率場(chǎng)效晶體管）已經(jīng)成為未來(lái)宏基站功率放大器的候選技術(shù)。由于 LDMOS 無(wú)法再支持更高的頻率，GaAs 也不再是高功率應(yīng)用的最優(yōu)方案，預(yù)計(jì)未來(lái)大部分6GHz 以下宏
2021-03-28 07:00:00
用ADS軟件做td-SCDMA射頻功率放大器仿真。。。。求助 這個(gè)非要晶體管么？怎么模擬的
2014-04-23 21:53:31
晶體管，通過優(yōu)化載波放大器和峰值放大器的柵極偏置電壓改善三階互調(diào)失真(IMD3)，同時(shí)通過調(diào)節(jié)輸入功率分配比例改善由于峰值放大器對(duì)載波放大器牽引不足導(dǎo)致的失配問題，從而改善不對(duì)稱Doberty功率放大器
2019-07-04 07:05:21
線性功率放大器設(shè)計(jì)功率晶體管的輸出功率和三階交調(diào)系數(shù)是與負(fù)載有關(guān)的。在設(shè)計(jì)最大P1dB功率放大器時(shí)，單靠一組等功率圓就可以了，而在設(shè)計(jì)線性功率放大器時(shí)，單靠一組等三階交調(diào)系數(shù)曲線是不夠的。從圖
2008-08-17 13:35:23
衛(wèi)星地球站高功率放大器分為三大類：速調(diào)管高功率放大器(KHPA)、行波管高功率放大器(TWTA)和固態(tài)高功率放大器(SSPA)，這三種功放各有特點(diǎn)，使用要求也不相同。行波管高功率放大器和固態(tài)高
2019-07-09 08:29:58
，對(duì)我們廣大音響愛好者來(lái)說(shuō)也許是一件饒有趣味的事情。一、早期的晶體管功放 半導(dǎo)體技術(shù)的進(jìn)步使晶體管放大器向前邁進(jìn)了一大步。自從有了晶體管，人們就開始用它制造功率放大器。早期的放大器
2009-04-18 18:21:09
音頻功率放大器設(shè)計(jì)
2012-07-16 19:22:49
1、引言隨著科技的進(jìn)步，半導(dǎo)體制造技術(shù)日新月異。微波晶體管的輸出功率能力在個(gè)個(gè)頻段都得到不斷提高，在甚高頻頻段已有單管輸出連續(xù)波600W的商品管，在L波段單管輸出峰值功率300W。單管輸出功率增大
2019-07-04 07:15:45
高頻功率放大器的設(shè)計(jì):功率放大器主要技術(shù)指標(biāo)— 工作頻帶工作頻帶是指放大器應(yīng)滿足全部性能指標(biāo)的連續(xù)頻率范圍。硅雙極型晶體管功率放大器和硅金屬氧化物場(chǎng)效應(yīng)管
2008-08-16 15:21:28
450 功率放大器設(shè)計(jì)教材提高功率放大器的線性，是當(dāng)前微波電路設(shè)計(jì)研究的熱點(diǎn)。工作頻帶是指放大器應(yīng)滿足全部性能指標(biāo)的連續(xù)頻率范圍。硅雙極型晶體管功率
2010-02-10 14:43:400 恩智浦半導(dǎo)體(NXP Semiconductors)（由飛利浦創(chuàng)建的獨(dú)立半導(dǎo)體公司）日前推出了全球首款真正的300W超高頻（ UHF）晶體管，即第六代高壓LDMOS晶體管BLF878。這一新的大功率晶體管是市場(chǎng)
2010-09-17 18:29:3120 BLF0910H9LS750P型號(hào)簡(jiǎn)介 BLF0910H9LS750P是Ampleon(安譜隆)推出的一款功率 LDMOS 晶體管，專為工業(yè)應(yīng)用而設(shè)
2024-08-19 15:04:24
BLU6H0410LS-600P型號(hào)簡(jiǎn)介 BLU6H0410LS-600P是Ampleon(安譜隆)推出的一款LDMOS 功率晶體管，它能夠在輸出
2024-08-30 11:23:42
BPF0910H9X600型號(hào)簡(jiǎn)介 BPF0910H9X600是Ampleon(安譜隆)推出的一款LDMOS 功率晶體管，它能夠在 CW 應(yīng)用中
2024-09-02 15:03:11
BLF0910H9LS600型號(hào)簡(jiǎn)介 BLF0910H9LS600是Ampleon(安譜隆)推出的一款功率 LDMOS 晶體管 ，適用于 915
2024-09-18 11:30:23
BLF0910H6LS500型號(hào)簡(jiǎn)介 BLF0910H6LS500是Ampleon(安譜隆)推出的一款功率 LDMOS 晶體管 ，這款晶體管猶如
2024-10-17 11:28:34
BLF888A型號(hào)簡(jiǎn)介 BLF888A是Ampleon(安譜隆)推出的一款功率 LDMOS 晶體管 ，這款晶體管擁有600W的強(qiáng)大功率輸出，如同
2024-10-22 17:08:24
600W射頻功率放大器電路圖
2009-04-08 09:17:335280 
晶體管功率放大器的基本電路圖
2009-07-13 17:51:123119 
晶體管構(gòu)成的500W輸出功率放大器電路圖
2009-07-13 17:51:342178 
600W音頻放大器電路 (600W Audio Amplifier)
2009-12-26 13:04:162790 Toshiba推出C-BAND SATCOM應(yīng)用的高增益50W GaN HEMT功率放大器，東芝美國(guó)電子元器件公司推出其功率放大器產(chǎn)品系列中的50W C頻段氮化鎵(GaN)半導(dǎo)體高電子遷移晶體管(HEMT)。
Toshiba 的
2010-06-10 10:47:332406 恩智浦半導(dǎo)體NXP Semiconductors今天宣布推出廣播發(fā)射機(jī)和工業(yè)用600W LDMOS超高頻(UHF)射頻功率晶體管BLF888A。恩智浦
2010-09-30 09:28:381185 為在高線性的前提下提高 WCDMA 基站系統(tǒng)中 功率放大器 的效率，仿真設(shè)計(jì)了一款工作于2.14 GHz頻段不對(duì)稱功率驅(qū)動(dòng)的Doherty功率放大器?；贏DS平臺(tái)，采用MRF6S21140H LDMOS晶體管，通過優(yōu)化
2011-06-08 14:59:1984 本文設(shè)計(jì)了一種工作在1.8GHz 的 F類功率放大器 ，使用LDMOS 晶體管作為有源器件以便產(chǎn)生高功率和高效率。F 類放大器通過對(duì)不同的諧波進(jìn)行調(diào)諧來(lái)峰化漏極電壓和電流的波形，漏極電壓
2011-08-18 17:36:4265 本文通過對(duì)基于 Freescale 生產(chǎn)的LDMOS 晶體管MW6IC2240構(gòu)成的射頻功率放大器研究，以及建立相應(yīng)的電路模型，主要研究了射頻功率放大器的瞬態(tài)響應(yīng)上升時(shí)間對(duì)其EVM性能的影響，根據(jù)仿真和
2012-04-24 09:43:012485 
基于ADS軟件，選取合適的靜態(tài)直流工作點(diǎn)，采用負(fù)載牽引法得到LDMOS晶體管BLF7G22L130的輸出和輸入阻抗特性，并通過設(shè)計(jì)和優(yōu)化得到最佳的共軛匹配網(wǎng)絡(luò)，設(shè)計(jì)出高效率功率放大器。AD
2012-11-09 16:32:5359 “簡(jiǎn)潔至下”的晶體管甲類音頻 功率放大器
2016-06-15 18:17:4846 （ Lateral Diffused Metal-ide-semiconductor） 晶體管設(shè)計(jì)了一款輸出功率oXi為4 W 用于基站的AB 類功率放大器; 采用GaN （Gallium
2017-10-31 11:06:4317 晶體管，通過優(yōu)化載波放大器和峰值放大器的柵極偏置電壓改善三階互調(diào)失真(IMD3)，同時(shí)通過調(diào)節(jié)輸入功率分配比例改善由于峰值放大器對(duì)載波放大器牽引不足導(dǎo)致的失配問題，從而改善不對(duì)稱Doberty功率放大器的輸出性能。
2019-03-15 10:48:133501 
安譜隆半導(dǎo)體（Ampleon）今天宣布，推出600W的BLF0910H9LS600 LDMOS功率放大器晶體管。這是第一款采用安譜隆最新Gen9HV 50V LDMOS工藝的射頻能量晶體管——該節(jié)點(diǎn)已為大幅提高效率、功率和增益做了優(yōu)化。
2018-04-26 09:42:001878 安譜隆半導(dǎo)體（Ampleon）今天宣布，推出600W的BLF0910H9LS600 LDMOS功率放大器晶體管。這是第一款采用安譜隆最新Gen9HV 50V LDMOS工藝的射頻能量晶體管——該節(jié)點(diǎn)已為大幅提高效率、功率和增益做了優(yōu)化。
2018-04-25 15:04:004912 。MRF13750H晶體管基于50V硅技術(shù)LDMOS，突破了半導(dǎo)體射頻功率放大器的極限，使之成為在高功率工業(yè)系統(tǒng)中替代真空管的極具吸引力的產(chǎn)品。
2018-05-08 10:19:002066 安譜隆半導(dǎo)體（Ampleon）推出一款多功能20W單級(jí)射頻功率放大器驅(qū)動(dòng)器晶體管。BLP9G0722-20G是一款高性價(jià)比的28V LDMOS器件，適用于0.4至2.7GHz的廣泛應(yīng)用。
2018-05-14 15:03:006244 本文詳細(xì)介紹了一個(gè)寬帶功率放大器的設(shè)計(jì)使用最先進(jìn)的QORVO晶體管在一個(gè)符合成本效益的SMT塑料封裝。實(shí)現(xiàn)的放大器在1.2和1.8 GHz之間具有160 W的輸出功率，并且理想地適合于L波段雷達(dá)
2018-08-02 11:29:003 埃賦隆半導(dǎo)體（Ampleon）今天宣布推出大功率堅(jiān)固型BLF189XRA RF功率晶體管，用于88-108MHz頻率范圍內(nèi)的廣播FM無(wú)線電應(yīng)用。
2018-09-30 16:41:003380 本文設(shè)計(jì)了一種工作在1.8GHz 的F 類功率放大器，使用LDMOS 晶體管作為有源器件以便產(chǎn)生高功率和高效率。F 類放大器通過對(duì)不同的諧波進(jìn)行調(diào)諧來(lái)峰化漏極電壓和電流的波形，漏極電壓波形包含一個(gè)或
2018-12-21 16:50:304 荷蘭奈梅亨 – 埃賦隆半導(dǎo)體（Ampleon）今天宣布推出一款高效率750W射頻功率晶體管BLF0910H9LS750P。它在915MHz時(shí)效率為72.5%，為同類最佳，其堅(jiān)固耐用型設(shè)計(jì)也使其成為了工業(yè)和專業(yè)射頻能源應(yīng)用的理想選擇。
2019-04-10 15:13:061280 埃賦隆半導(dǎo)體（Ampleon）近日宣布推出一款高效率750W射頻功率晶體管BLF0910H9LS750P。它在915MHz時(shí)效率為72.5%，為同類最佳，其堅(jiān)固耐用型設(shè)計(jì)也使其成為了工業(yè)和專業(yè)射頻能源應(yīng)用的理想選擇。
2019-05-16 14:15:173332 ，80W晶體管電子管混合純甲類功放的制作，超大電大電流雙極晶體管的魅力——MOTO名管MJ11032／33與改進(jìn)型平衡功率放大器的制作，場(chǎng)效應(yīng)管功率放大器的制作，帶輸出變壓器的場(chǎng)效應(yīng)管功率放大器。
2020-04-23 08:00:00109 7月2日，賦隆半導(dǎo)體（Ampleon）今天宣布，在其第9代高性能50V Si LDMOS高效率射頻功率晶體管產(chǎn)品系列中新增兩款產(chǎn)品——BLF978P和BLF974P。這兩款產(chǎn)品專為超高功率射頻功率放大器而設(shè)計(jì)，可提供數(shù)百千瓦功率，并具有很高的效率和高增益特性。
2020-07-06 14:58:423838 7月6日，埃賦隆半導(dǎo)體（Ampleon）今天宣布推出BPF0910H9X600托盤放大器，這是一款完整的600W射頻功率LDMOS模塊，適用于在915MHz ISM頻段工作的工業(yè)、科學(xué)和醫(yī)療應(yīng)用。
2020-07-08 15:16:452659 ，因此射頻PA一般使用線性功率放大器。 功率放大器的電路可以由以下幾個(gè)部分組成：晶體管、偏置及穩(wěn)定電路、輸入輸出匹配電路。 1. A類功放 A類功放輸出級(jí)中兩個(gè)（或兩組）晶體管永遠(yuǎn)處于導(dǎo)電狀態(tài)，也就是
2023-02-16 14:36:319 前言：微波晶體管功率放大器工作狀態(tài)與低頻晶體管功率放大器一樣，有甲類、甲乙類、乙類及丙類四種工作狀態(tài)，分類的方法也相同。不同的工作狀態(tài)適用不同的需要。匹配電路元件可以是集中參數(shù)、半集中參數(shù)及分布參數(shù)。
2023-02-17 11:28:550 功率放大器是一種電子器件，其主要作用是將低功率信號(hào)放大為高功率信號(hào)。功率放大器的工作原理基于放大器的放大能力。其通常由一個(gè)放大器器件（如晶體管、真空管、場(chǎng)效應(yīng)晶體管等）組成，這個(gè)器件的放大能力
2023-02-24 11:11:217255 。功率放大器的種類繁多，包括晶體管功率放大器、真空管功率放大器、MOSFET功率放大器等。不同類型的功率放大器在功率、頻率響應(yīng)、失真、效率等方面有所不同，因此需要根據(jù)不同的應(yīng)用領(lǐng)域和要求進(jìn)行選擇。
2023-02-24 11:12:023029 功率放大器主要解決低功率信號(hào)放大的問題，它可以將來(lái)自低功率信號(hào)源的電信號(hào)放大為高功率信號(hào)，以便驅(qū)動(dòng)需要更高功率的負(fù)載。功率放大器的種類繁多，包括晶體管功率放大器、真空管功率放大器、MOSFET
2023-02-24 11:12:523357 二極管PD 晶閘管SCR 功率晶體管GTR 功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管PowerMOSFET 絕緣柵雙極晶體管IGBT 功率放大環(huán)節(jié)概述 線性功率放大器 電力電子技術(shù)概述 電子電力技術(shù)是電力、電子和控制三者之間的交
2023-03-07 10:32:160 這種音頻功率放大器電路由幾個(gè)晶體管組成，這些晶體管以這樣的方式排列以形成一個(gè)固體音頻放大器電路并合格。該放大器使用四個(gè)晶體管，每個(gè)晶體管都有自己的功能。
2023-05-16 17:39:493287 
如果您認(rèn)為僅使用兩個(gè)小晶體管構(gòu)建一個(gè)像樣的功率放大器是不可能的，那么您可能錯(cuò)了。
2023-06-10 17:32:002979 
這是使用功率晶體管搭建的150W功率放大器的電路圖。上面的電路本質(zhì)上是一個(gè)單通道電路。要使其成為立體聲通道，您必須構(gòu)建兩個(gè)相同的電路。對(duì)于小場(chǎng)地或大廳/會(huì)議室的音頻系統(tǒng)來(lái)說(shuō)，150W 已經(jīng)足夠了。
2023-07-28 16:37:073743 
這是600W MOSFET功率放大器的電路圖。該電路將為阻抗為 4 歐姆的揚(yáng)聲器提供超過 600 瓦的音頻輸出。該高功率放大器電路僅在輸出級(jí)使用6個(gè)N溝道MOSFET IRFP450，即可為您提供約
2023-07-28 17:04:194409 
的工作原理由晶體管、真空管或功率放大器集成功能來(lái)實(shí)現(xiàn)。在這篇文章中，我們將著重研究晶體管功率放大器的工作原理和基本要求。 晶體管功率放大器的工作原理： 晶體管功率放大器的設(shè)計(jì)目的是將弱信號(hào)放大到較高功率級(jí)別，并將
2024-02-04 09:37:002481 功率放大器的導(dǎo)通角是一個(gè)關(guān)鍵參數(shù)，它直接影響到放大器的性能和效率。 功率放大器導(dǎo)通角的定義 功率放大器導(dǎo)通角是指在功率放大器的輸出信號(hào)周期內(nèi)，晶體管導(dǎo)通的時(shí)間占整個(gè)周期的比例。換句話說(shuō)，導(dǎo)通角
2024-08-01 10:39:463912 C類功率放大器是一種高效能的功率放大器，其導(dǎo)通角是功率放大器中的一個(gè)重要參數(shù)。 C類功率放大器的導(dǎo)通角定義 C類功率放大器的導(dǎo)通角是指功率放大器中晶體管導(dǎo)通的時(shí)間占整個(gè)周期的比例。在C類功率放大器中
2024-08-01 10:42:203677 功率放大器的工作原理基于晶體管的放大原理。晶體管是一種半導(dǎo)體器件，具有三個(gè)端子：發(fā)射極、基極和集電極。通過控制基極電流，可以改變集電極電流，從而實(shí)現(xiàn)信號(hào)的放大。 在功率放大器中，輸入信號(hào)通常通過一個(gè)耦合電容或變壓器
2024-08-01 11:08:581032 在哪些器件上使用的情況。 功率放大器的器件類型 晶體管功率放大器：晶體管功率放大器是最常見的一種功率放大器，通常使用雙極型晶體管（BJT）或場(chǎng)效應(yīng)晶體管（FET）來(lái)實(shí)現(xiàn)。雙極型晶體管功率放大器常用于中小功率應(yīng)用，而場(chǎng)
2024-10-15 11:48:36968 
電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供()2 W InGaP HBT 功率放大器 ISM 600–1100 MHz 頻段相關(guān)產(chǎn)品參數(shù)、數(shù)據(jù)手冊(cè)，更有2 W InGaP HBT 功率放大器 ISM 600–1100
2025-10-13 18:34:19
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