恩智浦半導(dǎo)體NXP Semiconductors N.V. 日前宣布推出采用DFN2020-6 (SOT1118) 無(wú)鉛塑料封裝的超緊湊型中等功率晶體管和N溝道Trench MOSFET產(chǎn)品PBSM5240PF
2011-08-16 08:51:27
4611 TriQuint半導(dǎo)體公司（納斯達(dá)克代碼：TQNT），推出四款具有卓越增益和效率，并且非常耐用的新氮化鎵（GaN）HEMT射頻功率晶體管產(chǎn)品。
2012-12-18 09:13:261621 恩智浦半導(dǎo)體（NXP Semiconductors N.V.）（納斯達(dá)克代碼：NXPI）近日推出業(yè)內(nèi)首款雙晶體管產(chǎn)品，具有低飽和電壓特性，采用2 mm x 2 mm DFN（分立式扁平無(wú)引腳）封裝
2013-03-25 15:48:171837 、胸腔晶體管、雙極交接晶體管、金屬-氧化半導(dǎo)體外效晶體管和隔熱雙極晶體管的特性和使用。 Power Diode Diode Basics 在電子應(yīng)用中,二極管發(fā)揮簡(jiǎn)單的開(kāi)關(guān)功能,只允許電流向一個(gè)方向流動(dòng),電極二極管擁有更大的動(dòng)力、電壓和當(dāng)前處理能力,在電
2023-08-15 17:17:321650 
恩智浦半導(dǎo)體NXP Semiconductors N.V. (NASDAQ：NXPI) 近日宣布推出面向移動(dòng)設(shè)備市場(chǎng)的新一代低VF肖特基整流器
2012-02-09 08:58:351852 埃賦隆半導(dǎo)體宣布推出一款高效率750W射頻功率晶體管BLF0910H9LS750P。
2019-04-09 08:48:222012 在高頻（3-30MHz）到250MHz頻率范圍內(nèi)，性能強(qiáng)大的IDEV系列能夠提供高達(dá)2.2kW的連續(xù)波（CW）輸出功率，而且只采用一個(gè)陶瓷封裝，因此減少了廣播發(fā)射機(jī)等大功率應(yīng)用所需的射頻功率晶體管的總數(shù)量。
2021-08-13 11:24:033606 
功率半導(dǎo)體器件以功率金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(功率MOSFET，常簡(jiǎn)寫(xiě)為功率MOS)、絕緣柵雙極晶體管(IGBT)以及功率集成電路(power IC，常簡(jiǎn)寫(xiě)為PIC)為主。
2020-04-07 09:00:54
半導(dǎo)體基礎(chǔ)知識(shí)與晶體管工藝原理
2012-08-20 08:37:00
上次我們學(xué)習(xí)了無(wú)源元件，今天我們接著來(lái)復(fù)習(xí)一下半導(dǎo)體以及使用了半導(dǎo)體的有源元件-二極管、晶體管、FET。
2021-03-03 08:36:01
大家好，我是痞子衡，是正經(jīng)搞技術(shù)的痞子。今天痞子衡給大家介紹的是恩智浦i.MX RTxxx系列MCU的基本特性?！ ?b class="flag-6" style="color: red">恩智浦半導(dǎo)體于2017年開(kāi)始推出的i.MX RT系列重新定義了MCU，其第一款
2021-11-04 07:08:30
晶體管分類(lèi) 按半導(dǎo)體材料和極性分類(lèi) 按晶體管使用的半導(dǎo)體材料可分為硅材料晶體管和鍺材料晶體管。按晶體管的極性可分為鍺NPN型晶體管、鍺PNP晶體管、硅NPN型晶體管和硅PNP型晶體管?！ “唇Y(jié)構(gòu)
2010-08-12 13:59:33
？
再者在場(chǎng)效應(yīng)管這種單極性導(dǎo)電半導(dǎo)體中，為什么只是有一種離子導(dǎo)電，而非兩種離子，不像晶體管那種兩種離子導(dǎo)電，請(qǐng)問(wèn)這是為什么？同樣對(duì)于場(chǎng)效應(yīng)管也有上面的問(wèn)題？
2024-02-21 21:39:24
晶體管的半導(dǎo)體的電流由空穴（正極性）和電子（負(fù)極性）產(chǎn)生。一般而言的晶體管是指這種由硅構(gòu)成的晶體管。FETField Effect Transistor的簡(jiǎn)稱(chēng)，是指場(chǎng)效應(yīng)晶體管。有接合型FET和MOS型
2019-04-10 06:20:24
功率、集電極最大電流、最大反向電壓、電流放大系數(shù)等參數(shù)及外地人形尺寸等是否符合應(yīng)用電路的要求。 2．末級(jí)視放輸出管的選用彩色電視機(jī)中使用的末級(jí)視放輸出管，應(yīng)選用特征頻率高于80MHZ的高頻晶體管
2012-01-28 11:27:38
;nbsp; 晶體管（transistor）是一種固體半導(dǎo)體器件，可以用于檢波、整流、放大、開(kāi)關(guān)、穩(wěn)壓、信號(hào)調(diào)制和許多其它功能。晶體管作為一種可變開(kāi)關(guān)，基于輸入的電壓，控制流出的電流，因此晶體管可做為
2010-08-12 13:57:39
脈沖功率。 在沒(méi)有外部調(diào)諧的情況下，所有設(shè)備都在寬帶RF測(cè)試夾具中100％屏蔽了大信號(hào)RF參數(shù)。硅雙極匹配50歐姆210W輸出功率經(jīng)過(guò)100％大功率射頻測(cè)試C級(jí)操作IB0607S10功率晶體管
2021-04-01 10:07:29
半導(dǎo)體元器件晶體管領(lǐng)域。功率半導(dǎo)體元器件的特點(diǎn)除了IGBT外，功率半導(dǎo)體元器件（晶體管領(lǐng)域）的代表產(chǎn)品還有MOSFET、BIPOLAR等，它們主要被用作半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)。根據(jù)其分別可支持的開(kāi)關(guān)速度
2019-05-06 05:00:17
半導(dǎo)體元器件晶體管領(lǐng)域。功率半導(dǎo)體元器件的特點(diǎn)除了IGBT外，功率半導(dǎo)體元器件（晶體管領(lǐng)域）的代表產(chǎn)品還有MOSFET、BIPOLAR等，它們主要被用作半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)。根據(jù)其分別可支持的開(kāi)關(guān)速度
2019-03-27 06:20:04
`IGN0450M250是一款高功率GaN-on-SiC RF功率晶體管，旨在滿(mǎn)足P波段雷達(dá)系統(tǒng)的獨(dú)特需求。它在整個(gè)420-450 MHz頻率范圍內(nèi)運(yùn)行。 在100毫秒以下，10％占空比脈沖條件
2021-04-01 10:35:32
MOSFET（Metal-Oxide-Semiconductor Field-EffectTransistor）是金屬-氧化物-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管的縮寫(xiě)，也叫場(chǎng)效應(yīng)管，是一種由運(yùn)算器的基礎(chǔ)構(gòu)成
2023-03-08 14:13:33
眾所周知，像硅雙極晶體管等一些晶體管能夠在其中一些半導(dǎo)體單元因短路或負(fù)載失配等原因損壞時(shí)繼續(xù)工作。因此，將一個(gè)器件定義為“耐用晶體管”可能沒(méi)有清晰的界限。對(duì)硅LDMOS晶體管的耐用性測(cè)試通常是指器件
2019-06-26 07:11:37
晶體管（transistor）是一種固體半導(dǎo)體器件，可以用于檢波、整流、放大、開(kāi)關(guān)、穩(wěn)壓、信號(hào)調(diào)制和許多其它功能
2010-08-13 11:36:51
的金屬間距，從而實(shí)現(xiàn)了業(yè)內(nèi)最高的晶體管密度。披露10納米制程的功耗和性能最新進(jìn)展英特爾高級(jí)院士馬博（Mark Bohr）介紹了英特爾10納米制程工藝的最新細(xì)節(jié)，展現(xiàn)了英特爾的技術(shù)領(lǐng)先性。在晶體管密度
2017-09-22 11:08:53
放大電路的設(shè)計(jì)與制作，下冊(cè)則共分15章，主要介紹FET、功率MOS、開(kāi)關(guān)電源電路等?！?b class="flag-6" style="color: red">晶體管電路設(shè)計(jì)》(上)面向實(shí)際需要，理論聯(lián)系實(shí)際，通過(guò)大量具體的實(shí)驗(yàn)，通俗易懂地介紹晶體管電路設(shè)計(jì)的基礎(chǔ)知識(shí)
2017-07-25 15:29:55
晶閘管）、IGCT（集成門(mén)極換流晶閘管）、IEGT（電子注入增強(qiáng)柵晶體管）、IPEM（集成電力電子模塊）、PEBB（電力電子積木）等。圖表2 功率半導(dǎo)體器件分類(lèi)方式及代表類(lèi)型（來(lái)源：電力電子技術(shù)
2019-02-26 17:04:37
的制造商生產(chǎn)半導(dǎo)體（晶體管是該設(shè)備家族的成員），因此有數(shù)千種不同的類(lèi)型。有低功率、中功率和高功率晶體管，用于高頻和低頻工作，用于非常高電流和/或高電壓工作。本文概述了什么是晶體管、不同類(lèi)型的晶體管
2023-08-02 12:26:53
用于高頻電路。砷化鎵組件在高頻、高功率、高效率、低噪聲指數(shù)的電氣特性均遠(yuǎn)超過(guò)硅組件，空乏型砷化鎵場(chǎng)效晶體管(MESFET)或高電子遷移率晶體管(HEMT/PHEMT)，在3 V 電壓操作下可以有80
2019-07-29 07:16:49
功率管;根據(jù)半導(dǎo)體材料，有硅和鍺管等。放大器電路由共發(fā)射極、共基極和共集電極組成。》場(chǎng)效應(yīng)晶體管“場(chǎng)效應(yīng)”的含義是晶體管的原理是基于半導(dǎo)體的電場(chǎng)效應(yīng)。場(chǎng)效應(yīng)晶體管是根據(jù)場(chǎng)效應(yīng)原理工作的晶體管。場(chǎng)效應(yīng)管
2023-02-03 09:36:05
目前制造的大功率射頻晶體管比以往任何時(shí)候都更堅(jiān)實(shí)耐用。針對(duì)特高耐用性設(shè)計(jì)的器件可以承受?chē)?yán)重的失配，即使在滿(mǎn)輸出電平時(shí)也是如此。現(xiàn)在多家制造商可提供大功率硅橫向擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體(LDMOS)晶體管
2019-08-22 08:14:59
的規(guī)則，則可以互換使用NPN和PNP晶體管。雙極晶體管實(shí)際上是兩個(gè)背靠背連接的二極管，基極用作公共連接。PNP 結(jié)點(diǎn)如何工作？PNP晶體管是由夾在兩個(gè)P型半導(dǎo)體之間的N型半導(dǎo)體組成的雙極結(jié)型晶體管
2023-02-03 09:45:56
支持更小的體積、更高的集成度、更少的外圍器件。友恩將從半導(dǎo)體晶圓高低壓集成器件工藝技術(shù)和高功率密度封裝技術(shù)兩大方向協(xié)同推進(jìn)新一.代更高集成度的開(kāi)關(guān)電源芯片及其解決方案的研發(fā)。針對(duì) GaN 晶體管的高頻
2020-10-30 09:39:44
僅是由多數(shù)載流子參與導(dǎo)電,它與雙極型相反,也稱(chēng)為單極型晶體管。它屬于電壓控制型半導(dǎo)體器件，具有輸入電阻高（108～109Ω）、噪聲小、功耗低、動(dòng)態(tài)范圍大、易于集成、沒(méi)有二次擊穿現(xiàn)象、安全工作區(qū)域?qū)挼葍?yōu)點(diǎn)，現(xiàn)已成為雙極型晶體管和功率晶體管的強(qiáng)大競(jìng)爭(zhēng)者。
2021-05-24 06:27:18
同國(guó)產(chǎn)管的第三位基本相同。 晶體管是內(nèi)部含有兩個(gè)PN結(jié)，外部通常為三個(gè)引出電極的半導(dǎo)體器件。它對(duì)電信號(hào)有放大和開(kāi)關(guān)等作用，應(yīng)用十分廣泛。二、晶體管的種類(lèi)晶體管有多種分類(lèi)方法。（一）按半導(dǎo)體材料和極性
2012-07-11 11:36:52
什么是微波功率晶體管？如何提高微波功率晶體管可靠性？
2021-04-06 09:46:57
目前制造的大功率射頻晶體管比以往任何時(shí)候都更堅(jiān)實(shí)耐用。針對(duì)特高耐用性設(shè)計(jì)的器件可以承受?chē)?yán)重的失配，即使在滿(mǎn)輸出電平時(shí)也是如此?，F(xiàn)在多家制造商可提供大功率硅橫向擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體(LDMOS)晶體管
2019-08-22 06:13:27
晶體管的半導(dǎo)體的電流由空穴（正極性）和電子（負(fù)極性）產(chǎn)生。一般而言的晶體管是指這種由硅構(gòu)成的晶體管。FETField Effect Transistor的簡(jiǎn)稱(chēng)，是指場(chǎng)效應(yīng)晶體管。有接合型FET和MOS型
2019-05-05 01:31:57
本文討論了商用氮化鎵功率晶體管與Si SJMOS和SiC MOS晶體管相比在軟開(kāi)關(guān)LLC諧振轉(zhuǎn)換器方面的優(yōu)勢(shì)。介紹隨著更高功率、更小尺寸和更高效率的明顯趨勢(shì)，高頻 LLC 諧振轉(zhuǎn)換器是業(yè)內(nèi)隔離式
2023-02-27 09:37:29
(MicrosemiCorporation)擴(kuò)展其基于碳化硅襯底氮化鎵(GaNonSiC)技術(shù)的射頻(RF)晶體管系列，推出新型S波段500WRF器件2729GN-500，新器件瞄準(zhǔn)大功率空中交通控制機(jī)場(chǎng)監(jiān)視雷達(dá)(ASR
2012-12-06 17:09:16
和頻率電子應(yīng)用中實(shí)現(xiàn)更高的效率而制造的。ST’s vipergan50高電壓轉(zhuǎn)換器我們首先要宣布的是來(lái)自意法半導(dǎo)體的消息。最近，它推出了 VIPERGAN50，一種基于 GaN 晶體管的功率轉(zhuǎn)換器，為
2022-06-15 11:43:25
電子產(chǎn)品中，近年來(lái)逐漸被晶體管和集成電路所取代，但目前在一些高保真音響器材中，仍然使用電子管作為音頻功率放大器件?！ 《?b class="flag-6" style="color: red">晶體管是一種固體半導(dǎo)體器件，可以用于檢波、整流、放大、開(kāi)關(guān)、穩(wěn)壓、信號(hào)調(diào)制和許多
2016-01-26 16:52:08
導(dǎo)讀：近日，英飛凌宣布推出700瓦L波段射頻功率晶體管。該晶體管具備業(yè)界最高的L波段輸出功率（700瓦），適用于工作頻率范圍為1200 MHz~1400 MHz的雷達(dá)系統(tǒng)。這種新型器件可通過(guò)減少
2018-11-29 11:38:26
915MHZ無(wú)線(xiàn)收發(fā)器nRF905:nRF905 單片無(wú)線(xiàn)收發(fā)器工作在433/868/915MHZ 的ISM 頻段。由一個(gè)完全集成的頻率調(diào)制器，一個(gè)帶解調(diào)器的接收器，一個(gè)功率放大器，一個(gè)晶體震蕩器和一個(gè)調(diào)節(jié)器組
2009-09-02 15:38:48
98 恩智浦半導(dǎo)體(NXP Semiconductors)（由飛利浦創(chuàng)建的獨(dú)立半導(dǎo)體公司）日前推出了全球首款真正的300W超高頻（ UHF）晶體管，即第六代高壓LDMOS晶體管BLF878。這一新的大功率晶體管是市場(chǎng)
2010-09-17 18:29:3120 半導(dǎo)體管特性圖示儀的使用和晶體管參數(shù)測(cè)量一、實(shí)驗(yàn)?zāi)康?、了解半導(dǎo)體特性圖示儀的基本原理2、學(xué)習(xí)使用半導(dǎo)體特性圖示儀測(cè)量晶體管的特性曲線(xiàn)和參
2009-03-09 09:12:0915283 
TDA20136 恩智浦推出最新的創(chuàng)新型硅調(diào)諧器
恩智浦半導(dǎo)體（NXP Semiconductors，由飛利浦創(chuàng)立的獨(dú)立半導(dǎo)體公司）今日
2009-08-14 09:34:58749 晶體管分類(lèi)
按半導(dǎo)體材料和極性分類(lèi) 按晶體管使用的半導(dǎo)體材料可分為硅材料晶體管和鍺材料晶體管。按晶體
2009-11-05 10:48:534989 恩智浦推出業(yè)內(nèi)最簡(jiǎn)單易用的USB微控制器
恩智浦半導(dǎo)體(NXP)日前推出LPC134系列微控制器，片上集成了全速的USB2.0設(shè)備，并內(nèi)置了已通過(guò)USB-IF認(rèn)證的USB驅(qū)動(dòng)程序，因而成
2009-12-02 08:29:24639 恩智浦推出TDA18272硅調(diào)諧器
隨著電視工業(yè)開(kāi)始全面采用硅調(diào)諧器，恩智浦半導(dǎo)體（NXP Semiconductors）近日宣布推出面向全球無(wú)線(xiàn)及有線(xiàn)電視接收的高性
2009-12-18 09:37:581172 恩智浦推出業(yè)內(nèi)首顆實(shí)現(xiàn)單芯片3DTV等功能的視頻協(xié)處理器
恩智浦半導(dǎo)體公司(NXP)日前宣布推出業(yè)內(nèi)第一個(gè)能夠在單芯片中實(shí)現(xiàn)3DTV、幀速率轉(zhuǎn)換(FRC)和局部背光調(diào)光功能
2009-12-23 08:40:42715 Power SO-8LFPAK封裝60V和100V晶體管
恩智浦半導(dǎo)體(NXP Semiconductors)推出全新60 V和100 V晶體管，擴(kuò)充Trench 6 MOSFET產(chǎn)品線(xiàn)。新產(chǎn)品采用Power SO-8LFPAK封裝，支持60 V和100 V兩種工作
2010-02-09 09:27:392762 CMOS晶體管,CMOS晶體管是什么意思
金屬-氧化物-半導(dǎo)體(Metal-Oxide-Semiconductor)結(jié)構(gòu)的晶體管簡(jiǎn)稱(chēng)MOS晶體管，有P型MOS管和N型MOS管之分
2010-03-05 15:22:514129 晶體管耗散功率,晶體管耗散功率是什么意思
晶體管耗散功率也稱(chēng)集電極最大允許耗散功率PCM，是指晶體管參數(shù)變化不超過(guò)規(guī)定允許值時(shí)的最大
2010-03-05 17:34:108979 新一代高效率低VCEsat晶體管
恩智浦半導(dǎo)體（NXP Semiconductors）近日宣布推出新第四代低VCEsat (BISS)晶體管的前8種產(chǎn)品。該產(chǎn)品家族分成兩種優(yōu)化的分支：超低VCEsat 晶體
2010-03-06 09:52:271370 恩智浦半導(dǎo)體NXP Semiconductors今天宣布推出廣播發(fā)射機(jī)和工業(yè)用600W LDMOS超高頻(UHF)射頻功率晶體管BLF888A。恩智浦
2010-09-30 09:28:381185 飛思卡爾半導(dǎo)體公司以合理的性?xún)r(jià)比點(diǎn)，面向OEM(原始設(shè)備制造商)推出三款先進(jìn)的工業(yè)RF功率晶體管。 增強(qiáng)的耐用性與領(lǐng)先的RF性能結(jié)合，使OEM廠(chǎng)商能夠大幅縮減在工業(yè)和商用
2010-11-23 09:31:271367 CISSOID，在高溫和高可靠性的半導(dǎo)體解決方案的領(lǐng)導(dǎo)者，推出THEMIS和ATLAS，其功率晶體管驅(qū)動(dòng)器芯片組可令電機(jī)驅(qū)動(dòng)器
2010-12-06 09:14:341289 恩智浦半導(dǎo)體(NXP)日前宣布推出新一代GreenChip電源解決方案，待機(jī)功耗低于10mW，為業(yè)界最低。恩智浦GreenChip電源IC，也稱(chēng)為開(kāi)關(guān)電源控制器IC，
2011-03-18 10:03:421552 恩智浦半導(dǎo)體NXP Semiconductors N.V.(NASDAQ：NXPI)今日推出全系列超模壓塑料(OMP)射頻功率器件，其峰值功率可達(dá)2.5W到200W
2011-06-24 10:48:183017 2011年9月9日，德克薩斯州奧斯汀市 – 飛思卡爾半導(dǎo)體 (NYSE:FSL)宣布推出高功率射頻LDMOS晶體管，該產(chǎn)品結(jié)合了業(yè)界最高的輸出功率、效率和其同類(lèi)競(jìng)爭(zhēng)器件中最強(qiáng)的耐用性，專(zhuān)門(mén)面向U
2011-09-13 18:25:061462 意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics，簡(jiǎn)稱(chēng)ST;紐約證券交易所代碼：STM)推出新系列射頻(RF)功率晶體管。
2011-10-12 11:35:112156 恩智浦半導(dǎo)體NXP Semiconductors N.V. (NASDAQ：NXPI) 近日發(fā)布業(yè)內(nèi)首款采用2-mm x 2-mm 3管腳無(wú)引腳DFN封裝的中功率晶體管BC69PA
2011-11-30 16:20:224763 恩智浦半導(dǎo)體NXP近日發(fā)布LPC4300數(shù)字信號(hào)控制器(DSC)，這是迄今為止業(yè)內(nèi)速度最快的ARM? Cortex?-M4微控制器，其速度高達(dá)204MHz。
2011-12-06 15:54:467053 意法半導(dǎo)體推出打破高壓功率MOSFET晶體管世界記錄的MDmesh V功率MOSFET晶體管，MDmesh V系列已是市場(chǎng)上性能最高的功率MOSFET晶體管，擁有最低的單位面積通態(tài)電阻
2011-12-27 17:29:102989 
恩智浦半導(dǎo)體（NXP Semiconductors N.V.）（納斯達(dá)克：NXPI）近日宣布推出全新Gen8+ LDMOS RF功率晶體管，作為特別關(guān)注TD-LTE的無(wú)線(xiàn)基站第八代LDMOS產(chǎn)品線(xiàn)的擴(kuò)展產(chǎn)品。
2013-06-21 11:09:261974 恩智浦半導(dǎo)體（NXP Semiconductors N.V.）（納斯達(dá)克代碼：NXPI）今日推出BLF188XR – 其XR系列“超耐用” LDMOS 射頻功率晶體管的最新成員。BLF188XR專(zhuān)為最嚴(yán)酷的工程環(huán)境而設(shè)計(jì)，真實(shí)條件下耐用性更強(qiáng)， 能夠在5dB壓縮點(diǎn)承受超過(guò)65：1駐波比的嚴(yán)重負(fù)載失配。
2013-08-13 12:30:005027 中國(guó)上海，2013年11月4日訊——恩智浦半導(dǎo)體（NXP Semiconductors N.V.）（納斯達(dá)克代碼：NXPI）近日推出首款采用1.1-mm x 1-mm x 0.37-mm超薄DFN
2013-11-04 10:37:08832 恩智浦半導(dǎo)體推出ARM_Cortex-M3微控制器。
2016-01-22 14:23:5123 恩智浦半導(dǎo)體（NXP Semiconductors N.V.）（Nasdaq： NXPI）日前宣布推出MRF1K50H射頻晶體管，與采用任何技術(shù)或在任何頻率下的產(chǎn)品相比，都具有最強(qiáng)大的性能
2016-05-09 11:53:051173 智浦半導(dǎo)體NXP Semiconductors N.V.今天推出Airfast第三代產(chǎn)品，首發(fā)的是四顆用于蜂窩通信宏基站重點(diǎn) LDMOS晶體管方案。全新Airfast 3在技術(shù)上達(dá)到了新的里程碑，在
2016-11-25 16:16:471320 
2017年3月8日，作為半導(dǎo)體和光纖激光器的行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者，恩耐激光正式在中國(guó)地區(qū)發(fā)布全新element系列多模半導(dǎo)體激光器，此款產(chǎn)品的輸出功率為200W，光纖芯徑105 μm ， 發(fā)散角0．15 NA，是行業(yè)內(nèi)亮度最高的多模半導(dǎo)體激光器。
2017-03-09 09:45:072099 全球最大的射頻功率晶體管供應(yīng)商恩智浦半導(dǎo)體(NXP Semiconductors N.V.)今日宣布推出業(yè)內(nèi)面向915MHz應(yīng)用的最高功率晶體管。MRF13750H晶體管提供750W連續(xù)波(CW
2017-07-05 11:41:11652 本文將介紹雙極型晶體管的基本結(jié)構(gòu)。雙極晶體管是雙極型結(jié)型晶體管（BJT）的簡(jiǎn)稱(chēng)，在電力半導(dǎo)體中，也稱(chēng)作大功率晶體管（GTR），在現(xiàn)代電力電子變換器中大多已經(jīng)被MOSFET或者IGBT所代替。了解雙極晶體管有助于深入理解現(xiàn)代功率器件的結(jié)構(gòu)。
2018-03-05 16:12:1427406 
芯智控股與恩智浦半導(dǎo)體達(dá)成合作，成為其正式授權(quán)的IDH方案公司，攜手推出高性?xún)r(jià)比智能門(mén)鎖量產(chǎn)方案。
2018-04-20 08:52:003460 安譜隆半導(dǎo)體（Ampleon）今天宣布，推出600W的BLF0910H9LS600 LDMOS功率放大器晶體管。這是第一款采用安譜隆最新Gen9HV 50V LDMOS工藝的射頻能量晶體管——該節(jié)點(diǎn)已為大幅提高效率、功率和增益做了優(yōu)化。
2018-04-25 15:04:004912 固態(tài)技術(shù)為使用射頻能量的系統(tǒng)帶來(lái)了增強(qiáng)的控制功能和可靠性，人們對(duì)此早有認(rèn)識(shí)，但射頻功率晶體管缺少開(kāi)發(fā)工具來(lái)幫助工程師充分利用這些優(yōu)勢(shì)。全球最大的射頻功率晶體管供應(yīng)商恩智浦半導(dǎo)體（NASDAQ
2018-06-30 09:18:004559 埃賦隆半導(dǎo)體（Ampleon）今天宣布推出大功率堅(jiān)固型BLF189XRA RF功率晶體管，用于88-108MHz頻率范圍內(nèi)的廣播FM無(wú)線(xiàn)電應(yīng)用。
2018-09-30 16:41:003380 半導(dǎo)體的發(fā)明造就了現(xiàn)代集成電路，可以說(shuō)，沒(méi)有半導(dǎo)體的發(fā)現(xiàn)就沒(méi)有現(xiàn)代的電子世界。人們利用半導(dǎo)體發(fā)明了晶體管，晶體管根據(jù)發(fā)現(xiàn)的時(shí)間可以分為雙極性二極管和場(chǎng)效應(yīng)管，場(chǎng)效應(yīng)管又可以分為：結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管和金
2018-12-15 13:52:322065 關(guān)鍵詞：射頻功率 , LDMOS , BLC2425M10LS500P 埃賦隆半導(dǎo)體（Ampleon）面向工作在2400MHz至2500MHz頻率范圍內(nèi)的脈沖和連續(xù)波（CW）應(yīng)用，推出500W
2019-01-20 16:51:01994 荷蘭奈梅亨 – 埃賦隆半導(dǎo)體（Ampleon）今天宣布推出一款高效率750W射頻功率晶體管BLF0910H9LS750P。它在915MHz時(shí)效率為72.5%，為同類(lèi)最佳，其堅(jiān)固耐用型設(shè)計(jì)也使其成為了工業(yè)和專(zhuān)業(yè)射頻能源應(yīng)用的理想選擇。
2019-04-10 15:13:061280 埃賦隆半導(dǎo)體（Ampleon）近日宣布推出一款高效率750W射頻功率晶體管BLF0910H9LS750P。它在915MHz時(shí)效率為72.5%，為同類(lèi)最佳，其堅(jiān)固耐用型設(shè)計(jì)也使其成為了工業(yè)和專(zhuān)業(yè)射頻能源應(yīng)用的理想選擇。
2019-05-16 14:15:173332 mos晶體管，金屬-氧化物-半導(dǎo)體（Metal-Oxide-Semiconductor）結(jié)構(gòu)的晶體管簡(jiǎn)稱(chēng)MOS晶體管，有MOS管構(gòu)成的集成電路稱(chēng)為MOS集成電路。
2019-04-19 17:04:528653 功率MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管，即MOSFET，其原意是：MOS（MetalOxideSemiconductor金屬氧化物半導(dǎo)體），F(xiàn)ET（FieldEffectTransistor場(chǎng)效應(yīng)晶體管），即以金屬層（M）的柵極隔著氧化層（O）利用電場(chǎng)的效應(yīng)來(lái)控制半導(dǎo)體（S）的場(chǎng)效應(yīng)晶體管。
2019-10-11 10:26:3113044 
恩智浦半導(dǎo)體宣布一項(xiàng)UWB產(chǎn)品組合的擴(kuò)充——推出一種新型汽車(chē)UWB芯片。恩智浦UWB技術(shù)提供精確、安全、實(shí)時(shí)的定位功能，這是其他無(wú)線(xiàn)技術(shù)（如Wi-Fi、藍(lán)牙和GPS）無(wú)法比擬的。
2019-11-15 09:12:263668 中國(guó)電子報(bào)：恩智浦是全球最大的汽車(chē)半導(dǎo)體公司。作為業(yè)內(nèi)專(zhuān)家，您如何看待中國(guó)車(chē)用半導(dǎo)體市場(chǎng)的走勢(shì)？恩智浦將如何助力中國(guó)汽車(chē)的智能化、網(wǎng)聯(lián)化發(fā)展？
2020-09-12 10:29:403089 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《CC1120EM 868/915MHz參考設(shè)計(jì).zip》資料免費(fèi)下載
2022-09-05 14:16:085 高性能單層二硫化鉬晶體管的實(shí)現(xiàn)讓科研界看到了二維半導(dǎo)體的潛力，二維半導(dǎo)體材料的發(fā)展讓我們看到了晶體管縱向尺寸下目前的縮放極限（< 1 nm），同樣的科學(xué)家們也沒(méi)有停止追尋二維半導(dǎo)體晶體管橫向尺寸的極限（也就是晶體管溝道長(zhǎng)度的縮放極限）。
2022-10-17 10:50:043984 意法半導(dǎo)體(簡(jiǎn)稱(chēng)ST)推出了100W無(wú)線(xiàn)充電接收器芯片，這是業(yè)內(nèi)額定功率最高的無(wú)線(xiàn)充電接收芯片，面向當(dāng)前市場(chǎng)上最快的無(wú)線(xiàn)充電。使用意法半導(dǎo)體的新芯片STWLC99，不到30分鐘即可將一部電池容量最大的高端智能手機(jī)充滿(mǎn)電。
2022-12-08 10:17:041588 MOS晶體管
MOS晶體管全稱(chēng)是MOS型場(chǎng)效應(yīng)晶體管，簡(jiǎn)稱(chēng)MOS管。其中MOS的全稱(chēng)是MatelOxide Semiconductor，即金屬氧化物半導(dǎo)體。這種 晶體管結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，幾何尺寸可以做得
2023-02-15 15:56:300 恩智浦半導(dǎo)體公司 恩智浦半導(dǎo)體創(chuàng)立于2006年，其前身為荷蘭飛利浦公司于1953年成立的半導(dǎo)體事業(yè)部，總部位于荷蘭埃因霍溫。 [1-2] 恩智浦2010年在美國(guó)納斯達(dá)克上市。 [3] 2015年，恩
2023-03-27 14:32:001802 意法半導(dǎo)體新系列 IGBT晶體管將擊穿電壓提高到 1350V，最高工作溫度拓寬到175°C，更高的額定值確保晶體管在所有工作條件下具有更大的設(shè)計(jì)余量、耐變性能和更長(zhǎng)久的可靠性。
2023-09-12 10:38:001184 [半導(dǎo)體前端工藝：第一篇] 計(jì)算機(jī)、晶體管的問(wèn)世與半導(dǎo)體
2023-11-29 16:24:591063 
NMOS晶體管和PMOS晶體管是兩種常見(jiàn)的金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管（MOSFET）類(lèi)型，它們?cè)诙鄠€(gè)方面存在顯著的差異。以下將從結(jié)構(gòu)、工作原理、性能特點(diǎn)、應(yīng)用場(chǎng)景等方面詳細(xì)闡述NMOS晶體管和PMOS晶體管的區(qū)別。
2024-09-13 14:10:009540 近日，2024年9月30日，亞馬遜云科技宣布與全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體制造商恩智浦半導(dǎo)體（NXP? Semiconductors）的合作進(jìn)一步升級(jí)。恩智浦半導(dǎo)體計(jì)劃將其電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化（EDA）工作負(fù)載
2024-09-30 15:28:391970 意法半導(dǎo)體近期推出了標(biāo)準(zhǔn)閾值電壓(VGS(th))的40V STripFET F8 MOSFET晶體管系列。該系列晶體管融合了強(qiáng)化版溝槽柵技術(shù)的優(yōu)勢(shì)，并具備出色的抗噪能力，專(zhuān)為非邏輯電平控制的應(yīng)用場(chǎng)
2024-12-11 14:27:00971
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