Oak Ridge National Laboratory 最新的研究成果將可以解決以上問題，因?yàn)樗麄兊?20 千瓦無線充電系統(tǒng)在為 EV 充電時(shí)，有著 90% 的能源效率。
2016-04-05 09:46:39
1109 千瓦內(nèi)開關(guān)電源，環(huán)路調(diào)整有無必要？
2023-07-31 17:50:06
兩年多前，德州儀器宣布推出首款600V氮化鎵（GaN）功率器件。該器件不僅為工程師提供了功率密度和效率，且易于設(shè)計(jì)，帶集成柵極驅(qū)動(dòng)和穩(wěn)健的器件保護(hù)。從那時(shí)起，我們就致力于利用這項(xiàng)尖端技術(shù)將功率級(jí)
2022-11-10 06:36:09
的存在。1875年，德布瓦博德蘭（Paul-émile Lecoq de Boisbaudran）在巴黎被發(fā)現(xiàn)鎵，并以他祖國(guó)法國(guó)的拉丁語 Gallia (高盧)為這種元素命名它。純氮化鎵的熔點(diǎn)只有30
2023-06-15 15:50:54
從將PC適配器的尺寸減半，到為并網(wǎng)應(yīng)用創(chuàng)建高效、緊湊的10 kW轉(zhuǎn)換，德州儀器為您的設(shè)計(jì)提供了氮化鎵解決方案。LMG3410和LMG3411系列產(chǎn)品的額定電壓為600 V，提供從低功率適配器到超過2 kW設(shè)計(jì)的各類解決方案。
2019-08-01 07:38:40
的數(shù)十億次的查詢，便可以獲得數(shù)十億千瓦時(shí)的能耗。
更有效地管理能源并占用更小空間，所面臨的挑戰(zhàn)絲毫沒有減弱。氮化鎵（GaN）等新技術(shù)有望大幅改進(jìn)電源管理、發(fā)電和功率輸出的諸多方面。預(yù)計(jì)到2030年
2019-03-14 06:45:11
被譽(yù)為第三代半導(dǎo)體材料的氮化鎵GaN。早期的氮化鎵材料被運(yùn)用到通信、軍工領(lǐng)域，隨著技術(shù)的進(jìn)步以及人們的需求，氮化鎵產(chǎn)品已經(jīng)走進(jìn)了我們生活中，尤其在充電器中的應(yīng)用逐步布局開來，以下是采用了氮化鎵的快
2020-03-18 22:34:23
的挑戰(zhàn)絲毫沒有減弱。氮化鎵（GaN）等新技術(shù)有望大幅改進(jìn)電源管理、發(fā)電和功率輸出的諸多方面。預(yù)計(jì)到2030年，電力電子領(lǐng)域?qū)⒐芾泶蠹s80％的能源，而2005年這一比例僅為30％1。這相當(dāng)于30億千瓦時(shí)以上
2020-11-03 08:59:19
能源并占用更小空間，所面臨的挑戰(zhàn)絲毫沒有減弱。氮化鎵(GaN)等新技術(shù)有望大幅改進(jìn)電源管理、發(fā)電和功率輸出的諸多方面。預(yù)計(jì)到2030年，電力電子領(lǐng)域?qū)⒐芾泶蠹s80%的能源，而2005年這一比例僅為30
2018-11-20 10:56:25
在所有電力電子應(yīng)用中，功率密度是關(guān)鍵指標(biāo)之一，這主要由更高能效和更高開關(guān)頻率驅(qū)動(dòng)。隨著基于硅的技術(shù)接近其發(fā)展極限，設(shè)計(jì)工程師現(xiàn)在正尋求寬禁帶技術(shù)如氮化鎵（GaN）來提供方案。
2020-10-28 06:01:23
氮化鎵充電器從最開始量產(chǎn)至今，已過去了四年多，售價(jià)也從原本數(shù)百元天價(jià)到逐漸走向親民，近日發(fā)現(xiàn)，聯(lián)想悄然地發(fā)動(dòng)氮化鎵快充價(jià)格戰(zhàn)，65W 雙口氮化鎵快充直接將價(jià)格拉低至 59.9 元，一瓦已經(jīng)不足一元
2022-06-14 11:11:16
現(xiàn)在越來越多充電器開始換成氮化鎵充電器了，氮化鎵充電器看起來很小，但是功率一般很大，可以給手機(jī)平板，甚至筆記本電腦充電。那么氮化鎵到底是什么，氮化鎵充電器有哪些優(yōu)點(diǎn)，下文簡(jiǎn)單做個(gè)分析。一、氮化鎵
2021-09-14 08:35:58
直接導(dǎo)致了消費(fèi)級(jí)GaN充電器價(jià)格偏高，目前市面上的氮化鎵充電器基本上是一百多塊。不過隨著越來越多廠商參與進(jìn)來，相信技術(shù)會(huì)越來越成熟，成本下降只是時(shí)間問題。
在充電協(xié)議上，GaN 充電頭目前以PD協(xié)議
2025-01-15 16:41:14
氮化鎵功率半導(dǎo)體技術(shù)解析基于GaN的高級(jí)模塊
2021-03-09 06:33:26
氮化鎵為單開關(guān)電路準(zhǔn)諧振反激式帶來了低電荷（低電容）、低損耗的優(yōu)勢(shì)。和傳統(tǒng)慢速的硅器件，以及分立氮化鎵的典型開關(guān)頻率（65kHz）相比，集成式氮化鎵器件提升到的 200kHz。
氮化鎵電源 IC 在
2023-06-15 15:35:02
更?。篏aNFast? 功率芯片，可實(shí)現(xiàn)比傳統(tǒng)硅器件芯片 3 倍的充電速度，其尺寸和重量只有前者的一半，并且在能量節(jié)約方面，它最高能節(jié)約 40% 的能量。
更快：氮化鎵電源 IC 的集成設(shè)計(jì)使其非常
2023-06-15 15:32:41
卻在這兩個(gè)指標(biāo)上彰顯出了卓越的性能，同時(shí)，它還具備某些附加的技術(shù)優(yōu)勢(shì)。氮化鎵的原始功率密度比當(dāng)前砷化鎵和 LDMOS 技術(shù)的高很多，且支持將器件技術(shù)擴(kuò)展到高頻應(yīng)用。氮化鎵技術(shù)允許器件設(shè)計(jì)師在保持高頻率
2017-08-15 17:47:34
氮化鎵電源設(shè)計(jì)從入門到精通，這個(gè)系列直播共分為八講，本篇第六講將為您介紹EMC優(yōu)化和整改技巧，助您完成電源工程師從入門到精通的蛻變。前期回顧（點(diǎn)擊下方內(nèi)容查看上期直播）：- 第一講：元器件選型
2021-12-29 06:31:58
產(chǎn)生深遠(yuǎn)影響。MACOM估計(jì)，采用0.1美元/千瓦時(shí)的平均能量率模型時(shí)，僅將一年內(nèi)部署的新大型基站轉(zhuǎn)換為MACOM硅基氮化鎵技術(shù)一項(xiàng)便可節(jié)省超過1億美元的費(fèi)用。 新時(shí)代 硅基氮化鎵從早期研發(fā)到商業(yè)規(guī)模
2018-08-17 09:49:42
GaN如何實(shí)現(xiàn)快速開關(guān)？氮化鎵能否實(shí)現(xiàn)高能效、高頻電源的設(shè)計(jì)？
2021-06-17 10:56:45
深圳市尊信電子技術(shù)有限公司專業(yè)開發(fā)設(shè)計(jì)電子產(chǎn)品方案鈺泰，智融，賽芯微一級(jí)代理吉娜：*** 微信：mphanfan歡迎行業(yè)客戶聯(lián)系，獲取datasheet、報(bào)價(jià)、樣片等更多產(chǎn)品信息氮化鎵技術(shù)的普及，使
2021-11-28 11:16:55
功率氮化鎵電力電子器件具有更高的工作電壓、更高的開關(guān)頻率、更低的導(dǎo)通電阻等優(yōu)勢(shì)，并可與成本極低、技術(shù)成熟度極高的硅基半導(dǎo)體集成電路工藝相兼容，在新一代高效率、小尺寸的電力轉(zhuǎn)換與管理系統(tǒng)、電動(dòng)機(jī)
2018-11-05 09:51:35
本帖最后由 kuailesuixing 于 2018-2-28 11:36 編輯
整合意法半導(dǎo)體的制造規(guī)模、供貨安全保障和電涌耐受能力與MACOM的硅上氮化鎵射頻功率技術(shù)，瞄準(zhǔn)主流消費(fèi)
2018-02-12 15:11:38
，尤其是2010年以后，MACOM開始通過頻繁收購(gòu)來擴(kuò)充產(chǎn)品線與進(jìn)入新市場(chǎng)，如今的MACOM擁有包括氮化鎵（GaN）、硅鍺（SiGe）、磷化銦（InP）、CMOS、砷化鎵等技術(shù)，共有40多條生產(chǎn)線
2017-09-04 15:02:41
千瓦或 15 千瓦。這類高壓電源可滿足 OEM、工業(yè)、國(guó)防與航天、新能源以及含半導(dǎo)體和汽車測(cè)試、元器件測(cè)試/老化在內(nèi)的自動(dòng)測(cè)試設(shè)備等各種市場(chǎng)上形形色色應(yīng)用的需求?！ DK-Lambda
2018-10-09 10:49:57
igbtG60N100 BNTD D36BY能直接驅(qū)動(dòng)3千瓦電路嗎？
2014-03-21 23:56:58
Canaccord Genuity預(yù)計(jì)，到2025年，電動(dòng)汽車解決方案中每臺(tái)汽車的半導(dǎo)體構(gòu)成部分將增加50％或更多。本文將探討氮化鎵（GaN）電子器件，也涉及到一點(diǎn)碳化硅（SiC），在不增加汽車成本的條件下
2018-07-19 16:30:38
氮化鎵(GaN)的重要性日益凸顯，增加。因?yàn)樗c傳統(tǒng)的硅技術(shù)相比，不僅性能優(yōu)異，應(yīng)用范圍廣泛，而且還能有效減少能量損耗和空間的占用。在一些研發(fā)和應(yīng)用中，傳統(tǒng)硅器件在能量轉(zhuǎn)換方面，已經(jīng)達(dá)到了它的物理
2023-06-15 15:47:44
度為1.1 eV，而氮化鎵的禁帶寬度為3.4 eV。由于寬禁帶材料具備高電場(chǎng)強(qiáng)度，耗盡區(qū)窄短，從而可以開發(fā)出載流子濃度非常高的器件結(jié)構(gòu)。例如，一個(gè)典型的650V橫向氮化鎵晶體管，可以支持超過800V
2023-06-15 15:53:16
兩年多前，德州儀器宣布推出首款600V氮化鎵（GaN）功率器件。該器件不僅為工程師提供了功率密度和效率，且易于設(shè)計(jì)，帶集成柵極驅(qū)動(dòng)和穩(wěn)健的器件保護(hù)。從那時(shí)起，我們就致力于利用這項(xiàng)尖端技術(shù)將功率級(jí)
2020-10-27 09:28:22
eMode硅基氮化鎵技術(shù)，創(chuàng)造了專有的AllGaN?工藝設(shè)計(jì)套件（PDK），以實(shí)現(xiàn)集成氮化鎵 FET、氮化鎵驅(qū)動(dòng)器，邏輯和保護(hù)功能于單芯片中。該芯片被封裝到行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的、低寄生電感、低成本的 5×6mm 或
2023-06-15 14:17:56
通過SMT封裝，GaNFast? 氮化鎵功率芯片實(shí)現(xiàn)氮化鎵器件、驅(qū)動(dòng)、控制和保護(hù)集成。這些GaNFast?功率芯片是一種易于使用的“數(shù)字輸入、電源輸出” (digital in, power out
2023-06-15 16:03:16
氮化鎵南征北戰(zhàn)縱橫半導(dǎo)體市場(chǎng)多年，無論是吊打碳化硅，還是PK砷化鎵。氮化鎵憑借其禁帶寬度大、擊穿電壓高、熱導(dǎo)率大、電子飽和漂移速度高、抗輻射能力強(qiáng)和良好的化學(xué)穩(wěn)定性等優(yōu)越性質(zhì)，確立了其在制備寬波譜
2019-07-31 06:53:03
氮化鎵，由鎵（原子序數(shù) 31）和氮（原子序數(shù) 7）結(jié)合而來的化合物。它是擁有穩(wěn)定六邊形晶體結(jié)構(gòu)的寬禁帶半導(dǎo)體材料。禁帶，是指電子從原子核軌道上脫離所需要的能量，氮化鎵的禁帶寬度為 3.4eV，是硅
2023-06-15 15:41:16
=rgb(51, 51, 51) !important]射頻氮化鎵技術(shù)是5G的絕配，基站功放使用氮化鎵。氮化鎵（GaN）、砷化鎵（GaAs）和磷化銦（InP）是射頻應(yīng)用中常用的半導(dǎo)體材料。[color
2019-07-08 04:20:32
應(yīng)用領(lǐng)域，SiC和GaN形成競(jìng)爭(zhēng)。隨著碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)等新材料陸續(xù)應(yīng)用在二極管、場(chǎng)效晶體管(MOSFET)等組件上，電力電子產(chǎn)業(yè)的技術(shù)大革命已揭開序幕。這些新組件雖然在成本上仍比傳統(tǒng)硅
2021-09-23 15:02:11
客戶測(cè)試后再進(jìn)行下一步溝通。作為光隔離探頭的提供方，麥科信工程師對(duì)測(cè)試過程提供了技術(shù)支持。測(cè)試背景：3C消費(fèi)類產(chǎn)品，其電源采用氮化鎵（GaN）半橋方案。測(cè)試目的：氮化鎵半橋上下管的Vgs及Vds，分析
2023-02-01 14:52:03
的測(cè)試，讓功率半導(dǎo)體設(shè)備更快上市并盡量減少設(shè)備現(xiàn)場(chǎng)出現(xiàn)的故障。為幫助設(shè)計(jì)工程師厘清設(shè)計(jì)過程中的諸多細(xì)節(jié)問題，泰克與電源行業(yè)專家攜手推出“氮化鎵電源設(shè)計(jì)從入門到精通“8節(jié)系列直播課，氮化鎵電源設(shè)計(jì)從入門到
2020-11-18 06:30:50
導(dǎo)讀：將GaN FET與它們的驅(qū)動(dòng)器集成在一起可以改進(jìn)開關(guān)性能，并且能夠簡(jiǎn)化基于GaN的功率級(jí)設(shè)計(jì)。氮化鎵 (GaN) 晶體管的開關(guān)速度比硅MOSFET快很多，從而有可能實(shí)現(xiàn)更低的開關(guān)損耗。然而，當(dāng)
2022-11-16 06:23:29
如何設(shè)計(jì)GaN氮化鎵 PD充電器產(chǎn)品？
2021-06-15 06:30:55
已經(jīng)在電池上采用多極耳，多條連接線來降低大電流的發(fā)熱。氮化鎵的低阻抗優(yōu)勢(shì)，可以有效的降低快充發(fā)熱。應(yīng)用在手機(jī)電池保護(hù)板上，可以支持更高的快充功率，延長(zhǎng)快充持續(xù)時(shí)間，獲得更好的快充體驗(yàn)。同時(shí)氮化鎵屬于寬禁
2023-02-21 16:13:41
氮化鎵(GaN)是一種全新的使能技術(shù)，可實(shí)現(xiàn)更高的效率、顯著減小系統(tǒng)尺寸、更輕和于應(yīng)用中取得硅器件無法實(shí)現(xiàn)的性能。那么，為什么關(guān)于氮化鎵半導(dǎo)體仍然有如此多的誤解？事實(shí)又是怎樣的呢？
關(guān)于氮化鎵技術(shù)
2023-06-25 14:17:47
射頻半導(dǎo)體技術(shù)的市場(chǎng)格局近年發(fā)生了顯著變化。數(shù)十年來，橫向擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體(LDMOS)技術(shù)在商業(yè)應(yīng)用中的射頻半導(dǎo)體市場(chǎng)領(lǐng)域起主導(dǎo)作用。如今，這種平衡發(fā)生了轉(zhuǎn)變，硅基氮化鎵(GaN-on-Si)技術(shù)成為接替?zhèn)鹘y(tǒng)LDMOS技術(shù)的首選技術(shù)。
2019-09-02 07:16:34
日前，在廣州舉行的2013年LED外延芯片技術(shù)及設(shè)備材料最新趨勢(shì)專場(chǎng)中，晶能光電硅襯底LED研發(fā)副總裁孫錢博士向與會(huì)者做了題為“硅襯底氮化鎵大功率LED的研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化”的報(bào)告，與同行一道分享了硅襯底
2014-01-24 16:08:55
1.請(qǐng)問一下ade7880如果測(cè)kwh(千瓦小時(shí))，是讀那一個(gè)暫存器。2.目前案子需要使用ade7880來檢視重載電壓，重載電流，短路，錯(cuò)相，欠相，各相相角差。請(qǐng)問ade7880有暫存器可以判斷嗎，要配合那些暫存器才能判斷檢視上述功能。
2018-10-09 17:53:33
氮化鎵GaN是什么？
2021-06-16 08:03:56
現(xiàn)在氮化鎵材料技術(shù)比較成熟，芯源的MOS管也是用的氮化鎵材料技術(shù)嘛？
2025-11-14 07:25:48
，是氮化鎵功率芯片發(fā)展的關(guān)鍵人物。
首席技術(shù)官 Dan Kinzer在他長(zhǎng)達(dá) 30 年的職業(yè)生涯中，長(zhǎng)期擔(dān)任副總裁及更高級(jí)別的管理職位，并領(lǐng)導(dǎo)研發(fā)工作。他在硅、碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）功率芯片方面
2023-06-15 15:28:08
了當(dāng)時(shí)功率半導(dǎo)體界的一項(xiàng)大膽技術(shù)：氮化鎵（GaN）。對(duì)于強(qiáng)大耐用的射頻放大器在當(dāng)時(shí)新興的寬帶無線網(wǎng)絡(luò)、雷達(dá)以及電網(wǎng)功率切換應(yīng)用中的使用前景，他們表達(dá)了樂觀的看法。他們稱氮化鎵器件為“迄今為止最堅(jiān)固耐用
2023-02-27 15:46:36
就可以實(shí)現(xiàn)。正是由于我們推出了LMG3410—一個(gè)用開創(chuàng)性的氮化鎵 (GaN) 技術(shù)搭建的高壓、集成驅(qū)動(dòng)器解決方案，相對(duì)于傳統(tǒng)的、基于硅材料的技術(shù)，創(chuàng)新人員將能夠創(chuàng)造出更加小巧、效率更高、性能更佳
2022-11-16 07:42:26
就可以實(shí)現(xiàn)。正是由于我們推出了LMG3410—一個(gè)用開創(chuàng)性的氮化鎵 (GaN) 技術(shù)搭建的高壓、集成驅(qū)動(dòng)器解決方案，相對(duì)于傳統(tǒng)的、基于硅材料的技術(shù)，創(chuàng)新人員將能夠創(chuàng)造出更加小巧、效率更高、性能更佳
2018-08-30 15:05:50
1千瓦等于多少安培?
1kW=1A乘以1V,即p=I乘以U。而I的單位是安培，U的單位是伏特。
2008-08-13 01:34:4343504
PWM 300-1000W(千瓦)全自動(dòng)應(yīng)急電源電路 (國(guó)外電源電路)原理圖
2008-11-03 10:47:131459 
首批商用氮化鎵集成功率級(jí)器件
國(guó)際整流器公司 (International Rectifier，簡(jiǎn)稱IR) 推出行業(yè)首個(gè)商用集成功率級(jí)產(chǎn)品系列，采用了IR革命性的氮化鎵 (GaN) 功率
2010-03-06 09:44:011092 
相信大家對(duì)千瓦和千瓦時(shí)這兩個(gè)單位都曾有耳聞，但相信有相當(dāng)一部分朋友像我一樣不知道他們的具體區(qū)別，那就跟大家普及一下這方面的知識(shí)。
2012-12-03 09:41:5350712 高功率光纖激光市場(chǎng)前景一片大好，大力發(fā)展高功率光纖激光技術(shù)將會(huì)是未來炙手可熱的研究方向之一。具有光束質(zhì)量好、效率高、散熱性好等優(yōu)點(diǎn)。千瓦級(jí)的突破將促生繁榮市場(chǎng)的出現(xiàn)，前景可能遠(yuǎn)超你的想象。
2018-01-02 15:23:322259 
近日，銀欣發(fā)布了號(hào)稱世界上最小的千瓦級(jí)電源ST1200－PTS和ST1000－PTS，兩款都是全模塊化PSU，長(zhǎng)度僅為14厘米，分別具有1200W和1000W的輸出功率。
2018-12-10 11:32:002278 毫無疑問，氮化鎵在半導(dǎo)體競(jìng)爭(zhēng)中處于領(lǐng)先地位，可用于超級(jí)電源開關(guān)。
2019-05-31 15:35:513468 5日，記者從在長(zhǎng)沙召開的國(guó)家重點(diǎn)研發(fā)計(jì)劃《高效高可靠LED燈具關(guān)鍵技術(shù)研究》中期檢查會(huì)上獲悉，項(xiàng)目首席科學(xué)家、中國(guó)科學(xué)院工程熱物理研究所胡學(xué)功研究員團(tuán)隊(duì)，攻克了大功率、高功率密度LED散熱技術(shù)，其自主研發(fā)的世界首個(gè)千瓦級(jí)高功率密度LED體育場(chǎng)館燈正式下線。
2019-07-08 15:07:442371 單相電機(jī)最大3千瓦，電流約13安，如果大于3千瓦，單相電流過大，會(huì)引起整個(gè)用電系統(tǒng)三相電流嚴(yán)重不平衡，導(dǎo)致線路及變壓器的損壞。所以在單相電機(jī)的生產(chǎn)上有嚴(yán)格的控制。
2020-03-14 11:24:4429740 本文檔的主要內(nèi)容詳細(xì)介紹的是東派千瓦逆變器的電路原理圖免費(fèi)下載。
2020-03-30 08:00:00
22 周三，Sonnen發(fā)布了其新推出的三相“Sonnenbatterie 10性能”。該德國(guó)制造商表示，該儲(chǔ)能系統(tǒng)有8千瓦的充放電功率。其儲(chǔ)能容量可達(dá)55千瓦時(shí)。
2020-06-18 16:23:513174 從研發(fā)到商業(yè)化應(yīng)用，氮化鎵的發(fā)展是當(dāng)下的顛覆性技術(shù)創(chuàng)新，其影響波及了現(xiàn)今整個(gè)微波和射頻行業(yè)。氮化鎵對(duì)眾多射頻應(yīng)用的系統(tǒng)性能、尺寸及重量產(chǎn)生了明確而深刻的影響，并實(shí)現(xiàn)了利用傳統(tǒng)半導(dǎo)體技術(shù)無法實(shí)現(xiàn)的系統(tǒng)級(jí)解決方案，其市場(chǎng)潛力剛剛開始被關(guān)注。
2020-07-06 14:09:192074 印度的研究人員開發(fā)了一種5千瓦／25千瓦時(shí)的釩氧化還原流電池，其能量密度為每升30至40瓦時(shí)。
2020-09-23 15:36:542307 印度的研究人員開發(fā)了一種5千瓦／25千瓦時(shí)的釩氧化還原流電池，其能量密度為每升30至40瓦時(shí)。
2020-09-26 11:47:381027 千瓦熱插拔/斷路器，帶遙測(cè)功能
2021-05-20 17:47:386 氮化鎵充電器從最開始量產(chǎn)至今，已過去了四年多，售價(jià)也從原本數(shù)百元天價(jià)到逐漸走向親民，近日充電頭網(wǎng)發(fā)現(xiàn)，聯(lián)想悄然地發(fā)動(dòng)氮化鎵快充價(jià)格戰(zhàn)，65W 雙口氮化鎵快充直接將價(jià)格拉低至 59.9 元，一瓦已經(jīng)不足一元，并且順豐包郵。
2022-06-14 10:13:494378 支持瓦特到千瓦級(jí)應(yīng)用的氮化鎵技術(shù)
2022-11-01 08:25:401 普通消費(fèi)者，甚至對(duì)氮化鎵了解不多的工程師，普遍認(rèn)為氮化鎵只能實(shí)現(xiàn)幾十瓦到一百多瓦的輸出功率。這種情況基本屬實(shí)，因?yàn)樵鰪?qiáng)型氮化鎵目前只有QFN/DFN和TOLL等貼片封裝形式，在中大功率應(yīng)用場(chǎng)景的散熱問題難以解決。
2022-11-25 15:41:282258 什么是氮化鎵技術(shù) 氮化鎵（GaN：Gallium Nitride）是氮和鎵化合物，具體半導(dǎo)體特性，早期應(yīng)用于發(fā)光二極管中，它與常用的硅屬于同一元素周期族，硬度高熔點(diǎn)高穩(wěn)定性強(qiáng)。氮化鎵材料是研制微電子
2023-02-03 14:14:454116 硅基氮化鎵技術(shù)是一種將氮化鎵器件直接生長(zhǎng)在傳統(tǒng)硅基襯底上的制造工藝。在這個(gè)過程中，由于氮化鎵薄膜直接生長(zhǎng)在硅襯底上，可以利用現(xiàn)有硅基半導(dǎo)體制造基礎(chǔ)設(shè)施實(shí)現(xiàn)低成本、大批量的氮化鎵器件產(chǎn)品的生產(chǎn)。
2023-02-06 15:47:337265 
硅基氮化鎵是一個(gè)正在走向成熟的顛覆性半導(dǎo)體技術(shù)，硅基氮化鎵技術(shù)是一種將氮化鎵器件直接生長(zhǎng)在傳統(tǒng)硅基襯底上的制造工藝。在這個(gè)過程中，由于氮化鎵薄膜直接生長(zhǎng)在硅襯底上，可以利用現(xiàn)有硅基半導(dǎo)體制造基礎(chǔ)設(shè)施實(shí)現(xiàn)低成本、大批量的氮化鎵器件產(chǎn)品的生產(chǎn)。
2023-02-06 16:44:264967 
氮化鎵（GaN）主要是指一種由人工合成的半導(dǎo)體材料，是第三代半導(dǎo)體材料的典型代表， 研制微電子器件、光電子器件的新型材料。氮化鎵技術(shù)及產(chǎn)業(yè)鏈已經(jīng)初步形成，相關(guān)器件快速發(fā)展。第三代半導(dǎo)體氮化鎵產(chǎn)業(yè)范圍涵蓋氮化鎵單晶襯底、半導(dǎo)體器件芯片設(shè)計(jì)、制造、封測(cè)以及芯片等主要應(yīng)用場(chǎng)景。
2023-02-07 09:36:562408 
硅基氮化鎵技術(shù)原理是指利用硅和氮化鎵的特性，將其結(jié)合在一起，形成一種新的復(fù)合材料，以滿足電子元件、電子器件和電子零件的制造要求。硅基氮化鎵具有良好的熱穩(wěn)定性和電磁屏蔽性，可以用于制造電子元件、電子器件和電子零件，而氮化鎵則可以提供良好的電子性能和絕緣性能。
2023-02-14 14:46:582276 氮化鎵技術(shù)是誰突破的技術(shù) 作為支撐“新基建”建設(shè)的關(guān)鍵核心器件，氮化鎵應(yīng)用范圍非常廣泛，氮化鎵在數(shù)據(jù)中心，新能源汽車等領(lǐng)域都有運(yùn)用。那么這么牛的氮化鎵技術(shù)是誰突破的技術(shù)？ 氮化鎵技術(shù)是誰突破的技術(shù)
2023-02-16 17:48:445865 在一個(gè)封裝中進(jìn)行復(fù)雜集成來節(jié)省系統(tǒng)級(jí)成本，并減少電路板元件數(shù)量。從將PC適配器的尺寸減半，到為并網(wǎng)應(yīng)用創(chuàng)建高效、緊湊的10kW轉(zhuǎn)換，德州儀器為您的設(shè)計(jì)提供了氮化鎵解決方案。LMG3410和LMG3411系列產(chǎn)品的額定電壓為600 V，提供從低功率適配器到超過2 kW設(shè)計(jì)的各類解決方案。
2023-03-31 09:14:29921 
隨著科學(xué)技術(shù)的不斷進(jìn)步，充電技術(shù)也在發(fā)生著前所未有的變革，而隨著其中，氮化鎵充電頭已成為人們關(guān)注的新熱點(diǎn)。那么，氮化鎵充電頭的原理是什么呢？KeepTops將為您詳細(xì)闡述氮化鎵充電頭的制作、工作原理及應(yīng)用。
2023-10-20 16:04:064631 
22千瓦的電機(jī)用多少平方線？本文主要以精準(zhǔn)計(jì)算和估算兩種方法得住結(jié)果。
2023-10-23 14:58:0411665 氮化鎵芯片是什么？氮化鎵芯片優(yōu)缺點(diǎn) 氮化鎵芯片和硅芯片區(qū)別? 氮化鎵芯片是一種用氮化鎵物質(zhì)制造的芯片，它被廣泛應(yīng)用于高功率和高頻率應(yīng)用領(lǐng)域，如通信、雷達(dá)、衛(wèi)星通信、微波射頻等領(lǐng)域。與傳統(tǒng)的硅芯片相比
2023-11-21 16:15:3011007 首批超級(jí)充電站計(jì)劃于2023年11月在孟買和維洛爾的CCD啟用。這些站點(diǎn)配備了180千瓦雙槍充電器和360千瓦電源柜。這是該技術(shù)首次在印度引入。CHARGE+ZONE的超級(jí)充電器旨在將交流（AC）轉(zhuǎn)換為直流（DC），直接向電動(dòng)汽車電池提供高功率直流電壓和電流，以實(shí)現(xiàn)快速充電。
2023-11-21 15:33:531212 
氮化鎵是什么材料提取的 氮化鎵是一種新型的半導(dǎo)體材料，需要選用高純度的金屬鎵和氨氣作為原料提取，具有優(yōu)異的物理和化學(xué)性能，廣泛應(yīng)用于電子、通訊、能源等領(lǐng)域。下面我們將詳細(xì)介紹氮化鎵的提取過程和所
2023-11-24 11:15:206428 氮化鎵技術(shù)（GaN技術(shù)）是一種基于氮化鎵材料的半導(dǎo)體技術(shù)，被廣泛應(yīng)用于電子設(shè)備、光電子器件、能源、通信和國(guó)防等領(lǐng)域。本文將詳細(xì)介紹氮化鎵技術(shù)的用途和應(yīng)用，并從不同領(lǐng)域深入探討其重要性和優(yōu)勢(shì)。 一
2024-01-09 18:06:363957 電線是電能傳輸?shù)闹匾M成部分，在電力系統(tǒng)中起著關(guān)鍵的作用。為了保護(hù)電線線路的安全運(yùn)行，需要準(zhǔn)確計(jì)算電線的承載能力。電線的承載能力是指其能夠承受的最大功率，通常以千瓦（kW）為單位來表示。本文將詳細(xì)
2024-01-16 10:53:094645 本文要點(diǎn)氮化鎵是一種晶體半導(dǎo)體，能夠承受更高的電壓。氮化鎵器件的開關(guān)速度更快、熱導(dǎo)率更高、導(dǎo)通電阻更低且擊穿強(qiáng)度更高。氮化鎵技術(shù)可實(shí)現(xiàn)高功率密度和更小的磁性。氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC)是兩種
2024-07-06 08:13:181988 
南柯電子｜30千瓦的便攜式電源EMC如何整改呢？
2025-05-22 09:35:49557 
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2025-06-19 09:42:56668 深圳南柯電子｜30千瓦的高壓線束EMC如何整改呢？
2025-07-10 09:36:16451 電源轉(zhuǎn)換的需求。這三款晶體管支持功率范圍從1千瓦到10千瓦及以上，適用于各種新興的800伏高壓直流拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)。隨著人工智能(AI)、電動(dòng)汽車(EV)和可再生能源的迅
2025-07-14 10:17:383209 
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2025-07-17 11:05:28682 南柯電子｜30千瓦的顯示屏EMC如何整改呢？
2025-07-24 09:35:12508 隨著智能廚房設(shè)備功率密度持續(xù)升級(jí)，30千瓦級(jí)大功率廚房電器的電磁兼容性（EMC）問題日益凸顯。行業(yè)數(shù)據(jù)顯示，約60%的便攜式電源產(chǎn)品因傳導(dǎo)發(fā)射超標(biāo)導(dǎo)致認(rèn)證失敗，不僅延誤上市周期，單次整改成本甚至
2025-08-29 17:50:38543
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