功率MOS管的損壞機(jī)理介紹
此文主要參考renasus功率二極管應(yīng)用說明，考慮大部分人比較懶，有針對(duì)性的分成幾個(gè)部分，第一個(gè)部分是介紹，就是本文，以后會(huì)把對(duì)策
2009-11-21 10:48:58
2894 電源工程師最怕什么？炸機(jī)！用著用著就壞了，莫名其妙MOS管就炸了，真是又怕又恨，可到底是哪里出問題了呢？這一切都和SOA相關(guān)。
2017-11-29 07:43:0015426 
如何從MOS管的驅(qū)動(dòng)波形來判斷驅(qū)動(dòng)好不好，到底是哪里出了問題？本文分享幾種常見的MOS管驅(qū)動(dòng)波形。
2023-02-08 09:58:553039 摘要：前兩天同學(xué)做了一個(gè)電路，功能就是用MOS管來控制一個(gè)電源的開關(guān),但是做出來后發(fā)現(xiàn)不能用控制MOS管的開關(guān)，MOS管一直處于導(dǎo)通狀態(tài)。一起來看看到底是什么原因？
2023-06-06 10:36:522861 
怎么判定MOS管的帶載能力，如何選擇MOS管?
2023-07-24 13:14:522268 
? 什么是MOS管？ MOS管的英文全稱叫MOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)，即金屬氧化物半導(dǎo)體型場效應(yīng)管，屬于
2023-08-01 09:59:068431 
極限參數(shù)也叫絕對(duì)最大額定參數(shù)，MOS管在使用過程當(dāng)中，任何情況下都不能超過下圖的這些極限參數(shù)，否則MOS管有可能損壞。
2023-09-24 11:47:472841 
EE工程師都會(huì)面臨MOSFET的選型問題，無論是功率級(jí)別應(yīng)用的Power MOS還是信號(hào)級(jí)別的Signal MOSFET，他們的Datasheet中，一定會(huì)給出MOSFET的三個(gè)結(jié)電容隨Vds電壓變化的曲線。
2023-12-05 17:32:552317 
MOS在控制器電路中的工作狀態(tài)：開通過程（由截止到導(dǎo)通的過渡過程）、導(dǎo)通狀態(tài)、關(guān)斷過程（由導(dǎo)通到截止的過渡過程）、截止?fàn)顟B(tài)。
2024-02-26 11:40:04765 
MOS5C100J
2023-03-29 22:00:22
MOS5C103J
2023-03-29 21:39:06
MOS5C104J
2023-03-29 22:05:02
請(qǐng)較大家，MOS管DS擊穿在什么情況易發(fā)生，最近一產(chǎn)品在家里面用從來沒有壞過！但是拿出去用很容易損壞！條件沒什么特殊的
2012-09-17 13:42:15
損耗的限制形成一個(gè)工作區(qū)域，稱為安全工作區(qū)，如下圖所示。安全工作區(qū)可以避免管子因結(jié)溫過高而損壞。2、器件手冊(cè)SOA曲線圖:示波器的測(cè)試應(yīng)用非常簡單，使用電壓、電流探頭正常測(cè)試開關(guān)管MOS管的VDS
2019-04-08 13:42:38
，MOS管和IGBT管到底有什么區(qū)別吧！ 什么是MOS管？場效應(yīng)管主要有兩種類型，分別是結(jié)型場效應(yīng)管（JFET）和絕緣柵場效應(yīng)管（MOS管）。MOS管即MOSFET，中文全稱是金屬-氧化物半導(dǎo)體
2022-04-01 11:10:45
，MOS管和IGBT管到底有什么區(qū)別吧！ 什么是MOS管 場效應(yīng)管主要有兩種類型，分別是結(jié)型場效應(yīng)管（JFET）和絕緣柵場效應(yīng)管（MOS管）。 MOS管即MOSFET，中文全稱是金屬-氧化物半導(dǎo)體
2020-07-19 07:33:42
專注生產(chǎn)設(shè)計(jì)MOS管場效應(yīng)管的平臺(tái)，我們生產(chǎn)的MOS管具備高耐壓，低內(nèi)阻等特點(diǎn)，品質(zhì)高保障。歡迎有需要的人士前來咨詢，可免費(fèi)提供樣品！mos管的應(yīng)用場景，你了解么？
2018-11-14 09:24:34
進(jìn)行正常工作，一般打開檢查的時(shí)候都會(huì)看到有功率管被燒毀了，對(duì)于一般的人來說，如果你不懂或者沒有使用指南或者說明書你是不知道這個(gè)管到底是做什么的，如果這個(gè)時(shí)候你隨便換上一個(gè)功率管的話，如果接通電源就會(huì)燒保險(xiǎn)
2017-03-31 14:15:39
電壓、最大電流。 但很多時(shí)候也僅僅考慮了這些因素，這樣的電路也許可以正常工作，但并不是一個(gè)最好的設(shè)計(jì)方案?！ 《鴮?duì)MOS管更細(xì)致地追求，還應(yīng)考慮本身寄生的參數(shù)。對(duì)一...
2022-01-03 06:54:52
請(qǐng)問LVPECL終端的設(shè)計(jì)考慮因素有哪些？
2021-04-13 06:00:54
想必電路設(shè)計(jì)的設(shè)計(jì)師在選擇MOS管是都有考慮過一個(gè)問題，是該選擇P溝MOS管還是N溝MOS管？作為廠家而言，一定是想要自己的產(chǎn)品能夠以更低的價(jià)格來競爭其他的商家，也需要反復(fù)推選。那到底該怎么挑選呢？具有豐富經(jīng)驗(yàn)的飛虹MOS管廠家這就為大家分享。
2019-01-24 17:48:59
什么是MOS管？MOS管的工作原理是什么？MOS管和晶體三極管相比有何特性呢？
2022-02-22 07:53:36
MOS管學(xué)名是場效應(yīng)管，是金屬-氧化物-半導(dǎo)體型場效應(yīng)管，屬于絕緣柵型，本文就結(jié)構(gòu)構(gòu)造、特點(diǎn)、實(shí)用電路等幾個(gè)方面用工程師的話詳細(xì)描述。
2021-03-11 06:11:03
在0.7V左右）；這是直流仿真，V4是自變量。一旦按照需要修改寬長后（如圖二），mos管就一直處于截止?fàn)顟B(tài)，這到底是怎么回事？1、還有，在on_mos庫中的mos管（如MMSF4205/ON）都是有確定
2015-04-16 21:36:28
`關(guān)于MOS管一直都是電路設(shè)計(jì)的工程師熱衷討論的話題之一，而廠家更想看到的是更換MOS管能夠提高產(chǎn)品效能的作用，而在實(shí)際工作中，各種電器設(shè)備時(shí)，遇到元器件損壞應(yīng)該采用相同型號(hào)的元件進(jìn)行更換。有些時(shí)候
2019-02-23 16:23:40
哪位大神能幫忙分析下這個(gè)電路，安裝電池的過程中MOS管會(huì)有20%的損壞。除開靜電的損壞，還有有其他可能沒有呢?
2018-09-11 13:36:23
` MOS管是廣泛應(yīng)用于音響、家電、充電器等眾多領(lǐng)域，毫不夸張的說，只要是接觸電子電路方面的從業(yè)人員，必定會(huì)聽說過mos管。而電路設(shè)計(jì)人員是接觸得最多。實(shí)際上，MOS管是一種用輸出電壓控制輸出電流
2018-12-28 11:54:50
影響GPS定位精度的因素有哪些？
2021-05-14 06:13:45
上面因素?！ ∥?、選取耐壓BVDSS 在大多數(shù)情況下，因?yàn)樵O(shè)計(jì)的電子系統(tǒng)輸入電壓是相對(duì)固定的，公司選取特定的供應(yīng)商的一些料號(hào)，產(chǎn)品額定電壓也是固定的。 數(shù)據(jù)表中功率MOS管的擊穿電壓BVDSS有
2018-11-19 15:21:57
久了，看了好多網(wǎng)友問起MOS管的事情，有很多童靴對(duì)MOS管的使用不是很熟悉，今天有空給大家說幾個(gè)關(guān)于MOS管的技巧的幾個(gè)實(shí)用技巧的事情?！ 榱税褑栴}說的明白些，還是有必要把MOS管的身世先介紹一下
2018-11-08 14:11:41
時(shí)產(chǎn)生的回掃電壓，或者由漏磁電感產(chǎn)生的尖峰電壓超出功率MOS管的漏極額定耐壓并進(jìn)入擊穿區(qū)而導(dǎo)致破壞的模式會(huì)引起雪崩破壞?！ 〉湫碗娐? 二、器件發(fā)熱損壞 由超出安全區(qū)域弓|起發(fā)熱而導(dǎo)致的。發(fā)熱的原因
2018-11-21 13:52:55
` MOS管的導(dǎo)通電阻小而且柵極驅(qū)動(dòng)也不需要電流，所以它造成的損耗較小。除此之外還具備熱特性好、自動(dòng)保護(hù)二極管等優(yōu)點(diǎn)，這也使它獲得了大多數(shù)廠商的青睞?，F(xiàn)如今，有許多的電子行業(yè)廠家都會(huì)采用性能優(yōu)秀
2018-12-27 13:49:40
通路就形成。這個(gè)電流通路的電阻被成為MOS管內(nèi)阻，也就是導(dǎo)通電阻。這個(gè)內(nèi)阻大小基本決定了MOS管芯片能承受的最大導(dǎo)通電流（當(dāng)然和其它因素有關(guān)，最有關(guān)的是熱阻）。內(nèi)阻越小承受電流越大（因?yàn)榘l(fā)熱?。?。`
2019-02-28 10:53:29
9V的電壓。更換下方MOS，恢復(fù)正常。器件型號(hào)，TVS PESD24S1UB；PMOS DMP510DL。由于問題故障率太大，不能進(jìn)行生產(chǎn)。請(qǐng)各位大大幫忙看看到底為什么會(huì)導(dǎo)致MOS損壞。怎么解決？謝謝`
2019-12-30 10:30:50
續(xù)流二極管到底是什么
2023-06-26 07:55:08
芯片中的二極管到底是如何實(shí)現(xiàn)單向?qū)щ姷哪兀?
2023-05-05 10:02:15
產(chǎn)品在某一個(gè)批次的生產(chǎn)中突然發(fā)現(xiàn)20%的DC-DC芯片不通電，并且都表現(xiàn)為下MOS損壞。外圍硬件設(shè)計(jì)，有什么因素可能導(dǎo)致下MOS管損壞呢？如何去分析對(duì)比電源IC批次性差異呢？
2023-01-12 17:01:27
Mos使用知識(shí)
在使用MOS管設(shè)計(jì)開關(guān)電源或者馬達(dá)驅(qū)動(dòng)電路的時(shí)候，大部分人都會(huì)考慮MOS的導(dǎo)通電阻，最大電壓等，最大電流等，也有很多人僅僅考慮這些因素。這樣的電路也
2010-04-10 22:20:03
0 主要介紹電源中功率MOS損壞分析，為從事此方面的模擬故障診斷工程師提供參考。
2015-10-28 11:07:2315 在使用 MOS 管設(shè)計(jì)開關(guān)電源或者馬達(dá)驅(qū)動(dòng)電路的時(shí)候，一般都要考慮 MOS 的導(dǎo)通電阻，最大電壓等，
最大電流等因素。
2016-02-23 14:39:5988 MOS管介紹在使用MOS管設(shè)計(jì)開關(guān)電源或者馬達(dá)驅(qū)動(dòng)電路的時(shí)候，一般都要考慮MOS的導(dǎo)通電阻，最大電壓等，最大
2017-10-24 11:19:2016965 
電源工程師最怕什么？炸機(jī)！用著用著就壞了，莫名其妙MOS管就炸了，真是又怕又恨，可到底是哪里出問題了呢？這一
2017-11-01 07:18:0014336 
本文開始介紹了MOS管概念和MOS管工作原理，其次介紹了MOS管的性能參數(shù)以及mos管三個(gè)引腳的區(qū)分方法，最后介紹了MOS管是如何快速判斷與好壞及引腳性能的以及介紹了mos管的作用。
2018-04-03 14:30:30105443 
三極管是流控型器件，MOS管是壓控型器件，兩者存在相似之處。三極管機(jī)可能經(jīng)常用，但MOS管你用的可能較少。對(duì)于MOS管先拋出幾個(gè)問題：
2018-07-17 19:36:49101155 
想必電路設(shè)計(jì)的設(shè)計(jì)師在選擇 MOS管 是都有考慮過一個(gè)問題，是該選擇P溝MOS管還是N溝MOS管？作為廠家而言，一定是想要自己的產(chǎn)品能夠以更低的價(jià)格來競爭其他的商家，也需要反復(fù)推選。那到底該怎么挑選
2019-02-22 16:02:015427 常常會(huì)有廠家將 MOS管 和三極管進(jìn)行對(duì)比，甚至有些時(shí)候還會(huì)產(chǎn)生疑問。到底為什么不使用三極管來代替MOS管？實(shí)際上，MOS管與三極管有許多不同的特點(diǎn)，一些廠家還不清楚，而飛虹作為30年來一直銷售生產(chǎn)
2019-03-24 22:50:02822 MOS管即MOSFET，中文全稱是金屬-氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管，由于這種場效應(yīng)管的柵極被絕緣層隔離，所以又叫絕緣柵場效應(yīng)管。
2020-04-04 16:40:004478 
什么是MOS管？它有什么特點(diǎn)？在常見的控制器電路中，MOS管有幾個(gè)工作狀態(tài)，而MOS 主要損耗也對(duì)應(yīng)這幾個(gè)狀態(tài)，本文就來探討一下MOS的這些狀態(tài)的原理。MOS的工作狀態(tài)分為：開通過程（由截止到導(dǎo)通的過渡過程）、導(dǎo)通狀態(tài)、關(guān)斷過程（由導(dǎo)通到截止的過渡過程）、截止?fàn)顟B(tài)。
2020-08-09 14:15:005952 ，截止損耗（漏電流引起的，這個(gè)忽略不計(jì)），還有雪崩能量損耗。只要把這些損耗控制在Mos承受規(guī)格之內(nèi)，Mos即會(huì)正常工作，超出承受范圍，即發(fā)生損壞。而開關(guān)損耗往往大于導(dǎo)通狀態(tài)損耗，不同Mos這個(gè)差距可能很大。 Mos損壞主要原因：
2020-08-14 10:14:093048 過程），導(dǎo)通損耗，截止損耗（漏電流引起的，這個(gè)忽略不計(jì)），還有雪崩能量損耗。只要把這些損耗控制在 mos 承受規(guī)格之內(nèi)，mos 即會(huì)正常工作，超出承受范圍，即發(fā)生損壞。而開關(guān)損耗往往大于導(dǎo)通狀態(tài)損耗，不同 mos 這個(gè)差距可能很大。 Mos 損壞主要原因
2022-11-17 10:13:461703 過程），導(dǎo)通損耗，截止損耗（漏電流引起的，這個(gè)忽略不計(jì)），還有雪崩能量損耗。只要把這些損耗控制在 mos 承受規(guī)格之內(nèi)，mos 即會(huì)正常工作，超出承受范圍，即發(fā)生損壞。
2020-12-14 22:04:0018 MOS管和IGBT管都可以作為開關(guān)元件使用，它們?cè)谕庑巍⑻匦詤?shù)上也比較相似，那它們到底有什么區(qū)別呢？ 什么是MOS管？ MOS管是MOSFET管的簡稱，是金屬-氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管，可以簡化
2021-02-14 10:16:0013866 mos管的損壞主要圍繞雪崩損壞、器件發(fā)熱損壞、內(nèi)置二極管破壞、由寄生振蕩導(dǎo)致的破壞、柵極電涌、靜電破壞這五大方面。接下來就由小編針對(duì)mos管的損壞原因做以下簡明介紹。
2022-03-11 11:20:172517 
電源正常接時(shí)，5V電壓從U1的D極經(jīng)過體二極管到達(dá)S極，因?yàn)橛幸粋€(gè)壓降，S極電壓約4.3V，Ugs=-4.3V，所以MOS管導(dǎo)通，MOS管導(dǎo)通之后，D和S之間的導(dǎo)通壓降很小，體二極管也就截止了，所以輸出VOUT_5V=5V;
2022-03-29 13:58:109 功率半導(dǎo)體的核心是PN結(jié)，從二極管、三極管到場效應(yīng)管，都是根據(jù)PN結(jié)特性所做的各種應(yīng)用。場效應(yīng)管分為結(jié)型、絕緣柵型，其中絕緣柵型也稱MOS管（Metal Oxide Semiconductor）。
2022-03-30 10:43:449947 
MOS是電壓驅(qū)動(dòng)型器件，只要柵極和源級(jí)間給一個(gè)適當(dāng)電壓，源級(jí)和漏級(jí)間通路就形成。這個(gè)電流通路的電阻被成為MOS內(nèi)阻，就是導(dǎo)通電阻。這個(gè)內(nèi)阻大小基本決定了MOS芯片能承受的最大導(dǎo)通電流（當(dāng)然和其它因素有關(guān)，最有關(guān)的是熱阻），內(nèi)阻越小承受電流越大（因?yàn)榘l(fā)熱?。?。
2022-04-14 08:34:1518858 第一個(gè)區(qū)別也就是最重要的一個(gè)區(qū)別就是MOS管是電壓控制的元件，而三極管是電流控制的元件。那么怎么理解這兩句話呢？
2022-06-01 15:19:0839030 
在電子電路中，MOS管和IGBT管會(huì)經(jīng)常出現(xiàn)，它們都可以作為開關(guān)元件來使用，MOS管和IGBT管在外形及特性參數(shù)也比較相似。那為什么有些電路用MOS管，而有些電路用IGBT管？
2022-07-11 09:09:142381 超結(jié)MOS也叫COOlMOS，是在普通MOS基礎(chǔ)上使用新型超結(jié)結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)的MOS管。超結(jié)MOS管主要在500V、600V、650V及以上高電壓場合使用。
2022-07-15 17:12:365896 
把紅表筆接到MOS管的源極S；把黑表筆接到MOS管的漏極D，此時(shí)表針指示應(yīng)該為無窮大，如圖5-3所示。如果有歐姆指數(shù)，說明被測(cè)管有漏電現(xiàn)象，此管不能用。
2022-08-08 10:12:162499 功率MOS管作為常用的半導(dǎo)體開關(guān)，其驅(qū)動(dòng)方式有什么特點(diǎn)呢？首先，我們認(rèn)為MOS管是電壓控制型器件，其正常工作時(shí)是不需要電流的(開或關(guān)的穩(wěn)態(tài)條件下)，只要有維持電壓，MOS管即可保持開啟或關(guān)閉狀態(tài)。
2023-01-17 10:04:075626 Mos主要損耗也對(duì)應(yīng)這幾個(gè)狀態(tài)，開關(guān)損耗（開通過程和關(guān)斷過程），導(dǎo)通損耗，截止損耗（漏電流引起的，這個(gè)忽略不計(jì)），還有雪崩能量損耗。只要把這些損耗控制在mos承受規(guī)格之內(nèi)，mos即會(huì)正常工作，超出承受范圍，即發(fā)生損壞。
2023-01-30 10:48:26805 Mos是電壓驅(qū)動(dòng)型器件，只要柵極和源級(jí)間給一個(gè)適當(dāng)電壓，源級(jí)和漏級(jí)間通路就形成。這個(gè)電流通路的電阻被成為Mos內(nèi)阻，就是導(dǎo)通電阻。
2023-02-07 09:46:111584 MOS管是由源極、漏極、門極和金屬氧化物層組成，其中金屬氧化物層是MOS管的核心部分，它由一層金屬和一層氧化物組成，金屬層和氧化物層之間有一個(gè)很小的空隙，這個(gè)空隙可以控制電子的流動(dòng)，從而控制MOS管的電流。
2023-02-17 14:51:095082 ，MOS管和IGBT管到底有什么區(qū)別吧！ 什么是MOS管？ 場效應(yīng)管主要有兩種類型，分別是結(jié)型場效應(yīng)管（JFET）和絕緣柵場效應(yīng)管（MOS管）。MOS管即MOSFET，中文全稱是金屬-氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)
2023-02-22 13:59:501 用MOS管？而有些電路用IGBT管？ 下面我們就來了解一下，MOS管和IGBT管到底有什么區(qū)別吧！ 什么是MOS管？ 場效應(yīng)管主要有兩種類型，分別是結(jié)型場效應(yīng)管（JFET）和絕緣柵場效應(yīng)管（MOS管）。
2023-02-23 09:34:200 在電子電路中，MOS管和IGBT管會(huì)經(jīng)常出現(xiàn)，它們都可以作為開關(guān)元件來使用，MOS管和IGBT管在外形及特性參數(shù)也比較相
似。那為什么有些電路用MOS管，而有些電路用IGBT管？
下面我們就來了解一下，MOS管和IGBT管到底有什么區(qū)別吧！
2023-02-23 09:15:261 ，MOS管和IGBT管到底有什么區(qū)別吧！ 什么是MOS管？ 場效應(yīng)管主要有兩種類型：分別是結(jié)型場效應(yīng)管（JFET）和絕緣柵場效應(yīng)管（MOS管）。 MOS管即MOSFET，中文全稱是金屬-氧化物半導(dǎo)體場效
2023-02-23 16:03:254 ，MOS管和IGBT管到底有什么區(qū)別吧！ ?什么是MOS管？ 場效應(yīng)管主要有兩種類型，分別是結(jié)型場效應(yīng)管（JFET）和絕緣柵場效應(yīng)管（MOS管）。 MOS管即MOSFET，中文全稱是金屬-氧化物半導(dǎo)體場
2023-02-23 15:50:052 了解一下，MOS管和IGBT管到底有什么區(qū)別吧！
1、什么是MOS管？
場效應(yīng)管主要有兩種類型，分別是結(jié)型場效應(yīng)管（JFET）和絕緣柵場效應(yīng)管（MOS管）。
MOS管即MOSFET，中文全稱是金屬-氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管，由于這種場效應(yīng)管的柵極被絕緣層隔離，所以又叫絕緣柵
場效
2023-02-24 10:36:266 在電子電路中，MOS管和IGBT管會(huì)經(jīng)常出現(xiàn)，它們都可以作為開關(guān)元件來使用，MOS管和IGBT管在外形及特性參數(shù)也比較相似。那為什么有些電路用MOS管，而有些電路用IGBT管？
2023-03-03 10:47:521074 
，在一些過壓，過流和過載工況下，功率MOS很容易損壞，從而造成整個(gè)驅(qū)動(dòng)板的失效，甚至存在起火的風(fēng)險(xiǎn)。本文提出兩個(gè)冗余驅(qū)動(dòng)線路，可以有效避免MOS單點(diǎn)失效的負(fù)面影響。
2023-03-17 10:15:26972 
用IGBT管？ 下面我們就來了解一下，MOS管和IGBT管到底有什么區(qū)別吧！ 什么是MOS管？ 場效應(yīng)管主要有兩種類型，分別是結(jié)型場效應(yīng)管（JFET）和絕緣柵場效應(yīng)管（MOS管）。 MOS管即MOSFET，中文全稱是金屬-氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管，由于這種場效應(yīng)管的柵極被絕緣層隔離，所以又叫
2023-05-17 15:11:541041 士蘭微mos管產(chǎn)品主要包括低高壓、超結(jié)mos管，實(shí)現(xiàn)了溝槽柵低壓MOS，溝槽屏蔽柵SGT-MOS，超級(jí)結(jié)MOS和IGBT等多個(gè)產(chǎn)品的量產(chǎn)，廣泛應(yīng)用于家電、工業(yè)、LED照明、汽車、消費(fèi)類電子、影音設(shè)備
2022-06-01 16:31:481303 
用MOS管？而有些電路用IGBT管？下面我們就來了解一下，MOS管和IGBT管到底有什么區(qū)別吧！什么是MOS管？場效應(yīng)管主要有兩種類型，分別是結(jié)型場效應(yīng)管（JFET）和絕緣柵場效應(yīng)管（
2022-04-08 16:38:141547 
，MOS管和IGBT管到底有什么區(qū)別吧！1、什么是MOS管？場效應(yīng)管主要有兩種類型，分別是結(jié)型場效應(yīng)管（JFET）和絕緣柵場效應(yīng)管（MOS管）。MOS管即MOSFE
2022-07-21 17:53:513005 
，在一些過壓，過流和過載工況下，功率MOS很容易損壞，從而造成整個(gè)驅(qū)動(dòng)板的失效，甚至存在起火的風(fēng)險(xiǎn)。本文提出兩個(gè)冗余驅(qū)動(dòng)線路，可以有效避免MOS單點(diǎn)失效的負(fù)面影響。
2023-07-24 14:12:28534 不加保護(hù)措施，就會(huì)導(dǎo)致器件被損壞。因此，通常需要在MOS管上增加短路保護(hù)電路。 MOS管短路保護(hù)電路的原理： （1）短路保護(hù)電路第一級(jí)：過壓保護(hù) 當(dāng)輸入電壓過高時(shí)，容易導(dǎo)致MOS管管源極和漏極上的正常工作電壓超出范圍，進(jìn)而導(dǎo)致器件損壞。過
2023-08-25 15:11:294909 mos管電流方向是單向? MOS管是一種具有廣泛應(yīng)用的半導(dǎo)體器件，它有很多特點(diǎn)，其中一項(xiàng)就是它的電流方向是單向的。在這篇文章中，我將詳細(xì)介紹什么是MOS管，為什么它的電流方向是單向的以及
2023-09-07 16:08:292049 MOS管特征頻率ft的影響因素是什么？? MOS管是一種廣泛應(yīng)用于電子領(lǐng)域的半導(dǎo)體器件，其性能取決于特征頻率ft，即展平后的頻率響應(yīng)特征。MOS管的特征頻率ft受多種因素的影響，下面就詳細(xì)介紹一下
2023-09-18 18:20:301735 MOS管在戶用儲(chǔ)能上的應(yīng)用，推薦使用瑞森半導(dǎo)體（超結(jié)MOS系列+ 低壓SGT-MOS系列）
2023-10-12 13:46:01213 
MOS管在戶用儲(chǔ)能上的應(yīng)用，推薦使用瑞森半導(dǎo)體（超結(jié)MOS系列+ 低壓SGT-MOS系列）
2023-10-12 14:17:43372 
MOS管，全稱為金屬-氧化物-半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管，或者稱是金屬-絕緣體-半導(dǎo)體，是一種常見的半導(dǎo)體器件。根據(jù)其工作電壓的不同，MOS管主要可分為高壓MOS管和低壓MOS管。
2023-10-16 17:21:511823 MOS管在微型逆變器上的應(yīng)用:推薦瑞森半導(dǎo)體超結(jié)MOS系列+低壓MOS系列
2023-10-21 10:09:00297 
MOS管在微型逆變器上的應(yīng)用
推薦瑞森半導(dǎo)體超結(jié)MOS系列+低壓MOS系列
2023-10-23 09:31:20561 
MOS管和場效應(yīng)管有什么關(guān)系？對(duì)于初學(xué)者來說，這兩個(gè)名字常常讓人混淆，MOS管到底是不是場效應(yīng)管？
2023-11-13 17:23:05758 
MOS管在直流充電樁上的應(yīng)用，推薦瑞森半導(dǎo)650V/1200V碳化硅MOS系列，600V/650V超結(jié)MOS系列
2023-12-08 11:50:15235 
MOS管在5G電源上的應(yīng)用——PFC線路、Fly?back線路，推薦瑞森半導(dǎo)體超結(jié)MOS系列，同步整流線圖推薦低壓SGT MOS系列。
2023-12-18 10:06:17198 
MOS管在5G電源上的應(yīng)用——PFC線路、Fly?back線路，推薦瑞森半導(dǎo)體超結(jié)MOS系列，同步整流線路推薦低壓SGT MOS系列。
2023-12-18 10:26:43161 
設(shè)計(jì)MOS管的驅(qū)動(dòng)電路需要考慮電路的穩(wěn)定性、可靠性、功耗以及電路的動(dòng)態(tài)特性等因素。下面將詳細(xì)介紹一種常見的MOS管驅(qū)動(dòng)電路方案，包括驅(qū)動(dòng)器的選擇、電源設(shè)計(jì)、輸入信號(hào)的處理等方面。 驅(qū)動(dòng)器的選擇
2023-12-20 14:33:33311 MOS管（金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管）作為一種常見的電子元件，其壽命的長短對(duì)于電子產(chǎn)品的質(zhì)量和可靠性都有著重要的影響。而影響MOS管壽命的因素也有很多，包括工藝因素、環(huán)境因素、電氣因素等等。下面
2023-12-22 11:43:10512 場效應(yīng)晶體管（Field Effect Transistor，F(xiàn)ET）是一種利用電場效應(yīng)來控制電流的半導(dǎo)體器件。根據(jù)導(dǎo)電溝道的類型，場效應(yīng)晶體管可以分為n溝道和p溝道兩種類型。本文將對(duì)n溝道MOS
2023-12-28 15:28:282894 
Field-Effect Transistor，金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管）是一種常見的半導(dǎo)體器件，廣泛應(yīng)用于各種電子設(shè)備中。然而，在實(shí)際應(yīng)用中，MOS管可能會(huì)因?yàn)楦鞣N原因而損壞。本文將對(duì)MOS管損壞的原因進(jìn)行分析
2023-12-28 16:09:38416 
pn結(jié)反向飽和電流到底是怎么形成的 它的大小跟哪些因素有關(guān)？ PN結(jié)反向飽和電流是指當(dāng)PN結(jié)處于反向偏置狀態(tài)時(shí)，在一定條件下，流過PN結(jié)的電流達(dá)到一個(gè)穩(wěn)定值。它是由多種因素共同作用形成的。下面將詳細(xì)
2024-02-18 14:51:54497
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