富士通半導體于日前宣布，利用配備該公司開發(fā)的硅基板GaN功率器件的服務器用電源，成功輸出了2.5kW的高功率，同時還公布了 2013年下半年開始量產(chǎn)硅基板GaN功率器件的目標。該公司將
2012-11-12 09:16:21
1405 功率GaN落后于RF GaN的主要原因在于需要花時間執(zhí)行數(shù)個供貨商所使用的成本縮減策略。最知名的就是改用6英寸的硅基板，以及更低成本的塑料封裝。對于電源設計人員來說，理解GaN有可能帶來的性能提升，以及某些會隨時間影響到最終產(chǎn)品性能的退化機制很重要。
2015-11-08 18:00:005701 
使用GaN FET構建高速系統(tǒng)并非易事。開關電場可占據(jù)封裝上方和周圍的空間，因此組裝使用GaN FET用于無線系統(tǒng)的系統(tǒng)對于整體性能至關重要。本文著眼于不同封裝技術對不同應用的影響以及這些技術如何用于構建高性能GaN設備。
2019-03-11 08:04:005383 
電子發(fā)燒友網(wǎng)報道（文/黃山明）隨著智能家居的發(fā)展，高效高性能的小體積電源越來越被市場青睞。想要將電源體積做得更小，但同時能夠保證最好的性能，氮化鎵（GaN）的出現(xiàn)，讓這一方案得以實現(xiàn)。在智能家居
2024-01-19 00:21:004709 應用，實現(xiàn)新型電源和轉(zhuǎn)換系統(tǒng)。（例如，5G通信電源整流器和服務器計算）GaN不斷突破新應用的界限，并開始取代汽車、工業(yè)和可再生能源市場中傳統(tǒng)硅基電源解決方案。 圖1：硅設計與GaN設計的磁性元件功率密度
2022-11-07 06:26:02
的好處。雖然增強型GaN器件仍然比硅MOSFET更昂貴，但它們更適合于電源設計，并提供了大大提高性能和效率的設計路徑。高壓設計案例開關電源（SMPS）設計是提高效率和節(jié)約能源的答案。大多數(shù)新設計都采用
2017-05-03 10:41:53
器件的商業(yè)可用性，比如電機逆變器的GaN HEMT和直流部分的高性能電容器正在不斷滿足設計人員對于大功率電機驅(qū)動的可靠性需求，這些關鍵部件讓設計人員能夠提升現(xiàn)有的產(chǎn)品，是電機變得更加緊湊、輕便而且價格
2019-07-16 00:27:49
，幾代MOSFET晶體管使電源設計人員實現(xiàn)了雙極性早期產(chǎn)品不可能實現(xiàn)的性能和密度級別。然而，近年來，這些已取得的進步開始逐漸弱化，為下一個突破性技術創(chuàng)造了空間和需求。這就是氮化鎵（GaN）引人注目
2022-11-14 07:01:09
，其設計的方案滿足所有這些挑戰(zhàn)；與舊式慢速基于硅的半導體設計相比，成本相近甚至更低?！薄 瓒?b class="flag-6" style="color: red">GaN功率IC Stephen解釋說，速率與效率是電源設計中兩個至關重要的參數(shù)，至今常用的半導體材料
2017-09-25 10:44:14
都應通過這樣的測試。依我看，JEDEC制定的標準應該涵蓋這類測試。您說呢？” 客戶的質(zhì)疑是對的。為使GaN被廣泛使用，其可靠性需要在預期應用中得到證明，而不是僅僅通過硅材料配方合格認證（silicon
2018-09-10 14:48:19
半導體材料可實現(xiàn)比硅基表親更小，更快，更可靠的器件，并具有更高的效率，這些功能使得在各種電源應用中減少重量，體積和生命周期成本成為可能。 Si，SiC和GaN器件的擊穿電壓和導通電阻。 Si，SiC
2022-08-12 09:42:07
更多是數(shù)字電源控制已準備好迎接GaN。因此，隨著GaN繼續(xù)開發(fā)，并應用于高密度和高性能電源解決方案，我們不必等待開發(fā)控制器時要借助GaN帶給行業(yè)的優(yōu)勢。因此，這就是“準備就緒”的含義：它是指“現(xiàn)在就開始
2018-08-30 15:05:41
好準備了嗎？對這一問題的答案要比數(shù)字電源控制是否能夠使用GaN這個問題復雜。所以，隨著GaN在不斷向前發(fā)展，并且在高密度和高性能電源解決方案中尋找用武之地，我們也不必非要等到控制器發(fā)展到能夠利用GaN優(yōu)勢
2018-09-06 15:31:50
以與LDMOS 相競爭的成本來提供其性能優(yōu)勢。 MACOM的硅上 GaN器件能提供超過 70%的能量效率，并在 900 MHz 和 2.45GHz 頻率下均具有高的增益。這些頻率都是工業(yè)、科學和醫(yī)學應用的開放
2017-05-01 15:47:21
的開關速度比硅MOSFET快很多，從而有可能實現(xiàn)更低的開關損耗。然而，當壓擺率很高時，特定的封裝類型會限制GaN FET的開關性能。將GaN FET與驅(qū)動器集成在一個封裝內(nèi)可以減少寄生電感，并且優(yōu)化
2018-08-30 15:28:30
苛刻的環(huán)境需要高性能的電源轉(zhuǎn)換
2019-06-03 16:45:06
有哪些新型可用于基帶處理的高性能DSP？性能參數(shù)如何？
2018-06-24 05:20:19
高性能計算機的發(fā)展史高性能計算機的內(nèi)容高性能計算機的應用高性能計算機的現(xiàn)狀高性能計算機的應用領域高性能計算機的未來展望
2019-09-10 10:42:36
希荻微電子HL7503高性能DCDC通過高通認證 希荻微電子推出的3A高性能DCDC芯片HL7503，通過了高通嚴格的測試認證，成為進入其高端平臺參考設計的全球兩家電源管理芯片公司之一。據(jù)了解，希荻
2015-08-28 10:49:13
采用諧振電感與變壓器磁集成設計，配合GaN高頻特性，進一步壓縮體積。例如，戴爾130W GaN電源通過類似技術實現(xiàn)體積僅120cm3，功率密度突破5W/cm3（約82W/in3），而Leadway
2025-10-22 09:09:58
是硅基氮化鎵技術。2017 電子設計創(chuàng)新大會展臺現(xiàn)場演示在2017年的電子設計創(chuàng)新大會上，MACOM上海無線產(chǎn)品中心設計經(jīng)理劉鑫表示，硅襯底有一些優(yōu)勢，材料便宜，散熱系數(shù)好。且MACOM在高性能射頻領域
2017-07-18 16:38:20
采用硅基GaN方案，成本可降低30%-50%，但性能（如耐壓、電流密度）受限；若選擇SiC基，性能更優(yōu)但成本高昂。目前Neway可能采取“硅基為主、SiC為輔”的策略，平衡成本與性能。封裝形式：通過
2025-12-25 09:12:32
OPC、UVLO、OV，開關頻率和軟啟動通過 LMG1210 上的引腳搭接進行死區(qū)時間調(diào)節(jié)電源板和子卡實現(xiàn)優(yōu)化死區(qū)時間顯示 GaN 效率提高 5%
2019-01-02 16:17:21
PWR系列高性能可編程交流電源的波形編輯功能及應用
2021-03-16 14:41:08
下以更高的轉(zhuǎn)換頻率運行。這意味著，在同樣的條件下，GaN可實現(xiàn)比基于硅材料的解決方案更高的效率。TI日前發(fā)布了LMG5200，隨著這款全集成式原型機的推出，工程師們能夠輕松地將GaN技術融入到電源
2018-09-11 14:04:25
全新的電源應用在同等的電壓下以更高的轉(zhuǎn)換頻率運行。這意味著，在同樣的條件下，GaN可實現(xiàn)比基于硅材料的解決方案更高的效率。TI日前發(fā)布了LMG5200，隨著這款全集成式原型機的推出，工程師們能夠輕松地將
2018-09-10 15:02:53
產(chǎn)品重要性的同時，不約而同地表示要將精力集中在高性能模擬產(chǎn)品上。那么，在眾說紛紜“高性能”的情況下，什么產(chǎn)品才是高性能模擬產(chǎn)品？面對集成度越來越高的半導體行業(yè)，高性能模擬產(chǎn)品是否生存不易？中國市場對高性能模擬產(chǎn)品的接受程度如何？
2019-06-20 06:22:00
方形，通過兩個晶格常數(shù)（圖中標記為a 和c）來表征。GaN 晶體結構在半導體領域，GaN 通常是高溫下（約為1,100°C）在異質(zhì)基板（射頻應用中為碳化硅[SiC]，電源電子應用中為硅[Si]）上通過
2019-08-01 07:24:28
v-1 s-1，是
硅基晶體管的四分之一。低電子遷移率阻滯了透明晶體管的電流承載能力。目前，薄膜晶體管受限于低電流、低速率、且需高壓驅(qū)動。當務之急是找出能生產(chǎn)透明
高性能器件的替代材料?！ √娲鷮щ娧趸?/div>
2020-11-27 16:30:52
組件高出一大截，但其開關速度、切換損失等性能指針，也是硅組件難以望其項背的。碳化硅具有極佳的材料特性，可以顯著降低開關損耗，因此電源開關的操作頻率可以大為提高，從而使電源系統(tǒng)的尺寸明顯縮小。至于在轉(zhuǎn)換
2021-09-23 15:02:11
（GaN）技術實現(xiàn)比使用傳統(tǒng)硅功率晶體管更高的效率。氮化鎵具有極高的電子遷移率和低溫度系數(shù)，這使得功率晶體管具有非常低的導通電阻（R上），從而最大限度地減少了導通狀態(tài)傳導損耗。橫向晶體管結構還實現(xiàn)了極低
2023-02-21 15:57:35
RF 應用來說越來越具有吸引力。邁向5G 之路與GaAs、硅或其他傳統(tǒng)半導體材料相比，GaN將在5G 網(wǎng)絡應用中大放異彩，如高頻和尺寸受限的小型蜂窩。如下圖所示，隨著標準向5G 演變，無線網(wǎng)絡的強化會
2017-07-28 19:38:38
1VDC負載電壓的48 VDC輸入電壓所用的電信架構解決方案。我們將探討高性能GaN功率晶體管的能力，以使用新方法以更高效率和更高功率密度為功率數(shù)據(jù)中心和電信系統(tǒng)提供電源。此方法在效率和功率密度方面都比
2018-08-29 15:10:47
，實現(xiàn)了更高的開關頻率，減少甚至去除了散熱器。圖2顯示了GaN和硅FET之間48V至POL的效率比較。 圖 2：不同負載電流下GaN與硅直流/直流轉(zhuǎn)換器的48V至POL效率 TI的新型48V至POL
2019-07-29 04:45:02
意義上的極限卻是橫亙在硅材料面前的一條無法逾越的鴻溝。與此同時，一種基于GaN的全新電源和轉(zhuǎn)化系統(tǒng)正應運而生，它們的功率損耗更低，產(chǎn)生的熱量也更少。由于高溫會提高運行成本、干擾網(wǎng)絡信號并誘發(fā)設備故障
2019-03-01 09:52:45
氮化鎵(GaN)是最接近理想的半導體開關的器件，能夠以非常高的能效和高功率密度實現(xiàn)電源轉(zhuǎn)換。但GaN器件在某些方面不如舊的硅技術強固，因此需謹慎應用，集成正確的門極驅(qū)動對于實現(xiàn)最佳性能和可靠性至關重要。本文著眼于這些問題，給出一個驅(qū)動器方案，解決設計過程的風險。
2020-10-28 06:59:27
如何實現(xiàn)高性能的射頻測試解決方案NI軟硬件的關鍵作用是什么
2021-05-06 07:24:55
速度環(huán)，內(nèi)環(huán)為電流環(huán)。為了實現(xiàn)PMSM高性能控制，我們會采用各種復雜的算法來實現(xiàn)目標，這其中電流環(huán)相關算法又是重中之重。但是需要指出，電流環(huán)性能好壞除了與采用的算法有關之外，還與...
2021-08-27 06:45:22
與碳化硅 (SiC)FET 和硅基FET 相比，氮化鎵 (GaN) 場效應晶體管 (FET) 可顯著降低開關損耗和提高功率密度。這些特性對于數(shù)字電源轉(zhuǎn)換器等高開關頻率應用大有裨益，可幫助減小磁性元件
2022-11-04 06:18:50
是什么推動著高精度模擬芯片設計？如何利用專用晶圓加工工藝實現(xiàn)高性能模擬IC？
2021-04-07 06:38:35
，固有的快速開關瞬變，缺乏反向恢復和高溫工作能力。這些優(yōu)異的性能似乎是高性能功率轉(zhuǎn)換器的完美組合?！ ∪欢?b class="flag-6" style="color: red">實現(xiàn)GaN的性能潛力，必須考慮兩個重要方面。首先，人們普遍認為GaN的快速瞬態(tài)開關能力將
2023-02-24 15:09:34
如何去實現(xiàn)一種高性能IP電話語音終端系統(tǒng)的設計？
2021-06-04 06:39:06
傳統(tǒng)網(wǎng)絡接口處理流程包括哪些步驟？如何去實現(xiàn)一種高性能網(wǎng)絡接口設計？
2021-05-20 06:41:48
如何在電源轉(zhuǎn)換應用中實現(xiàn)高性能、成本優(yōu)化型實時控制設計
2021-03-16 07:56:20
如何成功實現(xiàn)高性能數(shù)字無線電？
2021-05-24 06:25:47
您已了解GaN晶體管出色的性能，您很興奮。樣品總算來到，您將它們放入板中。您打開電源，施加負載，結果……性能并沒有比以前更好。更糟糕的是，遇到了以前不存在的開關問題。這些晶體管不好。真遺憾。為何出現(xiàn)這種情況？有沒有可能遺漏了什么？如何正確理解GaN？十分重要！
2019-07-30 06:21:32
導讀：將GaN FET與它們的驅(qū)動器集成在一起可以改進開關性能，并且能夠簡化基于GaN的功率級設計。氮化鎵 (GaN) 晶體管的開關速度比硅MOSFET快很多，從而有可能實現(xiàn)更低的開關損耗。然而，當
2022-11-16 06:23:29
如何設計高性能的SDI信號鏈？對PCB布板和電源設計有哪些建議？TI在SDI領域的具體方案是什么？
2021-05-24 06:48:22
更低成本的塑料封裝。對于電源設計人員來說，理解GaN有可能帶來的性能提升，以及某些會隨時間影響到最終產(chǎn)品性能的退化機制很重要。聯(lián)合電子設備工程委員會 (JEDEC) 針對硅器件的認證標準經(jīng)證明是產(chǎn)品
2019-07-12 12:56:17
射頻VMMK器件是怎么提高性能的？通過降低寄生電感和電容嗎？
2019-08-01 08:23:35
)封裝，并且能幫助電源設計人員迅速發(fā)揮這種材料的真正優(yōu)勢。為了給GaN創(chuàng)造廣闊的市場發(fā)展空間，TI致力于幫助客戶簡化這款產(chǎn)品的使用性，并優(yōu)化其性能。我們深知，TI必須另辟蹊徑。通過將GaN FET與高性能
2018-08-30 15:05:40
CJC89888芯片特點是什么？低功耗芯片設計要點是什么？怎么實現(xiàn)低功耗單芯片高性能音頻CODEC的設計？
2021-06-03 06:27:25
怎么實現(xiàn)多內(nèi)核處理器開發(fā)趨勢下的高性能視頻系統(tǒng)設計？
2021-06-03 06:19:40
PCB設計團隊的組建建議是什么高性能PCB設計的硬件必備基礎高性能PCB設計面臨的挑戰(zhàn)和工程實現(xiàn)
2021-04-26 06:06:45
1.電源右鍵點擊電源圖標選擇電源選項—選擇高性能模式。若沒有高性能模式選擇左邊創(chuàng)建電源計劃（圖一所示）—點擊下一步（如圖二所示）—選擇創(chuàng)建（如圖三所示）圖一圖二圖三2.顯卡①右擊空白桌面，打開英偉達
2021-12-31 07:03:36
成功實現(xiàn)高性能數(shù)字無線電
2020-12-22 06:59:41
能源并占用更小空間，所面臨的挑戰(zhàn)絲毫沒有減弱。氮化鎵(GaN)等新技術有望大幅改進電源管理、發(fā)電和功率輸出的諸多方面。預計到2030年，電力電子領域?qū)⒐芾泶蠹s80%的能源，而2005年這一比例僅為30
2018-11-20 10:56:25
在所有電力電子應用中，功率密度是關鍵指標之一，這主要由更高能效和更高開關頻率驅(qū)動。隨著基于硅的技術接近其發(fā)展極限，設計工程師現(xiàn)在正尋求寬禁帶技術如氮化鎵（GaN）來提供方案。
2020-10-28 06:01:23
氮化鎵 (GaN) 可為便攜式產(chǎn)品提供更小、更輕、更高效的桌面 AC-DC 電源。Keep Tops 氮化鎵（GaN）是一種寬帶隙半導體材料。 當用于電源時，GaN 比傳統(tǒng)硅具有更高的效率、更小
2023-08-21 17:06:18
嚴酷的汽車環(huán)境要求高性能電源轉(zhuǎn)換
2019-09-18 09:31:24
基礎(凌特資料)實現(xiàn)可靠的高性能數(shù)字電源為了更好地理解數(shù)字電源的架構選擇和關鍵性能參數(shù)，最好先搞清楚使用數(shù)字回路的好處。通過采用數(shù)字回路控制來實現(xiàn)電源轉(zhuǎn)換，可使開發(fā)人員的設計和業(yè)務大大受益。通過可再編程
2020-07-02 14:31:59
怎樣利用可編程邏輯來實現(xiàn)高性能的罪犯抓捕系統(tǒng)？
2021-04-28 06:39:25
頻率合成器的高性能架構實現(xiàn)技術詳解
2021-04-07 06:48:49
高性能電源保護電路
摘要：對電源產(chǎn)品來講，保護電路是不可缺少的。電源配有一個高性能的保護電路對其整體性能的提高又是至關重要
2009-07-17 11:35:32950 
氮化鎵(GaN)技術超越硅 實現(xiàn)更高電源轉(zhuǎn)換效率——來自安森美半導體Onsemi
2015-12-23 11:06:20
28 氮化鎵 （GaN） 晶體管的開關速度比硅MOSFET快很多，從而有可能實現(xiàn)更低的開關損耗。然而，當壓擺率很高時，特定的封裝類型會限制GaN FET的開關性能。將GaN FET與驅(qū)動器集成在一個封裝內(nèi)可以減少寄生電感，并且優(yōu)化開關性能。集成驅(qū)動器還可以實現(xiàn)保護功能。
2016-05-09 17:06:563382 此網(wǎng)絡研討會強調(diào)了通過為高性能Python實施多種英特爾工具和技術而實現(xiàn)的顯著性能提升。
2018-11-08 06:06:003226 ）功率級工程樣品，使TI成為第一家也是唯一一家公開提供高壓驅(qū)動器集成GaN解決方案的半導體制造商。與基于硅FET的解決方案相比，新型12-A LMG3410功率級與TI的模擬和數(shù)字電源轉(zhuǎn)換控制器相結合
2019-08-07 10:17:062913 此外，與硅不同，GaN沒有體二極管，其在AlGaN/GaN邊界表面的2DEG可以沿相反方向傳導電流（稱為“第三象限”操作）。因此，GaN沒有反向恢復電荷（QRR），使其非常適合硬開關應用。
2020-04-29 16:07:464215 由于可以在較高頻率、電壓和溫度下工作且功率損耗較低，寬禁帶半導體（SiC 和GaN）現(xiàn)在配合傳統(tǒng)硅一同用于汽車和RF 通信等嚴苛應用中。隨著效率的提高，對Si、SiC和GaN器件進行安全、精確的測試
2020-11-18 10:38:0028 如今，以GaN和SiC為代表的第三代半導體技術風頭正勁。與傳統(tǒng)的半導體材料相比，GaN和SiC禁帶寬度大、擊穿電場強度高、電子遷移率高、熱導電率大、介電常數(shù)小、抗輻射能力強……因此可實現(xiàn)更高
2022-02-25 10:12:552996 
本文將展示芯片級封裝 (CSP) GaN FET 如何提供至少與硅 MOSFET 相同（如果不優(yōu)于）的熱性能。由于其卓越的電氣性能，GaN FET 的尺寸可以減小，從而在尊重溫度限制的同時提高功率密度。這種行為將通過 PCB 布局的詳細 3D 有限元模擬來展示，同時還提供實驗驗證以支持分析。
2022-07-25 09:15:051075 
的創(chuàng)新與不斷增長的電力需求保持同步，電源管理效率和成本穩(wěn)步提高。然而，在新千年中，隨著硅功率 MOSFET 接近其理論界限，改進的速度顯著放緩。同時，新材料 GaN 正穩(wěn)步朝著理論性能邊界邁進，該邊界比老化的硅 MOSFET 好 6,000 倍，比當今市場上最好的 GaN 產(chǎn)品好 300 倍（圖 1）。
2022-07-27 16:42:351185 
本文將展示芯片級封裝 (CSP) GaN FET 如何提供至少與硅 MOSFET 相同（如果不優(yōu)于）的熱性能。由于其卓越的電氣性能，GaN FET 的尺寸可以減小，從而在尊重溫度限制的同時提高功率密度。這種行為將通過 PCB 布局的詳細 3D 有限元模擬來展示，同時還提供實驗驗證以支持分析。
2022-07-29 08:06:371093 
隨著硅基 MOSFET 和功率器件接近其物理極限，功率工程師已開始轉(zhuǎn)向氮化鎵 （GaN） 以提高性能并減小整體解決方案尺寸。
2022-08-03 14:49:261608 。與此同時，一種新材料氮化鎵 (GaN) 正朝著理論性能邊界穩(wěn)步前進，該邊界比老化的硅 MOSFET 好 6000 倍，比當今市場上最好的 GaN 產(chǎn)品好 300 倍（圖1）。 圖 1：一平方毫米器件的理論導通電阻與基于 Si 和 GaN 的功率器件的阻斷電壓能力。第 4 代（紫色圓點）和
2022-08-04 11:17:551186 
對于 48V 電源系統(tǒng)中的 GaN FET 應用，現(xiàn)有的一種方法是使用基于 DSP 的數(shù)字解決方案來實現(xiàn)高頻和高效率設計。這在很大程度上是由于缺乏設計用于GaN FET的合適控制器的可用性。DSP
2022-08-04 09:58:081408 
GaN 晶體管比硅 MOSFET 更快、更小。GaN 的性能表明效率和性能得到了顯著提高，從而帶來了一些硅技術無法實現(xiàn)的新應用。
2022-08-05 08:05:041244 
電力電子系統(tǒng)的性能發(fā)生了重大轉(zhuǎn)變，它由比硅 MOSFET 和 IGBT 更快、更小的 GaN 晶體管驅(qū)動。GaN 的性能表明效率和功率密度得到了顯著提高，從而在幾個新應用中實現(xiàn)了系統(tǒng)性能，這是過去
2022-08-08 11:56:151478 
是一種高度移動的半導體電子半導體 (HEMT)，被證明在滿足新應用方面具有真正的附加值。 GaN 晶體管比硅 MOSFET 更快、更小。GaN 的性能表明效率和性能得到了顯著提高，從而帶來了一些硅技術無法實現(xiàn)的新應用。板空間非常昂貴。eGaN?的FET，從EPC，在低電感，低電阻，
2022-08-08 09:38:243647 
在過去幾年里，GaN技術，特別是硅基GaN HEMT技術，已成為電源工程師的關注重點。該技術承諾提供許多應用所需的大功率高性能和高頻開關能力。然而，隨著商用GaN FET變得更容易獲得，一個關鍵問題仍然存在。為何選擇共源共柵？
2023-02-09 09:34:121064 
氮化鎵（GaN）是電力電子行業(yè)的一個熱門話題，因為它可以實現(xiàn)80Plus鈦電源、3.8 kW/L電動汽車（EV）車載充電器和電動汽車（EV）充電站等設計。在許多特定的應用中，GaN已經(jīng)取代了傳統(tǒng)
2023-10-13 15:25:331507 
硅襯底GaN材料在中低功率的高頻HEMT和LED專業(yè)照明領域已經(jīng)實現(xiàn)規(guī)模商用?；?b class="flag-6" style="color: red">硅襯底GaN材料的Micro LED微顯技術和低功率PA正在進行工程化開發(fā)。DUV LED、GaN LD以及GaN/CMOS集成架構尚處于早期研究階段。
2023-10-13 16:02:311826 
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《實現(xiàn)可靠高性能數(shù)字電源.pdf》資料免費下載
2023-11-16 15:02:580 為幫助業(yè)界更好地利用GaN和SiC等寬帶隙技術，在電動汽車、清潔能源解決方案和數(shù)據(jù)中心等應用中實現(xiàn)更高性能電源轉(zhuǎn)換，Allegro宣布推出新型高帶寬電流傳感器 ACS37030和ACS37032，這些全新高功率密度傳感器能夠降低能量損耗，同時改進SiC和GaN技術的效率和可靠性。
2024-03-04 16:50:181303 推動更高效的能源利用、更嚴格的監(jiān)管要求以及研發(fā)了冷卻操作的技術都能夠實現(xiàn)減少電動機的功耗，雖然硅MOSFET等開關技術已得到廣泛應用，但它們通常無法滿足關鍵逆變器應用更苛刻的性能和效率目標。相反
2024-05-23 10:56:371576 
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《GaN如何實現(xiàn)更高效、更緊湊的電源.pdf》資料免費下載
2024-09-12 10:00:151 中的未來前景。 如今，電源管理設計工程師常常會問道： 現(xiàn)在應該從硅基功率開關轉(zhuǎn)向GaN開關了嗎？ 氮化鎵(GaN)技術相比傳統(tǒng)硅基 MOSFET 有許多優(yōu)勢。GaN 是寬帶隙半導體，可以讓功率開關在高溫下工作并實現(xiàn)高功率密度。這種材料的擊穿電壓較高
2025-02-11 13:44:551179 
特征●高性能GaN技術：具有超低輸入和輸出電容，零反向恢復特性，可將開關損耗降低約80%，同時低開關節(jié)點振鈴可降低EMI?！窨烧{(diào)節(jié)驅(qū)動強度：通過RDRV引腳連接電阻
2025-11-29 11:25:34188 
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