由于可以在較高頻率、電壓和溫度下工作且功率損耗較低，寬禁帶半導體（SiC 和GaN）現(xiàn)在配合傳統(tǒng)硅一同用于汽車和RF 通信等嚴苛應(yīng)用中。隨著效率的提高，對Si、SiC和GaN器件進行安全、精確的測試，讓功率半導體設(shè)備更快上市并盡量減少設(shè)備現(xiàn)場出現(xiàn)的故障。為幫助設(shè)計工程師厘清設(shè)計過程中的諸多細節(jié)問題，泰克與電源行業(yè)專家攜手推出“氮化鎵電源設(shè)計從入門到精通“8節(jié)系列直播課，氮化鎵電源設(shè)計從入門到精通，這個系列直播共分為八講，從0到1全面解密電源設(shè)計，帶工程師完整地設(shè)計一個高效氮化鎵電源，包括元器件選型、電路設(shè)計和PCB布線、電路測試和優(yōu)化技巧、磁性元器件的設(shè)計和優(yōu)化、環(huán)路分析和優(yōu)化、能效分析和優(yōu)化、EMC優(yōu)化和整改技巧、可靠性評估和分析。

　　第一步：元器件選型對于工程師來說，GaN元器件相較于傳統(tǒng)的MOSFET而言有很多不同和優(yōu)勢，但在設(shè)計上也帶來一定挑戰(zhàn)。課程從硅、砷化鎵、碳化硅、氮化鎵材料特性對比展開，通過泰克儀器測試英飛凌GaN器件來進行氮化鎵特性的測量與分析。方案配置：示波器MSO5+光隔離探頭TIVH08+電壓及電流探頭+電源和IGBT town 軟件第二步：電路設(shè)計和PCB Layout 工程師既要在各種設(shè)計規(guī)則之間做出取舍，又要兼顧性能、工藝、成本等各方面，電路設(shè)計和PCB LAYOUT經(jīng)常是困擾很多工程師的難題。課程基于氮化鎵的電路設(shè)計和PCB LAYOUT展開深入探討和分析，詳細列舉氮化鎵與傳統(tǒng)的MOSFET設(shè)計上的區(qū)別，PCB LAYOUT相關(guān)注意事項等。第三步：電路測試和優(yōu)化技巧通過從低壓到高壓、從低頻到高頻、從控制信號到主電路工作、從開環(huán)到閉環(huán)等多方面的調(diào)試，實物測量與理論分析相結(jié)合，為工程師提供了明確的優(yōu)化思路。方案配置：參數(shù)化波形記錄器PCT 或 源表2410 + kickstart軟件。第四步：磁性元器件的設(shè)計和優(yōu)化基于GaN器件的LLC諧振變換器研究，不僅針對GaN器件LLC諧振變換器的基本拓撲和原理分析，還詳細介紹了GaN器件對諧振變換器性能的提升。通過變換器模型根據(jù)諧振頻率對諧振電感和主變壓器進行設(shè)計，通過泰克示波器進行磁性分析。方案配置：示波器MSO56+5-PWR+電源探頭。第五步：環(huán)路分析和優(yōu)化穩(wěn)定的反饋環(huán)路對開關(guān)電源非常重要，本場直播為大家?guī)硐到y(tǒng)中反饋環(huán)路的作用，并詳細介紹了系統(tǒng)穩(wěn)定性的要求和系統(tǒng)在實際應(yīng)用中的性能指標，突出了補償網(wǎng)絡(luò)的重要性，以及詳盡講解了常用的補償網(wǎng)絡(luò)和設(shè)計補償網(wǎng)絡(luò)的步驟。方案配置：示波器MSO54+AFG 選件+5-PWR+信號注入器J2100A+2 根1X探頭。第六步：能效分析和優(yōu)化詳細介紹瞬態(tài)干擾（EMS）的存在方式和對電子設(shè)備影響，其次對EMI關(guān)鍵的波形進行定量的計算分析；并分別以寄生天線和 PCB板的角度對EMI進行信號來源進行大量實測分析。通過理論與實測相結(jié)合，為工程師帶來一場精彩的EMI的優(yōu)化和整改技巧。方案配置：PA1K/3K+PWRview 軟件。