MOS晶體管金屬-氧化物-半導(dǎo)體(Metal-Oxide-SEMIconductor)結(jié)構(gòu)的晶體管簡稱MOS晶體管，有P型MOS管和N型MOS管之分。MOS管構(gòu)成的集成電路稱為MOS集成電路，而PMOS管
2009-11-05 11:50:36
4309 認(rèn)為MOSFET（MOS管）是電壓驅(qū)動(dòng)的，不需要驅(qū)動(dòng)電流。 然而，在MOS管的G極和S極之間有結(jié)電容存在，這個(gè)電容會(huì)讓驅(qū)動(dòng)MOS變的不那么簡單。
2023-03-06 14:38:416375 
：貼片（TO-252），低開啟電壓1.5V，低內(nèi)阻，低結(jié)電容,低開啟電壓，溫升低，轉(zhuǎn)換效率高，過電流大，抗沖擊能力強(qiáng)HC018N10L是一款專門為應(yīng)用于電弧打火機(jī)市場設(shè)計(jì)開發(fā)的一款結(jié)MOS管，低開啟電壓 低內(nèi)阻，特別適合應(yīng)用于電弧打火機(jī)，其特點(diǎn)是打火猛、溫度低、打火時(shí)間長、火花四射
2020-10-16 17:25:13
【100V17A低結(jié)電容低開啟低內(nèi)阻MOS管加濕器霧化器方案】【惠海MOS管】高頻率、大電流、低開啟電壓、低內(nèi)阻、結(jié)電容小、低消耗、溫升低、轉(zhuǎn)換效率高、過電流達(dá)、抗沖擊能力強(qiáng)、SGT工藝，開關(guān)損耗
2020-10-13 11:14:00
） HC030N10L是一款采用SGT工藝MOS管，低開啟電壓1.5V，低內(nèi)阻，低結(jié)電容,低開啟電壓，溫升低，轉(zhuǎn)換效率高，過電流大，抗沖擊能力強(qiáng) HC030N10L可以應(yīng)用于LED驅(qū)動(dòng)電源，電弧打火機(jī)
2020-12-12 11:41:22
供周到完善的技術(shù)支持、售前服務(wù)及售后服務(wù)，讓您無任何后顧之憂 （二）惠海半導(dǎo)體--中低壓場效率管（MOSFET） MOS管型號：HC080N10L MOS管參數(shù)：100V15A 內(nèi)阻：76mR
2020-11-13 14:59:06
的技術(shù)支持、售前服務(wù)及售后服務(wù)，讓您無任何后顧之憂HC160N10L是加濕器，香薰機(jī)等所使用的MOS，內(nèi)阻低，耐壓高，開啟電壓低等特點(diǎn)，適合加濕器，POE等使用。以下還有款比較好的產(chǎn)品
2020-11-14 13:54:14
其他便攜式數(shù)碼電子產(chǎn)品中隨處可見?；莺０雽?dǎo)體MOS管采用SGT工藝，性能優(yōu)越，品質(zhì)好，具有高頻率、大電流、低開啟電壓、低內(nèi)阻、結(jié)電容小、低消耗、低溫升、高轉(zhuǎn)換效率、過電流大、抗沖擊能力強(qiáng)、開關(guān)損耗小等
2021-02-23 16:22:55
■HC030N10L是一款采用SGT工藝超結(jié)MOS管，低開啟電壓1.5V，低內(nèi)阻，低結(jié)電容,低開啟電壓，溫升低，轉(zhuǎn)換效率高，過電流大，抗沖擊能力強(qiáng)?！鯤C030N10L可以應(yīng)用于LED驅(qū)動(dòng)電源，電弧
2021-01-08 11:16:46
DFN3*3封裝mos管【惠海半導(dǎo)體直銷】惠海直銷30V 60V 100V mos管SOT23封裝 TO-252 SOP-8 DFN3*3封裝mos管【低開啟低結(jié)電容】 惠海半導(dǎo)體--中低壓場效率管
2020-11-03 15:38:19
*3封裝mos管【惠海半導(dǎo)體直銷】惠海直銷30V 60V 100V mos管SOT23封裝 TO-252 SOP-8 DFN3*3封裝mos管【低開啟低結(jié)電容】 惠海半導(dǎo)體--中低壓場效率管
2020-11-11 14:45:15
我用的是NTMFS4935N的MOS管，采用背靠背設(shè)計(jì)，電流不超過2A，在充電的時(shí)候，開關(guān)切換時(shí)有“吱吱”的響聲，請問這是MOS管在響么？
2012-07-19 09:44:26
的順著MOS管驅(qū)動(dòng)器的回路到地。而且，這個(gè)電阻也會(huì)讓正常的MOS管關(guān)閉的更加迅速。 但是，不能說關(guān)斷速度越快越好，我們的實(shí)際應(yīng)用中，驅(qū)動(dòng)器到MOS管柵極的走線以及MOS管的輸出所接的負(fù)載或多或少都會(huì)
2023-03-15 16:55:58
的是MOS管作為開關(guān)管的使用。對于MOS管的選型，注意4個(gè)參數(shù)：漏源電壓（D、S兩端承受的電壓）、工作電流（經(jīng)過MOS管的電路）、開啟電壓（讓MOS管導(dǎo)通的G、S電壓）、工作頻率（最大的開關(guān)頻率
2021-10-28 07:46:04
? 1、功率損耗的原理圖和實(shí)測圖 一般來說，MOS管開關(guān)工作的功率損耗原理圖如圖1所示，主要的能量損耗體現(xiàn)在“導(dǎo)通過程”和“關(guān)閉過程”，小部分能量體現(xiàn)在“導(dǎo)通狀態(tài)”，而關(guān)閉狀態(tài)的損耗很小幾乎為0，可以
2018-11-09 11:43:12
在開啟后，才會(huì)出現(xiàn)導(dǎo)電溝道；兩者的控制方式也不一樣，耗盡型MOS管的VGS（柵極電壓）可以用正、零、負(fù)電壓控制導(dǎo)通，而增強(qiáng)型MOS管必須使得VGS》VGS（th）（柵極閾值電壓）才行。這些特性使得耗盡
2021-01-15 15:39:46
如要求ID電流為10mA，VDS為電源一半，MOS管開啟電壓為2~4V，如何求VG電壓、RS電阻？大神們指教一下！
2019-04-20 15:03:41
MOS管的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)MOS管的工作機(jī)制MOS管的驅(qū)動(dòng)應(yīng)用
2021-03-08 06:06:47
1.開啟電壓VT 開啟電壓（又稱閾值電壓）：使得源極S和漏極D之間開始形成導(dǎo)電溝道所需的柵極電壓；·標(biāo)準(zhǔn)的N溝道MOS管，VT約為3～6V；·通過工藝上的改進(jìn)，可以使MOS管的VT值降到2
2018-11-20 14:10:23
揭秘mos管電路邏輯及mos管參數(shù) 1.開啟電壓VT 開啟電壓（又稱閾值電壓）：使得源極S和漏極D之間開始形成導(dǎo)電溝道所需的柵極電壓；·標(biāo)準(zhǔn)的N溝道MOS管，VT約為3～6V；·通過工藝上的改進(jìn)
2018-11-20 14:06:31
`這是我為IRF540做的三極管驅(qū)動(dòng)，三極管的開啟時(shí)間為115ns，關(guān)閉時(shí)間為1150ns，但是做出來用示波器打出來的波形如圖，為什么開啟時(shí)不能立即開啟，還有一個(gè)上升的時(shí)間，關(guān)閉是又很理想呢？求助，，，，，`
2013-04-27 10:02:21
提供給MOS管的驅(qū)動(dòng)電壓是不穩(wěn)定的。為了讓MOS管在高gate電壓下安全，很多MOS管內(nèi)置了穩(wěn)壓管強(qiáng)行限制gate電壓的幅值。在這種情況下，當(dāng)提供的驅(qū)動(dòng)電壓超過穩(wěn)壓管的電壓，就會(huì)引起較大的靜態(tài)功耗。同時(shí)
2018-11-14 09:24:34
本帖最后由 一只耳朵怪 于 2018-6-1 09:28 編輯
四個(gè)MOS管這么排列，Q3Q4是打開，Q1Q2是關(guān)閉， 電源是12V為啥AB兩點(diǎn)的電壓也有11多V，MOS是如何導(dǎo)通的呢，體二極管也是對立的。
2018-05-31 19:41:07
一般認(rèn)為MOSFET是電壓驅(qū)動(dòng)的，不需要驅(qū)動(dòng)電流。然而，在MOS的G S兩級之間有結(jié)電容存在，這個(gè)電容會(huì)讓驅(qū)動(dòng)MOS變的不那么簡單。如果不考慮紋波和EMI等要求的話， MOS管 開關(guān)速度越快越好
2021-11-12 08:20:58
本資料涵蓋有2千個(gè)型號的MOS管，可以根據(jù)電壓，電流，封裝，內(nèi)阻等快速選出合適的型號MOS:電壓范圍:-200V~+900V電流范圍:-95A~250AIGBT電壓范圍:270V~1200V電流范圍:40A~150A
2012-03-25 11:24:06
到比VCC大的電壓，就要專門的升壓電路了。很多馬達(dá)驅(qū)動(dòng)器都集成了電荷泵，要注意的是應(yīng)該選擇合適的外接電容，以得到足夠的短路電流去驅(qū)動(dòng)MOS管。MOS管是電壓驅(qū)動(dòng)，按理說只要柵極電壓到到開啟電壓就能導(dǎo)
2019-07-03 07:00:00
到比VCC大的電壓，就要專門的升壓電路了。很多馬達(dá)驅(qū)動(dòng)器都集成了電荷泵，要注意的是應(yīng)該選擇合適的外接電容，以得到足夠的短路電流去驅(qū)動(dòng)MOS管。MOS管是電壓驅(qū)動(dòng)，按理說只要柵極電壓到到開啟電壓就能導(dǎo)
2019-07-05 08:00:00
到比VCC大的電壓，就要專門的升壓電路了。很多馬達(dá)驅(qū)動(dòng)器都集成了電荷泵，要注意的是應(yīng)該選擇合適的外接電容，以得到足夠的短路電流去驅(qū)動(dòng)MOS管。MOS管是電壓驅(qū)動(dòng)，按理說只要柵極電壓到到開啟電壓就能導(dǎo)
2019-07-05 07:30:00
MOS管詳解，
讓你頭痛的
MOS管不在難~?。。?/div>
2018-06-25 09:57:31
功能：STM32io輸出高電平，三極管導(dǎo)通，A點(diǎn)為0V，MOS管導(dǎo)通，在MOS的D極測得12V。STM32io輸出低電平，三極管截止，A點(diǎn)為5V，MOS管關(guān)閉，在MOS的D極測得0V。這個(gè)電路對嗎？
2018-11-02 14:07:03
mos管并聯(lián)可以增大電流能力，并聯(lián)MOS管需要注意mos管的哪些特性，比如開通關(guān)斷延遲時(shí)間，開啟電壓？下面的連接正確嗎？
2022-07-29 14:11:58
為什么我們很多時(shí)候要求MOS管快速關(guān)斷，而沒有要求MOS管快速開通？
下面是常見的MOS管的驅(qū)動(dòng)電路
MOS管快關(guān)的原理
還是先簡單介紹下快關(guān)的原理：
我們知道，MOS管開通和關(guān)斷的過程，就是
2025-04-08 11:35:28
什么是MOS管？MOS管的工作原理是什么？MOS管和晶體三極管相比有何特性呢？
2022-02-22 07:53:36
二極管的管壓降0.5v左右，同樣也應(yīng)該可以測得到電阻一般為幾千歐以內(nèi)。1.2 如何判斷MOS管是N型還是P型?2. MOS管驅(qū)動(dòng)電路分析下面是常見的MOS管驅(qū)動(dòng)電路（1）二極管D1的作用是什么？二極管D1在驅(qū)動(dòng)信號是低電平時(shí)起到快速關(guān)斷的作用。一般在H橋驅(qū)動(dòng)電路中需要加此二極管起到“慢開快關(guān)
2021-12-31 06:20:08
惠海半導(dǎo)體是一家專業(yè)從事中、大、功率場效應(yīng)管(MOSFET)、快速恢復(fù)二極管、三端穩(wěn)壓管開發(fā)設(shè)計(jì)，集研發(fā)、生產(chǎn)和銷售為一體的國家高新技術(shù)企業(yè)。產(chǎn)品型號：HC020N03L參數(shù)：30V30A ，類型
2020-10-09 11:25:50
利用MOS管配合E類放大電路，輸入2.5M的波，測試發(fā)現(xiàn)即使VGS為0MOS管也無法關(guān)閉
2024-03-22 07:42:28
、香薰機(jī)專業(yè)MOS管產(chǎn)品型號：HC160N10LS參數(shù)：100V5A ，類型：N溝道場效應(yīng)管，內(nèi)阻155mR，超低結(jié)電容400pF，封裝：SOT23-3，低開啟電壓1.5V，低內(nèi)阻，結(jié)電容小,低開啟電壓
2020-10-10 14:10:51
如圖是一款反擊開關(guān)電源MOS管在Vin=264V時(shí)波形，黃色是Vgs電壓；藍(lán)色是Vds電壓，粉紅色是Ig電流。現(xiàn)不知為何在MOS管開啟的時(shí)候，Vds電壓有44V。 如果在90V測試的時(shí)候，Vds
2014-08-04 18:01:32
怎么選擇MOS管是新手工程師們經(jīng)常遇到的問題，了解了MOS管的選取法則，那么工程師們選擇的時(shí)候就可以通過這些法則去選取所要的MOS管了，從而讓整個(gè)電路工作能順利進(jìn)行下去。不會(huì)因?yàn)?b class="flag-6" style="color: red">MOS管的不合適
2018-11-08 14:13:40
用于無線模塊的接收端，而且我們想用一個(gè)MOS管作為開關(guān)控制超級電容的充放電，因?yàn)榻邮斩说碾妷狠^低，所以找不到好使的mos管（應(yīng)該是低壓n型增強(qiáng)MOS管）不清楚到底用哪些mos管功耗更低，開啟電壓比較小，所以希望大佬們能給個(gè)建議！急?。。。?！
2019-08-01 04:36:02
被降低，器件效率也下降。為計(jì)算開關(guān)過程中器件的總損耗，要計(jì)算開通過程中的損耗(Eon)和關(guān)閉過程中的損耗(Eoff)?！ ×私饬?b class="flag-6" style="color: red">MOS管的選取法則，那么工程師們選擇的時(shí)候就可以通過這些法則去選取所要的MOS管了，從而讓整個(gè)電路工作能順利進(jìn)行下去。不會(huì)因?yàn)?b class="flag-6" style="color: red">MOS管的不合適而影響后面的各項(xiàng)工作和事宜。
2016-01-26 10:30:10
如何測量n溝道mos管的開啟電壓和電導(dǎo)常數(shù)呢？求大神解答
2023-03-15 17:22:46
電子愛好者在搞電子制作或維修時(shí)，有時(shí)候會(huì)從一些廢舊的開關(guān)電源或逆變器的電路板上拆一些舊的MOS管使用。那么如何判斷這些管子的好壞呢？下面我們來介紹一下如何用數(shù)字萬用表快速判斷MOS管的好壞
2021-11-16 07:54:06
一般我們設(shè)計(jì)這個(gè)MOS管的驅(qū)動(dòng)電路的時(shí)候，這個(gè)MOS管的gs端有一個(gè)寄生結(jié)電容，通常在設(shè)計(jì)電路時(shí)讓這個(gè)gs端開通后，當(dāng)關(guān)閉時(shí)還需要把這個(gè)Gs端的電容的電放電，那么使用一個(gè)電阻，我們現(xiàn)在有個(gè)問題：假如
2019-08-22 00:32:40
想找一款開啟電壓大于5V的N溝道MOS管
2017-05-27 09:36:04
看到TI有一款芯片是LM5050MK，它可以charger pump控制外部FET，但是我看到LM5050MK的GATE管教最大可以輸出14V，那么當(dāng)外接MOS管輸入電壓是24V是，這個(gè)MOS管的VGS能達(dá)到開啟的狀態(tài)碼？如果不開啟，那怎么實(shí)現(xiàn)大電流的控制呢？
2019-04-03 08:48:56
的?！ ?b class="flag-6" style="color: red">MOS管導(dǎo)通特性 導(dǎo)通的意思是作為開關(guān)，相當(dāng)于開關(guān)閉合?！ MOS的特性，Vgs大于一定的值就會(huì)導(dǎo)通，適用于源極接地的情況(低端驅(qū)動(dòng))，只要柵極電壓達(dá)到4V或10V就可以了。 PMOS的特性
2018-12-03 14:43:36
本帖最后由 QWE4562009 于 2021-1-31 09:44 編輯
有個(gè)快速關(guān)斷MOS管的電路是這樣的，哪個(gè)知道具體的工作原理的？是如何快速關(guān)斷的？
2021-01-25 09:21:46
電路圖如圖所示，示波器黃色通道1測試電容兩端電壓，藍(lán)色通道2測試Vds.使用的mos管型號為IRFZ34n,mos管總是在1伏時(shí)導(dǎo)通，使用了其他mos管也是同樣的情況，這1伏的電壓還沒有達(dá)到mos管的開啟電壓，為啥mos管就開啟了呢？
2023-05-18 22:59:00
` MOS管的快速關(guān)斷原理 R4是Q1的導(dǎo)通電阻沒有Q1就沒有安裝的必要了，當(dāng)?shù)碗娢粊頃r(shí)Q1為瀉放擴(kuò)流管。 功率MOS管怎樣關(guān)斷？能否用PWM實(shí)現(xiàn),怎樣實(shí)現(xiàn)？ 功率mosfet的三個(gè)端口，G
2019-01-08 13:51:07
液晶顯示器開啟后過幾分鐘后自動(dòng)關(guān)閉光管，電源指示正常，用手電照在屏幕上能看到圖像！究竟是高壓板有問題還是光管的問題？有壇友遇到過這種情況？
2012-05-07 23:55:41
轉(zhuǎn)自：電路啊 電源開關(guān)電路，經(jīng)常用在各“功能模塊”電路的電源通斷控制，是常用電路之一。本文要講解的電源開關(guān)電路，是用MOS管實(shí)現(xiàn)的，且?guī)к?b class="flag-6" style="color: red">開啟功能。既然帶“軟”開啟功能，不妨把這個(gè)電路理解為一個(gè)“軟”妹紙，讓咱們深入去了解她吧！帶軟開啟功能的MOS管電源開關(guān)電路一、電路說明： 電源開關(guān)電...
2021-10-28 07:05:53
如圖：與門芯片輸入脈沖方波，經(jīng)R90和C82濾波后開啟Q19然后開啟上面的Q16。問題：1.輸入多少頻率的方波才能夠開啟Q16,這個(gè)是否取決于R90和C82的參數(shù)？2.是否還應(yīng)把兩個(gè)mos管的開啟電壓以及導(dǎo)通所需的時(shí)間考慮在內(nèi)？不是很懂這個(gè)電路，請教各位。
2019-12-31 20:24:12
MOS管在制作生產(chǎn)時(shí)，這個(gè)反并聯(lián)的快速恢復(fù)二極管就自動(dòng)復(fù)合而成，不需要人為特意去另裝這個(gè)PN結(jié)。但是IGBT在制作生產(chǎn)時(shí)，這個(gè)反并聯(lián)二極管不是自動(dòng)復(fù)合而成，是沒有的，需要單獨(dú)再并聯(lián)一個(gè)快速恢復(fù)二極管。請問我的理解對嗎？請大家指導(dǎo)，謝謝！
2019-09-09 04:36:22
電源開關(guān)電路，經(jīng)常用在各“功能模塊”電路的電源通斷控制，是常用電路之一。本文要講解的電源開關(guān)電路，是用MOS管實(shí)現(xiàn)的，且?guī)к?b class="flag-6" style="color: red">開啟功能。
電路說明
電源開關(guān)電路，尤其是MOS管電源開關(guān)電路，經(jīng)常用在各
2025-12-01 08:23:15
描述TIDA-00675可使用負(fù)載開關(guān)動(dòng)態(tài)開啟/關(guān)閉負(fù)載，從而降低功耗。設(shè)計(jì)指南說明了開關(guān)頻率、占空比和放電電阻的使用如何影響功耗。特性通過動(dòng)態(tài)開啟/關(guān)閉負(fù)載來降低功耗頻率、占空比和負(fù)載電流對功耗
2022-09-20 07:17:32
MOS管主要參數(shù)：
1.開啟電壓VT ·開啟電壓（又稱閾值電壓）：使得源極S和漏極D之間開始形成導(dǎo)電溝道所需的柵極電壓； ·標(biāo)準(zhǔn)
2009-04-06 23:26:1930035 MOS管原理應(yīng)用非常詳細(xì)、功率MOS及其應(yīng)用應(yīng)用指南技術(shù)原理與方法，讓你知道如何MOSFET原理、功率MOS及其應(yīng)用
2016-08-30 18:11:47
0 功率MOS管應(yīng)用指南技術(shù)原理與方法，讓你知道如何避免干擾，
2016-08-30 18:11:4721 三極管是流控型器件，MOS管是壓控型器件，兩者存在相似之處。三極管機(jī)可能經(jīng)常用，但MOS管你用的可能較少。對于MOS管先拋出幾個(gè)問題：如何區(qū)分P-MOS和N-MOS；如何區(qū)分MOS的G、D、S管腳
2018-07-15 11:03:0018537 
怎么選擇MOS管是新手工程師們經(jīng)常遇到的問題，了解了MOS管的選取法則，那么工程師們選擇的時(shí)候就可以通過這些法則去選取所要的MOS管了，從而讓整個(gè)電路工作能順利進(jìn)行下去。不會(huì)因?yàn)?b class="flag-6" style="color: red">MOS管的不合適而影響后面的各項(xiàng)工作和事宜。下面總結(jié)出如何正確選取MOS管的四大法則。
2018-06-09 11:34:0021986 本文開始介紹了MOS管概念和MOS管工作原理，其次介紹了MOS管的性能參數(shù)以及mos管三個(gè)引腳的區(qū)分方法，最后介紹了MOS管是如何快速判斷與好壞及引腳性能的以及介紹了mos管的作用。
2018-04-03 14:30:30110666 
新型晶體管依靠移動(dòng)一個(gè)銀原子開啟或關(guān)閉電路。材料科學(xué)新聞網(wǎng)站Nanowerk稱這種晶體管是世界上最小的晶體管。更重要的是，新型晶體管被描述為“量子開關(guān)”，這意味著它可以比目前的晶體管攜帶更復(fù)雜的信息。
2018-08-21 10:23:443463 mos晶體管，金屬-氧化物-半導(dǎo)體（Metal-Oxide-Semiconductor）結(jié)構(gòu)的晶體管簡稱MOS晶體管，有MOS管構(gòu)成的集成電路稱為MOS集成電路。
2019-04-19 17:04:528654 MOS管相對于負(fù)載在電勢的低端，其中D通過負(fù)載接電源，S直接接地。對于NMOS，只有當(dāng)Vgs大于開啟電壓時(shí)，MOS管才能導(dǎo)通。
2020-01-31 17:21:0017314 
MOS管驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)一般認(rèn)為MOSFET是電壓驅(qū)動(dòng)的，不需要驅(qū)動(dòng)電流。然而，在MOS的G、S兩級之間有結(jié)電容存在，這個(gè)電容會(huì)讓驅(qū)動(dòng)MOS變的不那么簡單。 如果不考慮紋波和EMI等要求的話，MOS管開關(guān)
2020-03-09 09:27:028458 
振蕩。 限制G極電流 MOS管是由電壓驅(qū)動(dòng)的，是以G級電流很小，但是因?yàn)榧纳娙莸拇嬖?，?b class="flag-6" style="color: red">MOS管打開或關(guān)閉的時(shí)候，因?yàn)橐獙﹄娙葸M(jìn)行充電，所有瞬間電流還是比較大的。特別是在開關(guān)電源中，MOS管頻繁的開啟和關(guān)閉，那么就要更要考慮這個(gè)帶來的影響
2020-03-13 11:24:259683 
正確連接時(shí)：剛上電，MOS管的寄生二極管導(dǎo)通，所以S的電位大概就是0.6V，而G極的電位，是VBAT，VBAT-0.6V大于UGS的閥值開啟電壓，MOS管的DS就會(huì)導(dǎo)通，由于內(nèi)阻很小，所以就把寄生二極管短路了，壓降幾乎為0。
2020-04-04 15:21:006428 
通時(shí)寄生二極管截止的特性，可以快速測量MOS好壞。 1、測量之前將MOS的3個(gè)極短接，可以用一根鐵絲，泄放MOS管內(nèi)部電荷，確認(rèn)MOS管是關(guān)閉狀態(tài)。 ? 短接釋放電荷確保MOS截止 2、將萬用表調(diào)至二極管檔，將紅表筆接在MOS的S極，黑表筆接在D極，這時(shí)寄生二極管是導(dǎo)通狀態(tài)
2021-02-12 16:04:0023133 
電源開關(guān)電路，經(jīng)常用在各“功能模塊”電路的電源通斷控制，是常用電路之一。本文要講解的電源開關(guān)電路，是用MOS管實(shí)現(xiàn)的，且?guī)к?b class="flag-6" style="color: red">開啟功能。 ? 電路說明 電源開關(guān)電路，尤其是MOS管電源開關(guān)電路，經(jīng)常
2021-09-02 10:06:5513688 
。既然帶“軟”開啟功能，不妨把這個(gè)電路理解為一個(gè)“軟”妹紙，讓咱們深入去了解她吧！帶軟開啟功能的MOS管電源開關(guān)電路一、電路說明： 電源開關(guān)電...
2021-10-21 14:06:0042 的是MOS管作為開關(guān)管的使用。對于MOS管的選型，注意4個(gè)參數(shù)：漏源電壓（D、S兩端承受的電壓）、工作電流（經(jīng)過MOS管的電路）、開啟電壓（讓MOS管導(dǎo)通的G、S電壓）、工作頻率（最大的開關(guān)頻率
2021-10-21 18:06:0813 一般認(rèn)為MOSFET是電壓驅(qū)動(dòng)的，不需要驅(qū)動(dòng)電流。然而，在MOS的G S兩級之間有結(jié)電容存在，這個(gè)電容會(huì)讓驅(qū)動(dòng)MOS變的不那么簡單。如果不考慮紋波和EMI等要求的話， MOS管 開關(guān)速度越快越好
2021-11-07 13:06:0042 不同型號的MOS管由于結(jié)構(gòu)，制程，工藝的不同，其開啟電壓也是不同的，如下圖所示，有些開啟電壓1.5V即可，有些則要4.5V，那么我們在驅(qū)動(dòng)對應(yīng)的MOS時(shí)，驅(qū)動(dòng)電壓越高越好?還是說只要大于開啟電壓就行呢?接下來我們就這些問題講解一下。
2022-04-08 10:00:1019606 
一般認(rèn)為MOSFET（MOS管）是電壓驅(qū)動(dòng)的，不需要驅(qū)動(dòng)電流。然而，在MOS管的G極和S極之間有結(jié)電容存在，這個(gè)電容會(huì)讓驅(qū)動(dòng)MOS變的不那么簡單。
2022-09-15 15:28:476740 功率MOS管作為常用的半導(dǎo)體開關(guān)，其驅(qū)動(dòng)方式有什么特點(diǎn)呢？首先，我們認(rèn)為MOS管是電壓控制型器件，其正常工作時(shí)是不需要電流的(開或關(guān)的穩(wěn)態(tài)條件下)，只要有維持電壓，MOS管即可保持開啟或關(guān)閉狀態(tài)。
2023-01-17 10:04:0712212 這就提出一個(gè)要求，需要使用一個(gè)電路，讓低壓側(cè)能夠有效的控制高壓側(cè)的MOS管，同時(shí)高壓側(cè)的MOS管也同樣會(huì)面對1和2中提到的問題。
2023-01-29 11:20:092893 MOS管是由源極、漏極、門極和金屬氧化物層組成，其中金屬氧化物層是MOS管的核心部分，它由一層金屬和一層氧化物組成，金屬層和氧化物層之間有一個(gè)很小的空隙，這個(gè)空隙可以控制電子的流動(dòng)，從而控制MOS管的電流。
2023-02-17 14:51:098197 電路設(shè)計(jì)的問題是讓MOS管在線工作，而不是在開關(guān)狀態(tài)下工作。這也是MOS管加熱的原因之一。如果N-MOS做開關(guān)，G級電壓比電源高幾V，P-MOS就相反了。未完全打開，壓降過大，導(dǎo)致功耗大，等效DC阻抗大，壓降大，U*I大，損耗意味著加熱。這是設(shè)計(jì)電路中最禁忌的錯(cuò)誤。
2023-06-18 14:46:071787 關(guān)于MOS管驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)，本文談一談如何讓MOS管快速開啟和關(guān)閉。一般認(rèn)為MOSFET（MOS管）是電壓驅(qū)動(dòng)的，不需要驅(qū)動(dòng)電流。然而，在MOS管的G極和S極之間有結(jié)電容存在，這個(gè)電容會(huì)讓驅(qū)動(dòng)MOS變的不那么...........
2022-11-08 10:31:432506 
MOS開啟電壓一般為多少？ MOS（金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管）是一種常見而重要的半導(dǎo)體器件。在電子行業(yè)中，MOS被廣泛應(yīng)用于電路設(shè)計(jì)、功率放大、數(shù)字信號處理、高速數(shù)據(jù)傳輸和電子設(shè)備控制等方面。在
2023-09-02 11:14:0415214 mos管的箭頭表示什么？mos管電流方向與箭頭 MOS管（Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor）是一種常用的半導(dǎo)體器件，它是在MOS結(jié)構(gòu)
2023-09-07 16:08:359073 寄生電容對MOS管快速關(guān)斷的影響 MOS（Metal Oxide Semiconductor）管是一種晶體管，它以其高性能和可靠性而廣泛應(yīng)用于許多電子設(shè)備，如功率放大器和開關(guān)電源。盡管MOS管具有
2023-09-17 10:46:585125 MOS管，全稱為金屬-氧化物-半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管，或者稱是金屬-絕緣體-半導(dǎo)體，是一種常見的半導(dǎo)體器件。根據(jù)其工作電壓的不同，MOS管主要可分為高壓MOS管和低壓MOS管。
2023-10-16 17:21:518363 如何讓MOS管快速開啟和關(guān)閉？ MOS管是一種晶體管，它具有優(yōu)良的開關(guān)特性，因此在電子設(shè)計(jì)中得到廣泛應(yīng)用。MOS管能夠快速開啟和關(guān)閉，可以通過以下多種方法實(shí)現(xiàn)： 1. 優(yōu)化MOS管的驅(qū)動(dòng)電路 MOS
2023-10-31 14:52:333630 MOS 管的開啟與關(guān)閉 要研究這個(gè)自舉的由來，我們還是先看一下 MOS 的開啟與關(guān)閉。從上文得知，我們首先要分別看一下 NMOS 和 PMOS電源拓?fù)渲械拈_關(guān)情況了。 上圖中展示的 Bcuk 電路
2023-11-20 16:27:164335 
MOS管的驅(qū)動(dòng)原理、驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)和驅(qū)動(dòng)方式選擇等方面的內(nèi)容。 驅(qū)動(dòng)原理 氮化鎵MOS管的驅(qū)動(dòng)原理主要包括充電過程、放電過程和電流平衡過程三個(gè)階段。 在充電過程中，通過控制輸入信號使得氮化鎵MOS管的柵極電壓逐漸上升，從而開啟MOS管。
2024-01-10 09:29:025949 MOS（Metal-Oxide-Semiconductor，金屬氧化物半導(dǎo)體）是一種廣泛應(yīng)用于電子器件的半導(dǎo)體材料，其開啟電壓（Threshold Voltage，簡稱Vth）是指使MOS晶體管從
2024-07-14 11:30:164307 MOS管最基本且常用的功能是通過對G級施加電壓以控制S與D之間的開啟與關(guān)閉，常用作電子開關(guān)。
2024-07-19 15:46:052161 
關(guān)于MOS管驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)，本文談一談如何讓MOS管快速開啟和關(guān)閉。一般認(rèn)為MOSFET（MOS管）是電壓驅(qū)動(dòng)的，不需要驅(qū)動(dòng)電流。然而，在MOS管的G極和S極之間有結(jié)電容存在，這個(gè)電容會(huì)讓驅(qū)動(dòng)MOS變
2024-07-22 11:26:532096 
在電力電子設(shè)計(jì)領(lǐng)域，MOS管的驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)直接決定了器件的開關(guān)效率與可靠性。工程師們對快速關(guān)斷的關(guān)注遠(yuǎn)超開通速度，這一設(shè)計(jì)傾向并非偶然，它源于MOS管的固有特性與實(shí)際應(yīng)用需求的深度耦合。本文將從電路
2025-12-29 09:30:37148 
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