今天碳化硅器件已經(jīng)在多種應用中取得商業(yè)的成功。碳化硅MOSFET已被證明是硅IGBT在太陽能、儲能系統(tǒng)、電動汽車充電器和電動汽車等領域的商業(yè)可行替代品。
2025-08-29 14:38:01
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碳化硅 (SiC) 是一項創(chuàng)新技術，將在許多應用中取代硅 (Si)。將 SiC 用于電動汽車 (EV) 的想法誕生于努力提高此類車輛的效率和續(xù)航里程，同時降低整車的重量和成本，從而提高控制電子設備的功率密度。
2022-07-27 14:37:233167 
。Wolfspeed 將為梅賽德斯-奔馳供應碳化硅器件，賦能其未來電動汽車平臺，為其動力總成帶來更高效率。梅賽德斯-奔馳部分汽車線的新一代動力總成系統(tǒng)將采用 Wolfspeed 半導體。 ? ? 梅賽德斯-奔馳采購
2023-01-06 15:03:40843 
本白皮書重點介紹 Wolfspeed 專為高功率電子應用而設計的第 4 代碳化硅 (SiC) MOSFET 技術。基于在碳化硅創(chuàng)新領域的傳承，Wolfspeed 定期推出尖端技術解決方案，重新
2025-02-19 11:35:411716 
德爾福科技推出業(yè)界領先800伏碳化硅逆變器，將電動汽車充電時間減半
2019-09-20 14:55:532585 。尤其在高壓工作環(huán)境下，依然體現(xiàn)優(yōu)異的電氣特性，其高溫工作特性，大大提高了高溫穩(wěn)定性，也大幅度提高電氣設備的整體效率?！ ‘a(chǎn)品可廣泛應用于太陽能逆變器、車載電源、新能源汽車電機控制器、UPS、充電樁、功率電源等領域?！ ?200V碳化硅MOSFET系列選型
2020-09-24 16:23:17
BASiC基本半導體40mR/650V SiC 碳化硅MOSFET，替代30mR 超結MOSFET或者20-30mR的GaN!
BASiC基本半導體40mR/650V SiC 碳化硅MOSFET
2025-01-22 10:43:28
隨著電動汽車的火熱發(fā)展，充電樁和車載充電器的方案已經(jīng)成為市場的熱點。 此類應用中，其輸入電壓大都是三相交流輸入，經(jīng)過三相PFC后，直流母線電壓會高到7，800V， 如此高的直流母線電壓給后級
2018-10-17 16:55:50
，增加電流會導致線束問題，反過來又增加了車輛重量。增加電壓到400V或更高才是可行的解決方案。采用電力電子器件的寬帶隙解決方案 - 碳化硅（SiC），即可在高壓下有效地傳輸電力。SiC是一種寬帶隙半導體
2019-03-11 06:45:02
面向電動汽車的全新碳化硅功率模塊 碳化硅在電動汽車應用中代表著更高的效率、更高的功率密度和更優(yōu)的性能，特別是在800 V 電池系統(tǒng)和大電池容量中，它可提高逆變器的效率，從而延長續(xù)航里程或降低電池成本
2021-03-27 19:40:16
碳化硅MOSFET開關頻率到100Hz為什么波形還變差了
2015-06-01 15:38:39
本文的目的是分析碳化硅MOSFET的短路實驗(SCT)表現(xiàn)。具體而言，該實驗的重點是在不同條件下進行專門的實驗室測量，并借助一個穩(wěn)健的有限元法物理模型來證實和比較測量值，對短路行為的動態(tài)變化進行深度評估。
2019-08-02 08:44:07
?！ OM成本比較表明，碳化硅基MOSFET充電器方案可節(jié)省15%成本 加快上市等于減少了時間成本 半導體廠商通常都通過參考設計為其器件提供廣泛的支持。對于上面提到的OBC應用，Wolfspeed的全球
2023-02-27 14:28:47
開關電源輸出整流部分如果用碳化硅肖特基二極管可以用實現(xiàn)更高的直流電輸出。 2、SiCMOSFET 對于傳統(tǒng)的MOSFET，它的導通狀態(tài)電阻很大，開關損耗很大，額定工作結溫低，但是SiCMOSFET
2020-06-28 17:30:27
進一步了解碳化硅器件是如何組成逆變器的。
2021-03-16 07:22:13
今天我們來聊聊碳化硅器件的特點
2021-03-16 08:00:04
大量采用持續(xù)穩(wěn)定的線路板；在引擎室中，由于高溫環(huán)境和LED 燈源的散熱要求，現(xiàn)有的以樹脂、金屬為基材的電路板不符合使用要求，需要散熱性能更好碳化硅電路板，例如斯利通碳化硅基板；在高頻傳輸與無線雷達偵測
2020-12-16 11:31:13
92%的開關損耗，還能讓設備的冷卻機構進一步簡化，設備體積小型化，大大減少散熱用金屬材料的消耗。半導體LED照明領域碳化硅（SiC）在大功率LED方面具有非常大的優(yōu)勢，采用碳化硅（SiC）陶瓷基板
2021-01-12 11:48:45
碳化硅的顏色，純凈者無色透明，含雜質(碳、硅等)時呈藍、天藍、深藍，淺綠等色，少數(shù)呈黃、黑等色。加溫至700℃時不褪色。金剛光澤。比重,具極高的折射率, 和高的雙折射，在紫外光下發(fā)黃、橙黃色光，無
2019-07-04 04:20:22
和 DC-AC 變流器等。集成式快速開關 50A IGBT 的關斷性能優(yōu)于純硅解決方案，可與 MOSFET 媲美。較之常規(guī)的碳化硅 MOSFET，這款即插即用型解決方案可縮短產(chǎn)品上市時間，能以更低成本實現(xiàn) 95
2021-03-29 11:00:47
的化學惰性? 高導熱率? 低熱膨脹這些高強度、較持久耐用的陶瓷廣泛用于各類應用，如汽車制動器和離合器，以及嵌入防彈背心的陶瓷板。碳化硅也用于在高溫和/或高壓環(huán)境中工作的半導體電子設備，如火焰點火器、電阻加熱元件以及惡劣環(huán)境下的電子元器件。
2019-07-02 07:14:52
碳化硅作為現(xiàn)在比較好的材料，為什么應用的領域會受到部分限制呢？
2021-08-19 17:39:39
EAB450M12XM3全碳化硅半橋功率模塊CREEEAB450M12XM3是Wolfspeed（原CREE科銳）生產(chǎn)的1200V、450A全碳化硅半橋功率模塊，致力于高功率、高效化技術應用打造
2025-06-25 09:13:14
小輕薄，小尺寸，大能量B1D04065E PD快充用碳化硅肖特基二極管。特性：?極低反向電流? 無反向恢復電流? 溫度無關開關? VF上的正溫度系數(shù)? 卓越的浪涌電流能力? 低電容電荷優(yōu)勢：?基本上
2021-11-06 09:26:20
對比 我們采用雙脈沖的方法來比較一下基本半導體1200V 80mΩ 的碳化硅MOSFET的兩種封裝B1M080120HC（TO-247-3）和B1M080120HK（TO-247-4）在相同條件下
2023-02-27 16:14:19
隨著電力電子技術的不斷進步，碳化硅MOSFET因其高效的開關特性和低導通損耗而備受青睞，成為高功率、高頻應用中的首選。作為碳化硅MOSFET器件的重要組成部分，柵極氧化層對器件的整體性能和使用壽命
2025-01-04 12:37:34
什么是碳化硅（SiC）？它有哪些用途？碳化硅（SiC）的結構是如何構成的？
2021-06-18 08:32:43
。雖然碳化硅組件可望成為推動電力設備由機械轉向電子結構的重要推手，但現(xiàn)階段碳化硅組件最主要的應用市場，其實是電動汽車。電動汽車應用之所以對碳化硅組件的需求如此殷切，主要原因在于可實現(xiàn)更輕巧的電源系統(tǒng)
2021-09-23 15:02:11
，航空業(yè)最近經(jīng)歷了快速增長，新的航空航天世界在用于電源和電機控制的SiC器件中找到了新的電源管理解決方案。碳化硅有望在航空工業(yè)中降低重量和減少燃料消耗和排放，例如，碳化硅 MOSFET在更高工作溫度下
2022-06-13 11:27:24
電機驅動。碳化硅器件和碳化硅模組可用于太陽能發(fā)電、風力發(fā)電、電焊機、電力機車、遠距離輸電、服務器、家電、電動汽車、充電樁等用途。創(chuàng)能動力于2015年在國內開發(fā)出6英寸SiC制造技術，2017年推出基于6
2023-02-22 15:27:51
硅 IGBT 和二極管與多電平配置等新拓撲相結合，可提供最佳的性價比?；旌?b class="flag-6" style="color: red">碳化硅結合了高速硅IGBT和碳化硅肖特基續(xù)流二極管，也是一個不錯的選擇，與純硅解決方案相比，可將功率損耗降低多達50
2023-02-20 16:29:54
的功率半導體器件選型，并給出性能和成本平衡的混合碳化硅分立器件解決方案?！ ?2 圖騰柱無橋PFC拓撲分析 在正半周期（VAC大于0）的時候，T2為主開關管?！ ‘擳2開通時，電感L儲能，電流
2023-02-28 16:48:24
場效應管（Si MOSFET）以前從未考慮過的應用而變得更具有吸引力?！ ?b class="flag-6" style="color: red">碳化硅MOSFET越來越多用于千瓦級功率水平應用，涵蓋如通電源，和服務器電源，和快速增長的電動汽車電池充電器市場等領域。碳化硅
2023-03-14 14:05:02
器件包括主開關MOSFET：C3M0065100K； 輸出碳化硅二極管：C5D50065D;單端反激Flyback輔助電源的MOSFET：C2M1000170D方案能廣泛應用于新能源電動汽車充電、通信
2016-08-05 14:32:43
對于高壓開關電源應用，碳化硅或SiC MOSFET帶來比傳統(tǒng)硅MOSFET和IGBT明顯的優(yōu)勢。在這里我們看看在設計高性能門極驅動電路時使用SiC MOSFET的好處。
2018-08-27 13:47:31
用碳化硅MOSFET設計一個雙向降壓-升壓轉換器
2021-02-22 07:32:40
/混合動力汽車半導體領袖，緊跟市場趨勢，提供全面的高性能方案，包括超級結SuperFET? III MOSFET、碳化硅(SiC)二極管、IGBT、隔離型門極驅動器、電流檢測放大器、快恢復二極管，滿足電動汽車充電樁市場需求并推動創(chuàng)新。
2019-08-06 06:39:15
采用溝槽型、低導通電阻碳化硅MOSFET芯片的半橋功率模塊系列 產(chǎn)品型號 BMF600R12MCC4 BMF400R12MCC4 汽車級全碳化硅半橋MOSFET模塊Pcore2
2023-02-27 11:55:35
碳化硅（SiC） MOSFET、超級結MOSFET、IGBT和汽車功率模塊（APM）等廣泛的產(chǎn)品陣容乃至完整的系統(tǒng)方案，以專知和經(jīng)驗支持設計人員優(yōu)化性能，加快開發(fā)周期。本文將主要介紹針對主流功率等級的高能效OBC方案。
2020-11-23 11:10:00
）功率器件產(chǎn)業(yè)化的倡導者之一，國內首家第三代半導體材料碳化硅器件制造與應用解決方案提供商，在國內碳化硅功率器件制造商中率先完成了質量管理體系---汽車行業(yè)生產(chǎn)件與相關服務件的組織實施ISO9007的要求
2023-02-27 14:35:13
直流快充，三相交流輸入需要經(jīng)過三相PFC整流輸出電壓為800V，因此后級隔離采用如圖6左所示復雜三電平硅方案，碳化硅MOSFET可以使電路從復雜三電平變?yōu)閮呻娖饺珮螂娐穂2]，減小開關器件數(shù)量；(2
2016-08-25 14:39:53
碳化硅 MOSFET 量身打造的解決方案，搭配基本半導體TO-247-3 封裝碳化硅 MOSFET?！ ?、通用型驅動核 1CD0214T17-XXYY 是青銅劍科技自主研發(fā)的一系列針對于單管碳化硅
2023-02-27 16:03:36
之一和全球第二大功率分立器件和模塊半導體供應商，提供廣泛的高能效和高可靠性的系統(tǒng)方案，并采用新型的寬禁帶材料如碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)等進行新產(chǎn)品開發(fā)，用于汽車功能電子化和HEV/EV應用。
2019-07-23 07:30:07
。由于直流充電樁采用三相四線制供電，可以提供足夠的功率，輸出的電壓和電流調整范圍大，可以實現(xiàn)快充的要求。 二、解決方案： 直流充電樁要實現(xiàn)快充功能，輸出電流大，因此采用三相交流電（380V）供電，本方案采用高性價比的MOS管，輸出搭配碳化硅肖特基二極管。 充電器的特點如下：
2020-07-02 15:50:49
公司等為代表。四、碳化硅半導體應用碳化硅半導體器件，其高頻、高效、高溫的特性特別適合對效率或溫度要求嚴苛的應用。可廣泛應用于太陽能逆變器、車載電源、新能源汽車電機控制器、UPS、充電樁、功率電源等領域。原作者：大年君愛好電子
2023-02-20 15:15:50
最近需要用到干法刻蝕技術去刻蝕碳化硅，采用的是ICP系列設備，刻蝕氣體使用的是SF6+O2，碳化硅上面沒有做任何掩膜，就是為了去除SiC表面損傷層達到表面改性的效果。但是實際刻蝕過程中總是會在碳化硅
2022-08-31 16:29:50
描述此款碳化硅 (SiC) FET 和 IGBT 柵極驅動器參考設計為驅動 UPS、交流逆變器和電動汽車充電樁（電動汽車充電站）應用的功率級提供了藍圖。此設計基于 TI 的 UCC53xx
2018-09-30 09:23:41
IGBT 的三相電機半橋的高側和低側功率級，并能夠監(jiān)控和保護各種故障情況。圖1：電動汽車牽引逆變器框圖碳化硅 MOSFET 米勒平臺和高強度柵極驅動器的優(yōu)勢特別是對于SiC MOSFET，柵極驅動器IC
2022-11-02 12:02:05
E3M0120090J通過推出 E 系列碳化硅 (SiC) MOSFET 擴展了其在碳化硅領域的領先地位；業(yè)內首個汽車認證；業(yè)界提供具有 PPAP 功能且防潮的 MOSFET。它采用
2022-05-22 10:54:29
C3M0065100J提供一系列 1000 V 碳化硅 (SiC) MOSFET，針對電動汽車充電系統(tǒng)等快速開關設備進行了優(yōu)化；工業(yè)電源；和可再生能源系統(tǒng)。1000 V 碳化硅 MOSFET 通過
2022-05-22 22:19:10
C3M0065100K提供一系列 1000 V 碳化硅 (SiC) MOSFET，針對電動汽車充電系統(tǒng)等快速開關設備進行了優(yōu)化；工業(yè)電源；和可再生能源系統(tǒng)。1000 V 碳化硅 MOSFET 通過
2022-05-23 18:20:10
C3M0120100J提供一系列 1000 V 碳化硅 (SiC) MOSFET，針對電動汽車充電系統(tǒng)等快速開關設備進行了優(yōu)化；工業(yè)電源；和可再生能源系統(tǒng)。1000 V 碳化硅 MOSFET 通過
2022-05-23 20:57:39
C3M0120100K提供一系列 1000 V 碳化硅 (SiC) MOSFET，針對電動汽車充電系統(tǒng)等快速開關設備進行了優(yōu)化；工業(yè)電源；和可再生能源系統(tǒng)。1000 V 碳化硅 MOSFET 通過
2022-05-23 21:05:47
C3M0021120D是1200 V 碳化硅 (SiC) MOSFET 系列經(jīng)過優(yōu)化的器件，可用于 UPS 等大功率應用；電機控制和驅動；開關電源；太陽能和儲能系統(tǒng)；電動汽車充電；高壓 DC/DC
2022-05-23 21:30:45
C3M0021120K是1200 V 碳化硅 (SiC) MOSFET 系列經(jīng)過優(yōu)化的器件，可用于 UPS 等大功率應用；電機控制和驅動；開關電源；太陽能和儲能系統(tǒng)；電動汽車充電；高壓 DC/DC
2022-05-23 21:43:24
E3M0075120K為E 系列分立碳化硅 MOSFET。業(yè)界首款汽車級碳化硅 MOSFET。通過推出 E 系列碳化硅 (SiC) MOSFET 擴展了其在碳化硅領域的領先地位；業(yè)內首個汽車認證
2022-05-24 21:52:50
E3M0075120D為E 系列分立碳化硅 MOSFET。業(yè)界首款汽車級碳化硅 MOSFET。通過推出 E 系列碳化硅 (SiC) MOSFET 擴展了其在碳化硅領域的領先地位；業(yè)內首個汽車認證
2022-05-24 21:59:02
對于大功率應用，如電網(wǎng)轉換、電動汽車或家用電器，碳化硅（MOSFET）MOSFET比硅IGBT具有許多優(yōu)點，包括更快的開關速度、更高的電流密度和更低的通態(tài)電阻。
2017-11-01 11:47:51
42 科銳（Nasdaq: CREE）旗下Wolfspeed于近日宣布推出E-系列碳化硅（SiC）半導體器件。這一新型產(chǎn)品家族針對電動汽車EV和可再生能源市場，能夠為車載汽車功率轉換系統(tǒng)、非車載充電、太陽能逆變器和其它戶外應用提供目前最高的功率密度和長期可靠性。
2018-08-30 15:32:045412 保護功能的充電樁對于實現(xiàn)以盡可能短的充電時間續(xù)航更遠的里程至關重要。常用的半導體器件有IGBT、超結MOSFET和碳化硅（SiC）。安森美半導體為電動汽車OBC和直流充電樁提供完整的系統(tǒng)方案，包括通過
2020-01-01 17:02:009515 
作為碳化硅技術全球領先企業(yè)的科銳（Cree Inc．， 美國納斯達克上市代碼：CREE）公司，于近日宣布推出Wolfspeed 650V碳化硅MOSFET產(chǎn)品組合，適用于更廣闊的工業(yè)應用，助力新一代電動汽車車載充電、數(shù)據(jù)中心和其它可再生能源系統(tǒng)應用，提供業(yè)界領先的功率效率。
2020-04-02 15:37:564450 碳化硅器件在電動汽車中的應用介紹說明。
2021-06-10 10:51:0875 通用汽車于近日宣布達成一項戰(zhàn)略供應商協(xié)議，約定 Wolfspeed 為通用汽車的未來電動汽車計劃開發(fā)并提供碳化硅（SiC）功率器件解決方案。
2021-10-11 15:27:361086 
碳化硅還減小了電動汽車車載充電器和電池管理解決方案的尺寸，最近導致它們集成到 DC-DC 轉換器和配電單元中。
2022-05-16 15:21:502993 電動汽車 (EV) 以及更普遍的電動汽車的成功在很大程度上取決于為電池充電所需的時間。長期以來，電動汽車一直被認為是弱點之一，充電時間逐漸縮短，采用快速充電等先進解決方案，只需幾分鐘。直接
2022-08-03 09:20:213260 
對基于碳化硅 (SiC) 的系統(tǒng)的需求持續(xù)快速增長，以最大限度地提高效率并減小尺寸和重量，從而使工程師能夠創(chuàng)建創(chuàng)新的電源解決方案。利用 SiC 技術的應用范圍從電動汽車和充電站到智能電網(wǎng)以及工業(yè)和航空電力系統(tǒng)。
2022-08-08 09:34:321759 
關于硅基 IGBT，碳化硅 MOSFET 在此應用中也提供更好的性能：效率提高 2% 以上，功率密度增加 33%，系統(tǒng)成本更低，組件更少。
2022-08-09 10:06:001205 
Wolfspeed 650V 碳化硅 MOSFET 針對高性能電力電子應用優(yōu)化設計，適合企業(yè) / 服務器 / 通信電源、儲能系統(tǒng)、電動汽車充電系統(tǒng)、電池管理系統(tǒng)、光伏逆變器和電機驅動等
2022-11-11 11:31:571164 隨著對電動汽車（EV）需求的持續(xù)增長，制造商正在比較兩種半導體技術，即碳化硅和硅，用于電力電子應用。碳化硅（SiC）具有耐高溫、低功耗、剛性，并支持EV電力電子設備所需的更小、更薄的設計。SiC當前應用的示例包括車載DC/DC轉換器、非車載直流快速充電器、車載電池充電器、電動汽車動力總成和LED汽車照明。
2022-11-15 10:22:551206 ST碳化硅解決方案讓主要的汽車OEM廠商能夠領跑電動汽車開發(fā)競賽，我們的第三代 SiC 技術確保功率晶體管達到理想的功率密度和能效，讓汽車實現(xiàn)出色的性能、續(xù)航里程和充電時間。
2022-12-15 11:51:172190 采用其他材料來代替。 而以碳化硅為代表的第三代半導體，與單晶硅和砷化鎵等傳統(tǒng)半導體材料相比，具有明顯的優(yōu)勢： （1）碳化硅具有高熱導率（達到4.9W/cm？ K），是硅的3.3倍。 因此，碳化硅材料散熱效果好，理論上，碳化硅功率
2023-02-12 16:10:251692 使用PLECS仿真軟件建立兩者的熱模型,進行系統(tǒng)性仿真,得到效率和結溫間的對比結果?最后通過電機對拖實驗得出控制器應用碳化硅MOSFET時的效率,驗證出在電動汽車熱管理系統(tǒng)中,空調壓縮機控制器應用碳化硅MOSFET能有更高的效率,有利于電動汽車的熱管理?
2023-04-17 11:08:411527 MOSFET相比傳統(tǒng)的硅MOSFET具有更高的電子遷移率、更高的耐壓、更低的導通電阻、更高的開關頻率和更高的工作溫度等優(yōu)點。因此，碳化硅MOSFET可以被廣泛應用于能源轉換、交流/直流電源轉換、汽車和航空航天等領域。
2023-06-02 15:33:152612 系列有源濾波器 APF 和靜止無功發(fā)生器 SVG 中采用業(yè)界領先的 Wolfspeed WolfPACK 碳化硅功率模塊。
2023-06-26 11:38:081470 SHINRY是全球最早實現(xiàn)碳化硅并批量交付的企業(yè)之一，開發(fā)的碳化硅雙向OBC產(chǎn)品出貨量已過百萬件，使用SiC MOSFET的氫燃料電池汽車DCF（DC/DC Converter for Fuel Cell）市場份額超過50%，在碳化硅器件的應用和推廣方面具備豐富的經(jīng)驗和市場基礎
2023-06-27 17:41:501931 
。Wolfspeed 1200V碳化硅MOSFET系列針對高功率應用優(yōu)化設計，適用于光伏與儲能系統(tǒng)、電動汽車充電、高電壓DC/DC轉換器、測試設備、不間斷電
2023-07-06 10:35:141265 電動汽車（EV）電池系統(tǒng)從400V到800V的轉變使碳化硅（SiC）半導體在牽引逆變器、車載充電器（OBC）和DC/DC轉換器中脫穎而出。
2023-07-25 09:50:15976 隨著對電動汽車（EV）需求的持續(xù)增長，制造商正在比較兩種半導體技術，即碳化硅和硅，用于電力電子應用。碳化硅（SiC）具有耐高溫、低功耗、剛性，并支持EV電力電子設備所需的更小、更薄的設計。SiC當前
2023-09-27 09:48:181254 Wolfspeed 采用 TOLL 封裝的碳化硅 MOSFET 產(chǎn)品組合豐富，提供優(yōu)異的散熱，極大簡化了熱管理。
2023-11-20 10:24:002169 
碳化硅在功率半導體市場（尤其是電動汽車）中越來越受歡迎，但對于許多應用來說仍然過于昂貴。
2024-01-29 14:46:114552 
2024年以來，包括廣汽集團等4家企業(yè)均推出了基于碳化硅技術的汽車充電方案，意味著碳化硅有望在充電基礎設施領域實現(xiàn)大規(guī)模應用
2024-01-29 16:53:254054 
SemiQ的各種碳化硅(SiC)二極管、模塊和MOSFET能夠滿足高效率電動汽車快速充電設計的需求，具有一流的可靠性、質量和性能。SiC模塊和分立封裝中的1200V二極管具有一系列電壓和電流，可為
2024-05-15 11:20:06804 
全球領先的芯片制造商 Wolfspeed 近日宣布了一項重大技術創(chuàng)新，成功推出了一款專為可再生能源、儲能系統(tǒng)以及高容量快速充電領域設計的碳化硅模塊。這款模塊以 Wolfspeed 最尖端的 200 毫米碳化硅晶片為核心，實現(xiàn)了前所未有的性能飛躍。
2024-09-12 17:13:321309 Wolfspeed碳化硅助力實現(xiàn)高性能功率系統(tǒng)
2024-10-24 10:51:362 隨著可再生能源的崛起和電動汽車的普及，全球對高效能、低能耗電力電子器件的需求日益增加。在這一背景下，碳化硅（SiC）MOSFET作為一種新型寬禁帶半導體器件，以其優(yōu)越的性能在功率電子領域中嶄露頭角
2025-02-26 11:03:291400 基于BASIC Semiconductor基本半導體股份有限公司 碳化硅SiC MOSFET的高效熱泵與商用空調系統(tǒng)解決方案 BASiC基本股份SiC碳化硅MOSFET單管及模塊一級代理商傾佳電子楊
2025-05-03 10:45:12561 
傾佳電子(Changer Tech)-專業(yè)汽車連接器及功率半導體(SiC碳化硅MOSFET單管，SiC碳化硅MOSFET模塊，碳化硅SiC-MOSFET驅動芯片，SiC功率模塊驅動板，驅動IC
2025-06-19 16:57:201228 
Wolfspeed 推出新型頂部散熱（TSC） 碳化硅 MOSFET 和肖特基二極管 優(yōu)化熱管理并節(jié)約能耗 Wolfspeed 正在擴展其行業(yè)領先的碳化硅（SiC）MOSFET 和肖特基二極管分立
2025-07-09 10:50:321361 
Wolfspeed 推出第四代 (Gen 4) 1200 V 車規(guī)級碳化硅 (SiC) 裸芯片 MOSFET 系列，專為嚴苛的汽車環(huán)境設計。Wolfspeed 第四代高性能碳化硅 MOSFET，可在 185°C 下持續(xù)工作，助力動力總成系統(tǒng)實現(xiàn)最大性能。
2025-08-11 16:54:232327 碳化硅 (SiC) 技術并非憑空而來，它是建立在數(shù)十年的創(chuàng)新基礎之上。近四十年來，Wolfspeed 始終致力于碳化硅 (SiC) 技術和產(chǎn)品的創(chuàng)新并不斷強化基礎專利。僅在過去的五年中，我們
2025-09-22 09:31:47654 Wolfspeed 宣布推出最新的工業(yè)級 1200 V C4MS 系列分立式碳化硅 MOSFET，基于業(yè)界領先的第四代 (Gen 4) 技術平臺開發(fā)，為硬開關應用提供了優(yōu)異的性能。
2025-11-30 16:13:27564 Wolfspeed 宣布推出最新的車規(guī)級 1200 V E4MS 系列分立式碳化硅 MOSFET，基于業(yè)界領先的第四代 (Gen 4) 技術平臺開發(fā)， 為汽車車載充電器、DC/DC 轉換器、電子壓縮機和加熱與冷卻系統(tǒng)等應用提供了優(yōu)異的性能。
2025-11-30 16:14:51658 展現(xiàn) Wolfspeed 在碳化硅功率解決方案領域的領先地位，憑借提升的效率和性能，助力豐田全球電氣化戰(zhàn)略，推動純電動汽車發(fā)展。
2025-12-13 11:09:381841
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