以上，這也是目前氮化鎵在手機充電器上廣泛被應(yīng)用的重要原因。 ? 氮化鎵GaNFast TM 是納微半導(dǎo)體此前被廣泛應(yīng)用的氮化鎵功率芯片系列，納微半導(dǎo)體銷售營運總監(jiān)李銘釗介紹到，目前全球超過140款量產(chǎn)中的充電器都采用了納微的方案，大約150款
2021-11-26 09:42:13
6891 前不久，納微半導(dǎo)體剛剛發(fā)布全球首款量產(chǎn)級的650V雙向GaNFast氮化鎵功率芯片。
2025-06-03 09:57:502394 
增加GaNSense?技術(shù)，全新GaNFast?氮化鎵功率芯片通過實時智能傳感和保護，為40億美元的手機充電器和消費市場帶來最高效率和可靠性。
2021-11-08 10:21:262519 
氮化鎵 （GaN） 功率芯片行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者納微半導(dǎo)體（納斯達克代碼：NVTS）宣布，戴爾已采用納微 GaNFast 氮化鎵功率芯片為其 Latitude 9000 系列高端筆記本電腦實現(xiàn)快充。
2021-12-30 15:06:091791 
2022年1月18日，納微半導(dǎo)體正式宣布，其新一代增加GaNSense技術(shù)的智能GaNFast氮化鎵功率芯片已用于vivo公司旗下iQOO子品牌iQOO 9 Pro手機所標配的120W超快閃充迷你充電器中。
2022-01-19 09:29:023763 
納微半導(dǎo)體今天正式宣布，旗下新一代增加GaNSense技術(shù)的智能GaNFast氮化鎵功率芯片，已用于Redmi攜手梅賽德斯 AMG 馬石油 F1 車隊共同發(fā)布的K50冠軍版電競手機所標配120W氮化鎵充電器中。
2022-03-14 13:40:021867 — 唯一全面專注的下一代功率半導(dǎo)體公司及GaNFast?氮化鎵功率芯片和GeneSiC?碳化硅功率器件行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者——納微半導(dǎo)體（納斯達克股票代碼：NVTS）今日發(fā)布 全新一代高度集成的氮化鎵功率芯片產(chǎn)品——GaNSlim? ，其憑借 最高級別的集成度和散熱性能 ，可為 手機
2024-10-17 16:31:091305 
氮化鎵(GaN)功率集成電路集成與應(yīng)用
2023-06-19 12:05:19
的是用于藍光播放器的光盤激光頭）。
在光子學(xué)之外，雖然氮化鎵晶體管在1993年就發(fā)布了相關(guān)技術(shù)，但直到2004年左右，第一個氮化鎵高電子遷移率晶體管（HEMT）才開始商用。這些晶體管通常用于需要
2023-06-15 15:50:54
氮化鎵 (GaN) 可為便攜式產(chǎn)品提供更小、更輕、更高效的桌面 AC-DC 電源。Keep Tops 氮化鎵（GaN）是一種寬帶隙半導(dǎo)體材料。 當用于電源時，GaN 比傳統(tǒng)硅具有更高的效率、更小
2023-08-21 17:06:18
；這也說明市場對于充電器功率的市場需求及用戶使用的范圍；隨著小米65W的充電器的發(fā)布，快速的走進氮化鎵快充充電器時代。目前市面上已經(jīng)量產(chǎn)商用的氮化鎵方案主要來自PI和納微半導(dǎo)體兩家供應(yīng)商。其中PI
2020-03-18 22:34:23
度大、擊穿電場高、熱導(dǎo)率大、電子飽和漂移速度高、介電常數(shù)小等獨特的性能，被譽為第三代半導(dǎo)體材料。氮化鎵在光電器件、功率器件、射頻微波器件、激光器和探測器件等方面展現(xiàn)出巨大的潛力，甚至為該行業(yè)帶來跨越式
2022-06-14 11:11:16
是什么氮化鎵（GaN）是氮和鎵化合物，具體半導(dǎo)體特性，早期應(yīng)用于發(fā)光二極管中，它與常用的硅屬于同一元素周期族，硬度高熔點高穩(wěn)定性強。氮化鎵材料是研制微電子器件的重要半導(dǎo)體材料，具有寬帶隙、高熱導(dǎo)率等特點，應(yīng)用在充電器方面，主要是集成氮化鎵MOS管，可適配小型變壓器和高功率器件，充電效率高。二、氮化
2021-09-14 08:35:58
的代替材料就更加迫切。
氮化鎵（GaN）被稱為第三代半導(dǎo)體材料。相比硅，它的性能成倍提升，而且比硅更適合做大功率器件、體積更小、功率密度更大。氮化鎵芯片頻率遠高于硅，有效降低內(nèi)部變壓器等原件體積，同時優(yōu)秀
2025-01-15 16:41:14
氮化鎵功率半導(dǎo)體技術(shù)解析基于GaN的高級模塊
2021-03-09 06:33:26
氮化鎵為單開關(guān)電路準諧振反激式帶來了低電荷（低電容）、低損耗的優(yōu)勢。和傳統(tǒng)慢速的硅器件，以及分立氮化鎵的典型開關(guān)頻率（65kHz）相比，集成式氮化鎵器件提升到的 200kHz。
氮化鎵電源 IC 在
2023-06-15 15:35:02
更?。篏aNFast? 功率芯片，可實現(xiàn)比傳統(tǒng)硅器件芯片 3 倍的充電速度，其尺寸和重量只有前者的一半，并且在能量節(jié)約方面，它最高能節(jié)約 40% 的能量。
更快：氮化鎵電源 IC 的集成設(shè)計使其非常
2023-06-15 15:32:41
`從研發(fā)到商業(yè)化應(yīng)用，氮化鎵的發(fā)展是當下的顛覆性技術(shù)創(chuàng)新，其影響波及了現(xiàn)今整個微波和射頻行業(yè)。氮化鎵對眾多射頻應(yīng)用的系統(tǒng)性能、尺寸及重量產(chǎn)生了明確而深刻的影響，并實現(xiàn)了利用傳統(tǒng)半導(dǎo)體技術(shù)無法實現(xiàn)
2017-08-15 17:47:34
射頻半導(dǎo)體技術(shù)的市場格局近年發(fā)生了顯著變化。 數(shù)十年來，橫向擴散金屬氧化物半導(dǎo)體(LDMOS)技術(shù)在商業(yè)應(yīng)用中的射頻半導(dǎo)體市場領(lǐng)域起主導(dǎo)作用。如今，這種平衡發(fā)生了轉(zhuǎn)變，硅基氮化鎵(GaN-on-Si
2018-08-17 09:49:42
納微集成氮化鎵電源解決方案及應(yīng)用
2023-06-19 11:10:07
集成在一顆芯片中。合封的設(shè)計消除了寄生參數(shù)導(dǎo)致的干擾，并充分簡化了氮化鎵器件的應(yīng)用門檻，像傳統(tǒng)集成MOS的控制器一樣應(yīng)用，得到了很高的市場占有率。鈺泰半導(dǎo)體瞄準小功率氮化鎵合封應(yīng)用的市場空白，推出
2021-11-28 11:16:55
GaN功率半導(dǎo)體(氮化鎵)的系統(tǒng)集成優(yōu)勢
2023-06-19 09:28:46
功率氮化鎵電力電子器件具有更高的工作電壓、更高的開關(guān)頻率、更低的導(dǎo)通電阻等優(yōu)勢，并可與成本極低、技術(shù)成熟度極高的硅基半導(dǎo)體集成電路工藝相兼容，在新一代高效率、小尺寸的電力轉(zhuǎn)換與管理系統(tǒng)、電動機
2018-11-05 09:51:35
芯片，加快硅上氮化鎵在主流市場上的應(yīng)用。意法半導(dǎo)體和MACOM為提高意法半導(dǎo)體CMOS晶圓廠的硅上氮化鎵產(chǎn)量而合作多年，按照目前時間安排，意法半導(dǎo)體預(yù)計2018年開始量產(chǎn)樣片。 MACOM公司總裁
2018-02-12 15:11:38
應(yīng)用。MACOM的氮化鎵可用于替代磁控管的產(chǎn)品，這顆功率為300瓦的硅基氮化鎵器件被用來作為微波爐里磁控管的替代。用氮化鎵器件來替代磁控管帶來好處很多：半導(dǎo)體器件可靠性更高，氮化鎵器件比磁控管驅(qū)動電壓
2017-09-04 15:02:41
的射頻器件越來越多，即便集成化仍然很難控制智能手機的成本。這跟功能機時代不同，我們可以將成本做到很低，在全球市場都能夠保證低價。但如果到了5G時代，需要的器件越來越多，價格越來越高。半導(dǎo)體材料硅基氮化鎵
2017-07-18 16:38:20
書籍：《炬豐科技-半導(dǎo)體工藝》文章：氮化鎵發(fā)展技術(shù)編號：JFSJ-21-041作者：炬豐科技網(wǎng)址：http://www.wetsemi.com/index.html 摘要：在單個芯片上集成多個
2021-07-06 09:38:20
的設(shè)計和集成度，已經(jīng)被證明可以成為充當下一代功率半導(dǎo)體，其碳足跡比傳統(tǒng)的硅基器件要低10倍。據(jù)估計，如果全球采用硅芯片器件的數(shù)據(jù)中心，都升級為使用氮化鎵功率芯片器件，那全球的數(shù)據(jù)中心將減少30-40
2023-06-15 15:47:44
超低的電阻和電容，開關(guān)速度可提高一百倍。
為了充分利用氮化鎵功率芯片的能力，電路的其他部分也必須在更高的頻率下有效運行。近年加入控制芯片之后，氮化鎵充電器的開關(guān)頻率，已經(jīng)從 65-100kHz，提高到
2023-06-15 15:53:16
2寸的芯片，現(xiàn)在已經(jīng)能制造4寸了。業(yè)內(nèi)普遍認為，要大規(guī)模生產(chǎn)功率半導(dǎo)體，至少需要6英寸以上的芯片，因此目前還不能大規(guī)模生產(chǎn)。此外，上述用于小型 AC轉(zhuǎn)換器的氮化鎵功率半導(dǎo)體使用以下的晶片，其最大尺寸為
2023-02-23 15:46:22
行業(yè)標準，成為落地量產(chǎn)設(shè)計的催化劑
氮化鎵芯片是提高整個系統(tǒng)性能的關(guān)鍵，是創(chuàng)造出接近“理想開關(guān)”的電路構(gòu)件，即一個能將最小能量的數(shù)字信號，轉(zhuǎn)化為無損功率傳輸?shù)碾娐窐?gòu)件。
納微半導(dǎo)體利用橫向650V
2023-06-15 14:17:56
通過SMT封裝，GaNFast? 氮化鎵功率芯片實現(xiàn)氮化鎵器件、驅(qū)動、控制和保護集成。這些GaNFast?功率芯片是一種易于使用的“數(shù)字輸入、電源輸出” (digital in, power out
2023-06-15 16:03:16
兩年多前，德州儀器宣布推出首款600V氮化鎵（GaN）功率器件。該器件不僅為工程師提供了功率密度和效率，且易于設(shè)計，帶集成柵極驅(qū)動和穩(wěn)健的器件保護。從那時起，我們就致力于利用這項尖端技術(shù)將功率級
2020-10-27 09:28:22
氮化鎵南征北戰(zhàn)縱橫半導(dǎo)體市場多年，無論是吊打碳化硅，還是PK砷化鎵。氮化鎵憑借其禁帶寬度大、擊穿電壓高、熱導(dǎo)率大、電子飽和漂移速度高、抗輻射能力強和良好的化學(xué)穩(wěn)定性等優(yōu)越性質(zhì)，確立了其在制備寬波譜
2019-07-31 06:53:03
氮化鎵，由鎵（原子序數(shù) 31）和氮（原子序數(shù) 7）結(jié)合而來的化合物。它是擁有穩(wěn)定六邊形晶體結(jié)構(gòu)的寬禁帶半導(dǎo)體材料。禁帶，是指電子從原子核軌道上脫離所需要的能量，氮化鎵的禁帶寬度為 3.4eV，是硅
2023-06-15 15:41:16
流，但隨著5G的到來，砷化鎵器件將無法滿足在如此高的頻率下保持高集成度。[color=rgb(51, 51, 51) !important]于是，GaN成為下一個熱點。氮化鎵作為一種寬禁帶半導(dǎo)體，可承受更高
2019-07-08 04:20:32
如何設(shè)計GaN氮化鎵 PD充電器產(chǎn)品？
2021-06-15 06:30:55
氮化鎵(GaN)是一種全新的使能技術(shù)，可實現(xiàn)更高的效率、顯著減小系統(tǒng)尺寸、更輕和于應(yīng)用中取得硅器件無法實現(xiàn)的性能。那么，為什么關(guān)于氮化鎵半導(dǎo)體仍然有如此多的誤解？事實又是怎樣的呢？
關(guān)于氮化鎵技術(shù)
2023-06-25 14:17:47
射頻半導(dǎo)體技術(shù)的市場格局近年發(fā)生了顯著變化。數(shù)十年來，橫向擴散金屬氧化物半導(dǎo)體(LDMOS)技術(shù)在商業(yè)應(yīng)用中的射頻半導(dǎo)體市場領(lǐng)域起主導(dǎo)作用。如今，這種平衡發(fā)生了轉(zhuǎn)變，硅基氮化鎵(GaN-on-Si)技術(shù)成為接替?zhèn)鹘y(tǒng)LDMOS技術(shù)的首選技術(shù)。
2019-09-02 07:16:34
氮化鎵GaN是什么？
2021-06-16 08:03:56
雖然低電壓氮化鎵功率芯片的學(xué)術(shù)研究，始于 2009 年左右的香港科技大學(xué)，但強大的高壓氮化鎵功率芯片平臺的量產(chǎn)，則是由成立于 2014 年的納微半導(dǎo)體最早進行研發(fā)的。納微半導(dǎo)體的三位聯(lián)合創(chuàng)始人
2023-06-15 15:28:08
氮化鎵單晶材料生長難度非常大，蘇州納維的2英寸氮化鎵名列第一。真正的實現(xiàn)了“中國造”的氮化鎵襯底晶片。氮化物半導(dǎo)體的產(chǎn)業(yè)發(fā)展非?？?，同樣也是氮化物半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展不可或缺的要素。
2018-01-30 13:48:018710 納微半導(dǎo)體今日正式宣布，其出貨量創(chuàng)下最新紀錄，已向市場成功交付超過1300萬顆氮化鎵（GaN）功率IC實現(xiàn)產(chǎn)品零故障。
2021-01-27 16:43:142251 納微半導(dǎo)體向福布斯詳細介紹了納微 GaNFast 氮化鎵功率芯片的相關(guān)信息，并且介紹了氮化鎵功率芯片在電動汽車以及電動交通工具等方面的應(yīng)用。
2021-08-24 09:39:212061 
截至 2021 年 5 月，超過 2000 萬片納微 GaNFast?? 氮化鎵功率芯片已經(jīng)成功出貨。
2021-08-24 09:42:301765 
小米 65W 1A1C 氮化鎵充電器，采用了納微半導(dǎo)體 NV6115 GaNFast 氮化鎵功率芯片。該芯片采用 5×6mm 的 QFN 封裝，并且采用高頻軟開關(guān)拓撲，集成氮化鎵開關(guān)管、獨立驅(qū)動器以及邏輯控制電路。
2021-08-24 09:48:102574 
納微半導(dǎo)體今日宣布，小米正式發(fā)布新款智能手機小米 Civi，配備采用納微 GaNFast 氮化鎵功率芯片的 55W 氮化鎵充電器。
2021-10-08 11:45:092413 
全球氮化鎵功率芯片行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者納微半導(dǎo)體，在北京小米科技園舉辦的 2021 被投企業(yè) Demo Day 上，展示了下一代功率電源和手機快充產(chǎn)品。
2021-11-02 09:51:311292 
氮化鎵作為下一代半導(dǎo)體技術(shù)，其運行速度比傳統(tǒng)硅功率芯片快 20 倍。納微半導(dǎo)體以其專有的GaNFast?氮化鎵功率集成芯片技術(shù)，集成了氮化鎵功率場效應(yīng)管（GaN Power［FET］）、驅(qū)動、控制和保護模塊在單個SMT表面貼裝工藝封裝中。
2022-03-29 13:45:132201 氮化鎵 （GaN） 功率芯片行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者納微半導(dǎo)體（納斯達克股票代碼：NVTS）近日宣布，其采用GaNSense 技術(shù)的智能GaNFast功率芯片已升級以提高效率和功率密度，將加速進入更多類型的快充市場。
2022-05-05 10:32:562303 美國加利福尼亞州埃爾塞貢多，2022 年 5 月10日：氮化鎵 （GaN） 功率芯片行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者納微半導(dǎo)體（納斯達克代碼：NVTS）正式發(fā)布 NV6169，這是一款采用 GaNSense?技術(shù)的650/800 V 大功率GaNFast?芯片，可滿足高功率應(yīng)用。
2022-05-11 11:24:312749 下一代氮化鎵功率芯片 助力RedmiBook Pro實現(xiàn)輕巧快充 ? 加利福尼亞州埃爾塞貢多2022年6月29日訊 — 氮化鎵 (GaN) 功率芯片行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者納微半導(dǎo)體（納斯達克代碼：NVTS）宣布
2022-07-01 14:39:402312 
Anker，重新定義氮化鎵！ ? “納微半導(dǎo)體是氮化鎵功率芯片行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者，自 2017 年以來一直與安克緊密合作。作為納微半導(dǎo)體的首批投資者，安克見證了納微從成立初期到 2021 年在納斯達克的成功上市。 安克GaNPrime? 全氮化鎵快充家族的產(chǎn)品中，采用了納微新一代增加GaNSense??技術(shù)的
2022-07-29 16:17:441027 
未來已來，氮化鎵的社會經(jīng)濟價值加速到來。 ? 本文介紹了鎵未來和納芯微在氮化鎵方面的技術(shù)合作方案。 鎵未來提供的緊湊級聯(lián)型氮化鎵器件與納芯微隔離驅(qū)動器配合，隔離驅(qū)動器保證了異常工作情況下對氮化鎵器件
2022-11-30 14:52:251383 
了解氮化鎵
-寬帶隙半導(dǎo)體：為什么？
-氮化鎵與其他半導(dǎo)體的比較(FOM)
-如何獲得高片電荷和高遷移率？
2023-01-15 14:54:252391 氮化鎵是目前全球最快功率開關(guān)器件之一，氮化鎵本身是第三代的半導(dǎo)體材料，許多特性都比傳統(tǒng)硅基半導(dǎo)體更強。
2023-02-05 12:48:1527991 氮化鎵是一種二元III/V族直接帶隙半導(dǎo)體晶體，也是一般照明LED和藍光播放器最常使用的材料。另外，氮化鎵還被用于射頻放大器和功率電子器件。氮化鎵是非常堅硬的材料;其原子的化學(xué)鍵是高度離子化的氮化鎵化學(xué)鍵，該化學(xué)鍵產(chǎn)生的能隙達到3.4 電子伏特。
2023-02-05 15:38:1810907 
硅基氮化鎵技術(shù)是一種將氮化鎵器件直接生長在傳統(tǒng)硅基襯底上的制造工藝。在這個過程中，由于氮化鎵薄膜直接生長在硅襯底上，可以利用現(xiàn)有硅基半導(dǎo)體制造基礎(chǔ)設(shè)施實現(xiàn)低成本、大批量的氮化鎵器件產(chǎn)品的生產(chǎn)。
2023-02-06 15:47:337276 
氮化鎵（GaN）主要是指一種由人工合成的半導(dǎo)體材料，是第三代半導(dǎo)體材料的典型代表， 研制微電子器件、光電子器件的新型材料。氮化鎵技術(shù)及產(chǎn)業(yè)鏈已經(jīng)初步形成，相關(guān)器件快速發(fā)展。第三代半導(dǎo)體氮化鎵產(chǎn)業(yè)范圍涵蓋氮化鎵單晶襯底、半導(dǎo)體器件芯片設(shè)計、制造、封測以及芯片等主要應(yīng)用場景。
2023-02-07 09:36:562410 
氮化鎵屬于第三代半導(dǎo)體材料，相對硅而言，氮化鎵間隙更寬，導(dǎo)電性更好，將普通充電器替換為氮化鎵充電器，充電的效率更高。
2023-02-14 17:35:509676 氮化鎵是一種半導(dǎo)體材料，具有良好的電子特性，可以用于改善電子器件的性能。氮化鎵的主要用途是制造半導(dǎo)體器件，如晶體管、集成電路和光電器件。
2023-02-15 18:01:014179 來源：《半導(dǎo)體芯科技》雜志12/1月刊 近年來，芯片材料、設(shè)備以及制程工藝等技術(shù)不斷突破，在高壓、高溫、高頻應(yīng)用場景中第三代半導(dǎo)體材質(zhì)優(yōu)勢逐漸顯現(xiàn)。其中，氮化鎵憑借著在消費產(chǎn)品快充電源領(lǐng)域的如
2023-02-17 18:13:204107 納微半導(dǎo)體如何在氮化鎵上造芯片？ 作者丨 周雅 剛剛過去的10月底，納微半導(dǎo)體（Navitas Semiconductor）成功在納斯達克上市，上市當天企業(yè)價值10億美元。1個月后，納微半導(dǎo)體再進
2023-02-21 14:57:11
0 領(lǐng)導(dǎo)者納微半導(dǎo)體（Navitas Semiconductor）（納斯達克股票代碼：NVTS）宣
布推出新一代采用GaNSense技術(shù)的智能GaNFast氮化鎵功率芯片。GaNSense技術(shù)集成了關(guān)鍵、實時、智能的傳感和保護電路，
進一步提高了納微半導(dǎo)體在功率半導(dǎo)體行業(yè)領(lǐng)先的可靠性和穩(wěn)健性，同時增加了
2023-02-22 13:48:053 氮化鎵納米線是一種基于氮化鎵材料制備的納米結(jié)構(gòu)材料，具有許多優(yōu)異的電子、光學(xué)和機械性質(zhì)，因此受到了廣泛關(guān)注。氮化鎵材料是一種寬禁帶半導(dǎo)體材料，具有優(yōu)異的電子和光學(xué)性質(zhì)，也是氮化鎵納米線的主要材料來源。
2023-02-25 17:25:151497 在電源領(lǐng)域掀起了翻天覆地的變革。 為簡化電路設(shè)計，加強器件可靠性，降低系統(tǒng)成本，納微半導(dǎo)體基于成功的GaNFast?氮化鎵功率芯片及先進的GaNSense?技術(shù)，推出新一代GaNSense? Control合封氮化鎵功率芯片，進一步加速氮化鎵市場普及
2023-03-28 13:58:021876 
合封氮化鎵芯片是一種新型的半導(dǎo)體器件，它具有高效率、高功率密度和高可靠性等優(yōu)點。與傳統(tǒng)的半導(dǎo)體器件相比，合封氮化鎵芯片采用了全新的封裝技術(shù)，將多個半導(dǎo)體器件集成在一個芯片上，使得器件的體積更小、功率
2023-04-11 17:46:232506 GaNSense Control合封氮化鎵功率芯片具有單片集成的 GaN 功率 FET 和 GaN 驅(qū)動器的所有優(yōu)點，加上單個表面貼裝封裝中的控制和保護電路，適用于高功率密度充電器、適配器和輔助電源應(yīng)用。
2023-04-25 11:38:45724 
氮化鎵用途有哪些 氮化鎵是一種半導(dǎo)體材料，具有優(yōu)良的電學(xué)和光學(xué)性質(zhì)，因此廣泛用于以下領(lǐng)域： 1. 發(fā)光二極管(LED)：氮化鎵是LED的主要工藝材料之一，可用于制造藍、綠、白光LED，廣泛應(yīng)用于照明
2023-06-02 15:34:4613934 2021年是氮化鎵技術(shù)大規(guī)模商用的一年，也是合封氮化鎵芯片快速發(fā)展的一年。東科半導(dǎo)體繼推出國內(nèi)外首顆合封氮化鎵快充芯片以來，持續(xù)深耕合封工藝，推出了適用于不同功率范圍的高集成氮化鎵芯片。在3月26日
2022-06-21 09:48:084006 
電子展上，納微半導(dǎo)體帶來不少新品，包括最新發(fā)布的GaNSense Control合封技術(shù)、第五代MPS碳化硅肖特基二極管和大功率SiCPAK模塊，進一步開發(fā)工業(yè)、家電、數(shù)據(jù)中心服務(wù)器、電動汽車等市場。 ? 納微半導(dǎo)體高級現(xiàn)場應(yīng)用工程師羅月亮對電子發(fā)
2023-08-01 16:36:192934 
納微半導(dǎo)體利用橫向650V eMode硅基氮化鎵技術(shù)，創(chuàng)造了專有的AllGaN工藝設(shè)計套件（PDK），以實現(xiàn)集成氮化鎵 FET、氮化鎵驅(qū)動器，邏輯和保護功能于單芯片中。該芯片被封裝到行業(yè)標準的、低
2023-09-01 14:46:041591 
納微半導(dǎo)體第四代高度集成氮化鎵平臺在效率、密度及可靠性要求嚴苛的大功率行業(yè)應(yīng)用內(nèi)樹立新標桿
2023-09-07 14:30:151913 氮化鎵是一種無機物質(zhì)，化學(xué)式為GaN，是氮和鎵的化合物，是一種具有直接帶隙的半導(dǎo)體。自1990年起常用于發(fā)光二極管。這種化合物的結(jié)構(gòu)與纖鋅礦相似，硬度非常高。氮化鎵具有3.4電子伏特的寬能隙，可用
2023-09-13 16:41:453102 作為第三代半導(dǎo)體材料，氮化鎵具有高頻、高效率、低發(fā)熱等特點，是制作功率芯片的理想材料。如今，電源芯片廠商紛紛推出氮化鎵封裝芯片產(chǎn)品。這些氮化鎵芯片可以顯著提高充電器的使用效率，減少熱量的產(chǎn)生，并且縮小了充電器的體積，使用戶在日常出行時更容易攜帶。
2023-10-07 15:32:331748 
隨著科技的不斷發(fā)展，無線通信、射頻設(shè)備和微波應(yīng)用等領(lǐng)域?qū)Ω咝阅芄β史糯笃鞯男枨蟛粩嘣黾?。為滿足這些需求，半導(dǎo)體行業(yè)一直在不斷尋求創(chuàng)新和進步。其中，氮化鎵功率芯片已經(jīng)成為一項引領(lǐng)潮流的技術(shù)，為高頻、高功率應(yīng)用提供了全新的解決方案。
2023-10-18 09:13:142240 
氮化鎵芯片的選用要從實際應(yīng)用出發(fā)，結(jié)合實際使用場景，選擇最合適的氮化鎵芯片，以達到最佳的性能和效果。明確應(yīng)用場景。首先要明確使用的具體場景，如音頻、視頻、計算還是其他應(yīng)用場景。不同的場景對氮化鎵芯片的性能和特點要求不同，因此在選擇氮化鎵芯片時，要充分考慮應(yīng)用的場景。
2023-10-26 17:02:181576 ，氮化鎵芯片具有許多優(yōu)點和優(yōu)勢，同時也存在一些缺點。本文將詳細介紹氮化鎵芯片的定義、優(yōu)缺點，以及與硅芯片的區(qū)別。 一、氮化鎵芯片的定義 氮化鎵芯片是一種使用氮化鎵材料制造的集成電路芯片。氮化鎵（GaN）是一種半導(dǎo)體
2023-11-21 16:15:3011012 氮化鎵是什么材料提取的 氮化鎵是一種新型的半導(dǎo)體材料，需要選用高純度的金屬鎵和氨氣作為原料提取，具有優(yōu)異的物理和化學(xué)性能，廣泛應(yīng)用于電子、通訊、能源等領(lǐng)域。下面我們將詳細介紹氮化鎵的提取過程和所
2023-11-24 11:15:206433 氮化鎵功率器和氮化鎵合封芯片在快充市場和移動設(shè)備市場得到廣泛應(yīng)用。氮化鎵具有高電子遷移率和穩(wěn)定性，適用于高溫、高壓和高功率條件。氮化鎵合封芯片是一種高度集成的電力電子器件，將主控MUC、反激控制器、氮化鎵驅(qū)動器和氮化鎵開關(guān)管整合到一個...
2023-11-24 16:49:221799 氮化鎵半導(dǎo)體芯片（GaN芯片）和傳統(tǒng)的硅半導(dǎo)體芯片在組成材料、性能特點、應(yīng)用領(lǐng)域等方面存在著明顯的區(qū)別。本文將從這幾個方面進行詳細介紹。 首先，氮化鎵半導(dǎo)體芯片和傳統(tǒng)的硅半導(dǎo)體芯片的組成
2023-12-27 14:58:242956 隨著信息技術(shù)和通信領(lǐng)域的不斷發(fā)展，對高性能芯片的需求也越來越大。作為半導(dǎo)體材料中的重要組成部分，氮化鎵芯片因其優(yōu)異的性能在近年來受到了廣泛關(guān)注。本文將詳細介紹氮化鎵芯片的基本原理及其應(yīng)用領(lǐng)域，并
2024-01-10 09:25:573841 氮化鎵半導(dǎo)體并不屬于金屬材料，它屬于半導(dǎo)體材料。為了滿足你的要求，我將詳細介紹氮化鎵半導(dǎo)體的性質(zhì)、制備方法、應(yīng)用領(lǐng)域以及未來發(fā)展方向等方面的內(nèi)容。 氮化鎵半導(dǎo)體的性質(zhì) 氮化鎵（GaN）是一種寬禁帶
2024-01-10 09:27:324486 氮化鎵芯片和硅芯片是兩種不同材料制成的半導(dǎo)體芯片，它們在性能、應(yīng)用領(lǐng)域和制備工藝等方面都有明顯的差異。本文將從多個方面詳細比較氮化鎵芯片和硅芯片的特點和差異。 首先，從材料屬性上來看，氮化鎵芯片采用
2024-01-10 10:08:143855 氮化鎵芯片是一種新型的半導(dǎo)體材料，由于其優(yōu)良的電學(xué)性能，廣泛應(yīng)用于高頻電子器件和光電器件中。在氮化鎵芯片的生產(chǎn)工藝中，主要包括以下幾個方面：材料準備、芯片制備、工廠測試和封裝等。 首先，氮化鎵芯片
2024-01-10 10:09:414136 氮化鎵芯片（GaN芯片）是一種新型的半導(dǎo)體材料，在目前的電子設(shè)備中逐漸得到應(yīng)用。它以其優(yōu)異的性能和特點備受研究人員的關(guān)注和追捧。在現(xiàn)代科技的進步中，氮化鎵芯片的研發(fā)過程至關(guān)重要。下面將詳細介紹氮化鎵
2024-01-10 10:11:392150 加利福尼亞州托倫斯2024年2月21日訊 — 唯一全面專注的下一代功率半導(dǎo)體公司及氮化鎵和碳化硅功率芯片行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者——納微半導(dǎo)體（納斯達克股票代碼：NVTS）宣布其GaNFast?氮化鎵功率芯片為三星全新發(fā)布的“AI機皇”—— Galaxy S24智能手機打造25W超快“加速充電”。
2024-02-22 11:42:041476 加利福尼亞州托倫斯2024年6月20日訊 — 唯一全面專注的下一代功率半導(dǎo)體公司及氮化鎵和碳化硅功率芯片行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者——納微半導(dǎo)體（納斯達克股票代碼：NVTS）近日宣布其GaNFast氮化鎵功率芯片獲
2024-06-21 14:45:442671 在科技日新月異的今天，充電技術(shù)正不斷取得新的突破。近日，納微半導(dǎo)體宣布其先進的GaNFast氮化鎵功率芯片被聯(lián)想兩款全新充電器所采用，為消費者帶來了前所未有的快充體驗。這兩款充電器分別是小新105W
2024-06-22 14:13:491787 近日，納微半導(dǎo)體推出了全新一代高度集成的氮化鎵功率芯片——GaNSlim?。這款芯片憑借卓越的集成度和出色的散熱性能，在手機和筆記本電腦充電器、電視電源以及固態(tài)照明電源等多個領(lǐng)域展現(xiàn)出了巨大潛力。
2024-10-17 16:02:311138 輝煌的十年。 ? 如今，納微在氮化鎵產(chǎn)品線上不斷拓展，最近重磅發(fā)布全新一代高度集成的氮化鎵功率芯片產(chǎn)品——GaNSlim，其憑借最高級別的集成度和散熱性能，可為手機和筆記本電腦充電器、電視電源、固態(tài)照明電源等領(lǐng)域，進一步
2024-10-23 09:43:592386 
專注于第三代半導(dǎo)體氮化鎵研發(fā)與制造的高新技術(shù)企業(yè)，自成立以來，始終致力于推動氮化鎵技術(shù)的創(chuàng)新與應(yīng)用。公司擁有全球最大的氮化鎵功率半導(dǎo)體生產(chǎn)基地，產(chǎn)品線覆蓋氮化鎵晶圓、氮化鎵分立器件、合封芯片以及模組等多個領(lǐng)域，能
2025-01-02 14:36:301526 近日，GaNFast氮化鎵功率芯片和GeneSiC碳化硅功率器件的行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者——納微半導(dǎo)體（納斯達克股票代碼：NVTS）今日宣布其氮化鎵和碳化硅技術(shù)進入戴爾供應(yīng)鏈，為戴爾AI筆記本打造功率從60W至360W的電腦適配器。
2025-02-07 13:35:081238 
唯一全面專注的下一代功率半導(dǎo)體公司及下一代氮化鎵（GaN）功率芯片和碳化硅（SiC）技術(shù)領(lǐng)導(dǎo)者——納微半導(dǎo)體（納斯達克股票代碼: NVTS）今日重磅發(fā)布全球首款量產(chǎn)級650V雙向GaNFast氮化鎵
2025-03-13 15:49:393004 
日訊——納微半導(dǎo)體宣布其高功率旗艦GaNSafe氮化鎵功率芯片已通過 AEC-Q100 和 AEC-Q101 兩項車規(guī)認證，這標志著氮化鎵技術(shù)在電動汽車市場的應(yīng)用正式邁入了全新階段。 ? 納微半導(dǎo)體的高功率旗艦——第四代GaNSafe產(chǎn)品家族， 集成了控制、驅(qū)動、感測以及關(guān)鍵的保護功能
2025-04-17 15:09:264304 
全集成保護型氮化鎵功率芯片搭配雙向無損耗電流檢測，效率提升4%、系統(tǒng)成本降低15%、PCB占位面積縮小40% 加利福尼亞州托倫斯2025年5月1日訊——納微半導(dǎo)體今日正式宣布推出 全新專為電機驅(qū)動
2025-05-09 13:58:181262 
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