本文簡(jiǎn)要比較了下SiC Mosfet管和Si IGBT管的部分電氣性能參數(shù)并分析了這些電氣參數(shù)對(duì)電路設(shè)計(jì)的影響，并且根據(jù)SiC Mosfet管開關(guān)特性和高壓高頻的應(yīng)用環(huán)境特點(diǎn)，推薦了金升陽(yáng)可簡(jiǎn)化設(shè)計(jì)隔離驅(qū)動(dòng)電路的SIC驅(qū)動(dòng)電源模塊。
2015-06-12 09:51:23
4738 Microchip開發(fā)系統(tǒng)高級(jí)總監(jiān)Rodger Richey表示：“目前，許多MCU產(chǎn)品的功能安全工具成本非常高，
Microchip推出的功能安全產(chǎn)品的價(jià)格僅為某些競(jìng)爭(zhēng)性
解決方案的三分之一，而且提供卓越的全球技術(shù)支持，
助力客戶加快產(chǎn)品上市并進(jìn)一步簡(jiǎn)化開發(fā)流程?！?/div>
2020-01-21 00:27:003986 富昌電子（Future Electronics）一直致力于以專業(yè)的技術(shù)服務(wù)，為客戶打造個(gè)性化的解決方案，進(jìn)而縮短產(chǎn)品的設(shè)計(jì)周期、加快行業(yè)發(fā)展的步伐。在第三代半導(dǎo)體的實(shí)際應(yīng)用領(lǐng)域，富昌電子結(jié)合自身
2022-08-30 09:31:001210 
壓應(yīng)用領(lǐng)域的廣泛采用。為了幫助開發(fā)人員部署SiC解決方案并快速推進(jìn)開發(fā)流程，Microchip Technology Inc.（微芯科技公司）今日推出采用Augmented Switching? 專利技術(shù)
2024-03-01 16:57:54318 您好，我在Windows 7計(jì)算機(jī)上安裝了最新版本的版本管理器X IDE和MPLAB XC8。我想知道MPLAB的模擬器，它需要使用許可證還是免費(fèi)包裹？也可以在MPLAB模擬器中添加外部組件，例如
2019-01-11 10:32:27
PIC16F88X系列將高性能、低成本及易于移植兼收并蓄 全球領(lǐng)先的單片機(jī)和模擬半導(dǎo)體供應(yīng)商——Microchip TECHNOLOGY Inc.（美國(guó)微芯科技公司）宣布推出包括四款器件
2008-07-09 09:00:01
Microchip新推出的MPLAB?Snap電路內(nèi)置調(diào)試器/編程器（部件號(hào)PG164100）最近推出。調(diào)試器代表了一種極具成本效益，功能豐富的平臺(tái)，可與大多數(shù)AVR?，SAM閃存，dsPIC
2018-10-31 16:11:05
Microchip（美國(guó)微芯科技公司）宣布推出三款UCS100X系列產(chǎn)品，擴(kuò)展了其可編程USB端口電源控制器組合。這些全新的電源控制器為設(shè)計(jì)筆記本電腦、平板電腦、顯示器、擴(kuò)展底座和打印機(jī)等主機(jī)
2018-09-27 10:37:03
有使用過SIC MOSFET 的大佬嗎 想請(qǐng)教一下驅(qū)動(dòng)電路是如何搭建的。
2021-04-02 15:43:15
`請(qǐng)問：圖片中的紅色白色藍(lán)色模塊是什么東西？芯片屏蔽罩嗎？為什么加這個(gè)東西？抗干擾或散熱嗎？這是個(gè)SiC MOSFET DC-DC電源，小弟新手。。`
2018-11-09 11:21:45
）可能會(huì)嚴(yán)重影響全局開關(guān)損耗。針對(duì)此，在SiC MOSFET中可以加入米勒箝位保護(hù)功能，如圖3所示，以控制米勒電流。當(dāng)電源開關(guān)關(guān)閉時(shí)，驅(qū)動(dòng)器將會(huì)工作，以防止因柵極電容的存在，而出現(xiàn)感應(yīng)導(dǎo)通的現(xiàn)象。圖3
2019-07-09 04:20:19
éveloppement2016年報(bào)告，展示了SiC模塊開發(fā)活動(dòng)的現(xiàn)狀。我們相信在分立封裝中SiC MOSFET的許多亮點(diǎn)仍然存在，因?yàn)榭刂坪?b class="flag-6" style="color: red">電源電路的最佳布局實(shí)踐可以輕松地將分立解決方案的適用性擴(kuò)展到數(shù)十
2023-02-27 13:48:12
（SiC）MOSFET即將取代硅功率開關(guān)，需要能夠應(yīng)對(duì)不斷發(fā)展的市場(chǎng)的新型驅(qū)動(dòng)和轉(zhuǎn)換解決方案。由于其優(yōu)異的熱特性，SiC器件在各種應(yīng)用中代表了優(yōu)選的解決方案，例如汽車領(lǐng)域的功率驅(qū)動(dòng)電路。SiC
2019-07-30 15:15:17
SiC SBD 晶圓級(jí)測(cè)試 求助：需要測(cè)試的參數(shù)和測(cè)試方法謝謝
2020-08-24 13:03:34
二極管（FRD:快速恢復(fù)二極管），能夠明顯減少恢復(fù)損耗。有利于電源的高效率化，并且通過高頻驅(qū)動(dòng)實(shí)現(xiàn)電感等無源器件的小型化，而且可以降噪。 廣泛應(yīng)用于空調(diào)、電源、光伏發(fā)電系統(tǒng)中的功率調(diào)節(jié)器、電動(dòng)汽車
2019-03-14 06:20:14
二極管（FRD:快速恢復(fù)二極管），能夠明顯減少恢復(fù)損耗。有利于電源的高效率化，并且通過高頻驅(qū)動(dòng)實(shí)現(xiàn)電感等無源器件的小型化，而且可以降噪。 廣泛應(yīng)用于空調(diào)、電源、光伏發(fā)電系統(tǒng)中的功率調(diào)節(jié)器、電動(dòng)汽車
2019-04-22 06:20:22
: 利用二極管提高效率的例子LED照明電路 : 利用MOSFET提升效率并降低噪聲的案例仿真基礎(chǔ)篇電子電路仿真基礎(chǔ)何謂SPICESPICE模擬器和SPICE模型SPICE仿真的類型DC分析、AC分析
2018-11-27 16:40:24
二極管的恢復(fù)損耗非常小。主要應(yīng)用于工業(yè)機(jī)器電源、高效率功率調(diào)節(jié)器的逆變器或轉(zhuǎn)換器中。2. 標(biāo)準(zhǔn)化導(dǎo)通電阻SiC的絕緣擊穿場(chǎng)強(qiáng)是Si的10倍，所以能夠以低阻抗、薄厚度的漂移層實(shí)現(xiàn)高耐壓。因此，在相同的耐壓值
2019-04-09 04:58:00
。SiC-MOSFET應(yīng)用實(shí)例2：脈沖電源脈沖電源是在短時(shí)間內(nèi)瞬時(shí)供電的系統(tǒng)，應(yīng)用例有氣體激光器、加速器、X射線、等離子電源等。作為現(xiàn)有的解決方案有晶閘管等真空管和Si開關(guān)，但市場(chǎng)需要更高耐壓更高
2018-11-27 16:38:39
為了使大家了解SiC-SBD，前面以Si二極管為比較對(duì)象，對(duì)特性進(jìn)行了說明。其中，也談到SiC-SBD本身也發(fā)展到第2代，性能得到了提升。由于也有宣布推出第3代產(chǎn)品的，所以在此匯總一下SiC
2018-11-30 11:51:17
基于SiC/GaN的新一代高密度功率轉(zhuǎn)換器SiC/GaN具有的優(yōu)勢(shì)
2021-03-10 08:26:03
。最后，利用高能效隔離式 ∑-? 型轉(zhuǎn)換器（例如AD7403）檢測(cè)電 壓，從而實(shí)現(xiàn)設(shè)計(jì)的緊湊性。圖1. ADI 公司 IC 生態(tài)系統(tǒng)在 Si IGBT 到 SiC MOSFET 的過渡階段，必須考慮混合
2018-10-30 11:48:08
SiC46x是什么？SiC46x有哪些優(yōu)異的設(shè)計(jì)？SiC46x的主要應(yīng)用領(lǐng)域有哪些？
2021-07-09 07:11:50
%。如該例所示，毫無疑問，SiC功率元器件將成為能源問題的一大解決方案。SiC的優(yōu)點(diǎn)如前文所述，利用SiC可以大幅度降低能量損耗。當(dāng)然，這是SiC很大的優(yōu)點(diǎn)，接下來希望再了解一下低阻值、高速工作、高溫
2018-11-29 14:35:23
二極管的恢復(fù)損耗非常小。主要應(yīng)用于工業(yè)機(jī)器電源、高效率功率調(diào)節(jié)器的逆變器或轉(zhuǎn)換器中。2. 標(biāo)準(zhǔn)化導(dǎo)通電阻SiC的絕緣擊穿場(chǎng)強(qiáng)是Si的10倍，所以能夠以低阻抗、薄厚度的漂移層實(shí)現(xiàn)高耐壓。因此，在相同的耐壓值
2019-05-07 06:21:55
）工作頻率的高頻化，使周邊器件小型化（例：電抗器或電容等的小型化）主要應(yīng)用于工業(yè)機(jī)器的電源或光伏發(fā)電的功率調(diào)節(jié)器等。2. 電路構(gòu)成現(xiàn)在量產(chǎn)中的SiC功率模塊是一種以一個(gè)模塊構(gòu)成半橋電路的2in1類型
2019-05-06 09:15:52
）工作頻率的高頻化，使周邊器件小型化（例：電抗器或電容等的小型化）主要應(yīng)用于工業(yè)機(jī)器的電源或光伏發(fā)電的功率調(diào)節(jié)器等。2. 電路構(gòu)成現(xiàn)在量產(chǎn)中的SiC功率模塊是一種以一個(gè)模塊構(gòu)成半橋電路的2in1類型
2019-03-25 06:20:09
SiC-SBD的特征，下面將介紹一些其典型應(yīng)用。主要是在電源系統(tǒng)應(yīng)用中，將成為代替以往的Si二極管，解決當(dāng)今的重要課題——系統(tǒng)效率提高與小型化的關(guān)鍵元器件之一。＜應(yīng)用例＞PFC（功率因數(shù)改善）電路電機(jī)驅(qū)動(dòng)器電路
2018-12-04 10:26:52
Bill McLean表示?！癆nDAPT解決方案提供了高效的系統(tǒng)，通過在設(shè)計(jì)階段或最終組裝之后實(shí)現(xiàn)集成和靈活地改變電源配置和排序，從而顯著減少PCB面積，”Bill繼續(xù)說道。New addition
2021-06-01 07:30:00
，由端子和濾波電路構(gòu)成?！ 】刂齐娐芳拜o助電路主要包括三部分。工作模式選擇開關(guān)，可以通過撥動(dòng)開關(guān)的位置選擇電源評(píng)估板是工作在整流模式還是逆變模式；控制板上有XMC微控制器，作為評(píng)估板的控制核心；輔助
2020-07-20 09:04:34
額定擊穿電壓器件中的半導(dǎo)體材料方面勝過Si.Si在600V和1200V額定功率的SiC肖特基二極管已經(jīng)上市，被公認(rèn)為是提高功率轉(zhuǎn)換器效率的最佳解決方案。 SiC的設(shè)計(jì)障礙是低水平寄生效應(yīng)，如果內(nèi)部和外部
2022-08-12 09:42:07
為了倡導(dǎo)可持續(xù)發(fā)展，電池成為了各類產(chǎn)品的主流儲(chǔ)能供電源。針對(duì)電池，目前市面上也出現(xiàn)很多相關(guān)測(cè)量設(shè)備，比如內(nèi)阻測(cè)試儀，充放電測(cè)試系統(tǒng)，電池模擬器等等。但極少數(shù)的廠家對(duì)電池的應(yīng)用給出完整的解決方案，以
2018-10-12 17:04:54
Gross表示：“我們的極低雜散電感標(biāo)準(zhǔn)SP6LI封裝非常適合為用于高開關(guān)頻率、高電流和高效率應(yīng)用的SiC MOSFET器件改善性能，通過提供更小尺寸的電源系統(tǒng)解決方案，幫助客戶大幅降低設(shè)備需求。我們
2018-10-23 16:22:24
，很高興能與APEX Microtechnology開展合作。ROHM作為SiC功率元器件的先進(jìn)企業(yè)，能夠提供與柵極驅(qū)動(dòng)器IC相結(jié)合的功率系統(tǒng)解決方案，并且已經(jīng)在該領(lǐng)域取得了巨大的技術(shù)領(lǐng)先優(yōu)勢(shì)。我們將與
2023-03-29 15:06:13
Solutions提供支持，我由衷地感到高興。ROHM是SiC功率元器件的領(lǐng)軍企業(yè)，在業(yè)內(nèi)率先提供先進(jìn)的元器件技術(shù)和驅(qū)動(dòng)IC等產(chǎn)品相結(jié)合的電源解決方案，并取得了驕人的業(yè)績(jī)。今后，ROHM將繼續(xù)與Murata
2023-03-02 14:24:46
送上門??！08|2308電池模擬器電源KEITHLEY 吉時(shí)利2308型便攜式設(shè)備電池/充電器專門針對(duì)移動(dòng)電話和其他一些便攜式電池供電設(shè)備的測(cè)試應(yīng)用進(jìn)行了優(yōu)化。當(dāng)待測(cè)設(shè)備（DUT）快速?gòu)男菝呋虼龣C(jī)模式跳
2021-08-08 12:53:28
` 首先萬(wàn)分感謝羅姆及電子發(fā)燒友論壇給予此次羅姆SiC Mosfet試用機(jī)會(huì)。 第一次試用體驗(yàn)，先利用晚上時(shí)間做單管SiC Mos的測(cè)試，由于沒有大功率電源，暫且只考察了Mos管的延時(shí)時(shí)間、上升時(shí)間
2020-05-21 15:24:22
變壓器TX1的結(jié)構(gòu)構(gòu)成反激式開關(guān)電源，變壓器次級(jí)有兩個(gè)線圈，在這個(gè)電路中主要用于調(diào)節(jié)電壓輸出，簡(jiǎn)要介紹電路提供的手動(dòng)可調(diào)節(jié)器件有如下：JP51：這是一個(gè)接插件，將其短接1腳VEE輸出0V，短接至2腳輸出
2020-06-07 15:46:23
項(xiàng)目名稱：三相繼電保護(hù)電源試用計(jì)劃：.根據(jù)此方案研發(fā)電力繼保上使用的電源模塊，根據(jù)此方案進(jìn)行分解，改進(jìn)，2.學(xué)習(xí)使用羅姆的Sic和驅(qū)動(dòng)器IC產(chǎn)品，和目前使用的一些電源進(jìn)行比較，然后就此研發(fā)新產(chǎn)品
2020-04-24 18:08:59
控制器進(jìn)行編程，使用數(shù)字方案控制PWM以驅(qū)動(dòng)SIC MOS實(shí)現(xiàn)雙向DC-DC變換器功能。4、使用設(shè)備儀器測(cè)試樣機(jī)的關(guān)鍵信號(hào)點(diǎn)，并分析數(shù)據(jù)。預(yù)計(jì)成果1、雙向DC-DC變換器樣機(jī)一臺(tái)。2、關(guān)鍵信號(hào)的波形圖、圖片或視頻。3、相關(guān)使用報(bào)告3篇以上。我將會(huì)分享本項(xiàng)目的開展，實(shí)施，結(jié)果過程，展示項(xiàng)目結(jié)果。
2020-04-24 18:08:05
一個(gè)數(shù)字式雙向同步BUCK的雙向DC-DC變換器樣機(jī)。預(yù)期參數(shù)：高壓端400V，低壓端200V，開關(guān)頻率250KHZ，電流10A。使用數(shù)字方案控制PWM以驅(qū)動(dòng)SIC MOS實(shí)現(xiàn)雙向DC-DC變換器功能。最后放出變換器的結(jié)構(gòu)圖： 未完待續(xù)，請(qǐng)多關(guān)注...``
2020-05-09 11:59:07
項(xiàng)目名稱：特種電源開發(fā)試用計(jì)劃：在I項(xiàng)目開發(fā)中，有一個(gè)關(guān)鍵電源，需要在有限空間，實(shí)現(xiàn)高壓、大電流脈沖輸出。對(duì)開關(guān)器件的開關(guān)特性和導(dǎo)通電阻都有嚴(yán)格要求。隨著SIC產(chǎn)品的技術(shù)成熟度越來越高，計(jì)劃把IGBT開關(guān)器件換成SIC器件。
2020-04-24 17:57:09
項(xiàng)目名稱：SiC mosfet 測(cè)試試用計(jì)劃：申請(qǐng)理由：公司開發(fā)雙脈沖測(cè)試儀對(duì)接觸到Sic相關(guān)的資料。想通過此次試用進(jìn)一步了解相關(guān)性能。試用計(jì)劃：1、測(cè)試電源輸入輸出性能。2、使用公司設(shè)備測(cè)試Sic器件相關(guān)參數(shù)。3、編寫測(cè)試報(bào)告。
2020-04-21 15:54:54
的1.2kV全SiC功率模塊的外觀，該模塊為兩單元半橋結(jié)構(gòu)，每個(gè)單元由SiC的MOSFET和SiC的SBD組成。在新的APS系統(tǒng)中會(huì)用到7只該功率模塊，其中4只用于H橋MOSFET整流器，另外3只用于三相
2017-05-10 11:32:57
、SiC SBD開關(guān)損耗低，可提高系統(tǒng)效率
下圖為相同規(guī)格的Si FRD和SiC SBD在不同溫度下的反向恢復(fù)電流對(duì)比，其中SiC SBD是我司推出的SiC SBD產(chǎn)品，Si FRD是國(guó)際一線品牌主流
2023-10-07 10:12:26
是德科技近日宣布其 5G 網(wǎng)絡(luò)模擬器解決方案目前已為 5G NR 準(zhǔn)備就緒，并將繼續(xù)為全新 3GPP NR 標(biāo)準(zhǔn)提供支持。公司于 12 月 14 日在舊金山舉辦Keysight 5G Tech
2020-10-21 14:06:17
要充分認(rèn)識(shí) SiC MOSFET 的功能，一種有用的方法就是將它們與同等的硅器件進(jìn)行比較。SiC 器件可以阻斷的電壓是硅器件的 10 倍，具有更高的電流密度，能夠以 10 倍的更快速度在導(dǎo)通和關(guān)斷
2017-12-18 13:58:36
什么是碳化硅（SiC）？它有哪些用途？碳化硅（SiC）的結(jié)構(gòu)是如何構(gòu)成的？
2021-06-18 08:32:43
各類應(yīng)用的PFC和升壓轉(zhuǎn)換器時(shí)，往往面對(duì)在更小尺寸實(shí)現(xiàn)更高能效的挑戰(zhàn)。這些全新的二極管能為工程師解決這些挑戰(zhàn)。自從16多年前第一款SiC二極管問市以來，這一技術(shù)已經(jīng)日益成熟，質(zhì)量/可靠性測(cè)試和現(xiàn)場(chǎng)測(cè)試
2018-10-29 08:51:19
，航空業(yè)最近經(jīng)歷了快速增長(zhǎng)，新的航空航天世界在用于電源和電機(jī)控制的SiC器件中找到了新的電源管理解決方案。碳化硅有望在航空工業(yè)中降低重量和減少燃料消耗和排放，例如，碳化硅 MOSFET在更高工作溫度下
2022-06-13 11:27:24
-SBD和Si-SBD均具有高速性的特征，SiC-SBD不僅擁有優(yōu)異的高速性且實(shí)現(xiàn)了高耐壓。Si-SBD的耐壓極限為200V，而SiC具有硅10倍的擊穿場(chǎng)強(qiáng)，故ROHM已經(jīng)開始量產(chǎn)1200V的產(chǎn)品，同時(shí)在推進(jìn)
2018-11-29 14:33:47
功率模塊具體是什么樣的產(chǎn)品，都有哪些機(jī)型。之后計(jì)劃依次介紹其特點(diǎn)、性能、應(yīng)用案例和使用方法。何謂全SiC功率模塊ROHM在全球率先實(shí)現(xiàn)了搭載ROHM生產(chǎn)的SiC-MOSFET和SiC-SBD的“全
2018-11-27 16:38:04
ROHM一直專注于功率元器件的開發(fā)。最近推出并已投入量產(chǎn)的“SCT2H12NZ”，是實(shí)現(xiàn)1700V高耐壓的SiC-MOSFET。是在現(xiàn)有650V與1200V的產(chǎn)品陣容中新增的更高耐壓版本。不僅具備
2018-12-04 10:11:25
本帖最后由 崔楊 于 2016-7-12 18:35 編輯
合肥科威爾電源—充電樁測(cè)試用電池模擬器充電樁測(cè)試負(fù)載選用高精度雙向直流負(fù)載，可取代原阻性負(fù)載使用，實(shí)現(xiàn)恒阻、恒流、恒功率負(fù)載模式
2015-12-08 15:31:49
相較于硅，碳化硅（SiC）肖特基二極管采用全新的技術(shù)，提供更出色的開關(guān)性能和更高的可靠性。SiC無反向恢復(fù)電流，且具有不受溫度影響的開關(guān)特性和出色的散熱性能，因此被視為下一代功率半導(dǎo)體。
2019-07-25 07:51:59
在開關(guān)電源轉(zhuǎn)換器中,如何充分利用SiC器件的性能優(yōu)勢(shì)？
2021-02-22 07:16:36
）工作頻率的高頻化，使周邊器件小型化（例：電抗器或電容等的小型化）主要應(yīng)用于工業(yè)機(jī)器的電源或光伏發(fā)電的功率調(diào)節(jié)器等。2. 電路構(gòu)成現(xiàn)在量產(chǎn)中的SiC功率模塊是一種以一個(gè)模塊構(gòu)成半橋電路的2in1類型
2019-03-12 03:43:18
描述此參考設(shè)計(jì)是一種通過汽車認(rèn)證的隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器解決方案，可在半橋配置中驅(qū)動(dòng)碳化硅 (SiC) MOSFET。此設(shè)計(jì)分別為雙通道隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器提供兩個(gè)推挽式偏置電源，其中每個(gè)電源提供 +15V
2018-10-16 17:15:55
SiC-MOSFET 是碳化硅電力電子器件研究中最受關(guān)注的器件。成果比較突出的就是美國(guó)的Cree公司和日本的ROHM公司。在國(guó)內(nèi)雖有幾家在持續(xù)投入，但還處于開發(fā)階段, 且技術(shù)尚不完全成熟。從國(guó)內(nèi)
2019-09-17 09:05:05
二極管（FRD:快速恢復(fù)二極管），能夠明顯減少恢復(fù)損耗。有利于電源的高效率化，并且通過高頻驅(qū)動(dòng)實(shí)現(xiàn)電感等無源器件的小型化，而且可以降噪。 廣泛應(yīng)用于空調(diào)、電源、光伏發(fā)電系統(tǒng)中的功率調(diào)節(jié)器、電動(dòng)汽車
2019-05-07 06:21:51
9241ESIC9242E……………………………………………………為客戶提供技術(shù)支持、樣品測(cè)試、長(zhǎng)期現(xiàn)貨供應(yīng)如需其他系列型號(hào)，歡迎聯(lián)系咨詢?。∫?、只做原裝二、配合原廠政策，推廣終端工廠深圳市芯美力科技有限公司吳先生：***【微信同步】QQ：3557033601
2021-11-13 14:58:25
低功率因素方案SIC953XD系列：TYPESPFMOSFETPackage **范圍SIC9531D 0.514Ω500VSOP7
2021-09-07 17:39:06
非常適合采用功率半導(dǎo)體的各類應(yīng)用，如車載充電器和DC/DC轉(zhuǎn)換器。為助力開發(fā)商將產(chǎn)品迅速推向市場(chǎng)，瑞薩推出xEV逆變器套件解決方案，該方案將柵極驅(qū)動(dòng)IC與MCU、IGBT和電源管理IC相結(jié)合，并計(jì)劃
2023-02-15 11:19:05
本文將從設(shè)計(jì)角度首先對(duì)在設(shè)計(jì)中使用的電源IC進(jìn)行介紹。如“前言”中所述，本文中會(huì)涉及“準(zhǔn)諧振轉(zhuǎn)換器”的設(shè)計(jì)和功率晶體管使用“SiC-MOSFET”這兩個(gè)新課題。因此，設(shè)計(jì)中所使用的電源IC，是可將
2018-11-27 16:54:24
、中小型企業(yè)、大學(xué)院校和***科研機(jī)構(gòu)。在這種背景下，企業(yè)（汽車制造、航空電子設(shè)備、鐵路和國(guó)防）和垂直產(chǎn)業(yè)鏈（半導(dǎo)體供應(yīng)商，電感器和電容器廠商）以及學(xué)術(shù)機(jī)構(gòu)和研究實(shí)驗(yàn)室將合作設(shè)計(jì)解決方案，解決技術(shù)難題
2019-06-27 04:20:26
副邊發(fā)生故障后復(fù)位。對(duì)于更緊湊的純SiC/GaN應(yīng)用，新型隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器ADuM4121是解決方案。該驅(qū)動(dòng)器同樣基于ADI公司的iCoupler數(shù)字隔離技術(shù)，其傳播延遲在同類器件中最低 (38 ns
2018-10-22 17:01:41
Vishay推出集成的DrMOS解決方案--SiC762CD。在緊湊的PowerPAKMLP 6x6的40腳封裝內(nèi)，該器件集成了對(duì)PWM信號(hào)優(yōu)化的高邊和低邊N溝
2011-01-03 15:05:07830 
Vishay宣布，推出具有為PWM優(yōu)化的高邊和低邊N溝道MOSFET、全功能MOSFET驅(qū)動(dòng)IC、自舉二極管的集成DrMOS解決方案---SiC779CD
2011-05-12 08:51:141383 全球領(lǐng)先的整合單片機(jī)、模擬器件和閃存專利解決方案的供應(yīng)商——Microchip Technology Inc.（美國(guó)微芯科技公司）在波士頓舉辦的嵌入系統(tǒng)大會(huì)上宣布推出全新的8位PIC?單片機(jī)（MCU）。此類
2011-09-28 08:59:477285 全球領(lǐng)先的整合單片機(jī)、混合信號(hào)、模擬器件和閃存專利解決方案的供應(yīng)商——Microchip Technology Inc.（美國(guó)微芯科技公司）近日宣布推出最新數(shù)字增強(qiáng)型電源模擬（DEPA）控制器——MCP19118和MCP19119（MCP19118/9）。
2014-10-22 15:21:071400 全球領(lǐng)先的整合單片機(jī)、混合信號(hào)、模擬器件和閃存專利解決方案的供應(yīng)商——Microchip Technology Inc.（美國(guó)微芯科技公司）近日宣布推出全新汽車級(jí)4端口USB84604 IC，拓展其USB2控制器集線器產(chǎn)品線。
2014-11-19 14:46:371773 全球領(lǐng)先的整合單片機(jī)、混合信號(hào)、模擬器件和閃存專利解決方案的供應(yīng)商——Microchip Technology Inc.（美國(guó)微芯科技公司）宣布升級(jí)其MPLAB? 代碼配置器插件，將對(duì)PIC? MCU的支持從8位器件擴(kuò)展到16位器件。
2015-01-27 12:58:206121 全球領(lǐng)先的整合單片機(jī)、混合信號(hào)、模擬器件和閃存專利解決方案的供應(yīng)商——Microchip Technology Inc.（美國(guó)微芯科技公司）日前推出了擁有電流、電壓調(diào)節(jié)及溫度監(jiān)控功能的全新數(shù)字增強(qiáng)型電源模擬（DEPA）控制器產(chǎn)品。
2016-09-30 15:40:281066 電源測(cè)量小貼士 10 個(gè)設(shè)計(jì)階段
2017-10-16 15:44:48
6 電源測(cè)量的小貼士 10 個(gè)設(shè)計(jì)階段
2017-10-19 09:03:494 Microchip電源模塊解決方案。
2018-05-25 15:05:003938 視頻簡(jiǎn)介：本視頻將向大家介紹Microchip MIC系列高集成度電源解決方案。
2019-03-15 06:52:003396 
全球領(lǐng)先的整合單片機(jī)、混合信號(hào)、模擬器件和閃存專利解決方案的供應(yīng)商--Microchip Technology Inc.（美國(guó)微芯科技公司）宣布，推出全球第一款數(shù)字增強(qiáng)型電源模擬控制器MCP19111，它擴(kuò)展了Microchip多元化的智能DC/DC電源轉(zhuǎn)換解決方案。
2019-11-11 14:48:35749 新版本光伏模擬器提供更高的輸出電流和功率，提高50%功率密度。直流和交流程控電源及測(cè)試解決方案的全球領(lǐng)導(dǎo)品牌AMETEK程控電源部近日宣布擴(kuò)展了Elgar品牌地面太陽(yáng)能電池陣列模擬器（TerraSAS?）的獨(dú)立光伏模擬器產(chǎn)品線。
2019-12-13 14:17:481908 作者：英飛凌科技資深高級(jí)工程師René Mente 談起電源轉(zhuǎn)換器的設(shè)計(jì)，諸如碳化硅（SiC）等寬禁帶（WBG）技術(shù)是當(dāng)今進(jìn)行器件選擇時(shí)的現(xiàn)實(shí)考慮。650V SiC MOSFET的推出使它們對(duì)于某些
2021-03-25 17:26:082117 本SiC FET用戶指南介紹了使用含快速開關(guān)SiC器件的RC緩沖電路的實(shí)用解決方案和指南。該解決方案經(jīng)過實(shí)驗(yàn)性雙脈沖測(cè)試（DPT）結(jié)果驗(yàn)證。
2022-05-05 10:43:232008 
地過渡到SiC電源解決方案，Microchip Technology Inc.（美國(guó)微芯科技公司）今日宣布推出MPLAB SiC電源模擬器，可在將設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)為硬件之前，快速評(píng)估各種拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)
2023-03-25 06:40:02450 Microchip的MPLAB SiC電源模擬器是與Plexim合作設(shè)計(jì)的基于PLECS的軟件環(huán)境，提供在線免費(fèi)工具，無需購(gòu)買模擬許可證。MPLAB SiC電源模擬器加速了各種基于SiC的電源拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)的設(shè)計(jì)過程。
2023-03-30 10:58:13894 近日，賽晶首款車規(guī)級(jí)SiC模塊——HEEV封裝SiC模塊亮相德國(guó)紐倫堡電子展（PCIM Europe 2023)，引發(fā)國(guó)內(nèi)外與會(huì)專家、客戶的廣泛關(guān)注。HEEV封裝SiC模塊來自高效電動(dòng)汽車模塊平臺(tái)
2023-05-31 16:49:15352 
地過渡到SiC電源解決方案，MicrochipTechnologyInc.（美國(guó)微芯科技公司）宣布推出MPLABSiC電源模擬器，可在將設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)為硬件之前，快速評(píng)估各
2023-04-09 14:24:45413 
分階段雷達(dá)的電源解決方案
2023-10-26 14:57:54280 
瑞森半導(dǎo)體在工業(yè)電源上的應(yīng)用上：主推碳化硅(SiC)二極管/超結(jié)MOS，助力廠家及品牌，打造高質(zhì)、高性能產(chǎn)品。
2023-12-11 11:33:13194 
瑞森半導(dǎo)體在工業(yè)電源上的應(yīng)用上：主推碳化硅(SiC)二極管/超結(jié)MOS，助力廠家及品牌，打造高質(zhì)、高性能產(chǎn)品。
2023-12-11 11:56:42207 
提供驅(qū)動(dòng)能力的來源，市場(chǎng)潛力巨大。 金升陽(yáng)致力于為客戶提供更優(yōu)質(zhì)的電源解決方案，基于自主電路平臺(tái)、IC平臺(tái)、工藝平臺(tái)，升級(jí)推出IGBT/SiC MOSFET專用第三代驅(qū)動(dòng)電源QA-R3G/QAC-R3G系列產(chǎn)品，同時(shí)為結(jié)合充電樁市場(chǎng)應(yīng)用需求，打造了全新的滿足元器件100%國(guó)產(chǎn)化、高可靠的R3代驅(qū)動(dòng)電
2023-12-13 16:36:19134 
在設(shè)計(jì)SiC（碳化硅）驅(qū)動(dòng)電源時(shí)，需要考慮以下幾個(gè)關(guān)鍵要點(diǎn)：
2024-03-18 18:02:48319 
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