大多數(shù)商用雷達(dá)系統(tǒng)，特別是高級(jí)駕駛員輔助系統(tǒng) (ADAS) 中的雷達(dá)系統(tǒng)，均基于鍺硅(SiGe)技術(shù)。目前的高端車(chē)輛都有一個(gè)多芯片SiGe雷達(dá)系統(tǒng)。雖然基于SiGe技術(shù)的77GHz汽車(chē)?yán)走_(dá)系統(tǒng)滿(mǎn)足
2018-03-09 09:09:10
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的基本物理學(xué)特性仍然在阻礙著其性能的進(jìn)一步提高，這限制了創(chuàng)新且又簡(jiǎn)單的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)應(yīng)用，因而也阻礙了可持續(xù)綠色高效率的拓?fù)浒l(fā)展。本文討論的碳化硅MOSFET技術(shù)在應(yīng)用中同樣也存在挑戰(zhàn)，并非所有碳化硅
2023-03-14 14:05:02
非接觸識(shí)別技術(shù)，識(shí)別過(guò)程不需要人工干預(yù)，能對(duì)多個(gè)物體批量、快速的識(shí)別。RFID標(biāo)簽不容易損壞、信息量大、讀取方便、可重復(fù)寫(xiě)人，這些優(yōu)點(diǎn)使RFID在圖書(shū)館的管理中具有廣闊的應(yīng)用前景。開(kāi)架書(shū)庫(kù)由于圖書(shū)借閱
2019-05-29 08:07:47
硅技術(shù)的迅猛發(fā)展使工程師們能夠設(shè)計(jì)和創(chuàng)建出新型電路，這些電路的速度和性能以前只有用基于GaAs和InP的HBT(異質(zhì)結(jié)雙極晶體管)和PHEMT技術(shù)才能達(dá)到，電路的核心就是鍺化硅(SiGe)工藝
2019-07-30 07:56:50
鍺化硅技術(shù)(Silicon germanium)從20世紀(jì)80年代問(wèn)世以來(lái)，是一種高于普通硅器件的高頻半導(dǎo)體材料，應(yīng)用領(lǐng)域非常廣泛，尤其在新一代移動(dòng)設(shè)備中，是良好的高功率放大器，例如：下變頻
2019-05-28 06:06:21
CAN總線技術(shù)特點(diǎn)是什么？CAN總線技術(shù)在汽車(chē)中的應(yīng)用具有什么優(yōu)勢(shì)？
2021-05-14 06:36:44
大多數(shù)商用雷達(dá)系統(tǒng)，特別是高級(jí)駕駛員輔助系統(tǒng)(ADAS)中的雷達(dá)系統(tǒng)，均基于鍺硅(SiGe)技術(shù)。目前的高端車(chē)輛都有一個(gè)多芯片SiGe雷達(dá)系統(tǒng)。雖然基于SiGe技術(shù)的77GHz汽車(chē)?yán)走_(dá)系統(tǒng)滿(mǎn)足自適應(yīng)巡航控制時(shí)的高速度要求，但它們體積過(guò)大、過(guò)于笨重，占用了大量電路板空間。
2020-05-14 07:05:36
本文重點(diǎn)是介紹HDMI1.4基礎(chǔ)技術(shù)及測(cè)試需求。
2021-06-04 06:21:51
SoC測(cè)試技術(shù)傳統(tǒng)的測(cè)試方法和流程面臨的挑戰(zhàn)是什么？SoC測(cè)試技術(shù)一體化測(cè)試流程是怎樣的？基于光子探測(cè)的SoC測(cè)試技術(shù)是什么？有什么目的？
2021-04-15 06:16:53
用于電機(jī)驅(qū)動(dòng)領(lǐng)域的優(yōu)勢(shì)，尋找出適合碳化硅功率器件的電機(jī)驅(qū)動(dòng)場(chǎng)合，開(kāi)發(fā)工程應(yīng)用技術(shù)?，F(xiàn)已有Sct3017AL在實(shí)驗(yàn)室初步用于無(wú)感控制驅(qū)動(dòng)技術(shù)中，為了進(jìn)一步測(cè)試功率器件性能，為元器件選型和實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證做調(diào)研
2020-04-21 16:04:04
中使用，目前各廠尚未量產(chǎn)或大量添加，原因可能是尚未完全克服添加鍺后形成的錯(cuò)位跟缺陷，但我們的確看到臺(tái)積電已經(jīng)在10nm量產(chǎn)中使用此技術(shù)領(lǐng)先群雄。SiGe組成與應(yīng)變?cè)谀壳暗墓に?b class="flag-6" style="color: red">中，磊晶所生長(zhǎng)的硅鍺
2018-06-14 14:25:19
。現(xiàn)在一種新的測(cè)試技術(shù)——邊界掃描測(cè)試技術(shù)已逐步得到發(fā)展,大多數(shù)的ASIC電路和許多中等規(guī)模的設(shè)備已開(kāi)始利用邊界掃描測(cè)試技術(shù)進(jìn)行設(shè)計(jì)。BST技術(shù)是按照IEEE1149.1標(biāo)準(zhǔn),提供了一套完整的測(cè)試方案。在
2018-09-10 16:50:00
互聯(lián)網(wǎng)技術(shù)中最新路由交換測(cè)試技術(shù)的介紹，看完你就懂了
2021-05-26 06:00:56
隨著電力電子技術(shù)的不斷進(jìn)步，碳化硅MOSFET因其高效的開(kāi)關(guān)特性和低導(dǎo)通損耗而備受青睞，成為高功率、高頻應(yīng)用中的首選。作為碳化硅MOSFET器件的重要組成部分，柵極氧化層對(duì)器件的整體性能和使用壽命
2025-01-04 12:37:34
什么是實(shí)時(shí)測(cè)試技術(shù)？測(cè)試工程師如何解決實(shí)時(shí)測(cè)試技術(shù)面臨的問(wèn)題？
2021-04-12 06:53:49
今天看見(jiàn)一個(gè)技術(shù)名稱(chēng)叫技術(shù)節(jié)點(diǎn)40NM，小弟請(qǐng)教各位大神，在晶圓廠中關(guān)于光電軌道與光電工程之間的聯(lián)系，以及40NM的節(jié)點(diǎn)技術(shù)具體是指什么？？
2012-05-24 21:43:46
加載與其他技術(shù)是如何結(jié)合的？加載技術(shù)在天線小型化設(shè)計(jì)中的應(yīng)用是什么？
2021-05-31 06:21:04
壓縮感知的技術(shù)原理是什么？壓縮感知技術(shù)在未來(lái)移動(dòng)通信系統(tǒng)中的應(yīng)用是什么？
2021-05-24 06:45:17
概述：THG4649是一款無(wú)線音頻應(yīng)用推出的FM發(fā)射集成電路，THG4649同時(shí)采用了硅鍺(SiGe)雙極型半導(dǎo)體工藝和BiCMOS半導(dǎo)體工藝技術(shù)制造，所有可能影響聲音質(zhì)量的電路都采用硅鍺(SiGe)雙極型半導(dǎo)
2021-04-06 09:43:55
行業(yè)尋求輻射測(cè)試、建模和模擬技術(shù)，以評(píng)估單粒子效應(yīng)（SEE）和總劑量效應(yīng)（TID）的輻射環(huán)境下高頻半導(dǎo)體的模擬和射頻性能。DTRA也關(guān)注90納米以下半導(dǎo)體的抗輻射建模、仿真和抗輻射加固設(shè)計(jì)技術(shù)，設(shè)備
2012-12-04 19:52:12
75A的混合碳化硅分立器件，并同時(shí)推出了TO-247-3和TO-247-4封裝（如上圖），使得客戶(hù)在不需要更改電源電路和PCB的基礎(chǔ)上，直接進(jìn)行Pin To Pin替換驗(yàn)證測(cè)試及使用，在同樣的設(shè)計(jì)系統(tǒng)中
2023-02-28 16:48:24
大多數(shù)商用雷達(dá)系統(tǒng)，特別是高級(jí)駕駛員輔助系統(tǒng) (ADAS) 中的雷達(dá)系統(tǒng)，均基于鍺硅(SiGe)技術(shù)。目前的高端車(chē)輛都有一個(gè)多芯片SiGe雷達(dá)系統(tǒng)。雖然基于SiGe技術(shù)的77GHz汽車(chē)?yán)走_(dá)系統(tǒng)滿(mǎn)足
2022-11-14 07:45:06
如何DigRF技術(shù)進(jìn)行測(cè)試？DigRF技術(shù)生產(chǎn)測(cè)試的挑戰(zhàn)有哪些？
2021-04-15 06:05:31
電阻為4~8kΩ，則為硅管。與鍺二極管相比，硅二極管具有更高的耐壓性、更短的響應(yīng)時(shí)間和穩(wěn)定的性能。在大多數(shù)電路中，硅管可以代替鍺管，但其正向壓降高于鍺管。因此，在某些特定的環(huán)境中，例如小信號(hào)檢測(cè)電路，鍺
2023-02-07 15:59:32
如何去測(cè)試功率包絡(luò)跟蹤技術(shù)？
2021-05-10 06:01:35
自己置于由硅鍺(SiGe)、絕緣體上硅(SOI)、亞硝酸鉿(HfNO2)、金屬柵、低k和銅材料構(gòu)成的充滿(mǎn)挑戰(zhàn)的世界中。這些新材料對(duì)工藝和器件特性提出了新的測(cè)試要求，其中一些關(guān)鍵的應(yīng)用包括先進(jìn)的高k柵測(cè)試
2011-09-06 15:51:36
。碳化硅器件的結(jié)電容更小，柵極電荷低，因此，開(kāi)關(guān)速度極快，開(kāi)關(guān)過(guò)程中的 dv/dt 和 di/dt 均極高。雖然器件開(kāi)關(guān)損耗顯著降低，但傳統(tǒng)封裝中雜散電感參數(shù)較大，在極高的 di/dt 下會(huì)產(chǎn)生更大
2023-02-22 16:06:08
數(shù)字RF測(cè)試當(dāng)前常使用的技術(shù)包括哪些？數(shù)字RF測(cè)試有哪些具體應(yīng)用？
2021-04-14 06:49:16
實(shí)際應(yīng)用中，碳化硅上管Vgs的測(cè)量是一個(gè)技術(shù)痛點(diǎn)。碳化硅器件的開(kāi)關(guān)速度很快，這會(huì)導(dǎo)致其高頻諧波成分依然具有很大的諧波能量，在實(shí)際開(kāi)發(fā)調(diào)試過(guò)程中，會(huì)觀察到上管Vgs出現(xiàn)信號(hào)振蕩的現(xiàn)象，而工程師卻無(wú)法判斷
2024-10-31 17:04:15
泰克公司最近宣布首款經(jīng)驗(yàn)證采用 IBM 8HP 硅鍺 (SiGe) BiCMOS 特殊工藝技術(shù)設(shè)計(jì)的新型示波器平臺(tái)ASIC各項(xiàng)技術(shù)指標(biāo)優(yōu)于規(guī)定要求，實(shí)現(xiàn)了新型高性能示波器的設(shè)計(jì)目標(biāo)，使多通道帶寬達(dá)
2019-07-24 07:47:20
什么是混合信號(hào)激勵(lì)-響應(yīng)測(cè)試技術(shù)?
2021-04-08 06:35:18
高速數(shù)字設(shè)計(jì)和測(cè)試綜述高質(zhì)量的信號(hào)生成電源完整性測(cè)試物聯(lián)網(wǎng)技術(shù)中幾種典型芯片NB-IOT的測(cè)試方法
2021-01-12 07:15:11
電路在線測(cè)試技術(shù)的原理是什么？測(cè)試儀由那幾部分構(gòu)成?
2021-04-25 06:50:44
上?！ 〔贿^(guò)，隨著碳化硅價(jià)格的下降、性能和可靠性的提高，其性能得到改善，可靠性得到了證明，在列表中的地位調(diào)高了，現(xiàn)在已被視為現(xiàn)有舊技術(shù)器件的替代品和新設(shè)計(jì)的起點(diǎn)。 碳化硅的采用取決于應(yīng)用，所以
2023-02-27 14:28:47
，熱導(dǎo)率是硅材料的3倍，電子飽和漂移速率是硅的2倍，臨界擊穿場(chǎng)強(qiáng)更是硅的10倍。材料特性對(duì)比如圖（1）所示?！ D（1） 4H型碳化硅與硅基材料特性對(duì)比 在硅基半導(dǎo)體器件性能已經(jīng)進(jìn)入瓶頸期時(shí)，碳化硅材料
2023-02-28 16:55:45
移動(dòng)技術(shù)在測(cè)量測(cè)試系統(tǒng)中有哪些應(yīng)用？
2021-05-11 07:05:00
當(dāng)今，各種創(chuàng)新型技術(shù)層出不窮，對(duì)測(cè)試測(cè)量行業(yè)產(chǎn)生巨大影響。NI通過(guò)與不同行業(yè)工程師深入交流，結(jié)合學(xué)術(shù)研究、商業(yè)咨詢(xún)、用戶(hù)調(diào)查等多種工具，提出2010年測(cè)試測(cè)量工程師需要關(guān)注的五大技術(shù)主題。
2019-06-03 08:10:29
藍(lán)牙技術(shù)有哪些優(yōu)勢(shì)？藍(lán)牙技術(shù)在汽車(chē)中的應(yīng)用有哪些？
2021-05-19 07:03:36
藍(lán)牙射頻技術(shù)及其測(cè)試項(xiàng)目有哪些？
2021-06-02 06:24:50
最近需要用到干法刻蝕技術(shù)去刻蝕碳化硅，采用的是ICP系列設(shè)備，刻蝕氣體使用的是SF6+O2，碳化硅上面沒(méi)有做任何掩膜，就是為了去除SiC表面損傷層達(dá)到表面改性的效果。但是實(shí)際刻蝕過(guò)程中總是會(huì)在碳化硅
2022-08-31 16:29:50
基于DSP的測(cè)試技術(shù)與傳統(tǒng)的測(cè)試技術(shù)相比，有哪些優(yōu)勢(shì)？基本的混合信號(hào)測(cè)試技術(shù)包括哪些？采樣和重建在混合信號(hào)測(cè)試中的應(yīng)用
2021-04-21 06:41:10
對(duì)TD-LTE系統(tǒng)和設(shè)備的實(shí)際測(cè)試要求有哪些？如何使用現(xiàn)有測(cè)試技術(shù)測(cè)試TD-LTE？
2021-04-19 07:48:04
光隔離探頭在SiC MOSFET測(cè)試中的應(yīng)用不僅解決了單點(diǎn)測(cè)量難題，更通過(guò)高精度數(shù)據(jù)鏈打通了“芯片設(shè)計(jì)-封裝-系統(tǒng)應(yīng)用”全環(huán)節(jié)，成為寬禁帶半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)升級(jí)的關(guān)鍵使能技術(shù)。其價(jià)值已超越傳統(tǒng)測(cè)試工具范疇，向
2025-04-08 16:00:57
硅鍺技術(shù)改善射頻前端性能
2006-05-07 13:20:01
36 ADMV1017BCCZAnalog Devices 的 ADMV1017 是一款基于硅鍺 (SiGe) 的微波塊上/下轉(zhuǎn)換器，射頻頻率范圍為 24 至 29.5 GHz。上變頻器提供兩種頻率轉(zhuǎn)換
2022-10-30 10:11:16
并行測(cè)試技術(shù)已成為一種比較流行的測(cè)試模式,將ATE集成技術(shù)引入并行測(cè)試對(duì)其系統(tǒng)有著很重要的優(yōu)化作用。文章中介紹了并行測(cè)試系統(tǒng)中COTS儀器和開(kāi)關(guān)選型,開(kāi)關(guān)網(wǎng)絡(luò)設(shè)計(jì)、PTUA設(shè)計(jì)
2010-07-15 16:28:2517 這篇應(yīng)用筆記描述了硅鍺技術(shù)是如何提高RF應(yīng)用中IC性能的。文中使用Giacoleto模型分析噪聲的影響。SiGe技術(shù)顯示出更寬的增益帶寬從而可以給出更小的噪聲。SiGe技術(shù)在線性度方面
2006-05-07 13:41:23997 USB OTG技術(shù)及其在存儲(chǔ)測(cè)試中的應(yīng)用
存儲(chǔ)測(cè)試是在對(duì)被測(cè)對(duì)象無(wú)影響或影響在允許范圍的條件下，在被測(cè)體或測(cè)試現(xiàn)場(chǎng)放置微型數(shù)據(jù)采集與存儲(chǔ)測(cè)試儀，現(xiàn)場(chǎng)實(shí)時(shí)完成信
2009-12-07 09:41:591246 
采用SiGe：C BiCMOS工藝技術(shù)的射頻/微波產(chǎn)品
恩智浦將在2010年底前推出超過(guò)50種采用SiGe：C技術(shù)的產(chǎn)品，其QUBiC4 SiGe：C工藝技術(shù)可提供高功率增益和優(yōu)
2010-05-24 11:06:351684 美高森美公司(Microsemi Corporation，紐約納斯達(dá)克交易所代號(hào)：MSCC) 今天發(fā)布以硅鍺(SiGe)技術(shù)為基礎(chǔ)的4G RF前端模塊(FEM)突破性技術(shù)平臺(tái)。
2012-01-18 08:46:561124 美高森美公司（Microsemi Corporation） 推出世界第一個(gè)用于IEEE 802.11ac標(biāo)準(zhǔn)的第五代Wi-Fi產(chǎn)品的單晶片硅鍺（SiGe） RF前端（FE）元件。新型LX5586 RF FE元件憑藉高整合水準(zhǔn)和高性能SiGe製程技術(shù)
2012-11-13 08:51:041359 大多數(shù)商用雷達(dá)系統(tǒng)，特別是高級(jí)駕駛員輔助系統(tǒng) （ADAS） 中的雷達(dá)系統(tǒng)，均基于鍺硅（SiGe）技術(shù)。目前的高端車(chē)輛都有一個(gè)多芯片SiGe雷達(dá)系統(tǒng)。雖然基于SiGe技術(shù)的77GHz汽車(chē)?yán)走_(dá)系統(tǒng)滿(mǎn)足自適應(yīng)巡航控制時(shí)的高速度要求，但它們體積過(guò)大、過(guò)于笨重，占用了大量電路板空間。
2017-05-18 15:43:291114 
的影響。隨著/4DQPSK和8QAM這類(lèi)非恒定能量調(diào)制方案的使用，上面三個(gè)參數(shù)的重要性越來(lái)越大。 SiGe (硅鍺)技術(shù)是最近的一項(xiàng)技術(shù)革新，能同時(shí)改善接收機(jī)的功耗、靈敏度和動(dòng)態(tài)范圍。GST-3是新的基于硅鍺技術(shù)的高速I(mǎi)C處理工藝，其特點(diǎn)是具
2017-11-24 01:09:10566 
關(guān)鍵詞：硅鍺 , SiGe , 格芯 業(yè)界最先進(jìn)的高速硅鍺技術(shù)目前可用于TB通信和汽車(chē)?yán)走_(dá)應(yīng)用的300mm生產(chǎn)線 格芯今天宣布其先進(jìn)的硅鍺(SiGe)產(chǎn)品9HP目前可用于其300mm晶圓制造平臺(tái)
2018-12-03 07:35:01695 半導(dǎo)體基礎(chǔ)元器件生產(chǎn)領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專(zhuān)家Nexperia推出了一系列反向電壓為120 V、150 V和200 V的新鍺化硅(SiGe)整流器，兼具肖特基整流器的高效率與快速恢復(fù)二極管的熱穩(wěn)定性。
2020-05-28 11:18:312844 的影響。隨著π/4DQPSK和 8QAM這類(lèi)非恒定能量調(diào)制方案的使用，上面三個(gè)參數(shù)的重要性越來(lái)越大。 SiGe （硅鍺）技術(shù)是最近的一項(xiàng)技術(shù)革新，能同時(shí)改善接收機(jī)的功耗、靈敏度和動(dòng)態(tài)范圍。GST-3是新的基于硅鍺技術(shù)的高速 IC處理工藝，其特點(diǎn)
2020-09-11 10:46:001 硅技術(shù)的迅猛發(fā)展使工程師們能夠設(shè)計(jì)和創(chuàng)建出新型電路，這些電路的速度和性能以前只有用基于GaAs和InP的HBT（異質(zhì)結(jié)雙極晶體管）和PHEMT技術(shù)才能達(dá)到，電路的核心就是鍺化硅（SiGe）工藝
2020-09-08 10:47:000 鍺化硅技術(shù)（Silicon germanium）從20世紀(jì)80年代問(wèn)世以來(lái)，是一種高于普通硅器件的高頻半導(dǎo)體材料，應(yīng)用領(lǐng)域非常廣泛，尤其在新一代移動(dòng)設(shè)備中，是良好的高功率放大器，例如：下變頻
2020-09-09 10:47:003 摘要：從Si材料到化合物半導(dǎo)體再到SiGe，微電子領(lǐng)域應(yīng)用對(duì)材料提出了很高的要求，而這些材料卻具有不斷優(yōu)化的性能，SiGe在高速發(fā)射和集成方面有很大的進(jìn)步，SiGe-HBT等新技術(shù)的實(shí)驗(yàn)與開(kāi)發(fā)
2020-12-31 09:37:101261 在中紅外波長(zhǎng)下，演示了一種具有大纖芯-包層指數(shù)對(duì)比度的鍺基平臺(tái)——氮化硅鍺波導(dǎo)。仿真驗(yàn)證了該結(jié)構(gòu)的可行性。這種結(jié)構(gòu)是通過(guò)首先將氮化硅沉積的硅上鍺施主晶片鍵合到硅襯底晶片上，然后通過(guò)層轉(zhuǎn)移方法獲得氮化硅上鍺結(jié)構(gòu)來(lái)實(shí)現(xiàn)的，該結(jié)構(gòu)可擴(kuò)展到所有晶片尺寸。
2021-12-16 17:37:572046 
電力電子器件中的分立整流器是決定性組件，影響著電動(dòng)汽車(chē)中的“車(chē)載充電器”等重要單元的效率、可靠性和尺寸。近年來(lái)，碳化硅 （SiC） 肖特基二極管已成為電力電子領(lǐng)域最先進(jìn)的整流器技術(shù)。然而，碳化硅
2022-08-05 08:04:471451 
碳化硅技術(shù)壁壘分析：碳化硅技術(shù)壁壘是什么 碳化硅技術(shù)壁壘有哪些 碳化硅芯片不僅是一個(gè)新風(fēng)口，也是一個(gè)很大的挑戰(zhàn)，那么我們來(lái)碳化硅技術(shù)壁壘分析下碳化硅技術(shù)壁壘是什么？碳化硅技術(shù)壁壘有哪些？ 1
2023-02-03 15:25:165686 
120 V、1 A 硅鍺 (SiGe) 整流器-PMEG120G10ELR
2023-02-08 19:03:031 200 V、3 A 硅鍺 (SiGe) 整流器-PMEG200G30ELP-Q
2023-02-16 20:22:530 200 V、2 A 硅鍺 (SiGe) 整流器-PMEG200G20ELR-Q
2023-02-16 20:23:060 200 V、2 A 硅鍺 (SiGe) 整流器-PMEG200G20ELP-Q
2023-02-16 20:23:190 200 V、1 A 硅鍺 (SiGe) 整流器-PMEG200G10ELR-Q
2023-02-16 20:23:370 150 V、3 A 硅鍺 (SiGe) 整流器-PMEG150G30ELP-Q
2023-02-16 20:24:110 150 V、2 A 硅鍺 (SiGe) 整流器-PMEG150G20ELR-Q
2023-02-16 20:24:230 150 V、2 A 硅鍺 (SiGe) 整流器-PMEG150G20ELP-Q
2023-02-16 20:24:330 150 V、1 A 硅鍺 (SiGe) 整流器-PMEG150G10ELR-Q
2023-02-16 20:24:500 120 V、3 A 硅鍺 (SiGe) 整流器-PMEG120G30ELP-Q
2023-02-16 20:25:080 120 V、2 A 硅鍺 (SiGe) 整流器-PMEG120G20ELR-Q
2023-02-16 20:25:340 120 V、2 A 硅鍺 (SiGe) 整流器-PMEG120G20ELP-Q
2023-02-16 20:26:000 120 V、1 A 硅鍺 (SiGe) 整流器-PMEG120G10ELR-Q
2023-02-16 20:26:140 150 V、1 A 硅鍺 (SiGe) 整流器-PMEG150G10ELR
2023-02-17 19:47:520 200 V、1 A 硅鍺 (SiGe) 整流器-PMEG200G10ELR
2023-02-17 19:48:090 200 V、2 A 硅鍺 (SiGe) 整流器-PMEG200G20ELR
2023-02-17 20:02:390 200 V、3 A 硅鍺 (SiGe) 整流器-PMEG200G30ELP
2023-02-17 20:02:550 200 V、2 A 硅鍺 (SiGe) 整流器-PMEG200G20ELP
2023-02-17 20:03:110 150 V、3 A 硅鍺 (SiGe) 整流器-PMEG150G30ELP
2023-02-17 20:03:310 150 V、2 A 硅鍺 (SiGe) 整流器-PMEG150G20ELR
2023-02-17 20:03:410 150 V、2 A 硅鍺 (SiGe) 整流器-PMEG150G20ELP
2023-02-17 20:04:020 120 V、3 A 硅鍺 (SiGe) 整流器-PMEG120G30ELP
2023-02-20 18:44:010 120 V、2 A 硅鍺 (SiGe) 整流器-PMEG120G20ELP
2023-02-20 18:44:200 120 V、2 A 硅鍺 (SiGe) 整流器-PMEG120G20ELR
2023-02-20 19:16:480 本應(yīng)用筆記介紹了硅鍺如何增強(qiáng)RF應(yīng)用中的IC性能。賈科萊托模型用于分析噪聲效應(yīng)。SiGe技術(shù)的更寬增益帶寬表明可提供更低的噪聲性能。探討了SiGe對(duì)線性度的影響。
2023-02-24 14:23:262066 
硅（Si）是電子產(chǎn)品中常用的純半導(dǎo)體的一個(gè)例子。鍺（Ge）是另一種純半導(dǎo)體，用于一些最早的電子設(shè)備。半導(dǎo)體也由化合物制成，包括砷化鎵 （GaAs）、氮化鎵 （GaN）、硅鍺 （SiGe） 和碳化硅 （SiC）。我們稍后將回到最后一項(xiàng)。
2023-05-24 11:26:144445 SiGe (硅鍺)技術(shù)是最近的一項(xiàng)技術(shù)革新，能同時(shí)改善接收機(jī)的功耗、靈敏度和動(dòng)態(tài)范圍。GST-3是新的基于硅鍺技術(shù)的高速I(mǎi)C處理工藝，其特點(diǎn)是具有35GHz的特征頻率(fT)。下面的典型前端框圖(圖1)中給出了用硅鍺技術(shù)實(shí)現(xiàn)的混頻器和低噪聲放大器(LNA)可能達(dá)到的性能(1.9GHz)。
2023-06-09 14:11:251573 
引言 近年來(lái)，硅/硅鍺異質(zhì)結(jié)構(gòu)已成為新型電子和光電器件的熱門(mén)課題。因此，人們對(duì)硅/硅鍺體系的結(jié)構(gòu)制造和輸運(yùn)研究有相當(dāng)大的興趣。在定義Si/SiGe中的不同器件時(shí)，反應(yīng)離子刻蝕法（RIE）在圖案轉(zhuǎn)移過(guò)程中
2023-12-28 10:39:511694 
引言 目前，硅的電氣和熱性能在微電子技術(shù)領(lǐng)域中應(yīng)用廣泛。鍺化硅（SiGe）合金的使用頻率越來(lái)越高，在互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體技術(shù)中，英思特通過(guò)使用SON結(jié)構(gòu)以及進(jìn)行各向同性刻蝕，將該工藝擴(kuò)展到對(duì)Si進(jìn)行
2024-02-21 16:53:553979 
。它是通過(guò)外延生長(zhǎng)技術(shù)在源漏嵌入SiGe 應(yīng)變材料，利用鍺和硅晶格常數(shù)不同，從而對(duì)襯底硅產(chǎn)生應(yīng)力，改變硅價(jià)帶的能帶結(jié)構(gòu)，降低空穴的電導(dǎo)有效質(zhì)量。
2024-07-26 10:37:073807 
在電動(dòng)汽車(chē)、風(fēng)力發(fā)電等電驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)中，碳化硅功率器件以其優(yōu)異的性能逐漸取代了傳統(tǒng)的硅基功率器件。然而，要充分發(fā)揮碳化硅功率器件的優(yōu)勢(shì)，其封裝技術(shù)尤為關(guān)鍵。本文將重點(diǎn)探討碳化硅功率器件封裝的三個(gè)關(guān)鍵技術(shù)：低雜散電感封裝技術(shù)、高溫封裝技術(shù)以及多功能集成封裝技術(shù)。
2024-08-19 09:43:341049 
本文介紹SiGe外延工藝及其在外延生長(zhǎng)、應(yīng)變硅應(yīng)用以及GAA結(jié)構(gòu)中的作用。 ? 在現(xiàn)代半導(dǎo)體技術(shù)中，隨著器件尺寸的不斷縮小，傳統(tǒng)的硅基材料逐漸難以滿(mǎn)足高性能和低功耗的需求。SiGe（硅鍺）作為一種
2024-12-20 14:17:496643 
本文介紹硅鍺材料、硅退火片和絕緣體上硅（SOI） 硅鍺（SiGe/Si）材料 硅鍺（SiGe/Si）材料，作為近十年來(lái)硅基材料的新發(fā)展，通過(guò)在硅襯底上生長(zhǎng)硅鍺合金外延層而制得。這種材料在多個(gè)領(lǐng)域
2024-12-24 09:44:122710 
，正逐漸取代硅（Si）器件，在工業(yè)自動(dòng)化、電力電子、能源轉(zhuǎn)換等多領(lǐng)域中發(fā)揮著越來(lái)越重要的作用。本文將深入分析碳化硅器件在工業(yè)應(yīng)用中的技術(shù)優(yōu)勢(shì)、主要應(yīng)用場(chǎng)景及未來(lái)發(fā)展趨勢(shì)，幫助讀者全面了解SiC在工業(yè)領(lǐng)域的巨大潛力。
2025-08-25 14:10:301466 
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