英飛凌科技公司將“全球首次”使用口徑300mm的硅晶圓制造功率半導(dǎo)體。具體產(chǎn)品是有超結(jié)（Super Junction）構(gòu)造的功率MOSFET“CoolMOS系列產(chǎn)品”，由奧地利菲拉赫工廠生產(chǎn)。
2013-02-25 08:53:00
2072 格羅方德半導(dǎo)體（GlobalFoundries）5月31日宣布簽署了一份諒解備忘錄，以推動公司在中國市場實(shí)現(xiàn)下一階段的增長。格羅方德將與重慶市政府合資在中國建立一家300mm晶圓制造廠，以此擴(kuò)展全球制造布局。同時(shí)，該公司也將積極投資擴(kuò)展設(shè)計(jì)支持能力，以便更好地服務(wù)中國客戶。
2016-06-01 09:08:221447 為滿足數(shù)據(jù)中心的需求，該公司計(jì)劃在今年晚些時(shí)候正式推出 AMD CDNA 架構(gòu)。
2020-03-07 09:44:501538 東芝官網(wǎng)顯示，3月10日，東芝發(fā)布功率器件業(yè)務(wù)重大投資消息，表示準(zhǔn)備開工建設(shè)300mm晶圓制造廠。據(jù)其披露，東芝將在日本石川縣加賀東芝電子公司新建一條300mm晶圓生產(chǎn)線，以提高功率半導(dǎo)體生產(chǎn)能力，該生產(chǎn)線計(jì)劃于2023年上半年開始量產(chǎn)。不過，東芝未在新聞稿中披露具體投資額。
2021-03-11 09:28:134520 電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報(bào)道 CPO量產(chǎn)繼續(xù)加速，最近Tower Semiconductor 高塔半導(dǎo)體宣布，將其成熟的 300mm 晶圓鍵合技術(shù)拓展至硅光子（SiPho）與硅鍺雙極互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體
2025-11-21 08:46:004251 無疑是考慮的重點(diǎn)。CWDM4成為主流100G 已經(jīng)成為海外云計(jì)算數(shù)據(jù)中心主流。最近，易飛揚(yáng)Gigalight推出的100G QSFP28 CLR4光模塊采用AWG芯片和獨(dú)創(chuàng)的mini TO工藝技術(shù)平臺
2019-01-23 14:07:02
圓。相比之下，硅基200mm和300mm晶圓的面積分別約為32%和66%。與200mm和300mm晶圓相比，150mm晶圓上的器件數(shù)量和所能支持的應(yīng)用還是相對較少。然而，如果我們回顧iPhone
2019-05-12 23:04:07
助于從成本和技術(shù)的角度去更好地管理基礎(chǔ)設(shè)施?！ ?0G數(shù)據(jù)中心銅纜布線的劣勢 當(dāng)前的40G以太網(wǎng)銅纜解決方案限制了其部署架構(gòu)。40G QSFP+高速線纜組件的傳輸距離可達(dá)5-7m。因此，QSFP+高速
2019-11-18 15:00:19
??????摘要：其實(shí)對于節(jié)能，傳統(tǒng)技術(shù)也是做了“十二分”的努力。但是在技術(shù)不斷演進(jìn)的情況下，傳統(tǒng)節(jié)能技術(shù)還是存在問題，如何破？本文分享自華為云社區(qū)《數(shù)據(jù)中心節(jié)能？來試試華為NAIE數(shù)據(jù)中心節(jié)能技術(shù)
2021-06-30 06:27:17
的工藝技術(shù)可用于晶圓凸起，每種技術(shù)有各自的優(yōu)缺點(diǎn)。其中金線柱焊接凸點(diǎn)和電解或化學(xué)鍍金焊接凸點(diǎn)主要用于引腳數(shù)較少的封裝應(yīng)用領(lǐng)域包括玻璃覆晶封裝、軟膜覆晶封裝和RF模塊。由于這類技術(shù)材料成本高、工序
2011-12-01 14:33:02
圓比人造鉆石便宜多了，感覺還是很劃算的。硅的純化I——通過化學(xué)反應(yīng)將冶金級硅提純以生成三氯硅烷硅的純化II——利用西門子方法，通過三氯硅烷和氫氣反應(yīng)來生產(chǎn)電子級硅 二、制造晶棒晶體硅經(jīng)過高溫成型，采用
2019-09-17 09:05:06
，將眾多電子電路組成各式二極管、晶體管等電子組件，做在一個(gè)微小面積上，以完成某一特定邏輯功能，達(dá)成預(yù)先設(shè)定好的電路功能要求的電路系統(tǒng)。硅是由沙子所精練出來的，晶圓便是硅元素加以純化（99.999
2011-12-02 14:30:44
。IBM采用0.18um光刻工藝制成的120GHz Ft SiGe晶體管是一個(gè)很好的例子。 處理這一例子，鍺化硅工藝技術(shù)還在哪些高速通信領(lǐng)域應(yīng)用呢？
2019-07-30 07:56:50
ARM是如何滿足數(shù)據(jù)中心需求的
2021-02-01 06:34:23
AbouzariMACOM解決了以高產(chǎn)出和高耦合效率實(shí)現(xiàn)激光器與硅光子集成電路集成的挑戰(zhàn)，使采用硅光子集成電路在云數(shù)據(jù)中心實(shí)現(xiàn)高速、高密度光互連成為現(xiàn)實(shí)。另一方面，為傳輸高數(shù)據(jù)速率信號，5G還為用于無線前端和回傳
2017-05-22 15:12:22
近日，Keyssa和IDT聯(lián)合宣布，推出業(yè)界首個(gè)將高速非接觸“Kiss Connectivity連接”與無線充電相結(jié)合的演示方案，可支持真正的“無線纜”高性能充電和數(shù)據(jù)連接?！ ∵@次演示采用
2018-11-09 15:58:29
MACOM推出業(yè)界首個(gè)100Gb/s單λ解決方案，可針對主流云數(shù)據(jù)中心部署實(shí)現(xiàn)具有供應(yīng)鏈靈活性的成本結(jié)構(gòu)。MACOM的100G單λ解決方案旨在幫助客戶以云規(guī)模成本結(jié)構(gòu)加快部署100G光互連，使客戶
2017-10-09 09:59:05
由于集成電路 (IC) 規(guī)模的不斷減小以及對降低成本 、提高產(chǎn)量和環(huán)境友好性的要求不斷提高，半導(dǎo)體器件制造創(chuàng)新技術(shù)的發(fā)展從未停止過。最近在硅濕法清洗工藝中引入臭氧技術(shù)以取代傳統(tǒng)的 RCA 方法引起了業(yè)界的興趣
2021-07-06 09:36:27
450mm直徑的晶體和450mm晶圓的制備存在的挑戰(zhàn)性。更高密度和更大尺寸芯片的發(fā)展需要更大直徑的晶圓供應(yīng)。在20世紀(jì)60年代開始使用的1英寸直徑的晶圓。在21世紀(jì)前期業(yè)界轉(zhuǎn)向300mm（12英寸）直徑的晶圓
2018-07-04 16:46:41
效應(yīng)和功耗。因此，三維系統(tǒng)集成技術(shù)在性能、功能和形狀因素等方面都具有較大的優(yōu)勢。用于三維集成的先進(jìn)晶圓級技術(shù)晶圓級封裝技術(shù)已在許多產(chǎn)品制造中得到廣泛應(yīng)用。目前正在開發(fā)晶圓級封裝的不同工藝技術(shù)，以滿足在提高
2011-12-02 11:55:33
將數(shù)據(jù)從本地服務(wù)器移動到服務(wù)提供商的云數(shù)據(jù)中心。這提高了基礎(chǔ)設(shè)施的靈活性，因?yàn)槠髽I(yè)可以選擇專用或共享服務(wù)器、公有云或私有云以及混合服務(wù)，以滿足其快速變化的需求。4.從數(shù)字轉(zhuǎn)變?yōu)槿萘勘M管云數(shù)據(jù)中心近年來
2018-12-31 22:23:04
隨著技術(shù)的飛速發(fā)展，數(shù)據(jù)中心正在從100G和400G演進(jìn)到800G時(shí)代，對高速數(shù)據(jù)傳輸?shù)?b class="flag-6" style="color: red">需求與日俱增。因此，選擇高效且可靠的布線解決方案對于800G數(shù)據(jù)中心至關(guān)重要。本文將深入探討800G數(shù)據(jù)中心
2025-03-24 14:20:17
發(fā)展到超100G以滿足這些需求。其中一個(gè)衡量數(shù)據(jù)中心交換機(jī)最重要的值是前面板帶寬。也就是所有光模塊需適應(yīng)寬19”，高1RU交換設(shè)備的聚合帶寬。通常，一個(gè)普通的交換機(jī)前面板可容納32個(gè)QSFP端口。如果
2017-03-01 11:28:30
）、氮化鎵（GaN）、碳化硅（SiC）、雙極硅、絕緣硅（SoI）和藍(lán)寶石硅（SoS）等工藝技術(shù)給業(yè)界提供了豐富的選擇。雖然半導(dǎo)體器件的集成度越來越高，但分立器件同樣在用這些工藝制造。隨著全球電信網(wǎng)絡(luò)向
2019-07-05 08:13:58
）、氮化鎵（GaN）、碳化硅（SiC）、雙極硅、絕緣硅（SoI）和藍(lán)寶石硅（SoS）等工藝技術(shù)給業(yè)界提供了豐富的選擇。雖然半導(dǎo)體器件的集成度越來越高，但分立器件同樣在用這些工藝制造。隨著全球電信網(wǎng)絡(luò)向長期
2019-08-20 08:01:20
90 -95 。目前，中芯各制程產(chǎn)能滿載，部分成熟工藝訂單已排至 2022 年。據(jù)中芯介紹，中芯是的集成電路晶圓代工企業(yè)之一，也是內(nèi)地技術(shù)，配套完善，規(guī)模大，跨國經(jīng)營的集成電路制造企業(yè)。中芯在上
2021-07-19 15:09:42
法人咋舌，也為日后的稅率預(yù)估出現(xiàn)不確定性，引發(fā)法人疑慮。5月22日半導(dǎo)體硅晶圓廠環(huán)球晶圓，副總經(jīng)理李崇偉出席柜買中心舉辦的業(yè)績發(fā)表會表示，今年產(chǎn)能都已經(jīng)被客戶包走，甚至無法滿足客戶訂單，生產(chǎn)線吃緊
2017-06-14 11:34:20
有關(guān)硅光子技術(shù)在光通信行業(yè)一直是熱門的話題，在許多人看來，硅光子將是光通信走向集成的唯一選擇。其實(shí)硅光子并不會取代Ⅲ—Ⅴ族，它只是在特定領(lǐng)域，比如數(shù)據(jù)中心，優(yōu)勢比較明顯，但在其他方面并不一定
2017-10-17 14:52:31
如何滿足各種讀取數(shù)據(jù)捕捉需求以實(shí)現(xiàn)高速接口？
2021-05-08 09:19:15
端面刻蝕技術(shù)（EFT）點(diǎn)亮數(shù)據(jù)中心向400G及更高速率之路為了滿足數(shù)據(jù)通訊在視頻和移動業(yè)務(wù)驅(qū)動下的爆發(fā)式增長，各云數(shù)據(jù)中心都在迅速向100G光互連過渡，并為逐步邁向200G、400G乃至更高速率做好
2017-11-17 10:11:47
2023年2月27日，中國上海 — 思特威（上海）電子科技股份有限公司，正式推出業(yè)界首顆5MP DSI－2技術(shù)全性能升級Pro系列安防應(yīng)用圖像傳感器新品SC5336P。新品擁有3K級的清晰畫質(zhì)，既是
2023-02-28 09:24:04
繼推出硅基MEMS麥克風(fēng)芯片后，蘇州敏芯微電子技術(shù)有限公司日前又推出了1.4mm×1.4mm×0.7mm外形尺寸MEMS絕對壓力傳感器芯片，主要針對量程為15PSI的高度表市場，并已開始提供樣品
2018-11-01 17:16:10
外，所有IT物品和服務(wù)器機(jī)架都可以快速卸下，并放置在中心區(qū)域周圍。光模塊也不例外，小封裝的光模塊可以提高空間利用率，可部署更多數(shù)量的光模塊，滿足流量高速增長的需求。綠色節(jié)能未來數(shù)據(jù)中心應(yīng)該需要消耗更少
2020-08-07 10:27:49
投入的硅光技術(shù)來說的確是很大的挑戰(zhàn)。數(shù)據(jù)中心光模塊市場，由于大量需求集中在2公里以內(nèi)，加之低成本、高速率、高密度等的強(qiáng)烈要求，比較適合硅光的大量應(yīng)用。個(gè)人認(rèn)為在100G速率，傳統(tǒng)光模塊已經(jīng)做得十分
2018-06-14 15:52:14
泰克公司最近宣布首款經(jīng)驗(yàn)證采用 IBM 8HP 硅鍺 (SiGe) BiCMOS 特殊工藝技術(shù)設(shè)計(jì)的新型示波器平臺ASIC各項(xiàng)技術(shù)指標(biāo)優(yōu)于規(guī)定要求，實(shí)現(xiàn)了新型高性能示波器的設(shè)計(jì)目標(biāo)，使多通道帶寬達(dá)
2019-07-24 07:47:20
激光用于晶圓劃片的技術(shù)與工藝 激光加工為無接觸加工，激光能量通過聚焦后獲得高能量密度，直接將硅片
2010-01-13 17:01:57
應(yīng)用推出業(yè)界首個(gè)集成有激光器(L-PIC?)的硅光子集成電路(PIC)。MACOM解決了以高產(chǎn)出和高耦合效率實(shí)現(xiàn)激光器與硅光子集成電路集成的挑戰(zhàn)，使采用硅光子集成電路在云數(shù)據(jù)中心實(shí)現(xiàn)高速、高密度光互連
2017-10-24 18:13:14
和多路復(fù)用器）無縫集成到單個(gè)硅芯片上，面向100G應(yīng)用推出業(yè)界首個(gè)集成有激光器(L-PIC TM)的硅光子集成電路(PIC)，為爆發(fā)增長的云數(shù)據(jù)中心市場提供低成本、大容量的解決方案?！薄猇ivek
2017-07-04 10:38:18
; 2010年1月3日，蘇州天弘激光股份有限公司推出了新一代激光晶圓劃片機(jī)，該激光劃片機(jī)應(yīng)用于硅晶圓、玻璃披覆（玻鈍）二極管等半導(dǎo)體晶圓的劃片和切割，技術(shù)領(lǐng)先于國內(nèi)
2010-01-13 17:18:57
這個(gè)要根據(jù)die的大小和wafer的大小以及良率來決定的。目前業(yè)界所謂的6寸，12寸還是18寸晶圓其實(shí)就是晶圓直徑的簡稱，只不過這個(gè)吋是估算值。實(shí)際上的晶圓直徑是分為150mm，300mm以及450mm這三種，而12吋約等于305mm，為了稱呼方便所以稱之為12吋晶圓。
2018-06-13 14:30:58
數(shù)據(jù)中心超100G的因素：現(xiàn)在所有的光學(xué)領(lǐng)域都在討論100G以上的模塊，下一代40G和100G將是4X系列，如200G / 400G的數(shù)據(jù)中心。光模塊也需要增長到超過100G以滿足這些需求。測量
2018-05-23 16:20:55
300mm×300mm口徑電光開關(guān)等離子體電極實(shí)驗(yàn)研究:設(shè)計(jì)并實(shí)驗(yàn)了300mm×300mm口徑的輝光放電室，利用鈕扣陰極和自動預(yù)電離條形陰極進(jìn)行實(shí)驗(yàn)，獲得了大面積均勻的輝光放電
2009-10-29 14:06:52
10 半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會：300mm晶圓已經(jīng)占據(jù)統(tǒng)治地位
據(jù)半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會（SIA）表示，300mm晶圓的產(chǎn)能和實(shí)際產(chǎn)量首次排名第一，占芯片總產(chǎn)能的44%、芯片實(shí)際總產(chǎn)量的47%。SIA引用了W
2008-09-05 10:54:42773 中興通訊、高通公司與Aircell合作推出業(yè)界首個(gè)空中移動寬帶系統(tǒng)
電信設(shè)備和網(wǎng)絡(luò)解決方案提供商中興通訊的子公司中興美國公司（ZTE USA）與領(lǐng)先的無線技術(shù)和數(shù)據(jù)解決方案
2008-11-22 18:32:42686 BASE-TX自適應(yīng)電口和10000M BASE-FX光口，能夠滿足數(shù)據(jù)中心內(nèi)部不同設(shè)備之間高速數(shù)據(jù)傳輸?shù)?b class="flag-6" style="color: red">需求。在數(shù)據(jù)中心中，大量的服務(wù)器和網(wǎng)絡(luò)設(shè)備需要高速穩(wěn)定的連接，該收發(fā)
2025-03-20 19:06:41
ADI完成制造工藝技術(shù)的升級，有效提高晶圓制造效率
Analog Devices, Inc.，最近成功完成了對專有模擬、混合信號和 MEMS（微機(jī)電系統(tǒng)）制造工藝技術(shù)的升級和改進(jìn)，目的是
2009-12-24 08:44:23953 ATREG 任 Qimonda 德國德累斯頓中心的出售顧問 德國德累斯頓2010年6月3日電 -- 高力國際 (Colliers International) 旗下部門 ATREG 已被聘為 Qimonda 德國德累斯頓先進(jìn) 300mm
2010-06-03 09:35:50860 Maxim近期已經(jīng)通過300mm晶圓生產(chǎn)線的模擬產(chǎn)品驗(yàn)證并開始供貨。這一重大舉措進(jìn)一步確立了Maxim在模擬/混和信號
2010-11-12 08:56:43934 英飛凌科技(Infineon Technologies)宣布已于奧地利菲拉赫(Villach)據(jù)點(diǎn)生產(chǎn)出首款 300mm (12寸)薄晶圓之功率半導(dǎo)體晶片(first silicon)，成為全球首家進(jìn)一步成功采用此技術(shù)的公司。采用300mm薄晶圓
2011-10-14 09:51:431352 加利福尼亞，圣克拉拉（2017年6月14日）—— 格芯今日宣布推出其基于7納米FinFET工藝技術(shù)的FX-7TM專用集成電路（ASIC）。FX-7是一個(gè)集成式設(shè)計(jì)平臺，將先進(jìn)的制造工藝技術(shù)與差異化
2017-06-14 16:35:073033 今天，格芯揭示硅光子路線圖的新信息，推動數(shù)據(jù)中心和云應(yīng)用的新一代光學(xué)互連。格芯已經(jīng)用300 mm晶圓認(rèn)證了行業(yè)首個(gè)90 nm制造工藝，同時(shí)宣布未來的45 nm技術(shù)將帶來更大的帶寬和能效。
2018-03-21 14:54:305878 格芯（GLOBALFOUNDRIES）宣布推出業(yè)內(nèi)首個(gè)基于300毫米晶圓的RF SOI代工解決方案。8SW SOI技術(shù)是格芯最先進(jìn)的RF SOI技術(shù)，可以為4G LTE以及6GHz以下5G移動和無線通信應(yīng)用的前端模塊（FEM）帶來顯著的性能、集成和面積優(yōu)勢。
2018-05-03 11:48:001821 300mm RF SOI技術(shù)平臺已通過認(rèn)證并投入量產(chǎn)。這項(xiàng)RF SOI工藝引起了多位客戶的關(guān)注和興趣，它專為滿足前端模塊(FEM)應(yīng)用更高的LTE和6 GHz以下標(biāo)準(zhǔn)要求量身定制，包括5G IoT、移動
2018-10-04 00:12:01598 格芯今天宣布其先進(jìn)的硅鍺（SiGe）產(chǎn)品9HP目前可用于其300mm晶圓制造平臺的原型設(shè)計(jì)。這表明300mm生產(chǎn)線將形成規(guī)模優(yōu)勢，進(jìn)而促進(jìn)數(shù)據(jù)中心和高速有線/無線應(yīng)用的強(qiáng)勁增長。借助格芯的300mm
2018-12-02 10:36:123006 uWLSI?為中芯寧波的注冊商標(biāo)，意指“晶圓級微系統(tǒng)集成”；它是中芯寧波自主開發(fā)的一種特種中后段晶圓制造技術(shù)，尤其適用于實(shí)現(xiàn)多個(gè)異質(zhì)芯片的晶圓級系統(tǒng)集成以及晶圓級系統(tǒng)測試，同時(shí)也消除了在傳統(tǒng)的系統(tǒng)封裝中所需的凸塊和倒裝焊工藝流程。
2019-02-11 15:59:185653 SEMICON CHINA，2019 年 3 月 20 日晶圓鍵合和光刻設(shè)備的領(lǐng)先供應(yīng)商EV集團(tuán)(EVG)今日宣布，與總部位于中國寧波的特種工藝半導(dǎo)體制造公司中芯集成電路(寧波)有限公司(以下簡稱中芯寧波)合作，開發(fā)業(yè)界首個(gè)砷化鎵射頻前端模組晶圓級微系統(tǒng)異質(zhì)集成工藝技術(shù)平臺。
2019-03-20 14:00:412494 GlobalFoundries（格芯）宣布與安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor)達(dá)成最終協(xié)議，將位于美國紐約州East Fishkill的Fab 10 300mm晶圓廠賣給后者，價(jià)格為4.3億美元（約合人民幣28.9億元）。
2019-05-04 09:14:003426 格芯宣布已就安森美半導(dǎo)體收購格芯位于美國紐約州東菲什基爾的300mm工廠達(dá)成最終協(xié)議。
2019-04-24 13:58:012894 康寧精密玻璃解決方案總經(jīng)理David Velasquez表示：“康寧一直為半導(dǎo)體行業(yè)提供300mm的晶圓。如今，我們非常自豪能夠?yàn)锳R客戶提供相同尺寸的產(chǎn)品，這是目前市場上規(guī)格最大的高射折率玻璃晶圓
2019-05-08 17:49:484238 GlobalFoundries（格芯）宣布與安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor)達(dá)成最終協(xié)議，將位于美國紐約州EastFishkill的Fab 10 300mm晶圓廠賣給后者，價(jià)格為4.3億美元（約合人民幣28.9億元）。
2019-05-24 15:59:474521 格芯與Soitec簽署多項(xiàng)長期SOI晶圓供應(yīng)協(xié)議，滿足5G、物聯(lián)網(wǎng)和數(shù)據(jù)中心市場增長性需求，協(xié)議確保了300毫米晶圓的大批量供應(yīng)，以支持眾多快速增長細(xì)分市場中的各類客戶應(yīng)用。
2019-06-11 09:51:00728 隨著大數(shù)據(jù)、人工智能、云計(jì)算、物聯(lián)網(wǎng)，和5G網(wǎng)絡(luò)的快速發(fā)展，高性能和高密度的運(yùn)算需求大幅增加，同時(shí)還要滿足數(shù)據(jù)中心所需的低功耗表現(xiàn)，因此，如何發(fā)展高效、節(jié)能的綠色數(shù)據(jù)中心成為業(yè)界的首要目標(biāo)。
2019-08-14 17:53:163590 光迅科技推出面向400G應(yīng)用的高密度MPO光纖連接器，以滿足數(shù)據(jù)中心下一代高速以太網(wǎng)速率的應(yīng)用需求。
2019-12-11 11:27:061798 日前Globalfoundries格芯宣布與全球第三大硅晶圓供應(yīng)商環(huán)球晶圓簽署合作備忘錄，雙方未來將進(jìn)一步合作，由環(huán)球晶圓為格芯供應(yīng)12英寸的SOI晶圓。
2020-02-26 16:57:373445 近日，由電科裝備所屬北京中電科公司牽頭承擔(dān)的國家02科技重大專項(xiàng) “300mm超薄晶圓減薄拋光一體機(jī)研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化” 項(xiàng)目順利通過國家科技部的正式驗(yàn)收。
2020-04-27 14:56:4913746 Imec首次使用「釕」進(jìn)行金屬化，并在300mm晶圓上制造并特性化了雙金屬層的半鑲嵌模組。在30納米金屬間距線的測試結(jié)構(gòu)顯示，有超過80％以上的可重復(fù)性（無短路跡象），且使用壽命超過10年。同時(shí)釕的氣隙結(jié)構(gòu)的物理穩(wěn)定性可與傳統(tǒng)的銅雙重鑲嵌結(jié)構(gòu)相比。
2020-10-12 15:47:452325 8英寸200mm晶圓相比于12英寸300mm晶圓雖然看起來“落后”很多，但仍有廣泛的市場應(yīng)用，產(chǎn)能在近來也是越發(fā)緊張。
2020-11-27 09:49:253339 近日，法國3D GaN LED技術(shù)開發(fā)商Aledia宣布成功在12英寸（300mm）硅晶圓上生長出業(yè)界首款納米線（nanowire）Micro LED芯片。
2020-12-17 17:16:511345 率先推出了具有突破性意義的microLED顯示技術(shù)，并宣布已制造出全球首批300mm（12英寸）硅晶圓microLED芯片。 ? ? ? ? Aledia在過去八年里一直采用200mm（8英寸）硅晶圓
2020-12-23 10:40:473718 晶圓的投資不足。 如今，最先進(jìn)的芯片在 300mm 晶圓上制造。過去的幾十年，制造商一直在提升標(biāo)準(zhǔn)晶圓的尺寸，從 100mm 到 150mm 再到 200mm 和 300mm。長期以來，人們一直認(rèn)為 300mm 晶圓要優(yōu)于 200mm 晶圓，因?yàn)楦蟮?b class="flag-6" style="color: red">晶圓尺寸可以減少浪費(fèi)，通常還可以提高晶
2020-12-24 10:26:222587 制造商格芯（GLOBALFOUNDRIES）達(dá)成一項(xiàng)8億美元的協(xié)議，在GWC位于密蘇里州奧法隆的MEMC工廠增加300毫米硅絕緣體（SOI）晶圓生產(chǎn)，并擴(kuò)大現(xiàn)有的200毫米SOI晶圓生產(chǎn)。 GWC生產(chǎn)的硅片是半導(dǎo)體的關(guān)鍵材料，也是格芯供應(yīng)鏈中不可或缺的一部分。這些硅片用于打造格芯晶圓
2021-06-17 16:36:402813 格科微0.153μm晶圓, CIS工藝量產(chǎn) 中芯國際年報(bào)出爐 ,臺積電擔(dān)憂大陸封城影響半導(dǎo)體需求.
2022-03-31 16:55:583050 英韌科技推出PCIe 5.0控制器——Tacoma IG5669，順序讀取速度高達(dá)14GB/s，支持容量32TB，充分發(fā)揮PCIe 5.0技術(shù)帶來的性能提升，滿足數(shù)據(jù)中心快速增長的數(shù)據(jù)存儲及計(jì)算需求。
2022-05-27 09:23:082195 CM300xi-SiPh 概述 具有集成硅光芯片和晶圓級測試的300mm探針臺 CM300xi-SiPh 300mm探針臺是市場上第一個(gè)經(jīng)過驗(yàn)證的硅光測量方案，安裝后即可進(jìn)行經(jīng)過工程和生產(chǎn)驗(yàn)證的優(yōu)化
2022-11-08 14:59:583683 
一個(gè)300mm芯片包含上千個(gè)相同的半導(dǎo)體元件。生產(chǎn)半導(dǎo)體需要將三維的集成布局轉(zhuǎn)移到晶圓上。據(jù)博世的工程師介紹，這個(gè)流程需要重復(fù)27次，涉及約500道工序。根據(jù)所需電路系統(tǒng)的復(fù)雜性，這一過程有時(shí)甚至長達(dá)數(shù)月之久。
2022-12-13 11:28:351850 Mojo Vision 表示，Micro LED技術(shù)為顯示器提供了關(guān)鍵性能表現(xiàn)、效率和外形優(yōu)勢，這對于擴(kuò)展現(xiàn)實(shí) (XR)、可穿戴設(shè)備、汽車、消費(fèi)電子和高速通信等應(yīng)用至關(guān)重要。公司目前已克服了多個(gè)的供應(yīng)鏈和晶圓資格問題，例如晶圓彎曲和污染等，使硅基氮化鎵晶圓獲準(zhǔn)進(jìn)入300mm工廠。
2023-05-25 09:40:241237 
近日，泛林集團(tuán)推出了Coronus DX產(chǎn)品，這是業(yè)界首個(gè)晶圓邊緣沉積解決方案，旨在更好地應(yīng)對下一代邏輯、3D NAND和先進(jìn)封裝應(yīng)用中的關(guān)鍵制造挑戰(zhàn)。隨著半導(dǎo)體芯片關(guān)鍵尺寸的不斷縮小，其制造變得
2023-06-29 10:08:271400 近日，泛林集團(tuán) (Nasdaq: LRCX) 推出了Coronus DX產(chǎn)品，這是業(yè)界首個(gè)晶圓邊緣沉積解決方案，旨在更好地應(yīng)對下一代邏輯、3D NAND和先進(jìn)封裝應(yīng)用中的關(guān)鍵制造挑戰(zhàn)。隨著半導(dǎo)體芯片
2023-07-05 00:39:291080 【中國，北京，2023年8月10日】在中國電子節(jié)能技術(shù)協(xié)會數(shù)據(jù)中心節(jié)能技術(shù)分會（簡稱GDCT）主辦的第十三屆數(shù)據(jù)中心市場年會期間，華為數(shù)字能源榮獲上海添唯認(rèn)證技術(shù)有限公司（簡稱添唯）頒發(fā)的業(yè)界首個(gè)
2023-08-10 17:15:031752 
近日，上海微系統(tǒng)所魏星研究員團(tuán)隊(duì)在300mm SOI晶圓制造技術(shù)方面取得突破性進(jìn)展，制備出了國內(nèi)第一片300mm 射頻（RF）SOI晶圓。
2023-10-23 09:16:452112 
日本定制芯片開發(fā)商 Socionext 發(fā)布了業(yè)界首款 32 核數(shù)據(jù)中心級芯片，該芯片將采用臺積電 2nm 級制造工藝制造。
2023-10-30 18:21:371620 多晶硅層用作電荷俘獲層是RF-SOI中提高器件射頻性能的關(guān)鍵技術(shù)，晶粒大小、取向、晶界分布、多晶硅電阻率等參數(shù)與電荷俘獲性能有密切的關(guān)系；此外，由于多晶硅/硅的復(fù)合結(jié)構(gòu)，使得硅晶圓應(yīng)力極難控制。
2023-11-21 15:22:102534 新思科技（Synopsys）近日在數(shù)據(jù)中心領(lǐng)域取得了重大突破，推出了業(yè)界首個(gè)1.6T高速以太網(wǎng)解決方案，為日益增長的人工智能（AI）計(jì)算需求提供了強(qiáng)有力的網(wǎng)絡(luò)支持。這一創(chuàng)新解決方案相較于傳統(tǒng)的800G速率IP網(wǎng)絡(luò)，在性能上有了顯著提升，其延遲最多可減少40%，空間占用也可節(jié)約50%。
2024-03-08 11:06:281276 美國半導(dǎo)體設(shè)備制造商應(yīng)用材料公司在印度班加羅爾開設(shè)了一個(gè)驗(yàn)證中心，標(biāo)志著印度首家能夠加工300mm晶圓的商業(yè)設(shè)施誕生。
2024-03-12 10:03:031288 中國上海，2024 年 3 月 22 日——楷登電子（美國 Cadence 公司，NASDAQ：CDNS）推出業(yè)界首個(gè)全面的 AI 驅(qū)動數(shù)字孿生解決方案，旨在促進(jìn)數(shù)據(jù)中心的可持續(xù)發(fā)展及現(xiàn)代化的設(shè)計(jì)，標(biāo)志著在優(yōu)化數(shù)據(jù)中心能效和運(yùn)營能力方面取得了重大飛躍。
2024-03-22 11:38:051506 先看一些晶圓的基本信息，和工藝路線。 晶圓主要尺寸有4吋，6吋硅片，目前對8吋，12吋硅片的應(yīng)用在不斷擴(kuò)大。這些直徑分別為100mm、150mm、200mm、300mm。硅片直徑的增大可降低單個(gè)芯片的制造成本。
2024-04-15 12:45:082660 
5 月 24 日，日本東芝電子元件及存儲裝置部于官網(wǎng)上發(fā)文稱，其 300mm 晶圓功率半導(dǎo)體制造廠與辦公室已于日前正式完工。
2024-05-24 16:52:191318 近日，東芝電子器件與存儲株式會社（下簡稱“東芝”）宣布其300mm晶圓功率半導(dǎo)體制造工廠和辦公樓竣工。目前將繼續(xù)進(jìn)行設(shè)備安裝，計(jì)劃在2024財(cái)年下半年開始大規(guī)模生產(chǎn)。
2024-05-29 18:05:571765 了，也更熱了。有什么辦法，給服務(wù)器“物理降溫”嗎？ ? 根據(jù)國家對數(shù)據(jù)中心的節(jié)能要求，全國范圍內(nèi)新建數(shù)據(jù)中心要求PUE（Power Usage Effectiveness，電源利用效率）＜1.2，而傳統(tǒng)的風(fēng)冷制冷方式已經(jīng)無法滿足數(shù)據(jù)中心的散熱需求，更加高效
2024-06-19 11:12:223494 
。而硅晶圓是傳統(tǒng)的半導(dǎo)體材料，具有成熟的制造工藝和廣泛的應(yīng)用領(lǐng)域。 制造工藝： 碳化硅晶圓的制造工藝相對復(fù)雜，需要高溫、高壓和長時(shí)間的生長過程。而硅晶圓的制造工藝相對成熟，可以實(shí)現(xiàn)大規(guī)模生產(chǎn)。此外，碳化硅晶圓的生長速度
2024-08-08 10:13:174711 科技股份公司今天宣布，已成功開發(fā)出全球首項(xiàng)300mm氮化鎵（GaN）功率半導(dǎo)體晶圓技術(shù)。英飛凌是全球首家在現(xiàn)有且可擴(kuò)展的大規(guī)模生產(chǎn)環(huán)境中掌握這一突破性技術(shù)的企業(yè)。這項(xiàng)
2024-09-13 08:04:20947 
本文從硅片制備流程為切入點(diǎn)，以方便了解和選擇合適的硅晶圓，硅晶圓的制備工藝流程比較復(fù)雜，加工工序多而長，所以必須嚴(yán)格控制每道工序的加工質(zhì)量，才能獲得滿足工藝技術(shù)要求、質(zhì)量合格的硅單晶片（晶圓），否則就會對器件的性能產(chǎn)生顯著影響。
2024-10-21 15:22:272000 已獲認(rèn)可并向客戶發(fā)布。繼宣布推出全球首款300mm氮化鎵（GaN）功率半導(dǎo)體晶圓和在馬來西亞居林建成全球最大的200mm碳化硅（SiC）功率半導(dǎo)體晶圓廠之后，英飛凌
2024-10-31 08:04:38826 12寸晶圓（直徑300mm）的制造工藝是一個(gè)高度復(fù)雜且精密的過程，涉及材料科學(xué)、半導(dǎo)體物理和先進(jìn)設(shè)備技術(shù)的結(jié)合。以下是其核心工藝流程及關(guān)鍵技術(shù)要點(diǎn)： 一、單晶硅生長與晶圓成型 高純度多晶硅提純 原料
2025-11-17 11:50:20340 創(chuàng)新、及加強(qiáng)硅光技術(shù)領(lǐng)域布局戰(zhàn)略中的關(guān)鍵一步。此次收購將拓展格羅方德在新加坡的硅光技術(shù)業(yè)務(wù)組合、生產(chǎn)能力以及研發(fā)實(shí)力，與現(xiàn)有技術(shù)能力形成互補(bǔ)，并憑借更廣泛的數(shù)據(jù)中心和通信技術(shù)開拓新的市場機(jī)遇。
2025-11-19 10:54:53434
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