碳化硅二極管是單極器件，因此與傳統(tǒng)的硅快速恢復(fù)二極管(硅FRD)相比，碳化硅二極管具有理想的反向恢復(fù)特性。當(dāng)器件從正向切換到反向阻斷方向時(shí)，幾乎沒(méi)有反向恢復(fù)功率，反向恢復(fù)時(shí)間小于20ns，甚至600V10A碳化硅二極管的反向恢復(fù)時(shí)間也小于10ns。
2023-02-08 17:23:23
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PIN二極管、碳化硅 PIN二極管、硅肖特基二極管、碳化硅肖特基二極管。在本篇文章中我們將重點(diǎn)闡述碳化硅肖特基二極管作為續(xù)流二極管的混合碳化硅分立器件(后文簡(jiǎn)稱為混管)的特性與優(yōu)點(diǎn)。
2023-09-22 10:26:251008 
Nov. 2019IV1D12010T2 – 1200V 10A 碳化硅肖特基二極管特性 封裝外形?最大結(jié)溫為 175°C?高浪涌電流容量?零反向恢復(fù)電流?零正向恢復(fù)電壓?高頻工作?開(kāi)關(guān)特性不受溫度
2020-03-13 13:42:49
極快反向恢復(fù)速度的600V-1200V碳化硅肖特基二極管芯片及成品器件 。海飛樂(lè)技術(shù)600V碳化硅二極管現(xiàn)貨選型相比于Si半導(dǎo)體材料，SiC半導(dǎo)體材料具有禁帶寬度較大、臨界電場(chǎng)較大、熱導(dǎo)率較高的特點(diǎn)，SiC
2019-10-24 14:25:15
電壓或高溫條件的器件非常有利。在高頻、高溫、高功率及惡劣環(huán)境下，仍具有更優(yōu)越的開(kāi)關(guān)性能以及更小的結(jié)溫和結(jié)溫波動(dòng)。 碳化硅二極管廣泛應(yīng)用于開(kāi)關(guān)電源、功率因素校正（PFC）電路、不間斷電源（UPS）、光伏
2020-09-24 16:22:14
?二極管的參數(shù)是選用二極管的決定性因素之一，二極管的壓降的其中的一種。? 二極管在正向?qū)ǖ臅r(shí)候，流過(guò)電流的時(shí)候會(huì)產(chǎn)生壓降。一般情況下，這個(gè)壓降和正向電流以及溫度有關(guān)。通常硅二極管，電流越大，壓降越大。溫度越高，壓降越小。但是碳化硅二極管卻是溫度越高，壓降越大。二極管規(guī)格書(shū)下載：
2021-03-22 17:25:26
MOSFET之所以有如此的大吸引力，在于與它們具有比硅器件更出眾的可靠性，在持續(xù)使用內(nèi)部體二極管的連續(xù)導(dǎo)通模式（CCM）功率因數(shù)校正（PFC）設(shè)計(jì)，例如圖騰功率因數(shù)校正器的硬開(kāi)關(guān)拓?fù)渲校?b class="flag-6" style="color: red">碳化硅
2023-03-14 14:05:02
一樣，可以制成結(jié)型器件、場(chǎng)效應(yīng)器件、和金屬與半導(dǎo)體接觸的肖特基二極管?！ ∑鋬?yōu)點(diǎn)是： (1)碳化硅單載流子器件漂移區(qū)薄，開(kāi)態(tài)電阻小。比硅器件小100-300倍。由于有小的導(dǎo)通電阻，碳化硅功率器件
2019-01-11 13:42:03
反向恢復(fù)電流，其關(guān)斷過(guò)程很快，開(kāi)關(guān)損耗很小。由于碳化硅材料的臨界雪崩擊穿電場(chǎng)強(qiáng)度較高，可以制作出超過(guò)1000V的反向擊穿電壓。在3kV以上的整流器應(yīng)用領(lǐng)域，由于SiC PiN二極管與Si器件相比具有更快
2019-10-24 14:21:23
200V，但是碳化硅肖特基二極管能擁有較短恢復(fù)時(shí)間實(shí)踐，同時(shí)在正向電壓也減少，耐壓也大大超過(guò)200V，典型的電壓有650V、1200V等，另外在反向恢復(fù)造成的損耗方面碳化硅肖特基二極管也有很大優(yōu)勢(shì)。在
2020-06-28 17:30:27
650 V CoolSiC?混合分立器件，該器件包含一個(gè)50A TRENCHSTOP? 快速
開(kāi)關(guān) IGBT 和一個(gè) CoolSiC 肖特基
二極管，能夠提升性價(jià)比并帶來(lái)高可靠性。這種組合為硬
開(kāi)關(guān)拓?fù)?/div>
2021-03-29 11:00:47
明顯優(yōu)勢(shì)，可以用來(lái)做成高耐壓的肖特基二極管，目前650V-1700V碳化硅肖特基二極管在消費(fèi)、工業(yè)、汽車、軍工等領(lǐng)域有廣泛應(yīng)用。 03 碳化硅肖特基二極管結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)析 肖特基二極管：以金屬為陽(yáng)極，以N
2023-02-28 16:55:45
，能夠有效降低產(chǎn)品成本、體積及重量?！ ?b class="flag-6" style="color: red">碳化硅具有載流子飽和速度高和熱導(dǎo)率大的特點(diǎn)，應(yīng)用開(kāi)關(guān)頻率可達(dá)到1MHz，在高頻應(yīng)用中優(yōu)勢(shì)明顯，其中碳化硅肖特基二極管（SiC JBS）耐壓可以達(dá)到6000V以上
2023-02-28 16:34:16
SIC碳化硅二極管
2016-11-04 15:50:11
阻。盡管普通二極管的“慣性”較大，但是在超過(guò)200V的工作電壓場(chǎng)合，普通的PIN二極管占主導(dǎo)地位?！ ≡从诠杌男ぬ鼗?b class="flag-6" style="color: red">二極管，近年來(lái)開(kāi)發(fā)出來(lái)新的基于碳化硅(SiC)的肖特基二極管用于一些效率很關(guān)鍵的電力
2019-01-02 13:57:40
能對(duì)升壓二極管起保護(hù)作用。我的觀點(diǎn)是：1：PFC續(xù)流二極管碳化硅的應(yīng)用.2：雷擊浪涌實(shí)驗(yàn)而需要加旁路二極管。具體原因我在附件里面已經(jīng)描述了。
2021-01-28 14:10:17
是1000V。FR106,FR107300ns快速恢復(fù)二極管FR101-FR105150nsSR260肖特基二極管 10ns左右反向恢復(fù)時(shí)間短，特別適用于高頻電路。二、碳化硅二極管碳化硅是一種新材料，幾乎不
2023-02-15 14:24:47
應(yīng)用領(lǐng)域，SiC和GaN形成競(jìng)爭(zhēng)。隨著碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)等新材料陸續(xù)應(yīng)用在二極管、場(chǎng)效晶體管(MOSFET)等組件上，電力電子產(chǎn)業(yè)的技術(shù)大革命已揭開(kāi)序幕。這些新組件雖然在成本上仍比傳統(tǒng)硅
2021-09-23 15:02:11
能動(dòng)力碳化硅二極管ACD06PS065G已經(jīng)在倍思120W氮化鎵快充中商用，與納微GaNFast高頻優(yōu)勢(shì)組合，高頻開(kāi)關(guān)減小磁性元件體積，提高適配器功率密度。創(chuàng)能動(dòng)力是香港華智科技有限公司孵化出來(lái)的公司
2023-02-22 15:27:51
和 500A，帶或不帶碳化硅肖特基續(xù)流 1200V 二極管?！ ×硪粋€(gè)例子是MiniSKiiP，這是一種無(wú)底板電源模塊，使用賽米控的SPRiNG系統(tǒng)將電源和輔助端子連接到PCB。彈簧位置由外殼設(shè)計(jì)固定
2023-02-20 16:29:54
MOSFET有更低的開(kāi)關(guān)損耗。碳化硅MOSFET的體二極管雖然也存在反向恢復(fù)行為，但是其反向恢復(fù)電流相對(duì)IGBT或超結(jié)MOSFET要小很多。因此，當(dāng)開(kāi)關(guān)頻率提高時(shí)，碳化硅MOSFET的優(yōu)勢(shì)將更為明顯，系統(tǒng)
2023-02-28 16:48:24
以及低體二極管反向恢復(fù)的優(yōu)勢(shì)能簡(jiǎn)化拓?fù)湓O(shè)計(jì)，提高了隔離DC/DC變換器的功率密度（圖4）。方案每個(gè)開(kāi)關(guān)采用兩顆1000V、65毫歐碳化硅MOSFET(C3M0065100K)并聯(lián)，總共有８顆碳化硅在
2016-08-05 14:32:43
家族中的新成員?！ ∠噍^于前兩代二極管，基本半導(dǎo)體第三代碳化硅肖特基二極管在沿用6英寸晶圓工藝基礎(chǔ)上，實(shí)現(xiàn)了更高的電流密度、更小的元胞尺寸、更低的正向?qū)▔航??！ 』景雽?dǎo)體第三代碳化硅肖特基二極管繼承
2023-02-28 17:13:35
）SiC器件可以減少功率器件的體積和電路損耗。4.3 碳化硅肖特基二極管的應(yīng)用SiC肖特基二極管可廣泛應(yīng)用于開(kāi)關(guān)電源、功率因數(shù)校正（PFC）電路、不間斷電源（UPS）、光伏逆變器等中高功率領(lǐng)域，可顯著降低
2023-02-07 15:59:32
)和1200V 碳化硅隔離全橋DC/DC方案(下圖)因此碳化硅MOSFET在軟開(kāi)關(guān)橋式高輸入電壓隔離DC/DC電路中優(yōu)勢(shì)明顯，簡(jiǎn)化拓?fù)?，?shí)現(xiàn)高效和高功率密度。特別是它的超快體二極管特性使無(wú)論諧振LLC
2016-08-25 14:39:53
μs以內(nèi)起作用。采用二極管或電阻串檢測(cè)短路，短路保護(hù)最短時(shí)間限制在1.5μs左右?！ ?）高dv/dt及di/dt對(duì)系統(tǒng)影響 在高壓大電流條件下進(jìn)行開(kāi)關(guān)動(dòng)作時(shí)，器件開(kāi)關(guān)會(huì)產(chǎn)生高dv/dt及di/dt
2023-02-27 16:03:36
，同時(shí)在正向電壓也減少，耐壓也大大超過(guò)200V，典型的電壓有650V、1200V等，另外在反向恢復(fù)造成的損耗方面碳化硅肖特基二極管也有很大優(yōu)勢(shì)。在開(kāi)關(guān)電源輸出整流部分如果用碳化硅肖特基二極管可以用實(shí)現(xiàn)
2023-02-20 15:15:50
碳化硅(SiC)功率器件的市場(chǎng)領(lǐng)先者科銳公司(Nasdaq: CREE)日前宣布推出全新系列封裝型二極管。在現(xiàn)有碳化硅肖特基二極管技術(shù)條件下，該系列二極管可提供業(yè)界最高的阻斷電壓。
2012-02-07 15:40:401701 G2S06505A 650V 5A 碳化硅肖特基功率二極管 TO-220
2016-06-17 15:42:45
4 2018年6月5日 —推動(dòng)高能效創(chuàng)新的安森美半導(dǎo)體 (ON Semiconductor，美國(guó)納斯達(dá)克上市代號(hào)：ON)，發(fā)布了碳化硅 (SiC) 肖特基二極管的擴(kuò)展系列，包括專門(mén)用于要求嚴(yán)苛的汽車應(yīng)用的器件。
2018-06-21 16:08:424497 相比硅二極管，GEN2碳化硅肖特基二極管可顯著降低開(kāi)關(guān)損耗，并大幅提高電力電子系統(tǒng)的效率和可靠性。
2018-07-06 15:11:355264 據(jù)外媒報(bào)道，在今年的紐倫堡PCIM歐洲展會(huì)上，英飛凌（Infineon）推出了首款車用碳化硅產(chǎn)品，肖特基（Schottky）二極管，并為其新創(chuàng)了一個(gè)品牌名CoolSiC。
2018-09-21 14:36:505349 因?yàn)楸菊鬏d流子激發(fā)導(dǎo)致器件性能失效。碳化硅材料在發(fā)生雪崩擊穿前所能夠忍受的極限電場(chǎng)是硅材料和砷化鎵(GaAs)的5~20倍12。這一高極限電場(chǎng)可以用來(lái)制造高壓、大功率器件。?大功率碳化硅二極管
2018-11-20 15:28:071866 碳化硅MOSFET寄生體二極管具有極小的反向恢復(fù)時(shí)間trr和反向恢復(fù)電荷Qrr。如圖所示，同一額定電流900V的器件，碳化硅MOSFET 寄生二極管反向電荷只有同等電壓規(guī)格硅基MOSFET的5
2019-04-28 15:11:4910932 碳化硅材料半導(dǎo)體，雖然隨著技術(shù)的發(fā)展，目前碳化硅成本下降很多，但是據(jù)市場(chǎng)價(jià)格表現(xiàn)同類型的硅材料與碳化硅材料的半導(dǎo)體器件價(jià)格相差十倍有余。碳化硅單晶體可以制作晶體管（二極管和三極管）。因?yàn)?b class="flag-6" style="color: red">碳化硅的禁
2020-07-10 11:20:062598 碳化硅二極管的應(yīng)用改善了絕緣芯變壓器結(jié)構(gòu)的輸出部分的發(fā)熱，受IGBT的開(kāi)關(guān)頻率的限制沒(méi)有真正發(fā)揮碳化硅的高頻特性，隨著開(kāi)關(guān)頻率的提高，碳化硅二極管的優(yōu)勢(shì)會(huì)更明顯。
2020-08-14 16:51:5510828 
碳化硅肖特基二極管（SiCSBD）是一種單極型器件，采用結(jié)勢(shì)壘肖特基二極管結(jié)構(gòu)（JBS），因此相比于傳統(tǒng)的硅快恢復(fù)二極管（SiFRD），碳化硅肖特基二極管具有理想的反向恢復(fù)特性。可以有效降低反向漏電
2020-11-17 15:55:056966 。 它與硅半導(dǎo)體材料一樣，可以制成結(jié)型器件、場(chǎng)效應(yīng)器件、和金屬與半導(dǎo)體接觸的肖特基二極管。 其優(yōu)點(diǎn)是： （1）碳化硅單載流子器件漂移區(qū)薄，開(kāi)態(tài)電阻小。比硅器件小100-300倍。由于有小的導(dǎo)通電阻，碳化硅功率器件的正向損耗小。 （2）碳化硅功率器件由于具有高的擊穿電場(chǎng)而具
2021-01-13 09:42:412238 當(dāng)下，隨著USB-PD快充技術(shù)的普及和氮化鎵技術(shù)的成熟，大功率快充電源市場(chǎng)逐漸興起，碳化硅二極管也開(kāi)始在消費(fèi)類電源市場(chǎng)中嶄露頭角，被部分100W大功率氮化鎵快充產(chǎn)品選用。 碳化硅（SiC）是第三代寬
2021-08-20 09:23:535371 
二次側(cè)整流二極管通常使用FRD（快速恢復(fù)二極管）和SBD（肖特基勢(shì)壘二極管）等，本文提到的基本半導(dǎo)體碳化硅肖特基二極管B1D30120HC基本沒(méi)有開(kāi)關(guān)損耗，而且VF具有正向溫度系數(shù)，有利于提高車載充電機(jī)實(shí)際的效率。
2022-07-26 14:43:341889 碳化硅肖特基功率二極管G4S06510AT產(chǎn)品規(guī)格書(shū)免費(fèi)下載。
2022-08-30 15:10:172 碳化硅肖特基功率二極管G5S06505AT產(chǎn)品規(guī)格書(shū)免費(fèi)下載。
2022-08-30 14:54:360 碳化硅肖特基功率二極管G5S06506AT產(chǎn)品規(guī)格書(shū)免費(fèi)下載。
2022-08-30 09:41:292 碳化硅肖特基功率二極管G5S06508AT產(chǎn)品規(guī)格書(shū)免費(fèi)下載。
2022-08-30 09:40:440 碳化硅肖特基功率二極管G5S06510AT產(chǎn)品規(guī)格書(shū)免費(fèi)下載。
2022-08-30 09:34:182 碳化硅肖特基功率二極管G51XT產(chǎn)品規(guī)格書(shū)免費(fèi)下載。
2022-08-31 14:40:510 碳化硅肖特基功率二極管G5S06502AT產(chǎn)品規(guī)格書(shū)免費(fèi)下載。
2022-08-31 14:39:090 采碳化硅肖特基功率二極管GAS06520A產(chǎn)品規(guī)格書(shū)免費(fèi)下載。
2022-08-31 14:38:073 碳化硅肖特基功率二極管GAS06520H產(chǎn)品規(guī)格書(shū)免費(fèi)下載。
2022-08-31 14:36:530 碳化硅肖特基功率二極管GAS06520L產(chǎn)品規(guī)格書(shū)免費(fèi)下載。
2022-08-31 14:36:130 碳化硅肖特基功率二極管GAS06520P產(chǎn)品規(guī)格書(shū)免費(fèi)下載。
2022-08-31 14:35:231 碳化硅肖特基功率二極管G52YT產(chǎn)品規(guī)格書(shū)免費(fèi)下載。
2022-08-31 11:39:150 碳化硅肖特基功率二極管G4H06510AT產(chǎn)品規(guī)格書(shū)免費(fèi)下載。
2022-08-31 11:38:320 碳化硅肖特基功率二極管G4S06506AT產(chǎn)品規(guī)格書(shū)免費(fèi)下載。
2022-08-31 11:32:091 碳化硅肖特基功率二極管G5S06520AT產(chǎn)品規(guī)格書(shū)免費(fèi)下載。
2022-08-31 11:09:480 碳化硅肖特基功率二極管G53YT產(chǎn)品規(guī)格書(shū)免費(fèi)下載。
2022-08-31 10:59:100 碳化硅肖特基功率二極管G5S12030BH產(chǎn)品規(guī)格書(shū)免費(fèi)下載。
2022-08-31 10:39:580 碳化硅肖特基功率二極管GRS06501AT產(chǎn)品規(guī)格書(shū)免費(fèi)下載。
2022-08-31 09:55:104 碳化硅二極管的優(yōu)勢(shì)
1.寬禁帶提高了工作溫度和可靠性
寬禁帶材料可提高器件的工作溫度，6H-SiC和4H-SiC禁帶寬度分別高達(dá)3.0eV和3.25eV，相應(yīng)本征溫度高達(dá)
2023-02-03 14:00:341025 高技術(shù)耐火原料中，碳化硅為應(yīng)用最廣泛、最經(jīng)濟(jì)的一種，可以稱為金鋼砂或耐火砂。 碳化硅基于SiC的肖特基二極管具有高能效、高功率密度、小尺寸和高可靠性，可以在電力電子技術(shù)領(lǐng)域打破硅的極限，成為新能源及電力電子的首選器件。 碳
2023-02-05 16:34:592272 碳化硅二極管具有較短的恢復(fù)時(shí)間、溫度針對(duì)電源開(kāi)關(guān)個(gè)人行為的危害較小、規(guī)范操作溫度范疇為-55℃到175℃，那樣更平穩(wěn)，還大幅度降低熱管散熱器的要求。碳化硅二極管的關(guān)鍵優(yōu)點(diǎn)取決于它具有極快的電源開(kāi)關(guān)速率且無(wú)反向恢復(fù)電流量，與硅元器件對(duì)比，它可以大幅度降低開(kāi)關(guān)損耗并完成非凡的能耗等級(jí)。
2023-02-09 10:05:521325 
碳化硅二極管是用碳化硅為原料制作而成的二極管。碳化硅二極管，號(hào)稱反向恢復(fù)時(shí)間為零，是高效PFC boost電路的專用升壓二極管。以碳化硅二極管為代表的第三代半導(dǎo)體材料的發(fā)展開(kāi)始受到重視，并在智能
2023-02-10 17:45:173674 碳化硅二極管是一種由碳化硅材料制成的半導(dǎo)體器件，它具有較高的強(qiáng)度、輕量、耐磨性和耐腐蝕性。碳化硅二極管的工作原理是，當(dāng)電壓通過(guò)碳化硅二極管時(shí)，電子會(huì)從N極流向P極，從而產(chǎn)生電流。碳化硅二極管可以用于汽車電子控制系統(tǒng)，以及其他電子設(shè)備中，用于控制電流和電壓。
2023-02-15 15:13:421713 碳化硅二極管是一種由碳化硅材料制成的半導(dǎo)體器件，它具有較高的強(qiáng)度、輕量、耐磨性和耐腐蝕性。
2023-02-15 15:21:401513 碳化硅二極管是一種由碳化硅材料制成的二極管，具有良好的耐腐蝕性、耐磨性、抗拉強(qiáng)度和抗壓強(qiáng)度等特性，可以用于電路中的放大、檢測(cè)、控制等功能。
2023-02-16 14:40:561939 書(shū)籍：《炬豐科技-半導(dǎo)體工藝》文章：用于紫外發(fā)光二極管的碳化硅上的氮化鋁鎵編號(hào)：JFKJ-21-1173作者：華林科納 一直在使用碳化硅（碳化硅）襯底生長(zhǎng)氮化鋁(AlGaN)結(jié)構(gòu)，針對(duì)278nm深紫
2023-02-21 09:21:581 我們拿慧制敏造出品的KNSCHA碳化硅功率器件：碳化硅二極管和碳化硅MOSFET展開(kāi)說(shuō)明。碳和硅進(jìn)過(guò)化合先合成碳化硅，然后碳化硅打磨成為粉末，碳化硅粉末經(jīng)過(guò)碳化硅單晶生長(zhǎng)成為碳化硅晶錠；碳化硅晶錠
2023-02-21 10:04:113177 
SiC碳化硅二極管起步電壓為650V，電流6A到10A，主要用于UPS、快充、微逆、電源、電動(dòng)工具、消費(fèi)類產(chǎn)品、工控。碳化硅二極管料號(hào)為：KN3D06065F（650V碳化硅二極管，電流6A，貼片
2023-02-21 10:12:244172 
什么是第三代半導(dǎo)體？我們把SiC碳化硅功率器件和氮化鎵功率器件統(tǒng)稱為第三代半導(dǎo)體，這個(gè)是相對(duì)以硅基為核心的第二代半導(dǎo)體功率器件的。今天我們著重介紹SiC碳化硅功率器件，也就是SiC碳化硅二極管
2023-02-21 10:16:473721 我們拿慧制敏造碳化硅半導(dǎo)體出品的KNSCHA碳化硅二極管封裝接下來(lái)我們來(lái)看一下碳化硅二極管的貼片封裝，常見(jiàn)的有有TO-263和TO-252封裝，隨著近些年電源對(duì)于功率密度要求不斷提高，碳化硅功率器件
2023-02-21 13:38:163523 
能力是硅的2～3倍。用碳化硅制成的肖特基二極管具有正溫度系數(shù)及反向恢復(fù)時(shí)間接近零的特點(diǎn)，使得在PFC電路（功率因數(shù)校正）上的MOSFET開(kāi)通損耗減少，效率得到進(jìn)一步的提升。
2023-04-17 16:36:421137 
碳化硅的RDS（ON）較低，因而開(kāi)關(guān)損耗也較低，通常比硅低100倍?；?b class="flag-6" style="color: red">碳化硅的肖特基二極管具有更高能效、更高功率密度、更小尺寸和更高的可靠性，可以在電力電子技術(shù)領(lǐng)域打破硅的極限，成為新能源及電力電子的首選器件。
2023-05-18 12:46:40864 
碳化硅二極管是什么 碳化硅二極管是一種半導(dǎo)體器件，它由碳化硅材料制成。碳化硅具有高的耐壓能力和高的溫度耐受性，因此碳化硅二極管具有較低的反向漏電流、高溫下穩(wěn)定性良好、響應(yīng)速度快等特點(diǎn)，廣泛用于高功率、高頻率、高溫、高壓等領(lǐng)域，如電源、變頻器、太陽(yáng)能、電動(dòng)汽車等。
2023-06-02 14:10:321819 碳化硅肖特基二極管（Silicon Carbide Schottky Diode）是一種高性能半導(dǎo)體器件，具有低開(kāi)啟電壓、高速開(kāi)關(guān)、高溫性能等優(yōu)點(diǎn)，廣泛應(yīng)用于電源、驅(qū)動(dòng)、逆變器、電動(dòng)汽車等領(lǐng)域。
2023-06-04 16:09:004311 碳化硅肖特基二極管是一種基于碳化硅材料的半導(dǎo)體器件，具有高速、高溫、高功率特性。其原理基于肖特基效應(yīng)，即在金屬與半導(dǎo)體接觸處形成一個(gè)肖特基勢(shì)壘，使得半導(dǎo)體中的載流子向金屬一側(cè)偏移，形成整流效應(yīng)。
2023-06-07 17:10:342338 7.2肖特基勢(shì)磊二極管（SBD）第７章單極型和雙極型功率二極管《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》往期內(nèi)容：7.1.3雙極型功率器件優(yōu)值系數(shù)∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件
2022-02-09 09:27:531337 
7.4結(jié)勢(shì)壘肖特基（JBS）二極管與混合pin肖特基（MPS）二極管第７章單極型和雙極型功率二極管《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》往期內(nèi)容：7.3.4電流-電壓關(guān)系∈《碳化硅技術(shù)
2022-02-15 11:20:415478 7.3pn與pin結(jié)型二極管第７章單極型和雙極型功率二極管《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》往期內(nèi)容：7.2肖特基勢(shì)磊二極管（SBD）∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件
2022-02-10 09:18:151371 今天鑫環(huán)電子就為大家講解一下碳化硅二極管的應(yīng)用領(lǐng)域及優(yōu)勢(shì)。??一、太陽(yáng)能逆變器。??碳化硅二極管是太陽(yáng)能發(fā)電用二極管的基本原材料，碳化硅二極管在各項(xiàng)技術(shù)指標(biāo)上都優(yōu)于普通雙極二極管技術(shù)。碳化硅二極管
2022-12-14 11:36:052133 
寬帶隙半導(dǎo)體使許多以前使用硅（Si）無(wú)法實(shí)現(xiàn)的高功率應(yīng)用成為可能。本博客比較了兩種材料的特性，并說(shuō)明了為什么碳化硅二極管（SiC）在多個(gè)指標(biāo)上具有明顯的優(yōu)勢(shì)。
2023-08-04 11:04:172027 大功率電源PFC電路推薦，瑞森半導(dǎo)體碳化硅二極管，可提升大功率電源的功率密度和效率，減少體積和降低成本，同時(shí)實(shí)現(xiàn)更高的環(huán)保效率。
2023-08-18 11:05:26864 
大功率電源PFC電路推薦，瑞森半導(dǎo)體碳化硅二極管，可提升大功率電源的功率密度和效率，減少體積和降低成本，同時(shí)實(shí)現(xiàn)更高的環(huán)保效率。
2023-08-18 11:21:401182 
碳化硅材料的半導(dǎo)體，雖然隨著技術(shù)的發(fā)展，目前碳化硅的成本已經(jīng)下降了不少，但按市場(chǎng)性價(jià)比來(lái)看，同類型的硅材料與碳化硅半導(dǎo)體器件的價(jià)格相差十倍以上。碳化硅單晶可用于制造晶體管（二極管和晶體管）。由于
2023-10-09 17:00:451060 碳化硅二極管的優(yōu)點(diǎn)和局限性分析 碳化硅（SiC）二極管是一種新型半導(dǎo)體材料，在高頻電源電子裝置中得到了廣泛應(yīng)用。與傳統(tǒng)的硅（Si）材料相比，碳化硅二極管具有許多優(yōu)點(diǎn)和局限性。下面是對(duì)碳化硅二極管
2023-12-21 11:31:274769 的電子器件，正逐漸成為電力電子領(lǐng)域的明星產(chǎn)品。本文將深入探討碳化硅肖特基二極管的優(yōu)勢(shì)、市場(chǎng)前景及其在各領(lǐng)域的應(yīng)用。
2023-12-29 09:54:291624 選擇光伏板碳化硅二極管需考慮以下因素。
2024-09-29 14:33:141654 
SiC（碳化硅）肖特基二極管正逐步取代傳統(tǒng)的FRD（快恢復(fù)二極管），成為新一代電力電子設(shè)備的核心元件。本文將深入探討這一趨勢(shì)背后的原因，并探究BASiC基本公司SiC碳化硅肖特基二極管在性能、效率和應(yīng)用方面的優(yōu)勢(shì)。 BASiC基本公司SiC碳化硅肖特基二極管
2025-02-06 11:51:051090 
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《PSC1065B1碳化硅肖特基二極管規(guī)格書(shū).pdf》資料免費(fèi)下載
2025-02-12 16:09:580 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《PSC2065L碳化硅肖特基二極管在TO247 R2P應(yīng)用.pdf》資料免費(fèi)下載
2025-02-14 15:21:320 結(jié)合國(guó)產(chǎn)碳化硅功率半導(dǎo)體市場(chǎng)的競(jìng)爭(zhēng)格局和技術(shù)發(fā)展趨勢(shì)，SiC碳化硅二極管公司已經(jīng)成為國(guó)產(chǎn)碳化硅功率器件行業(yè)出清的首批對(duì)象，比如2024已經(jīng)有超過(guò)兩家SiC碳化硅二極管公司破產(chǎn)清算，僅有碳化硅二極管
2025-02-28 10:34:31753 PI的超快速Q(mào)speed H系列二極管現(xiàn)可達(dá)到650V以及高達(dá)30A的電壓電流額定值。這些高功率器件具有業(yè)界最低的硅二極管反向恢復(fù)電荷(Qrr)。它們是碳化硅(SiC)二極管的理想替代品，可提供與其相當(dāng)?shù)男屎碗妷航殿~性能，同時(shí)具有硅二極管的價(jià)格優(yōu)勢(shì)和供應(yīng)保證。
2025-03-27 13:46:55864 
在電力電子領(lǐng)域，碳化硅（SiC）肖特基二極管正憑借其卓越性能逐漸成為主流。今天我要和大家分享安森美（onsemi）的一款碳化硅肖特基二極管——NDSH20120C - F155，深入探討它的特性、參數(shù)和應(yīng)用。
2025-12-01 15:55:06207 
作為電子工程師，我們在電源設(shè)計(jì)領(lǐng)域總是不斷追求更高的效率、更快的頻率和更小的體積。碳化硅（SiC）肖特基二極管的出現(xiàn)，為我們帶來(lái)了新的解決方案。今天就來(lái)詳細(xì)分析安森美（onsemi）的一款碳化硅肖特基二極管——NDSH10120C - F155。
2025-12-01 16:07:55218 
、1200 V的碳化硅肖特基二極管NDSH40120CDN，包括其技術(shù)特點(diǎn)、性能參數(shù)、典型特性以及封裝尺寸等方面，為電子工程師在電源設(shè)計(jì)中提供有價(jià)值的參考。
2025-12-05 10:52:49341 
探索LSIC2SD065D40CC碳化硅肖特基二極管：性能與應(yīng)用的深度解析 作為電子工程師，在設(shè)計(jì)電路時(shí)，二極管的選擇至關(guān)重要。今天，我們來(lái)深入探討一款高性能的碳化硅肖特基二極管
2025-12-15 16:10:20275 
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