使用FET和雙極性晶體管的寬帶緩沖電路
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使用雙極性結(jié)型晶體管(BJT)和NMOS晶體管的穩(wěn)定電流源
本文將重點(diǎn)討論使用雙極性結(jié)型晶體管(BJT)和NMOS晶體管的穩(wěn)定電流源。
2022-08-01 09:03:57
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什么是達(dá)林頓晶體管?達(dá)林頓晶體管的基本電路
達(dá)林頓晶體管(Darlington Transistor)也稱為達(dá)林頓對(duì)(Darlington Pair),是由兩個(gè)或更多個(gè)雙極性晶體管(或其他類似的集成電路或分立元件)組成的復(fù)合結(jié)構(gòu)。通過(guò)這種結(jié)構(gòu),第一個(gè)雙極性晶體管放大的電流可以進(jìn)一步被放大,從而提供比其中任意一個(gè)雙極性晶體管高得多的電流增益。
2024-02-27 15:50:53
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8050晶體管介紹 8050晶體管的工作原理
的情況下,晶體管關(guān)閉。當(dāng)向基極端子施加正確幅度和極性的電壓時(shí),晶體管接通,允許更大的電流在發(fā)射極和集電極端子之間流動(dòng)?! 】刂?b class="flag-6" style="color: red">晶體管開(kāi)關(guān)狀態(tài)所需的電壓通常非常小。因此,晶體管可以用作放大器。基極-發(fā)射極電路
2023-02-16 18:22:30
FET知識(shí):采用結(jié)型FET實(shí)現(xiàn)的放大電路!
與之前介紹的晶體管放大電路相同,各級(jí)FET放大電路之間的連接也必須通過(guò)電容連接,以構(gòu)成CR的連接方式。此時(shí),為保證柵極、源極和漏極間正確的電壓關(guān)系,就需要偏置電路來(lái)提供柵極電壓。與晶體管放大電路
2017-04-19 15:53:29
雙極性晶體管的基本原理是什么?
NPN型雙極性晶體管可以視為共用陽(yáng)極的兩個(gè)二極管接合在一起。在雙極性晶體管的正常工作狀態(tài)下,基極-發(fā)射極結(jié)(稱這個(gè)PN結(jié)為“發(fā)射結(jié)”)處于正向偏置狀態(tài),而基極-集電極(稱這個(gè)PN結(jié)為“集電結(jié)”)則處于反向偏置狀態(tài)。
2019-09-26 09:00:23
雙極結(jié)晶體管電路輸入振幅變大為什么會(huì)導(dǎo)致失真呢?
雙極結(jié)晶體管電路輸入振幅變大為什么會(huì)導(dǎo)致失真呢?是什么原因呢?
2023-04-21 16:13:13
晶體管電路
小日本寫的晶體管電路設(shè)計(jì)(上下冊(cè))兩本書非常不錯(cuò),我已經(jīng)全部看完了才來(lái)發(fā)帖的,非常不錯(cuò),語(yǔ)言非常樸實(shí)。
2012-09-02 23:32:49
晶體管電路設(shè)計(jì)
從事電子設(shè)計(jì)7年了,發(fā)覺(jué)這兩本書挺好的,發(fā)上來(lái)給大家分享一下附件晶體管電路設(shè)計(jì)(上)放大電路技術(shù)的實(shí)驗(yàn)解析.pdf42.5 MB晶體管電路設(shè)計(jì)(下)FET_功率MOS_開(kāi)關(guān)電路的實(shí)驗(yàn)解析.rar.zip47.2 MB
2018-12-13 09:04:31
晶體管電路設(shè)計(jì)與制作
晶體管應(yīng)用電路,包括矩形波振蕩器,射極跟隨器,寬帶放大器,電子電位器,OP放大器,帶自舉電路的射極跟隨器,Sallen-Key型低通濾波器,帶隙型穩(wěn)壓電路,三角波→正弦波變換器,低失真系數(shù)振蕩器,移相器,串聯(lián)調(diào)節(jié)器,斬波放大器等。
2018-01-15 12:46:03
晶體管電路設(shè)計(jì)叢書上冊(cè)
的設(shè)計(jì),運(yùn)算放大電路的設(shè)計(jì)與制作。下冊(cè)則共分15章,主要介紹FET、功率MOS、開(kāi)關(guān)電源電路等。本書面向?qū)嶋H需要,理論聯(lián)系實(shí)際,通過(guò)大量具體的實(shí)驗(yàn),通俗易懂地介紹晶體管電路設(shè)計(jì)的基礎(chǔ)知識(shí)。1.1 學(xué)習(xí)晶體管電路
2009-11-20 09:41:18
晶體管分類及參數(shù)
晶體管分類 按半導(dǎo)體材料和極性分類 按晶體管使用的半導(dǎo)體材料可分為硅材料晶體管和鍺材料晶體管。按晶體管的極性可分為鍺NPN型晶體管、鍺PNP晶體管、硅NPN型晶體管和硅PNP型晶體管。 按結(jié)構(gòu)
2010-08-12 13:59:33
晶體管可以作為開(kāi)關(guān)使用!
通。晶體管導(dǎo)通時(shí),開(kāi)關(guān)就導(dǎo)通,并且允許電流通過(guò)該管。晶體管開(kāi)關(guān)工作方式的電路通常采用集電極開(kāi)路的連接方式晶體管作為電子開(kāi)關(guān)使用時(shí),能夠?qū)Ρ豢貙?duì)象進(jìn)行控制,諸如LED、電動(dòng)機(jī)、繼電器線圈等。應(yīng)為此時(shí)晶體管
2017-03-28 15:54:24
晶體管和FET實(shí)用設(shè)計(jì)教材《晶體管電路設(shè)計(jì)(下)》
` 《晶體管電路設(shè)計(jì)(下)》是“實(shí)用電子電路設(shè)計(jì)叢書”之一,共分上下二冊(cè)。本書作為下冊(cè)主要介紹晶體管/FET電路設(shè)計(jì)技術(shù)的基礎(chǔ)知識(shí)和基本實(shí)驗(yàn),內(nèi)容包括FET放大電路、源極跟隨器電路、功率放大器
2019-03-06 17:29:48
晶體管射隨電路圖
晶體管射隨電路圖在很多的電子電路中,為了減少后級(jí)電路對(duì)前級(jí)電路的影響和有些前級(jí)電路的輸出要求有較強(qiáng)的帶負(fù)載能力(即要求輸出阻抗較低)時(shí),要用到緩沖電路,從而達(dá)到增強(qiáng)電路的帶負(fù)載能力和前后級(jí)阻抗匹配
2009-09-17 08:33:13
晶體管工作原理
晶體管(BJT)和場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FET),接下來(lái)我們就以BJT和FET為例來(lái)講述晶體管的工作原理。1.雙極性晶體管雙極性晶體管,英語(yǔ)名稱為Bipolar Transistor,是雙極性結(jié)型晶體管的簡(jiǎn)稱
2016-06-29 18:04:43
晶體管開(kāi)關(guān)電路簡(jiǎn)介
一、晶體管開(kāi)關(guān)電路:是一種計(jì)數(shù)地接通-斷開(kāi)晶體管的集電極-發(fā)射極間的電流作為開(kāi)關(guān)使用的電路,此時(shí)的晶體管工作在截止區(qū)和飽和區(qū)。當(dāng)需要輸出大的負(fù)載電流時(shí),由于集電極電流(負(fù)載電流)是放大基極電流而來(lái)
2021-10-29 09:25:31
晶體管性能的檢測(cè)
時(shí),先將hFE/ICEO選擇開(kāi)關(guān)置于ICEO檔,選擇晶體管的極性,將被測(cè)晶體管的三個(gè)引腳插個(gè)測(cè)試孔,然后按下ICEO鍵,從表中讀出反向擊穿電流值即可。2.放大能力的檢測(cè) 晶體管的放大能力可以用萬(wàn)用表
2012-04-26 17:06:32
晶體管摻雜和導(dǎo)電離子問(wèn)題原因分析
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這個(gè)問(wèn)題困擾
2024-02-21 21:39:24
晶體管溫控電路圖
晶體管溫控電路圖如圖是晶體管組成的繼電器延時(shí)吸合電路。剛接通電源時(shí),16μF電容上電壓為零,兩個(gè)三極管都截止,繼電器不動(dòng)作。隨著16μF電容的充電,過(guò)一段時(shí)間后,其上電壓達(dá)到高電平,兩個(gè)三極管都導(dǎo)通,繼電器延時(shí)吸合。延時(shí)時(shí)間可達(dá)60s。延時(shí)的時(shí)間長(zhǎng)短可通過(guò)10MΩ電阻來(lái)調(diào)節(jié)。
2008-11-07 20:36:15
晶體管的主要參數(shù)有哪些?晶體管的開(kāi)關(guān)電路是怎樣的?
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本文為大家介紹“Si晶體管”(之所以前面加個(gè)Si,是因?yàn)檫€有其他的晶體管,例如SiC)。 雖然統(tǒng)稱為“Si晶體管”,但根據(jù)制造工藝和結(jié)構(gòu),還可分為“雙極”、“MOSFET”等種類。另外,還可根據(jù)處理
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晶體管的分類與特征
本篇開(kāi)始將為大家介紹“Si晶體管”。雖然統(tǒng)稱為“Si晶體管”,不過(guò)根據(jù)制造工藝和結(jié)構(gòu),還可分為“雙極”、“MOSFET”等種類。另外,還可根據(jù)處理的電流、電壓和應(yīng)用進(jìn)行分類。下面以“功率元器件”為主
2018-11-28 14:29:28
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2021-05-25 07:25:25
晶體管的結(jié)構(gòu)特性
之間)和發(fā)射結(jié)(B、E極之間),發(fā)射結(jié)與集電結(jié)之間為基區(qū)。 根據(jù)結(jié)構(gòu)不同,晶體管可分為PNP型和NPN型兩類。在電路圖形符號(hào)上可以看出兩種類型晶體管的發(fā)射極箭頭(代表集電極電流的方向)不同。PNP型
2013-08-17 14:24:32
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圖像中放、伴音中放、緩沖放大等)電路中使用的高頻晶體管,可以選用特征頻率范圍在30~300MHZ的高頻晶體管,例如3DG6、3DG8、3CG21、2SA1015、2SA673、2SA733、S9011
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2012-02-13 01:14:04
晶體管詳解
級(jí)都采用晶體管的邏輯電路,叫做晶體管-晶體管邏輯電路,書刊和實(shí)用中都簡(jiǎn)稱為TTL電路,它屬于半導(dǎo)體集成電路的一種,其中用得最普遍的是TTL與非門。TTL與非門是將若干個(gè)晶體管和電阻元件組成的電路
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IB0810M210功率晶體管
脈沖功率。 在沒(méi)有外部調(diào)諧的情況下,所有設(shè)備都在寬帶RF測(cè)試夾具中100%屏蔽了大信號(hào)RF參數(shù)。硅雙極匹配50歐姆210W輸出功率經(jīng)過(guò)100%大功率射頻測(cè)試C級(jí)操作IB0607S10功率晶體管
2021-04-01 10:07:29
IGBT絕緣柵雙極晶體管
)的三層結(jié)構(gòu)的Field-Effect Transistor(場(chǎng)效應(yīng)晶體管)。BIPOLAR是指使用了雙極性元件,將稱為p型和n型的兩種半導(dǎo)體構(gòu)成n-p-n及p-n-p結(jié)構(gòu)的電流工作型晶體管。
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)的三層結(jié)構(gòu)的Field-Effect Transistor(場(chǎng)效應(yīng)晶體管)。BIPOLAR是指使用了雙極性元件,將稱為p型和n型的兩種半導(dǎo)體構(gòu)成n-p-n及p-n-p結(jié)構(gòu)的電流工作型晶體管。
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集電極電流的公式與用于等效 NPN 晶體管的公式相同,并給出如下。NPN和PNP晶體管之間的基本區(qū)別在于晶體管結(jié)的適當(dāng)偏置,因?yàn)殡娏骱碗妷?b class="flag-6" style="color: red">極性總是相互對(duì)立的。因此,在上述電路中,Ic = Ie -Ib
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SGNE045MK晶體管
)= + 25°CSGN19H181M1H砷化鎵晶體管SGN19H240M1H砷化鎵晶體管SGN21H180M1H砷化鎵晶體管SGN21H121M1H砷化鎵晶體管SGN21H181M1H砷化鎵晶體管
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[原創(chuàng)] 晶體管(transistor)
的切換速度可達(dá)100GHz以上。雙極晶體管 雙極晶體管(bipolar transistor)指在音頻電路中使用得非常普遍的一種晶體管。雙極則源于電流系在兩種半導(dǎo)體材料中流過(guò)的關(guān)系。雙極晶體管根據(jù)
2010-08-13 11:36:51
multisim仿真中BFG35晶體管能用哪個(gè)晶體管來(lái)代替
multisim仿真中高頻晶體管BFG35能用哪個(gè)晶體管來(lái)代替,MFR151管子能用哪個(gè)來(lái)代替?或是誰(shuí)有這兩個(gè)高頻管子的原件庫(kù)?求大神指教
2016-10-26 11:51:18
《晶體管電路設(shè)計(jì)與制作》
,包括矩形波振蕩器,射極跟隨器,寬帶放大器,電子電位器,OP放大器,帶自舉電路的射極跟隨器,Sallen-Key型低通濾波器,帶隙型穩(wěn)壓電路,三角波→正弦波變換器,低失真系數(shù)振蕩器,移相器,串聯(lián)調(diào)節(jié)器,斬波放大器等。 點(diǎn)擊鏈接進(jìn)入舊版 :晶體管電路設(shè)計(jì)與制作
2020-08-19 18:24:17
《晶體管電路設(shè)計(jì)與制作》分享
管和雙管電路,主要目的是理解晶體管的基本工作機(jī)制。第二部分介紹各種晶體管應(yīng)用電路,包括矩形波振蕩器,射極跟隨器,寬帶放大器,電子電位器,OP放大器,帶自舉電路的射極跟隨器,Sallen-Key型
2021-01-05 22:38:36
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2017-07-25 15:29:55
不同類型的晶體管及其功能
。
· 這些晶體管用于不同的電路中以減少負(fù)載效應(yīng)。
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場(chǎng)效應(yīng)管端子
FET 具有源極、柵極和漏極三個(gè)端子,這與 BJT 的端子不同。在 FET 中,源極端
2023-08-02 12:26:53
什么是晶體管 晶體管的分類及主要參數(shù)
光電器件相關(guān)聯(lián),其特點(diǎn)是響應(yīng)速度快(響應(yīng)時(shí)間為數(shù)十皮秒),適合集成。這些類型的器件有望應(yīng)用于光電集成。》 雙極晶體管雙極晶體管是音頻電路中常用的一種晶體管。雙極性是由兩種半導(dǎo)體材料中的電流流動(dòng)引起的。雙極晶體管
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什么是光電晶體管以及其應(yīng)用
,光電晶體管相當(dāng)于驅(qū)動(dòng)雙極性晶體管基極的光電二極管。注意光電二極管的方向: 光電流總是反向的,光電二極管的方向使得光電流流入基底光電晶體管電路與光電二極管一樣,光電晶體管的目標(biāo)是從光產(chǎn)生的電流中產(chǎn)生可用的輸出
2022-04-21 18:05:28
什么是達(dá)林頓晶體管?
年代和 1960 年代,它也被稱為超級(jí)阿爾法對(duì)。Darlington認(rèn)識(shí)到這種設(shè)計(jì)對(duì)發(fā)射極-跟隨電路的諸多優(yōu)勢(shì),并為這一概念申請(qǐng)了專利。 達(dá)林頓晶體管通常具有低功耗、高增益的特性,使其對(duì)輸入電流
2023-02-16 18:19:11
使用雙極性結(jié)型晶體管(BJT)和NMOS晶體管的穩(wěn)定電流源
本文將重點(diǎn)討論使用雙極性結(jié)型晶體管(BJT)和NMOS晶體管的穩(wěn)定電流源。穩(wěn)定電流源(BJT)目標(biāo)本實(shí)驗(yàn)旨在研究如何利用零增益概念來(lái)產(chǎn)生穩(wěn)定(對(duì)輸入電流電平的變化較不敏感)的輸出電流。材料
2021-11-01 09:53:18
入門經(jīng)典:晶體管電路設(shè)計(jì)上下冊(cè)讓你感性認(rèn)識(shí)晶體管
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單極型步進(jìn)電機(jī)和雙極型晶體管步進(jìn)電機(jī)有何區(qū)別?
“步”。有兩種類型的步進(jìn)電機(jī),單極型和雙極型晶體管,而且知道你正在使用哪種類型是非常重要的。每種電機(jī),都有一個(gè)不同的電路。示例代碼將控制兩種電機(jī)??纯磫?b class="flag-6" style="color: red">極性和雙極性電機(jī)的原理圖,和關(guān)于如何連接你的電...
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各位高手,小弟正在學(xué)習(xí)單結(jié)晶體管,按照網(wǎng)上的電路圖做的關(guān)于單結(jié)晶體管的仿真,大多數(shù)都不成功,請(qǐng)問(wèn)誰(shuí)有成功的單結(jié)晶體管的仿真仿真啊,可以分享下嗎。
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場(chǎng)效應(yīng)晶體管的分類及作用
。場(chǎng)效應(yīng)晶體管有時(shí)被稱為單極性晶體管,以它的單載流子型作用對(duì)比雙極性晶體管(bipolar juncTIon transistors,縮寫:BJT)。盡管由于半導(dǎo)體材料的限制,以及曾經(jīng)雙極性晶體管比
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場(chǎng)效應(yīng)晶體管相關(guān)資料下載
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2021-05-24 06:27:18
場(chǎng)效應(yīng)管的知識(shí)與測(cè)量
場(chǎng)效應(yīng)晶體管。一般的晶體管是由兩種極性的載流子,即多數(shù)載流子和反極性的少數(shù)載流子參與導(dǎo)電,因此稱為雙極型晶體管,而FET僅是由多數(shù)載流子參與導(dǎo)電,它與雙極型相反,也稱為單極型晶體管。FET應(yīng)用范圍很廣
2009-04-02 09:34:11
基本晶體管開(kāi)關(guān)電路,使用晶體管開(kāi)關(guān)的關(guān)鍵要點(diǎn)
,當(dāng)在其基極施加零信號(hào)時(shí),它保持關(guān)閉狀態(tài),在這種情況下,它充當(dāng)集電極電流為零流的開(kāi)路開(kāi)關(guān)。當(dāng)我們向晶體管的基極施加正信號(hào)時(shí),它會(huì)接通,在這種情況下,它充當(dāng)閉合開(kāi)關(guān),最大電流流過(guò)它?! 』?b class="flag-6" style="color: red">晶體管開(kāi)關(guān)電路
2023-02-20 16:35:09
如何改善晶體管的損耗
為了改善晶體管的開(kāi)關(guān)特性,減小晶體管的損耗,在晶體管基極驅(qū)動(dòng)電路的設(shè)計(jì)上會(huì)采取一些加速措施。如下: 加速電路一 在加速電路一中,并聯(lián)在RB兩端的電容CB稱為加速電容,數(shù)值一般在1nf
2020-11-26 17:28:49
常用晶體管的高頻與低頻型號(hào)是什么?
晶體管依照用途大致分為高頻與低頻,它們?cè)谛吞?hào)上的大致區(qū)別是什么?例如《晶體管電路設(shè)計(jì)》中列舉的:高頻(2SA****,2SC*****)、低頻(2SB****,2SD****)?,F(xiàn)在產(chǎn)品設(shè)計(jì)中最常用的型號(hào)是哪些?
2017-10-11 23:53:40
數(shù)字晶體管的原理
)條件下,數(shù)字晶體管中流過(guò)的電流值定義為IO。如您所知,絕對(duì)最大額定值被定義為"不能同時(shí)提供2項(xiàng)以上",僅用IC標(biāo)記沒(méi)有問(wèn)題,但結(jié)合客戶實(shí)際使用狀態(tài),合并標(biāo)記為IO。因此電路
2019-04-22 05:39:52
數(shù)字晶體管的原理
標(biāo)記為IO。因此電路設(shè)計(jì)探討中此IO即為絕對(duì)最大額定值。GI和hFE的區(qū)別hFE: 作為晶體管的直流電流增幅率GI: 作為數(shù)字晶體管的直流電流增幅率解說(shuō)GI和hFE都表示發(fā)射極接地直流電流放大率。數(shù)字
2019-04-09 21:49:36
普通表面貼裝的焊盤和通孔封裝的FET/IGBT功率晶體管
SI82XX-KIT,Si8235評(píng)估板,2輸入,4 A,5 kV雙ISO驅(qū)動(dòng)器。該板包括用于普通表面貼裝的焊盤和通孔封裝的FET / IGBT功率晶體管。該板還包括用于額外原型設(shè)計(jì)的補(bǔ)丁區(qū)域,可用于滿足設(shè)計(jì)人員可能需要評(píng)估的任何負(fù)載配置
2020-06-17 14:37:29
概述晶體管
晶體管的代表形狀晶體管分類圖:按照該分類,掌握其種類1. 按結(jié)構(gòu)分類根據(jù)工作原理不同分類,分為雙極晶體管和單極晶體管。雙極晶體管雙是指Bi(2個(gè))、極是指Polar(極性)。雙極晶體管,即流經(jīng)構(gòu)成
2019-05-05 01:31:57
絕緣柵極雙極性晶體管經(jīng)濟(jì)高效型解決方案
絕緣柵極雙極性晶體管(IGBT)是適用于高壓應(yīng)用的經(jīng)濟(jì)高效型解決方案,如車載充電器、非車載充電器、DC-DC快速充電器、開(kāi)關(guān)模式電源(SMPS)應(yīng)用。開(kāi)關(guān)頻率范圍:直流至100 kHz。IGBT可以
2020-10-27 09:07:21
絕緣門/雙極性晶體管介紹與特性
IGBT 是一種功率開(kāi)關(guān)晶體管,它結(jié)合了 mosfet 和 bjt 的優(yōu)點(diǎn),用于電源和電機(jī)控制電路絕緣柵極雙極性晶體管也簡(jiǎn)稱為 IGBT,是傳統(tǒng)雙極性晶體管晶體管和場(chǎng)效應(yīng)晶體管的交叉,使其成為理想
2022-04-29 10:55:25
驅(qū)動(dòng)篇 -- BJT晶體管應(yīng)用 精選資料推薦
、上位機(jī)等,給新手綜合學(xué)習(xí)的平臺(tái),給老司機(jī)交流的平臺(tái)。所有文章來(lái)源于項(xiàng)目實(shí)戰(zhàn),屬于原創(chuàng)。一、原理介紹晶體三極管中有兩種帶有不同極性電荷的載流子參與導(dǎo)電,故稱之為雙極性晶體管(BJT),又稱半導(dǎo)體三...
2021-07-21 06:31:06
晶體管和FET的使用介紹及實(shí)驗(yàn)資料《晶體管電路設(shè)計(jì)(下)》免費(fèi)下載
《晶體管電路設(shè)計(jì)(下)》是“實(shí)用電子電路設(shè)計(jì)叢書”之一,共分上下二冊(cè)。本書作為下冊(cè)主要介紹晶體管/FET電路設(shè)計(jì)技術(shù)的基礎(chǔ)知識(shí)和基本實(shí)驗(yàn),內(nèi)容包括FET放大電路、源極跟隨器電路、功率放大器、電壓
2018-09-11 08:00:00
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FET場(chǎng)效應(yīng)晶體管掃盲
作用下由源極向漏極作漂移運(yùn)動(dòng),形成了漏極電流。只涉及到一種載流子的漂移作用,所以也叫單極性晶體管。 FET有三個(gè)電極分別是柵極( Gate )、源極( Source )和漏極( Drain
2020-03-23 11:03:18
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雙極性晶體管是什么控制器件_雙極性晶體管的工作區(qū)
雙極性晶體管(英語(yǔ):bipolar transistor),全稱雙極性結(jié)型晶體管(bipolar junction transistor, BJT),俗稱三極管,是一種具有三個(gè)終端的電子器件,由三部分摻雜程度不同的半導(dǎo)體制成,晶體管中的電荷流動(dòng)主要是由于載流子在PN結(jié)處的擴(kuò)散作用和漂移運(yùn)動(dòng)。
2020-08-07 16:37:36
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晶體管根據(jù)哪幾種來(lái)分類
,即流經(jīng)構(gòu)成晶體管的半導(dǎo)體的電流由空穴(正極性)和電子(負(fù)極性)產(chǎn)生。一般而言的晶體管是指這種由硅構(gòu)成的晶體管。 FET Field Effect Transistor的簡(jiǎn)稱,是指場(chǎng)效應(yīng)晶體管。有接合型FET和MOS型FET以及GaAs型。 接合型FET多用于音頻設(shè)備等的模擬電路中,MOS型
2021-08-11 09:51:39
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晶體管和FET的工作原理
晶體管和FET給人的印象是具有信號(hào)放大的功能,即當(dāng)輸入信號(hào)通過(guò)晶體管或者FET后,輸出信號(hào)被直接放大。
2023-10-21 10:23:07
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FET晶體管電路設(shè)計(jì)參數(shù)
與作為電流控制器件的雙極晶體管不同,場(chǎng)效應(yīng)晶體管是電壓控制的。這使得FET電路的設(shè)計(jì)方式與雙極晶體管電路的設(shè)計(jì)方式大不相同。
2024-01-09 15:38:40
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評(píng)論