1947 年，美國電報電話公司（AT&T）貝爾實驗室發(fā)明了第一個晶體管，開啟了電子封裝時代。

　　20 世紀(jì) 50 年代，封裝外殼以3個引腳的晶體管外形 （Transistor Outline，T0） 金屬-玻璃封裝外殼為主，之后發(fā)展為各類陶瓷、塑料封裝外殼。

　　1958 年，美國TI公司推出了世界上第一個集成電路，由此催生了多引腳封裝外殼的出現(xiàn)。

　　20 世紀(jì) 60年代，出現(xiàn)了雙列直插封裝 （ Dual In-line Package， DIP）型陶瓷-金屬引腳封裝，其引腳數(shù)量基本為4~64個；到了70年代，DIP 已成為中小規(guī)模IC 封裝的系列主導(dǎo)形式。隨著塑封 DIP 的出現(xiàn)，這種封裝在大量使用的民品中被廣泛使用。

　　20 世紀(jì) 70 年代，IC 技術(shù)飛速發(fā)展，在一個硅片上可集成2^11 ～ 2^16個元器件，出現(xiàn)了大規(guī)模集成電路 （Large Scale Integration，ISI）。此時，元器件集成度大幅增加，芯片尺寸不斷擴大。

　　20 世紀(jì) 80 年代，隨著表面貼裝技術(shù)（SMT）的出現(xiàn)，與之相應(yīng)的各類表面貼裝元器件 （ Surface Mount Component/Device， SMC/SMD）封裝技術(shù)日益成熟，如無引腳陶瓷片式載體 （Leadless Ceramic Chip Carrier， LCCC）、塑料有引線片式載體 （Plastic Leaded Chip Carrier， PLCC）和四面引線扁平封裝 （ Quad Flat Package， QFP）等于80年代初已實現(xiàn)標(biāo)準(zhǔn)化批量生產(chǎn)。隨著環(huán)氧樹脂材料性能的不斷提升，使得IC 的封裝密度進一步提高，引腳節(jié)距越來越小，成本降低，更適于批量規(guī)模生產(chǎn)；塑料四面引線扁平封裝 （ Plastic Quad Flat Package，POFP）成為 80 年代IC 的主導(dǎo)封裝類型，其I/O引腳數(shù)最多可達240個。同時，用于SMT的中、小規(guī)模 IC 及 I/O 引腳數(shù)少的LSI 芯片采用小外形封裝 （Small Outline Package， SOP），成為 DIP的“變形”封裝形式。

　　20 世紀(jì)80 年代至90年代，隨著 IC 特征尺寸的減小及集成度的提高，芯片尺寸不斷增大，IC 發(fā)展到超大規(guī)模集成電路 （Very Large Seale Integration Cireuit， VLSI）階段，在一個硅片上可集成2^16～2^22個元器件，其 I/O引腳數(shù)達到數(shù)百個，甚至上千個。原有的 QFP 及其他類型的電子封裝已經(jīng)無法滿足封裝VLSI 的要求，IC 封裝引腳由周邊排列型發(fā)展成矩陣分布型，如針柵陣列 （Pin Grid Array， PGA）封裝和球柵陣列 （Ball Grid Array， BGA）封裝。

　　20 世紀(jì)90年代，美國開發(fā)出微型球柵陣列（uBCA）封裝，日本開發(fā)出芯片尺寸封裝 （Chip Scale Pakage， CSP），這兩種封裝的實質(zhì)是相同的，其封裝面積與芯片面積之比不大于1.2，因此 CSP 解決了芯片小而封裝大的根本矛盾。CSP 可分為引線框架型 （Lead Frame Type）封裝、硬質(zhì)中介轉(zhuǎn)接層型 （Rigid Interposer Type）封裝、軟質(zhì)中介轉(zhuǎn)接層型 （Flexible Interposer Type）封裝、圓片級封裝（ Wafer Level Package）。同時，倒裝芯片 （Flip Chip， FC）技術(shù)的使用，再次引發(fā)了IC封裝技術(shù)的更迭。

　　進入21 世紀(jì)，隨著半導(dǎo)體技術(shù)逐漸逼近硅工藝尺寸的極限，半導(dǎo)體技術(shù)進入“后摩爾定律” 時代，從過去著力于圓片制造工藝技術(shù)節(jié)點的推進，轉(zhuǎn)向系統(tǒng)級設(shè)計制造封裝技術(shù)的創(chuàng)新，先進封裝技術(shù)得到了空前發(fā)展。出現(xiàn)于 20 世紀(jì)末的多芯片組件（Multi-Chip Module， MCM）封裝、系統(tǒng)級封裝 （System in Package， SiP）、三維立體（3 Dimension，3D）封裝和芯片尺寸封裝等技術(shù)快速發(fā)展，并被廣泛應(yīng)用。同時，系統(tǒng)級芯片 （System on Chip， SoC）封裝、微機電系統(tǒng) （Micro Electro Mechanical System， MEMS）封裝、硅通孔 （Through Silicon Via，TSV）技術(shù)、凸點制作（Bumping）、表面活化室溫連接 （Surface AcivatedBonding， SAB） 等技術(shù)實現(xiàn)了新的突破，并已實現(xiàn)批量生產(chǎn)。

　　封裝技術(shù)及外形的發(fā)展緊跟半導(dǎo)體芯片制造技術(shù)的進程，每一代芯片均有與之相匹配的封裝技術(shù)與外形。21世紀(jì)以來，先進封裝技術(shù)得到了快速發(fā)展，如圓片級（Water Level）封裝、芯片級（Chip Level）封裝、板級（Board Level）封裝和系統(tǒng)級（Syslern Ievel）封裝等。隨著電子器件朝著短、小、輕、薄，且功能更多、集成度更高的方向發(fā)展，電子封裝在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中的重要性顯得愈發(fā)突出。

　　編輯：黃飛