晶體管并聯(lián)時(shí)，當(dāng)需要非常大的電流時(shí)，可以將幾個(gè)晶體管并聯(lián)使用。因?yàn)?b class="flag-6" style="color: red">存在VBE擴(kuò)散現(xiàn)象，有必要在每一個(gè)晶體管的發(fā)射極上串聯(lián)一個(gè)小電阻。電阻R用以保證流過每個(gè)晶體管的電流近似相同。電阻值R的選擇依據(jù)
2024-01-26 23:07:21
晶體管之間的差異性：就三極
管，mos
管和可控硅之間的差別和相同點(diǎn)的相關(guān)概念有點(diǎn)模糊，請(qǐng)各位大俠指點(diǎn)！?。?/div>
2016-06-07 23:27:44
？5. 連續(xù)脈沖？單脈沖？6. 平均功耗是否在周圍溫度的額定功率以下？功率計(jì)算的積分公式使晶體管工作會(huì)產(chǎn)生電氣負(fù)載和熱負(fù)載。對(duì)晶體管來(lái)講，負(fù)載太大壽命會(huì)縮短，最壞的情況下會(huì)導(dǎo)致晶體管被破壞。為防止這種
2019-04-15 06:20:06
）晶體管和陶瓷封裝晶體管等。其封裝外形多種多樣?！ “垂δ芎陀猛痉诸悺 ?b class="flag-6" style="color: red">晶體管按功能和用途可分為低噪聲放大晶體管、中高頻放大晶體管、低頻放大晶體管、開關(guān)晶體管、達(dá)林頓晶體管、高反壓晶體管、帶阻晶體管、帶
2010-08-12 13:59:33
1．反向擊穿電流的檢測(cè) 普通晶體管的反向擊穿電流（也稱反向漏電流或穿透電流），可通過測(cè)量晶體管發(fā)射極E與集電極C之間的電阻值來(lái)估測(cè)。測(cè)量時(shí)，將萬(wàn)用表置于R×1k檔， NPN型管的集電極C接黑表筆
2012-04-26 17:06:32
晶體管技術(shù)方案面臨了哪些瓶頸？
2021-05-26 06:57:13
在PROTUES中如何改變晶體管的放大倍數(shù)？有的器件有放大倍數(shù)改變的參數(shù)。另外，不同的仿真模型參數(shù)不同如何改變？
2014-02-28 08:42:03
；頻率特性和通頻帶。難點(diǎn)：靜態(tài)工作點(diǎn)調(diào)整。[理論內(nèi)容]一、電路工作原理及基本關(guān)系式1、工作原理晶體管放大器中廣泛應(yīng)用如圖1所示的電路，稱之為阻容耦合共射極放大器。它采用的是分壓式電流負(fù)反饋偏置電路
2009-03-20 10:02:58
晶體管測(cè)量模塊的基本特性有哪些？晶體管測(cè)量模塊的基本功能有哪些？
2021-09-24 07:37:23
題庫(kù)來(lái)源：特種作業(yè)?？碱}庫(kù)小程序1.晶體管特性圖示儀的功耗限制電阻相當(dāng)于晶體管放大電路的( )電阻。 BA.基極B.集電極C.限流D.降壓2.集成運(yùn)放通常有( )部分
2021-09-02 06:19:31
`非常不錯(cuò)的晶體管電路設(shè)計(jì)書籍！`
2016-11-08 14:12:33
的設(shè)計(jì)，運(yùn)算放大電路的設(shè)計(jì)與制作。下冊(cè)則共分15章，主要介紹FET、功率MOS、開關(guān)電源電路等。本書面向?qū)嶋H需要，理論聯(lián)系實(shí)際，通過大量具體的實(shí)驗(yàn)，通俗易懂地介紹晶體管電路設(shè)計(jì)的基礎(chǔ)知識(shí)。1．1 學(xué)習(xí)晶體管電路
2009-11-20 09:41:18
IC一般不能超出ICM。(3) 集電極最大允許功耗PCMPCM是指晶體管參數(shù)變化不超出規(guī)定允許值時(shí)的最大集電極耗散功率。使用晶體管時(shí)，實(shí)際功耗不允許超過PCM，通常還應(yīng)留有較大余量，因?yàn)?b class="flag-6" style="color: red">功耗過大往往是
2018-06-13 09:12:21
晶體管的主要參數(shù)有哪些？晶體管的開關(guān)電路是怎樣的？
2021-06-07 06:25:09
是基于代表性的特性進(jìn)行的，因此存在個(gè)別不吻合的內(nèi)容。請(qǐng)理解為整體的傾向、特征。另外，這些晶體管的結(jié)構(gòu)、工作原理與代表性的參數(shù)如下。雙極晶體管（圖中以NPN為例）由PN結(jié)組成，通過在基極流過電流，而在集電極
2018-11-28 14:29:28
相對(duì)于晶體管的主要評(píng)估項(xiàng)目的特征。 對(duì)于各項(xiàng)目的評(píng)估是基于代表性的特性進(jìn)行的，因此存在個(gè)別不吻合的內(nèi)容。請(qǐng)理解為整體的傾向、特征。另外，這些晶體管的結(jié)構(gòu)、工作原理與代表性的參數(shù)如下。 雙極晶體管
2020-06-09 07:34:33
對(duì)于晶體管放大電路，比如常用的共射放大電路，一般基極會(huì)有兩個(gè)分壓電阻，用來(lái)控制給基極一個(gè)合適的電平，保證晶體管的基極能導(dǎo)通，這兩個(gè)分壓電阻的阻值一般選用的都是K歐姆級(jí)別的阻值，原因是什么？ 理論依據(jù)是？謝謝！
2020-06-08 17:23:20
晶體管開關(guān)能力的方法。在這樣的大功率電路中，存在的主要問題是布線。很高的開關(guān)速度能在很短的連接線上產(chǎn)生相當(dāng)高的干擾電壓。簡(jiǎn)單和優(yōu)化的基極驅(qū)動(dòng)造就的高性能今日的基極驅(qū)動(dòng)電路不僅驅(qū)動(dòng)功率晶體管，還保護(hù)功率
2018-10-25 16:01:51
晶體管概述的1. 1948年、在貝爾電話研究所誕生。1948年，晶體管的發(fā)明給當(dāng)時(shí)的電子工業(yè)界來(lái)帶來(lái)了前所未有的沖擊。而且，正是這個(gè)時(shí)候成為了今日電子時(shí)代的開端。之后以計(jì)算機(jī)為首，電子技術(shù)取得急速
2019-05-05 00:52:40
1．晶體管的結(jié)構(gòu)晶體管內(nèi)部由兩PN結(jié)構(gòu)成，其三個(gè)電極分別為集電極（用字母C或c表示），基極（用字母B或b表示）和發(fā)射極（用字母E或e表示）。如圖5-4所示，晶體管的兩個(gè)PN結(jié)分別稱為集電結(jié)（C、B極
2013-08-17 14:24:32
/2N5551、S8050/S8550等型號(hào)。選用時(shí)應(yīng)根據(jù)應(yīng)用電路具體要求而定。 后級(jí)功率放大電路中使用的互補(bǔ)推挽對(duì)管，應(yīng)選用大電流、大功率、低噪聲晶體管，其耗散功率為100~200W，集電極最大電流為
2012-01-28 11:27:38
關(guān)于晶體管ON時(shí)的逆向電流在NPN晶體管中，基極 (B) 被偏置為正，集電極 (C) 被偏置為負(fù)，由發(fā)射極 (E) 流向C的是逆電流。1. 不用擔(dān)心劣化和損壞，在使用上是沒有問題的2. NPN-Tr
2019-05-09 23:12:18
晶體管 &
2010-08-12 13:57:39
求大神相助，Multisim里面雪崩晶體管的過壓擊穿怎么放著那，當(dāng)我設(shè)的電壓已經(jīng)大于了Vcbo滯后還是不見晶體管導(dǎo)通。
2014-08-08 10:42:58
低功耗設(shè)計(jì)中，晶體管控制電路會(huì)對(duì)電路產(chǎn)生一定的影響。無(wú)論是NPN還是PNP，晶體管的PN結(jié)都會(huì)有漏電流。當(dāng)I/O控制基極電壓時(shí)，為了穩(wěn)定基極電壓，一般在NPN開關(guān)電路的基極上加一個(gè)下拉電阻。在PNP開關(guān)電路的設(shè)計(jì)中，基極增加了一個(gè)下拉電阻。上拉和下拉電阻根據(jù)控制芯片、晶體管和電路電壓進(jìn)行選擇。
2023-02-15 18:13:01
產(chǎn)生的噪聲更少。它比其他晶體管小，可以像其他晶體管一樣用于集成電路。X. 如何識(shí)別PNP晶體管PNP晶體管通常通過其結(jié)構(gòu)來(lái)識(shí)別。在比較NPN和PNP晶體管的結(jié)構(gòu)時(shí)，我們看到了各種差異。識(shí)別PNP晶體管
2023-02-03 09:44:48
，而且在高溫條件下的工作也表現(xiàn)良好，可以說(shuō)是具有極大優(yōu)勢(shì)的開關(guān)元件。這張圖是各晶體管標(biāo)準(zhǔn)化的導(dǎo)通電阻和耐壓圖表。從圖中可以看出，理論上SiC-DMOS的耐壓能力更高，可制作低導(dǎo)通電阻的晶體管。目前
2018-11-30 11:35:30
multisim仿真中高頻晶體管BFG35能用哪個(gè)晶體管來(lái)代替，MFR151管子能用哪個(gè)來(lái)代替？或是誰(shuí)有這兩個(gè)高頻管子的原件庫(kù)？求大神指教
2016-10-26 11:51:18
先說(shuō)聲對(duì)不起。，這些天導(dǎo)師那邊一堆事。時(shí)間不夠。終于找到點(diǎn)時(shí)間便說(shuō)下我的新發(fā)現(xiàn)。好了不說(shuō)廢話了，接著上次的說(shuō)。我在機(jī)智云開發(fā)者界面中添加了一個(gè)設(shè)備。為了方便我今天又加了一個(gè)用寵物屋做模板的一個(gè)
2015-10-19 22:12:27
放大電路的設(shè)計(jì)與制作，下冊(cè)則共分15章，主要介紹FET、功率MOS、開關(guān)電源電路等?！?b class="flag-6" style="color: red">晶體管電路設(shè)計(jì)》(上)面向?qū)嶋H需要，理論聯(lián)系實(shí)際，通過大量具體的實(shí)驗(yàn)，通俗易懂地介紹晶體管電路設(shè)計(jì)的基礎(chǔ)知識(shí)
2017-07-25 15:29:55
由BTI帶來(lái)的功耗降低是比較顯著的。 在實(shí)際芯片測(cè)試中，使用5年后泄漏電流大約降低11%。實(shí)際的電子系統(tǒng)功耗降低能否達(dá)到期望的程度還不知道，但至少晶體管老化與功耗降低的關(guān)聯(lián)理論上是說(shuō)得通的。這是
2017-06-15 11:41:33
現(xiàn)在蘋果的a12晶體管的數(shù)量都到100億了，晶體管數(shù)量也不比x86低了，為什么還能還能保持低功耗，同樣用arm cpu的路由器功率卻越來(lái)越大？
2018-11-02 09:55:21
互補(bǔ)晶體管的匹配
2019-10-30 09:02:03
200，000個(gè)電子，而單個(gè)電子晶體管僅包含一個(gè)或幾個(gè)電子，因此將大大降低功耗并提高集成電路的集成度。1989年，J.H.F.Scott-Thomas等研究人員發(fā)現(xiàn)了庫(kù)侖阻塞現(xiàn)象。當(dāng)施加電壓時(shí)，如果量子點(diǎn)中
2023-02-03 09:36:05
的模擬揭示了為何ITO不能在氮化鎵晶體管中形成良好的歐姆接觸。模擬結(jié)果表明，ITO和在AlGaN和GaN界面的二維電子氣之間存在著一個(gè)高能勢(shì)壘（見圖3（a））。這個(gè)勢(shì)壘阻礙電子在氧化銦錫和氮化鎵三角阱
2020-11-27 16:30:52
年代和 1960 年代，它也被稱為超級(jí)阿爾法對(duì)。Darlington認(rèn)識(shí)到這種設(shè)計(jì)對(duì)發(fā)射極-跟隨電路的諸多優(yōu)勢(shì)，并為這一概念申請(qǐng)了專利?！ ∵_(dá)林頓晶體管通常具有低功耗、高增益的特性，使其對(duì)輸入電流
2023-02-16 18:19:11
鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管優(yōu)勢(shì) 更好地控制通道 抑制短通道效應(yīng) 更低的靜態(tài)漏電流 更快的開關(guān)速度 更高的漏極電流（每個(gè)封裝的驅(qū)動(dòng)電流更大） 更低的開關(guān)電壓 低功耗 鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管缺點(diǎn) 難以
2023-02-24 15:25:29
在現(xiàn)實(shí)生活中，冗余服務(wù)器問題一直都很讓人糾結(jié)。有時(shí)我們甚至想過要用4臺(tái)exchange2010實(shí)現(xiàn)CAS和MAILBOX全冗余，真是絞盡腦汁?。‖F(xiàn)在你可以輕松了。偶的新發(fā)現(xiàn)就是新型的19英寸
2012-07-10 16:36:11
功率晶體管（GTR）具有控制方便、開關(guān)時(shí)間短、通態(tài)壓降低、高頻特性好、安全工作區(qū)寬等優(yōu)點(diǎn)。但存在二次擊穿問題和耐壓難以提高的缺點(diǎn)，阻礙它的進(jìn)一步發(fā)展?！?、結(jié)構(gòu)特性1、結(jié)構(gòu)原理功率晶體管是雙極型大功率
2018-01-15 11:59:52
功率晶體管（GTR）具有控制方便、開關(guān)時(shí)間短、通態(tài)壓降低、高頻特性好、安全工作區(qū)寬等優(yōu)點(diǎn)。但存在二次擊穿問題和耐壓難以提高的缺點(diǎn)，阻礙它的進(jìn)一步發(fā)展?！?、結(jié)構(gòu)特性1、結(jié)構(gòu)原理功率晶體管是雙極型大功率
2018-01-25 11:27:53
請(qǐng)教：?jiǎn)谓Y(jié)晶體管在什么位置，有人說(shuō)是UJT，但好象用不了呀？
2013-09-26 16:55:49
各位高手，小弟正在學(xué)習(xí)單結(jié)晶體管，按照網(wǎng)上的電路圖做的關(guān)于單結(jié)晶體管的仿真，大多數(shù)都不成功，請(qǐng)問誰(shuí)有成功的單結(jié)晶體管的仿真仿真啊，可以分享下嗎。
2016-03-04 09:15:06
用雙晶體管實(shí)現(xiàn)低噪聲化的測(cè)量用高速前置放大器
2019-10-31 09:02:08
`在電子元器件行業(yè)，場(chǎng)效應(yīng)晶體管一直被譽(yù)為開關(guān)電路的“神器”，那是因?yàn)閳?chǎng)效應(yīng)晶體管具有噪聲小、功耗低、動(dòng)態(tài)范圍大、易于集成等優(yōu)點(diǎn)，所以在開關(guān)電路中迅速走紅， 可是一提起場(chǎng)效應(yīng)晶體管在電路中的有何特別
2019-04-16 11:22:48
僅是由多數(shù)載流子參與導(dǎo)電,它與雙極型相反,也稱為單極型晶體管。它屬于電壓控制型半導(dǎo)體器件，具有輸入電阻高（108～109Ω）、噪聲小、功耗低、動(dòng)態(tài)范圍大、易于集成、沒有二次擊穿現(xiàn)象、安全工作區(qū)域?qū)挼葍?yōu)點(diǎn)，現(xiàn)已成為雙極型晶體管和功率晶體管的強(qiáng)大競(jìng)爭(zhēng)者。
2021-05-24 06:27:18
晶體管開關(guān)對(duì)電子產(chǎn)品至關(guān)重要。了解晶體管開關(guān)，從其工作區(qū)域到更高級(jí)的特性和配置?！ ?b class="flag-6" style="color: red">晶體管開關(guān)對(duì)于低直流開/關(guān)開關(guān)的電子設(shè)備至關(guān)重要，其中晶體管在其截止或飽和狀態(tài)下工作。一些電子設(shè)備（如 LED
2023-02-20 16:35:09
如何去判別晶體管材料與極性？如何去檢測(cè)晶體管的性能？怎樣去檢測(cè)特殊晶體管？
2021-05-13 07:23:57
什么是微波功率晶體管？如何提高微波功率晶體管可靠性？
2021-04-06 09:46:57
來(lái)至網(wǎng)友的提問：如何選擇分立晶體管？
2023-11-24 08:16:54
率根據(jù)區(qū)域不同而不同。1-1. 熱限制區(qū)域在該區(qū)域，SOA線具有45o 的傾斜度（功率固定線）。在該區(qū)域，下降率是0.8%/oC。1-2. 2次下降區(qū)域晶體管存在熱失控引起的2次下降區(qū)域。在2次下降
2019-05-05 09:27:01
晶體管依照用途大致分為高頻與低頻，它們?cè)谛吞?hào)上的大致區(qū)別是什么？例如《晶體管電路設(shè)計(jì)》中列舉的：高頻（2SA****，2SC*****）、低頻（2SB****，2SD****）。現(xiàn)在產(chǎn)品設(shè)計(jì)中最常用的型號(hào)是哪些？
2017-10-11 23:53:40
bandgap中晶體管的熱噪聲比較大，通過什么手段能解決？
2021-06-24 07:29:25
Iomax大。∴ Iomax≦20((Vin-0.75)/(1.3×R1)-0.75/(1.04×R2))數(shù)字晶體管的型號(hào)說(shuō)明IO和IC的區(qū)別IC: 能夠通過晶體管的電流的最大理論值IO: 能夠作為數(shù)字
2019-04-09 21:49:36
≦20((Vin-0.75)/(1.3×R1)-0.75/(1.04×R2))數(shù)字晶體管的型號(hào)說(shuō)明IO和IC的區(qū)別IC: 能夠通過晶體管的電流的最大理論值IO: 能夠作為數(shù)字晶體管使用的電流的最大值解說(shuō)
2019-04-22 05:39:52
晶體管的代表形狀晶體管分類圖：按照該分類，掌握其種類1. 按結(jié)構(gòu)分類根據(jù)工作原理不同分類，分為雙極晶體管和單極晶體管。雙極晶體管雙是指Bi（2個(gè)）、極是指Polar（極性）。雙極晶體管，即流經(jīng)構(gòu)成
2019-05-05 01:31:57
更短的死區(qū)時(shí)間，較低的磁化電流導(dǎo)致較低的反向傳導(dǎo)損耗。在狀態(tài)3下，當(dāng)驅(qū)動(dòng)信號(hào)VGSL為高電平時(shí)，晶體管的ZVS實(shí)現(xiàn)，并且沒有開關(guān)導(dǎo)通損耗。在狀態(tài)4時(shí)，晶體管以從漏極到源極的正向電流導(dǎo)通。在此狀態(tài)下存在
2023-02-27 09:37:29
。在數(shù)字設(shè)備中，肯定會(huì)使用大規(guī)模集成電路，所以不會(huì)采用電子管?！ ⊥ㄟ^以上的內(nèi)容可以看到，電子管與晶體管在結(jié)構(gòu)與工作方式上都存在著較大的區(qū)別，這就導(dǎo)致了兩者在應(yīng)用范圍上的不同，顯然適應(yīng)性更加廣泛的晶體管將逐漸取代傳統(tǒng)電子管是必然的發(fā)展方向，但在某些特定的設(shè)計(jì)或者場(chǎng)合中仍需使用電子管。
2016-01-26 16:52:08
，在這種情況下采用基于氮化鎵（GaN）晶體管的解決方案意義重大。與傳統(tǒng)硅器件相類似，GaN晶體管單位裸片面積同樣受實(shí)際生產(chǎn)工藝限制，單個(gè)器件的電流處理能力存在上限。為了增大輸出功率，并聯(lián)配置晶體管已成為
2021-01-19 16:48:15
來(lái)至網(wǎng)友的提問：如何選擇分立晶體管？
2018-12-12 09:07:55
這個(gè)達(dá)林頓晶體管廠家是哪家
2022-05-30 16:36:56
;span]除了使用多柵結(jié)構(gòu)提高器件的柵控能力和S小于60mV/decade的TFET，另一種減小集成電路功耗的方法是降低晶體管的工作電壓Vdd。傳統(tǒng)的MOSFET等比例縮小原則假設(shè)閾值電壓也能等比例
2018-10-19 11:08:33
彩電自動(dòng)搜臺(tái)露存的新發(fā)現(xiàn) 作者： 王記鎖 春節(jié)剛過，親戚一臺(tái)康佳T5429E型彩電
2006-04-17 22:26:01
1090 晶體管分類
按半導(dǎo)體材料和極性分類 按晶體管使用的半導(dǎo)體材料可分為硅材料晶體管和鍺材料晶體管。按晶體
2009-11-05 10:48:534989 PNP晶體管,PNP晶體管是什么意思
PNP晶體管是另一種類型晶體管.它的結(jié)構(gòu)如圖1所示。
2010-03-05 11:18:056814 雙極晶體管,雙極晶體管是什么意思
雙極晶體管
雙極型晶體管內(nèi)部電流由兩種載流子形成，它是利用電流來(lái)控制。場(chǎng)效應(yīng)管是電壓控制器
2010-03-05 11:48:466586 電力晶體管(GTR),電力晶體管(GTR)是什么意思
電力晶體
電力晶體管管按英文GiantTransistor直譯為巨型晶體
2010-03-05 13:32:3014825 CMOS晶體管,CMOS晶體管是什么意思
金屬-氧化物-半導(dǎo)體(Metal-Oxide-Semiconductor)結(jié)構(gòu)的晶體管簡(jiǎn)稱MOS晶體管，有P型MOS管和N型MOS管之分
2010-03-05 15:22:514129 晶體管耗散功率,晶體管耗散功率是什么意思
晶體管耗散功率也稱集電極最大允許耗散功率PCM，是指晶體管參數(shù)變化不超過規(guī)定允許值時(shí)的最大
2010-03-05 17:34:108979 科學(xué)家新發(fā)現(xiàn):碳納米管產(chǎn)生大電流(新型發(fā)電方式)
麻省理工學(xué)院科學(xué)家發(fā)現(xiàn)一種新發(fā)電方式，利用碳納米管產(chǎn)生出大電流，可為超小型設(shè)備提供電能，而且納米管產(chǎn)生
2010-03-15 08:44:171404 場(chǎng)效應(yīng)管,晶體管,場(chǎng)效應(yīng)管和晶體管的區(qū)別
場(chǎng)效應(yīng)晶體管具有較高輸入阻抗和低噪聲等優(yōu)點(diǎn)，因而也被廣泛應(yīng)用于各種電子設(shè)備中
2010-03-31 10:06:221113 新發(fā)現(xiàn)半導(dǎo)體薄膜材料可產(chǎn)生光伏效應(yīng)
勞倫斯伯克利國(guó)家實(shí)驗(yàn)室的研究人員發(fā)現(xiàn)一種新的方法，可克服傳統(tǒng)固態(tài)
2010-04-20 09:14:091323 在本周于舊金山召開的英特爾開發(fā)者大會(huì)(IDF)中，英特爾將再揭示其采用三柵極(tri-gate)3D晶體管技術(shù)的22nm元件細(xì)節(jié)，并進(jìn)一步說(shuō)明超輕薄筆電(Ultrabook)的超薄、超低功耗設(shè)計(jì)概念。
2011-09-16 09:23:431145 韓國(guó)科研人員制造出了一種以可伸縮的透明石墨烯作為基底的新型晶體管。由于石墨烯具有出色的光學(xué)、機(jī)械和電性質(zhì)，新型晶體管克服了由傳統(tǒng)半導(dǎo)體材料制成的晶體管面臨的很多問
2011-11-03 09:34:59959 《晶體管精華集錦》技術(shù)專題主要介紹了晶體管新品資訊、晶體管原理、晶體管手冊(cè)、晶體管電路圖、晶體管電路設(shè)計(jì)、晶體管應(yīng)用（主要含晶體管收音機(jī)、晶體管測(cè)試儀）以及常見的晶體管（如：場(chǎng)效應(yīng)晶體管,mos晶體管,絕緣柵雙極晶體管等）。本專題內(nèi)容豐富、包羅萬(wàn)象，希望對(duì)各位有所幫助！
2012-08-03 09:12:48
在電費(fèi)占運(yùn)營(yíng)成本 (OPEX) 很大一部分，而運(yùn)營(yíng)成本則占總成本約70%的情況下，降低功耗對(duì)運(yùn)營(yíng)商來(lái)說(shuō)已刻不容緩。以前，芯片提供商想辦法通過晶體管和工藝技術(shù)來(lái)降低功耗。雖然晶體管是產(chǎn)生功耗
2017-11-24 18:37:331938 隨著硅基半導(dǎo)體達(dá)到其性能極限，氮化鎵（GaN）正成為推動(dòng)發(fā)光二極管（LED）技術(shù)、高頻晶體管和光伏器件的下一代材料。然而，阻礙GaN發(fā)展的是其體內(nèi)存在的大量缺陷。
2018-07-09 11:06:5213513 本文首先闡述了晶體管的概念，其次介紹了晶體管的優(yōu)越性，最后闡述了晶體管的控制方式。
2020-03-14 09:47:1213941 場(chǎng)效應(yīng)晶體管（FET）簡(jiǎn)稱場(chǎng)效應(yīng)管，它屬于電壓控制型半導(dǎo)體器件，具有輸入電阻高（108～109Ω）、噪聲小、功耗低、沒有二次擊穿現(xiàn)象、安全工作區(qū)域?qū)挼葍?yōu)點(diǎn)，現(xiàn)已成為雙極型晶體管和功率晶體管的強(qiáng)大競(jìng)爭(zhēng)者。
2020-07-02 17:18:56
103 當(dāng)傳感器監(jiān)測(cè)到選定的壓力信號(hào)傳遞到晶體管時(shí)會(huì)產(chǎn)生響應(yīng)，隨后傳導(dǎo)并放大這些信號(hào)進(jìn)行檢測(cè)。近來(lái)，一種被稱為有機(jī)電化學(xué)晶體管（OECT）的新型晶體管技術(shù)，在低電壓和低功耗下展現(xiàn)出了優(yōu)越的信號(hào)放大能力。
2021-03-17 13:59:5815032 晶體管簡(jiǎn)介
晶體管（transistor）是一種固體半導(dǎo)體器件，具有檢波、整流、放大、開關(guān)、穩(wěn)壓、信號(hào)調(diào)制等多種功能。晶體管作為一種可變電流開關(guān)，能夠基于輸入電壓控制輸出電流。與普通機(jī)械開關(guān)（如
2022-02-09 12:34:232 硅晶體管的發(fā)展導(dǎo)致更多基于硅的晶體管的發(fā)明，例如金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管(MOSFET)。第一個(gè) MOSFET由貝爾實(shí)驗(yàn)室研究員 John Atalla 于 1960 年制造。該設(shè)計(jì)基于 Shockley 的場(chǎng)效應(yīng)理論。
2022-08-05 12:52:135164 高頻晶體管（High Frequency Transistor）是一種用于高頻信號(hào)放大和處理的晶體管。相比于普通的晶體管，高頻晶體管具有更高的工作頻率和更低的噪聲系數(shù)，因此廣泛應(yīng)用于無(wú)線電通信、雷達(dá)、導(dǎo)航、廣播電視等領(lǐng)域。
2023-02-25 15:05:443765 基于他對(duì)理解半導(dǎo)體物理學(xué)的理論貢獻(xiàn)和他發(fā)明的結(jié)型晶體管，肖克利與巴Bardeen 和 Brattain一起接受了 1956 年諾貝爾物理學(xué)獎(jiǎng)，以表彰“半導(dǎo)體研究和晶體管效應(yīng)的發(fā)現(xiàn)”。
2023-03-15 12:23:072398 場(chǎng)效應(yīng)晶體管是電壓控制元件，因此和普通雙極型晶體管相比，場(chǎng)效應(yīng)晶體管具有輸入阻抗高、噪聲低、動(dòng)態(tài)范圍大、功耗小、易于集成等特點(diǎn)，這就決定了場(chǎng)效應(yīng)晶體管與其它電子元件有異曲同工之妙。
2023-05-16 15:20:043376 
微波晶體管按功能分類可分為微波低噪聲晶體管和微波大功率晶體管，低噪聲晶體管和大功率晶體管被用于設(shè)計(jì)低噪聲放大器和功率放大器。
2023-06-09 10:59:274561 
來(lái)源：半導(dǎo)體芯科技編譯 蠶絲編織成的晶體管可以制造出高靈敏度的超快傳感器，這些新發(fā)現(xiàn)可能為這種混合器件的許多其他應(yīng)用打開大門。 晶體管通常由礦物和金屬等無(wú)機(jī)材料制成。然而，在晶體管中加入有機(jī)材料可以
2024-01-22 19:47:48664 CMOS晶體管和MOSFET晶體管在電子領(lǐng)域中都扮演著重要角色，但它們?cè)诮Y(jié)構(gòu)、工作原理和應(yīng)用方面存在顯著的區(qū)別。以下是對(duì)兩者區(qū)別的詳細(xì)闡述。
2024-09-13 14:09:095525 NMOS晶體管和PMOS晶體管是兩種常見的金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管（MOSFET）類型，它們?cè)诙鄠€(gè)方面存在顯著的差異。以下將從結(jié)構(gòu)、工作原理、性能特點(diǎn)、應(yīng)用場(chǎng)景等方面詳細(xì)闡述NMOS晶體管和PMOS晶體管的區(qū)別。
2024-09-13 14:10:009544 通過改變溝道中的電場(chǎng)來(lái)控制源極和漏極之間的電流。 輸入阻抗 ： 晶體管 ：輸入阻抗相對(duì)較低，因?yàn)榛鶚O需要電流來(lái)控制。 場(chǎng)效應(yīng)管 ：輸入阻抗非常高，因?yàn)闁艠O控制是通過電壓實(shí)現(xiàn)的，不需要電流。 功耗 ： 晶體管 ：在開關(guān)應(yīng)用中，晶體管的功耗
2024-12-03 09:42:522013 電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供()0.45-6.0 GHz 低噪聲晶體管相關(guān)產(chǎn)品參數(shù)、數(shù)據(jù)手冊(cè)，更有0.45-6.0 GHz 低噪聲晶體管的引腳圖、接線圖、封裝手冊(cè)、中文資料、英文資料，0.45-6.0
2025-09-18 18:33:55
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