美國布朗大學(xué)（Brown University）研究人員的研究發(fā)現(xiàn)，石墨烯（grapheme）──這種被譽(yù)為半來半導(dǎo)體材料的新寵──可能會(huì)破壞活細(xì)胞功能。如果布朗大學(xué)的毒性研究結(jié)果進(jìn)一步經(jīng)過多方研究證實(shí)的話，石墨烯最終可能會(huì)像碳納米管一樣被歸類在有害物質(zhì)范圍。
2013-07-22 09:20:45
5798 近十年來，全世界對石墨烯和二維材料的研究進(jìn)行了巨大的投入。這些努力沒有白費(fèi)。近期，一種可應(yīng)用于未來超算設(shè)備的新型半導(dǎo)體材料浮出水面。這種半導(dǎo)體名為硒化銦(InSe)，它只有幾原子厚，十分接近石墨烯。本月，曼 近十年來，全世界對石墨烯和二維材料的研究進(jìn)行了巨大的投入。
2016-11-30 11:08:115036 ； 在4價(jià)的硅材料中參雜少量的3價(jià)元素硼等； 形成P型半導(dǎo)體。 NPN晶體管，是指在晶體管結(jié)構(gòu)中有兩個(gè)N型半導(dǎo)體和一個(gè)夾在中間的P型半導(dǎo)體； PNP型晶體管和NPN管正好相對，是由兩個(gè)P型半導(dǎo)體中間
2023-02-13 16:38:297712 
該成果利用具有優(yōu)異液相分散性的石墨烯納米帶，實(shí)現(xiàn)了超凈單電子晶體管的制備，為進(jìn)一步研究液相石墨烯納米帶的自旋態(tài)和拓?fù)鋺B(tài)提供了可能。
2023-02-16 12:03:11964 、胸腔晶體管、雙極交接晶體管、金屬-氧化半導(dǎo)體外效晶體管和隔熱雙極晶體管的特性和使用。 Power Diode Diode Basics 在電子應(yīng)用中,二極管發(fā)揮簡單的開關(guān)功能,只允許電流向一個(gè)方向流動(dòng),電極二極管擁有更大的動(dòng)力、電壓和當(dāng)前處理能力,在電
2023-08-15 17:17:321650 
，基于石墨烯的半導(dǎo)體也有可能成為未來埃米級(jí)制造的新材料。 ? 石墨烯半導(dǎo)體的可行性 ? 硅材料在小于10nm的尺寸下，卻始終存在容易失去穩(wěn)定性的問題。這也是為何越來越多的研究開始轉(zhuǎn)向半導(dǎo)體材料替代的原因。就以碳納米管為例，相
2024-01-26 01:10:0019995 、高端制造、涂料、醫(yī)療、電極、電池、晶體管、觸摸屏、太陽能、傳感器、超輕材料、醫(yī)療、海水淡化等眾多領(lǐng)域應(yīng)用，可以說是未來最有前景的先進(jìn)材料之一，未來的市場空間有望超過萬億。隨著現(xiàn)代科技和工業(yè)的發(fā)展，石墨
2017-03-08 09:24:18
半導(dǎo)體基礎(chǔ)知識(shí)與晶體管工藝原理
2012-08-20 08:37:00
上次我們學(xué)習(xí)了無源元件，今天我們接著來復(fù)習(xí)一下半導(dǎo)體以及使用了半導(dǎo)體的有源元件-二極管、晶體管、FET。
2021-03-03 08:36:01
好像***最近去英國還專程看了華為英國公司的石墨烯研究，搞得國內(nèi)好多石墨烯材料的股票大漲，連石墨烯內(nèi)褲都跟著炒作起來了~~小編也順應(yīng)潮流聊聊半導(dǎo)體材料那些事吧。
2019-07-29 06:40:11
晶體管分類 按半導(dǎo)體材料和極性分類 按晶體管使用的半導(dǎo)體材料可分為硅材料晶體管和鍺材料晶體管。按晶體管的極性可分為鍺NPN型晶體管、鍺PNP晶體管、硅NPN型晶體管和硅PNP型晶體管?！ “唇Y(jié)構(gòu)
2010-08-12 13:59:33
？
再者在場效應(yīng)管這種單極性導(dǎo)電半導(dǎo)體中，為什么只是有一種離子導(dǎo)電，而非兩種離子，不像晶體管那種兩種離子導(dǎo)電，請問這是為什么？同樣對于場效應(yīng)管也有上面的問題？
2024-02-21 21:39:24
現(xiàn)代社會(huì)帶來了巨大的影響。2. 從鍺到硅最初，晶體管是由鍺（半導(dǎo)體）做成的。但是，鍺具有在80°C左右時(shí)發(fā)生損壞的缺點(diǎn)，因此現(xiàn)在幾乎都使用硅。硅是可以耐180°C左右熱度的物質(zhì)。3. 晶體管的作用
2019-05-05 00:52:40
）用業(yè)收集電子。晶體管的發(fā)射極電流IE與基極電流IB、集電極電流IC之間的關(guān)系如下：IE=IB+IC3．晶體管的工作條件晶體管屬于電流控制型半導(dǎo)體器件，其放大特性主要是指電流放大能力。所謂放大，是指當(dāng)
2013-08-17 14:24:32
;nbsp; 晶體管（transistor）是一種固體半導(dǎo)體器件，可以用于檢波、整流、放大、開關(guān)、穩(wěn)壓、信號(hào)調(diào)制和許多其它功能。晶體管作為一種可變開關(guān)，基于輸入的電壓，控制流出的電流，因此晶體管可做為
2010-08-12 13:57:39
基百度一下都有。就是在傳統(tǒng)電池里面加點(diǎn)石墨烯進(jìn)去，一克上千的價(jià)格，最后做成電池貴的一比，消費(fèi)者會(huì)買么？是不是基本就不存在什么石墨烯電池，只存在“摻/用了石墨烯的鋰離子電池/鉛酸電池等”呢？
2016-12-30 19:24:39
良的透光性，可取代透明導(dǎo)電的ITO電極用于有機(jī)太陽能電池。這些薄膜還可用于取代顯示屏中的硅薄膜晶體管。石墨烯運(yùn)送電子的速度比硅快幾十倍，因而用石墨烯制成的晶體管運(yùn)行速度更快、更省電。此外，觸摸面板制品也
2018-12-22 17:26:33
` (轉(zhuǎn)自搜狐網(wǎng)新聞) 如果說，未來石墨烯能夠在電子界引發(fā)轟動(dòng)，那很有可能是以“納米帶”的形式出現(xiàn)。石墨烯納米帶的寬窄決定了它們的電子性質(zhì)：狹窄的納米帶能夠作為半導(dǎo)體材料，而相對更寬的納米帶則可
2016-01-15 10:46:25
傳統(tǒng)的儲(chǔ)能元件，石墨烯電容具有更快的充放電速度。這意味著您的設(shè)備可以在更短的時(shí)間內(nèi)充滿電，并快速釋放能量。這不僅提高了設(shè)備的使用效率，還為您節(jié)省了寶貴的時(shí)間。
三、長壽命，值得信賴
石墨烯電容
2024-02-21 20:28:36
炒的很熱，其實(shí)電池的革命正在進(jìn)行中，希望新型電池的出現(xiàn)，能夠解決傳統(tǒng)電池的不足。不過這邊我們先說說石墨烯電池。 中科院上海硅酸鹽所與北京大學(xué)、美國賓夕法尼亞大學(xué)合作，設(shè)計(jì)合成一種氮摻雜的有序介孔石墨
2015-12-30 14:39:20
尺寸晶體管和電路的“后硅時(shí)代”的新潛力材料，旨在應(yīng)用石墨烯的研發(fā)也在全球范圍內(nèi)急劇增加，美國、韓國，中國等國家的研究尤其活躍。石墨烯或?qū)⒊蔀?b class="flag-6" style="color: red">可實(shí)現(xiàn)高速晶體管、高靈敏度傳感器、激光器、觸摸面板、蓄電池及高效太陽能電池等多種新一代器件的核心材料。
2019-07-29 06:24:44
的高功率晶體管產(chǎn)品組合。我們目前的產(chǎn)品提供超過80％的效率，并利用GaN-on-SiC，Si-LDMOS和Si-VDMOS半導(dǎo)體技術(shù)。我們還致力于制造一些首批Si-bipolar器件，從而支持傳統(tǒng)方案
2019-04-15 15:12:37
半導(dǎo)體元器件晶體管領(lǐng)域。功率半導(dǎo)體元器件的特點(diǎn)除了IGBT外，功率半導(dǎo)體元器件（晶體管領(lǐng)域）的代表產(chǎn)品還有MOSFET、BIPOLAR等，它們主要被用作半導(dǎo)體開關(guān)。根據(jù)其分別可支持的開關(guān)速度
2019-05-06 05:00:17
半導(dǎo)體元器件晶體管領(lǐng)域。功率半導(dǎo)體元器件的特點(diǎn)除了IGBT外，功率半導(dǎo)體元器件（晶體管領(lǐng)域）的代表產(chǎn)品還有MOSFET、BIPOLAR等，它們主要被用作半導(dǎo)體開關(guān)。根據(jù)其分別可支持的開關(guān)速度
2019-03-27 06:20:04
向各位大神求助，我想仿真“用石墨烯代替硅制作的場效應(yīng)晶體管的特性測量”。電路和普通的測量場效應(yīng)晶體管特性的電路基本一樣，只是需要能夠調(diào)整晶體管的遷移率等特性，想問下LABVIEW能實(shí)現(xiàn)這種仿真嗎？我在庫里沒找到晶體管，能幫忙指出在哪可以找到嗎？謝謝！實(shí)在是太菜鳥了，請見諒。能建立下圖這種電路就行。
2014-04-11 12:06:22
MOSFET（Metal-Oxide-Semiconductor Field-EffectTransistor）是金屬-氧化物-半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管的縮寫，也叫場效應(yīng)管，是一種由運(yùn)算器的基礎(chǔ)構(gòu)成
2023-03-08 14:13:33
眾所周知，像硅雙極晶體管等一些晶體管能夠在其中一些半導(dǎo)體單元因短路或負(fù)載失配等原因損壞時(shí)繼續(xù)工作。因此，將一個(gè)器件定義為“耐用晶體管”可能沒有清晰的界限。對硅LDMOS晶體管的耐用性測試通常是指器件
2019-06-26 07:11:37
晶體管（transistor）是一種固體半導(dǎo)體器件，可以用于檢波、整流、放大、開關(guān)、穩(wěn)壓、信號(hào)調(diào)制和許多其它功能
2010-08-13 11:36:51
晶閘管）、IGCT（集成門極換流晶閘管）、IEGT（電子注入增強(qiáng)柵晶體管）、IPEM（集成電力電子模塊）、PEBB（電力電子積木）等。圖表2 功率半導(dǎo)體器件分類方式及代表類型（來源：電力電子技術(shù)
2019-02-26 17:04:37
用于高頻電路。砷化鎵組件在高頻、高功率、高效率、低噪聲指數(shù)的電氣特性均遠(yuǎn)超過硅組件，空乏型砷化鎵場效晶體管(MESFET)或高電子遷移率晶體管(HEMT/PHEMT)，在3 V 電壓操作下可以有80
2019-07-29 07:16:49
?！ ?b class="flag-6" style="color: red">石墨烯在人造皮膚和涂層織物上的潛力很大。” 甘恩補(bǔ)充道?！ 】纱┐鬟€在起步階段 每平方米的重量只有0.77毫克——石墨烯這一特性使其成為可穿戴設(shè)備制造商的理想原材料，但距離能夠真正使用這種石墨烯
2016-01-28 10:23:12
晶體管是通常用于放大器或電控開關(guān)的半導(dǎo)體器件。晶體管是調(diào)節(jié)計(jì)算機(jī)、移動(dòng)電話和所有其他現(xiàn)代電子電路運(yùn)行的基本構(gòu)件。由于其高響應(yīng)和高精度，晶體管可用于各種數(shù)字和模擬功能，包括放大器、開關(guān)、穩(wěn)壓器、信號(hào)
2023-02-03 09:36:05
地，氮化鎵晶體管以鎳和金的薄膜組配作為柵極金屬，并采用肖特基接觸或金屬氧化物半導(dǎo)體（MOS）結(jié)構(gòu)。為確保透明，我們可以調(diào)整這種設(shè)計(jì)，將這些不透明金屬改變?yōu)橥该鲗?dǎo)電材料如氧化銦錫，它廣泛應(yīng)用于透明
2020-11-27 16:30:52
模塊正確匹配。這并不難，事實(shí)上，有一種有點(diǎn)傳統(tǒng)或至少是典型的方法，如下所述。晶體管效應(yīng)晶體管是用作微型繼電器的半導(dǎo)體器件，用于固態(tài)電子設(shè)備的分立式開/關(guān)傳感器應(yīng)用。它們放大非常小的信號(hào)，例如接近開關(guān)
2023-02-03 09:50:59
目前制造的大功率射頻晶體管比以往任何時(shí)候都更堅(jiān)實(shí)耐用。針對特高耐用性設(shè)計(jì)的器件可以承受嚴(yán)重的失配，即使在滿輸出電平時(shí)也是如此?，F(xiàn)在多家制造商可提供大功率硅橫向擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體(LDMOS)晶體管
2019-08-22 08:14:59
石墨烯好像很厲害啊，將來會(huì)不會(huì)給電子行業(yè)、半導(dǎo)體行業(yè)帶來革命哦？
2012-02-06 02:24:48
用于高速晶體管、觸摸面板、太陽能電池用透明導(dǎo)電膜，以及成本低于銅但與銅相比可通過大電流的電線等。另外，在目前可以制作的片狀材料中，石墨烯的厚度最薄、比表面積也較大。而且，還具有超過金剛石的強(qiáng)度、彈性
2019-07-29 06:27:01
的規(guī)則，則可以互換使用NPN和PNP晶體管。雙極晶體管實(shí)際上是兩個(gè)背靠背連接的二極管，基極用作公共連接。PNP 結(jié)點(diǎn)如何工作？PNP晶體管是由夾在兩個(gè)P型半導(dǎo)體之間的N型半導(dǎo)體組成的雙極結(jié)型晶體管
2023-02-03 09:45:56
功率半導(dǎo)體器件以功率金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(功率MOSFET，常簡寫為功率MOS)、絕緣柵雙極晶體管(IGBT)以及功率集成電路(power IC，常簡寫為PIC)為主。
2020-04-07 09:00:54
常用的半導(dǎo)體元件還有利用一個(gè)PN結(jié)構(gòu)成的具有負(fù)阻特性的器件一單結(jié)晶體管，請問這個(gè)單結(jié)晶體管是什么？能夠?qū)崿F(xiàn)負(fù)阻特性？
2024-01-21 13:25:27
不斷涌現(xiàn)，一方面利用石墨烯的超高強(qiáng)度、優(yōu)良的導(dǎo)熱性對傳統(tǒng)材料進(jìn)行改性，提升傳統(tǒng)材料的性能；另一方面利用石墨烯的超薄、超輕、透明、可折疊和優(yōu)良的導(dǎo)電性，開發(fā)出新的高科技產(chǎn)品。三是“石墨烯+”戰(zhàn)略有望率先實(shí)現(xiàn)
2017-01-18 09:09:18
一、引言2010年，諾貝爾物理學(xué)被兩位英國物理學(xué)家安德烈·海姆和康斯坦丁·諾沃肖諾夫奪得，他們因制備出了石墨烯而獲此殊遇。而石墨烯的成功制備，引起了學(xué)界的巨大轟動(dòng)，也引發(fā)了一場石墨烯制備、理論研究、應(yīng)用開發(fā)的浪潮。石墨烯
2019-07-29 07:48:49
晶體管開關(guān)對電子產(chǎn)品至關(guān)重要。了解晶體管開關(guān)，從其工作區(qū)域到更高級(jí)的特性和配置?！ ?b class="flag-6" style="color: red">晶體管開關(guān)對于低直流開/關(guān)開關(guān)的電子設(shè)備至關(guān)重要，其中晶體管在其截止或飽和狀態(tài)下工作。一些電子設(shè)備（如 LED
2023-02-20 16:35:09
目前制造的大功率射頻晶體管比以往任何時(shí)候都更堅(jiān)實(shí)耐用。針對特高耐用性設(shè)計(jì)的器件可以承受嚴(yán)重的失配，即使在滿輸出電平時(shí)也是如此。現(xiàn)在多家制造商可提供大功率硅橫向擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體(LDMOS)晶體管
2019-08-22 06:13:27
，掌握它們的特性和參數(shù)。本章從討論半導(dǎo)體的導(dǎo)電特性和PN 結(jié)的單向?qū)щ娦蚤_始，分別介紹二極管、雙極型晶體管、絕緣柵場效應(yīng)晶體管和半導(dǎo)體光電器件等常用的半導(dǎo)體元器件。喜歡的頂一頂，介紹的非常詳細(xì)哦。。。。[此貼子已經(jīng)被作者于2008-5-24 11:05:21編輯過]
2008-05-24 10:29:38
解釋，在同等條件下，石墨烯的電阻率是傳統(tǒng)材料碳納米管的十分之一，是導(dǎo)電碳黑的四十分之一，導(dǎo)電效果顯著，同時(shí)電池衰減度顯著優(yōu)于其他導(dǎo)電劑。雖說石墨烯完全取代鋰，成為我們的手機(jī)電池還需時(shí)日。但它不是越來越接上地氣，成為我們生活中的一部分？我們不是已經(jīng)從中獲益不少了嗎？
2017-07-12 15:54:13
電子、航天、軍工、生物、新能源、半導(dǎo)體等領(lǐng)域有廣泛的應(yīng)用潛力，被稱作“后硅時(shí)代”可能改變世界的“神奇材料”。因?yàn)樽陨砭哂械膬?yōu)異性能，石墨烯將帶來廣闊的市場前景和巨大的經(jīng)濟(jì)效益。目前，純石墨烯的市場價(jià)格
2017-02-15 08:20:03
晶體管的半導(dǎo)體的電流由空穴（正極性）和電子（負(fù)極性）產(chǎn)生。一般而言的晶體管是指這種由硅構(gòu)成的晶體管。FETField Effect Transistor的簡稱，是指場效應(yīng)晶體管。有接合型FET和MOS型
2019-05-05 01:31:57
電子產(chǎn)品中，近年來逐漸被晶體管和集成電路所取代，但目前在一些高保真音響器材中，仍然使用電子管作為音頻功率放大器件?！ 《?b class="flag-6" style="color: red">晶體管是一種固體半導(dǎo)體器件，可以用于檢波、整流、放大、開關(guān)、穩(wěn)壓、信號(hào)調(diào)制和許多
2016-01-26 16:52:08
小鼠腦部細(xì)胞培養(yǎng)物進(jìn)行相關(guān)實(shí)驗(yàn)后發(fā)現(xiàn)，利用石墨烯材料制造的電極能安全地與腦部神經(jīng)元連接，且連接后這些神經(jīng)元可正常傳遞電波信號(hào)，不會(huì)產(chǎn)生不良反應(yīng)。 這些與神經(jīng)元直接連接的電極能把腦電波信號(hào)傳遞給外界
2016-02-01 15:39:08
晶體管實(shí)驗(yàn):實(shí)驗(yàn)一 三極晶體管與場效應(yīng)晶體管的特性圖示一、實(shí)驗(yàn)?zāi)康?.掌握半導(dǎo)體管特性圖示儀的使用方法。2.掌握測量晶體管輸入輸出特性的測量方法。3.觀察、了
2009-03-06 14:08:16
37 IBM研發(fā)出最快的石墨烯晶體管，超越硅材料的極限
IBM研究中心聲稱研究出世界上速度最快的石墨烯場效應(yīng)晶體管，運(yùn)行頻率達(dá)到26GHz。
IBM Thomas J. Watson研究中心（
2008-12-27 12:55:48792 半導(dǎo)體管特性圖示儀的使用和晶體管參數(shù)測量一、實(shí)驗(yàn)?zāi)康?、了解半導(dǎo)體特性圖示儀的基本原理2、學(xué)習(xí)使用半導(dǎo)體特性圖示儀測量晶體管的特性曲線和參
2009-03-09 09:12:0915284 
傳統(tǒng)晶體管噪聲理論存在缺陷？新發(fā)現(xiàn)揭示低功耗瓶頸所在
美國國家標(biāo)準(zhǔn)與技術(shù)研究院的研究人員近日發(fā)出警告稱，傳統(tǒng)上對晶體管噪聲的理解存在根本上的缺陷，并
2009-05-27 09:27:431150 晶體管分類
按半導(dǎo)體材料和極性分類 按晶體管使用的半導(dǎo)體材料可分為硅材料晶體管和鍺材料晶體管。按晶體
2009-11-05 10:48:534989 CMOS晶體管,CMOS晶體管是什么意思
金屬-氧化物-半導(dǎo)體(Metal-Oxide-Semiconductor)結(jié)構(gòu)的晶體管簡稱MOS晶體管，有P型MOS管和N型MOS管之分
2010-03-05 15:22:514129 大阪大學(xué)：石墨烯可用于自旋晶體管中
石墨烯作為構(gòu)成LSI的MOSFET新一代通道材料而備受關(guān)注。這種碳材料還有望用作利用電子自
2010-03-23 09:15:29761 4月8日消息，據(jù)國外媒體報(bào)道，本周四IBM向媒體展示了其最快的石墨烯晶體管，該產(chǎn)品每秒能執(zhí)行1550億個(gè)循環(huán)操作，比之前的試驗(yàn)用晶體管快50%。
2011-04-08 09:32:42981 文中工作旨在利用第一性原理來研究存在Stone-wales缺陷和單、雙空位缺陷的石墨烯的電子結(jié)構(gòu)，探討多種缺陷對石墨烯電子結(jié)構(gòu)的影響。
2012-02-20 15:04:228982 
據(jù)悉，三星電子利用具有夢幻新材料之稱的石墨烯（graphene）研制出了新的晶體管結(jié)構(gòu)。如果石墨烯晶體管開發(fā)獲得最終成功可提高運(yùn)算能力100倍。 三星電子18日表示，綜合技術(shù)院突破
2012-05-19 09:58:471216 日本東北大學(xué)宣布，其研究人員開發(fā)出了溝道層使用新型碳材料——石墨烯晶體管，導(dǎo)通/截止比達(dá)到104以上。石墨烯一般沒有帶隙，因此即使制成晶體管也無法關(guān)閉，導(dǎo)通/截止比非常小
2012-09-20 10:23:291786 
中國科學(xué)技術(shù)大學(xué)合肥微尺度物質(zhì)科學(xué)國家實(shí)驗(yàn)室的研究人員利用原子力針尖誘導(dǎo)的局域催化還原反應(yīng)，實(shí)現(xiàn)了在單層氧化石墨烯上直接繪制納米晶體管器件。相關(guān)研究成果日前在線發(fā)
2012-11-23 09:29:301638 多年來，石墨烯一直被視為最有前途的材料，尤其是能讓電子設(shè)備變得更小、更高效。現(xiàn)在，科學(xué)家們制造了一種新型石墨烯晶體管，使用它打造的處理器未來將能夠跑到100GHz的超高頻率。
2016-05-30 09:29:211385 近期，一種可應(yīng)用于未來超算設(shè)備的新型半導(dǎo)體材料浮出水面。這種半導(dǎo)體名為硒化銦(InSe)，它只有幾原子厚，十分接近石墨烯。 石墨烯之父又有新發(fā)現(xiàn) 超級(jí)半導(dǎo)體材料浮出水面 近十年來，全世界對石墨烯和二維材料的研究進(jìn)行了巨大的投入。這些努力沒有白費(fèi)。
2016-12-01 09:34:111456 都說石墨烯是下一代發(fā)展的核心，現(xiàn)在主要的問題是石墨烯生產(chǎn)成本偏高，首先，先不考慮石墨烯原料的價(jià)格，將石墨烯從原料加工到成品這個(gè)步驟的成本跟傳統(tǒng)的幾個(gè)產(chǎn)業(yè)比起來如何？尤其是石墨烯電池，假設(shè)石墨烯原料
2017-01-04 08:39:202487 韓國蔚山國立科技大學(xué)(UNIST)的一個(gè)科研團(tuán)隊(duì)在傳統(tǒng)肖特基半導(dǎo)體的金屬和半導(dǎo)體材料之間插入石墨烯，制備出了一種新型的肖特基二極管，大大提高了二極管的性能。他們的研究成果有望解決近50年來一直
2017-02-11 02:14:36685 
石墨烯高性能光學(xué)器件可用于成像、顯示、傳感器和高速通信。題為“由碳化硅襯底與微米量級(jí)石墨烯結(jié)合制成的光電晶體管的位置依賴和毫米范圍光電探測”的論文發(fā)表在《自然納米技術(shù)》雜志。該項(xiàng)目受到美國國家科學(xué)基金會(huì)和美國國土安全部的聯(lián)合資助。
2017-05-08 17:59:306593 晶體管（transistor）是一種固體半導(dǎo)體器件，可以用于檢波、整流、放大、開關(guān)、穩(wěn)壓、信號(hào)調(diào)制和許多其它功能。晶體管作為一種可變開關(guān)，基于輸入的電壓，控制流出的電流，因此晶體管可做為電流的開關(guān)
2017-05-27 17:41:2823049 石墨烯是零帶隙半導(dǎo)體，具有獨(dú)特的電子結(jié)構(gòu)和優(yōu)異的導(dǎo)電性。石墨烯運(yùn)送電子的速率比硅快幾十倍，石墨烯器件制成的計(jì)算機(jī)運(yùn)行速率可達(dá)到太赫茲。ＩＢＭ的研究人員展示了一種由石墨烯材料制作而成的場效應(yīng)晶體管，其截止頻率可達(dá)１００ＧＨｚ，是迄今為止運(yùn)行速率最快的射頻石墨烯晶體管。
2018-03-03 10:33:4132487 
半導(dǎo)體的發(fā)明造就了現(xiàn)代集成電路，可以說，沒有半導(dǎo)體的發(fā)現(xiàn)就沒有現(xiàn)代的電子世界。人們利用半導(dǎo)體發(fā)明了晶體管，晶體管根據(jù)發(fā)現(xiàn)的時(shí)間可以分為雙極性二極管和場效應(yīng)管，場效應(yīng)管又可以分為：結(jié)型場效應(yīng)管和金
2018-12-15 13:52:322065 mos晶體管，金屬-氧化物-半導(dǎo)體（Metal-Oxide-Semiconductor）結(jié)構(gòu)的晶體管簡稱MOS晶體管，有MOS管構(gòu)成的集成電路稱為MOS集成電路。
2019-04-19 17:04:528654 近年來，石墨烯作為性能優(yōu)異的二維材料備受關(guān)注，人們提出將石墨烯作為基區(qū)材料制備晶體管，其原子級(jí)厚度將消除基區(qū)渡越時(shí)間的限制，同時(shí)其超高的載流子遷移率也有助于實(shí)現(xiàn)高質(zhì)量的低阻基區(qū)。
2019-10-30 17:19:114858 基礎(chǔ)科學(xué)研究所（韓國IBS）內(nèi)的復(fù)雜系統(tǒng)理論物理中心（PCS）的研究人員提出了一種由石墨烯和一個(gè)二維超導(dǎo)體制成的晶體管，該晶體管可以放大太赫茲（THz）信號(hào)。
2020-03-22 08:18:003247 韓國開發(fā)出更有效的超微細(xì)半導(dǎo)體粒子的“石墨烯量子點(diǎn)”技術(shù)，預(yù)計(jì)能對新一代電子產(chǎn)品的元件“單電子晶體管”發(fā)展做出貢獻(xiàn)。
2020-04-02 17:51:163512 高性能單層二硫化鉬晶體管的實(shí)現(xiàn)讓科研界看到了二維半導(dǎo)體的潛力，二維半導(dǎo)體材料的發(fā)展讓我們看到了晶體管縱向尺寸下目前的縮放極限（< 1 nm），同樣的科學(xué)家們也沒有停止追尋二維半導(dǎo)體晶體管橫向尺寸的極限（也就是晶體管溝道長度的縮放極限）。
2022-10-17 10:50:043984 隨著硅晶體管的尺寸和性能接近其物理極限，需要尋找替代材料來支持更多的新興技術(shù)， 其中一個(gè)具有希望的材料石墨烯。由于其出色的電氣、機(jī)械和熱性能，使得它最有可能成為場效應(yīng)晶體溝道材料。
2023-02-09 11:40:367709 MOS晶體管
MOS晶體管全稱是MOS型場效應(yīng)晶體管，簡稱MOS管。其中MOS的全稱是MatelOxide Semiconductor，即金屬氧化物半導(dǎo)體。這種 晶體管結(jié)構(gòu)簡單，幾何尺寸可以做得
2023-02-15 15:56:300 阿姆斯特丹大學(xué)Peter Schall聯(lián)合紐約大學(xué) Zhe Gong等制備出膠體石墨烯，闡明了這種2D材料的結(jié)晶和缺陷形成的途徑，使用吸附在基底上的偽三價(jià)片狀顆粒形成石墨烯晶格，并使用共焦顯微鏡以極高的時(shí)間和空間分辨率直接跟蹤結(jié)晶
2023-03-30 09:32:491295 為了使類石墨烯材料的缺陷可觀察到，來自阿姆斯特丹大學(xué)物理研究所和紐約大學(xué)的研究人員團(tuán)隊(duì)找到了一種建立微米級(jí)原子石墨烯模型的方法。
2023-04-25 11:27:001820 石墨烯可以用來制作晶體管，由于石墨烯結(jié)構(gòu)的高度穩(wěn)定性，這種晶體管在接近單個(gè)原子的尺度上依然能穩(wěn)定地工作。相比之下，目前以硅為材料的晶體管在10納米左右的尺度上就會(huì)失去穩(wěn)定性；石墨烯中電子對外場的反應(yīng)速度超快這一特點(diǎn)，又使得由它制成的晶體管可以達(dá)到極高的工作頻率。
2023-07-03 11:31:231151 在近年來，隨著科技和物理學(xué)界的飛速發(fā)展，石墨烯成為了一個(gè)熱門話題。它的出現(xiàn)為各種現(xiàn)代電子設(shè)備和技術(shù)帶來了革命性的改變。而石墨烯晶體管則是其中最具潛力的應(yīng)用之一。本文將深入探討石墨烯晶體管的定義、工作原理及其可能的未來應(yīng)用。
2023-08-11 10:25:252497 
晶體管的工作原理介紹? 晶體管是一種電子器件，它是現(xiàn)代電子設(shè)備的基礎(chǔ)，如計(jì)算機(jī)、手機(jī)、電視等。晶體管是一個(gè)半導(dǎo)體器件，它可以放大或開關(guān)電流信號(hào)。晶體管的工作原理是由三個(gè)不同類型的材料組成：N型半導(dǎo)體
2023-08-25 15:35:145668 晶體管是一種半導(dǎo)體元器件，它由三個(gè)層疊在一起的材料構(gòu)成，分別是 P 型半導(dǎo)體、N 型半導(dǎo)體和 P 型半導(dǎo)體。其中 NPN 和 PNP 型晶體管是最常用的兩種。晶體管有三個(gè)電極，分別是基極、發(fā)射極和集電極。
2023-08-25 17:17:472912 絕緣柵雙極晶體管也簡稱為IGBT ，是傳統(tǒng)雙極結(jié)型晶體管(BJT) 和場效應(yīng)晶體管(MOSFET)的交叉體，使其成為理想的半導(dǎo)體開關(guān)器件。
2023-09-06 15:12:294510 
六方氮化硼和石墨烯都是僅一個(gè)原子厚度的層狀二維材料，不同之處在于石墨烯結(jié)合純屬碳原子之間的共價(jià)鍵，而六方氮化硼晶體中的結(jié)合則是硼、氮異類原子間的共價(jià)結(jié)合。如上圖所示，左圖為石墨烯，右圖為六方氮化硼。
2023-09-12 09:32:115089 晶體管是通常用于放大器或電控開關(guān)的半導(dǎo)體器件。晶體管是調(diào)節(jié)計(jì)算機(jī)、移動(dòng)電話和所有其他現(xiàn)代電子電路運(yùn)行的基本構(gòu)件。
2023-09-27 10:59:4014150 
[半導(dǎo)體前端工藝：第一篇] 計(jì)算機(jī)、晶體管的問世與半導(dǎo)體
2023-11-29 16:24:591063 
【科普小貼士】金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管（MOSFET）
2023-12-13 14:22:412183 
由于石墨烯缺乏本征帶隙，半導(dǎo)體石墨烯在石墨烯納米電子學(xué)中起著重要作用。在過去的二十年中，通過量子限域或化學(xué)官能團(tuán)化來改變帶隙的嘗試未能生產(chǎn)出可行的半導(dǎo)體石墨烯。
2024-01-05 10:41:321648 
石墨烯是由已知最強(qiáng)的鍵連接在一起的單片碳原子。半導(dǎo)體是在特定條件下導(dǎo)電的材料，是電子設(shè)備的基本組件。石墨烯電子學(xué)中長期存在的問題是石墨烯沒有合適的帶隙，并且無法以正確的比率打開和關(guān)閉。
2024-01-05 14:35:43924 有媒體報(bào)道稱有研究團(tuán)隊(duì)創(chuàng)造了世界上第一個(gè)由石墨烯制成的功能半導(dǎo)體（Functional Graphene Semiconductor）。
2024-01-23 11:26:302283 遷移率，石墨烯可以用于制作高性能的電子器件，如晶體管、顯示屏等。與傳統(tǒng)的硅材料相比，石墨烯具有更高的電子遷移率和更低的電阻，能夠?qū)崿F(xiàn)更高的性能和更低的功耗。 其次，石墨烯在能源領(lǐng)域也具有重要的應(yīng)用潛力。石墨烯電
2024-02-20 13:39:362747 NMOS晶體管和PMOS晶體管是兩種常見的金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管（MOSFET）類型，它們在多個(gè)方面存在顯著的差異。以下將從結(jié)構(gòu)、工作原理、性能特點(diǎn)、應(yīng)用場景等方面詳細(xì)闡述NMOS晶體管和PMOS晶體管的區(qū)別。
2024-09-13 14:10:009544 半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管（MOSFET）的基礎(chǔ)材料，但它們在材料特性、性能、制造工藝以及應(yīng)用領(lǐng)域上存在顯著差異。這里對金屬氧化物和柔性石墨烯MOS的主要區(qū)別做以下分享：1.
2024-12-19 15:23:391456 
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