沉積、光刻、刻蝕以及等離子注入是半導(dǎo)體和超越摩爾領(lǐng)域制造工藝的4大關(guān)鍵技術(shù)。在新晶圓產(chǎn)線的投資建設(shè)中，約80%的投資用于購(gòu)買(mǎi)設(shè)備，薄膜沉積設(shè)備更是占據(jù)其中約25%的比重。業(yè)界主流的薄膜沉積工藝主要有原子層沉積（ALD）、物理式真空鍍膜（PVD）和化學(xué)式真空鍍膜（CVD）等。其中ALD屬于CVD的一種，是當(dāng)下最先進(jìn)的薄膜沉積技術(shù)。調(diào)研機(jī)構(gòu)GIR相關(guān)報(bào)告表明，全球原子層沉積（ALD）設(shè)備的市場(chǎng)規(guī)模在2021-2026年的年復(fù)合增長(zhǎng)率預(yù)計(jì)達(dá)到25.1%，將從2019年的10.661億美元增至2026年的26.129億美元。

圖1：半導(dǎo)體設(shè)備的投資占比情況

40年ALD積淀加持，思銳智能攜手國(guó)家級(jí)創(chuàng)新中心加速產(chǎn)業(yè)布局

“專(zhuān)注ALD創(chuàng)新、助力超越摩爾“，2021年5月，ALD設(shè)備和服務(wù)提供商——青島四方思銳智能技術(shù)有限公司（以下簡(jiǎn)稱思銳智能或SRII）與國(guó)家智能傳感器創(chuàng)新中心（以下簡(jiǎn)稱國(guó)創(chuàng)中心或NISIC）的戰(zhàn)略合作簽約儀式在上海正式啟動(dòng)，思銳智能總經(jīng)理聶翔先生、國(guó)創(chuàng)中心副總裁焦繼偉博士代表出席現(xiàn)場(chǎng)簽約。雙方向與會(huì)人員表示，此次戰(zhàn)略合作將面向超越摩爾領(lǐng)域，基于原子層沉積（ALD）技術(shù)開(kāi)展MEMS、CMOS圖像傳感器等重要領(lǐng)域的聯(lián)合研發(fā)，攜手深度合作，致力于加速超越摩爾領(lǐng)域的產(chǎn)業(yè)落地與技術(shù)創(chuàng)新。

圖2：聶翔先生（左）與焦繼偉博士代表雙方正式簽署戰(zhàn)略合作

聶翔先生表示：“以上海為代表的長(zhǎng)三角地區(qū)是中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的高地，國(guó)創(chuàng)中心也是中國(guó)超越摩爾領(lǐng)域首屈一指的領(lǐng)導(dǎo)者機(jī)構(gòu)。借力思銳智能旗下BENEQ公司近40年ALD技術(shù)的研發(fā)經(jīng)驗(yàn)以及世界一流的ALD設(shè)備和解決方案，雙方深度合作，將共同組建超越摩爾領(lǐng)域的技術(shù)中心和產(chǎn)業(yè)化中心，以開(kāi)放包容的機(jī)制為行業(yè)提供全面、系統(tǒng)的技術(shù)解決方案，一起推進(jìn)超越摩爾領(lǐng)域的產(chǎn)業(yè)化與創(chuàng)新化發(fā)展?！逼渲校间J智能的8”ALD設(shè)備已經(jīng)在國(guó)創(chuàng)中心的超越摩爾研發(fā)中試線上成功裝備，對(duì)標(biāo)國(guó)家戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)的發(fā)展需求。

焦繼偉博士表示：“國(guó)創(chuàng)中心與思銳智能的戰(zhàn)略合作將以ALD設(shè)備和技術(shù)作為起點(diǎn)和支點(diǎn)，未來(lái)在制造設(shè)備的本土化，包括半導(dǎo)體的新材料、MEMS新工藝，以及ALD人工智能、互聯(lián)網(wǎng)新應(yīng)用等方向進(jìn)行探索。此次簽約儀式標(biāo)志著雙方合作跨上新的臺(tái)階，我們期待雙方以及更多產(chǎn)業(yè)伙伴在超越摩爾的賽道上攜手前進(jìn)，共同發(fā)展?！?/p>

ALD技術(shù)成“首選”，BENEQ TransformTM 突破產(chǎn)能效率邊界和性能新高度

事實(shí)上，隨著新材料、新制程、新工藝在新興半導(dǎo)體制造行業(yè)的應(yīng)用與發(fā)展，ALD技術(shù)可以使得材料以單原子膜（0.1nm）形式沉積在基板表面的特性，在沉積層的厚度控制、3D異形材料表面均勻度、表面無(wú)針孔、折射率等方面具有顯著優(yōu)勢(shì)，因此特別適用于MEMS、CMOS圖像傳感器等產(chǎn)品的制造與生產(chǎn)，并逐漸成為超越摩爾領(lǐng)域的鍍膜沉積技術(shù)首選。

圖3：思銳智能旗下BENEQ公司半導(dǎo)體業(yè)務(wù)負(fù)責(zé)人Patrick Rabinzohn遠(yuǎn)程連線闡述ALD在超越摩爾領(lǐng)域的應(yīng)用案例

對(duì)此，思銳智能全資子公司——BENEQ全新推出的TransformTM 系列設(shè)備是專(zhuān)為超越摩爾應(yīng)用市場(chǎng)提供的具有競(jìng)爭(zhēng)力的ALD解決方案。TransformTM 平臺(tái)采用了全新的集群設(shè)計(jì)和尖端的鍍膜沉積技術(shù)，可以為8”及以下晶圓的表面沉積多種材料，包括Al2O3、SiO2、AlN、TiN等氧化物與氮化物，并實(shí)現(xiàn)完全保形和高均勻性的薄膜沉積。

圖4：代表業(yè)界頂尖通用型ALD技術(shù)的TransformTM 系列設(shè)備

BENEQ半導(dǎo)體業(yè)務(wù)負(fù)責(zé)人Patrick Rabinzohn 表示：“TransformTM 平臺(tái)兼容單片、批量、熱法以及等離子體等功能，是目前業(yè)界僅有、集多項(xiàng)功能于一體的通用型先進(jìn)平臺(tái)。不僅如此，TransformTM 平臺(tái)更具備靈活配置的優(yōu)勢(shì)，客戶可以根據(jù)自身需求，選擇‘3組ALD模塊 + 預(yù)加熱模塊’構(gòu)建TransformTM的標(biāo)準(zhǔn)配置 、或‘2組ALD模塊 + 預(yù)加熱模塊’構(gòu)建TransformTM Lite的簡(jiǎn)化配置，實(shí)現(xiàn)差異化、更具效益的生產(chǎn)和管理方式，并在主流廠商中開(kāi)拓了意向訂單。”

以鍍膜沉積50納米的氧化鋁為例，若采用標(biāo)準(zhǔn)配置的TransformTM系統(tǒng)，最多的產(chǎn)量可以達(dá)到每小時(shí)40片晶圓以上，即使Lite設(shè)備也能達(dá)到每小時(shí)25片以上，這于整個(gè)行業(yè)對(duì)ALD的傳統(tǒng)認(rèn)知可謂顛覆性的技術(shù)突破！

據(jù)Patrick介紹，BENEQ TransformTM 平臺(tái)已經(jīng)通過(guò)SEMI S2/S8認(rèn)證，支持SECS/GEM標(biāo)準(zhǔn)，并逐漸向12”晶圓的成熟沉積技術(shù)邁進(jìn)，將為客戶提供了靈活、可靠、高產(chǎn)能的半導(dǎo)體晶圓鍍膜量產(chǎn)解決方案。

拓寬市場(chǎng)應(yīng)用矩陣，以通用型ALD技術(shù)賦能廣泛行業(yè)創(chuàng)新

除了縱向的技術(shù)、性能、產(chǎn)能突破，憑借BENEQ先進(jìn)的通用型ALD技術(shù)，思銳智能正在拓展更多前沿垂直行業(yè)的應(yīng)用創(chuàng)新。

在遠(yuǎn)程連線芬蘭專(zhuān)家另一場(chǎng)演講中，BENEQ半導(dǎo)體業(yè)務(wù)技術(shù)總監(jiān)Alexander Perros介紹道：“BENEQ通用型ALD技術(shù)的超越摩爾應(yīng)用矩陣十分豐富，包括功率器件、濾波器、MEMS和CIS等。同時(shí)，BENEQ針對(duì)不同的細(xì)分市場(chǎng)推出了不同的ALD解決方案，主要包括高K介電質(zhì)、表面鈍化、ALD成核層、化學(xué)阻擋層、防潮層以及抗反射膜等等?！?例如，表面鈍化，可以用不同ALD材料來(lái)實(shí)現(xiàn)表面鈍化，防潮層則在封裝上發(fā)揮關(guān)鍵作用；這些均在廣泛的應(yīng)用中具備很強(qiáng)的通用性。

圖5：BENEQ通用型ALD技術(shù)的應(yīng)用領(lǐng)域矩陣示例

總結(jié)而言，ALD是傳統(tǒng)半導(dǎo)體制程所需的先進(jìn)技術(shù)之一，也是新興半導(dǎo)體、泛半導(dǎo)體和以光學(xué)鍍膜為代表的非半導(dǎo)體行業(yè)發(fā)展的關(guān)鍵技術(shù)。思銳智能正通過(guò)提供尖端、創(chuàng)新、靈活的ALD設(shè)備和服務(wù)解決方案，致力于成為世界一流的ALD設(shè)備和服務(wù)供應(yīng)商。