FE的分檔標志。
表12 日本半導體器件型號命名法
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第一部分 |
第二部分 |
第三部分 |
第四部分 |
第五部分 |
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用數(shù)字表示類型
或有效電極數(shù) |
S表示日本電子工業(yè)協(xié)會(EIAJ)的注冊產(chǎn)品 |
用字母表示器件
的極性及類型 |
用數(shù)字表示在日本電子工業(yè)協(xié)會登記的順序號 |
用字母表示
對原來型號
的改進產(chǎn)品 |
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符號 |
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意義 |
符號 |
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意義 |
符號 |
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意義 |
符號 |
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意義 |
符號 |
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意義 |
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0 |
?
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S |
A |
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四位以上的數(shù)字 |
ABCDEFLL |
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B |
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C |
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D |
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1 |
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2 |
G |
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H |
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J |
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K |
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3
LL |
M |
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n-1 |
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?日本半導體器件型號命名法有如下特點:
1) 型號中的第一部分是數(shù)字,表示器件的類型和有效電極數(shù)。例如,用“1”表示二極管,用“2”表示三極管。而屏蔽用的接地電極不是有效電極。
2) 第二部分均為字母S,表示日本電子工業(yè)協(xié)會注冊產(chǎn)品,而不表示材料和極性。
3) 第三部分表示極性和類型。例如用A表示PNP型高頻管,用J表示P溝道場效應(yīng)三極管。但是,第三部分既不表示材料,也不表示功率的大小。
4) 第四部分只表示在日本工業(yè)協(xié)會(EIAJ)注冊登記的順序號,并不反映器件的性能,順序號相鄰的兩個器件的某一性能可能相差很遠。例如,2SC2680型的最大額定耗散功率為200mW,而2SC2681的最大額定耗散功率為100W。但是,登記順序號能反映產(chǎn)品時間的先后。登記順序號的數(shù)字越大,越是近期產(chǎn)品。
5) 第六、七兩部分的符號和意義各公司不完全相同。
6) 日本有些半導體分立器件的外殼上標記的型號,常采用簡化標記的方法,即把2S省略。例如,2SD764,簡化為D764,2SC502A簡化為C502A。
7) 在低頻管(2SB和2SD型)中,也有工作頻率很高的管子。例如,2SD355的特征頻率fT為100MHz,所以,它們也可當高頻管用。
8) 日本通常把Pcm?1W的管子,稱做大功率管。
1) 型號中的第一部分是數(shù)字,表示器件的類型和有效電極數(shù)。例如,用“1”表示二極管,用“2”表示三極管。而屏蔽用的接地電極不是有效電極。
2) 第二部分均為字母S,表示日本電子工業(yè)協(xié)會注冊產(chǎn)品,而不表示材料和極性。
3) 第三部分表示極性和類型。例如用A表示PNP型高頻管,用J表示P溝道場效應(yīng)三極管。但是,第三部分既不表示材料,也不表示功率的大小。
4) 第四部分只表示在日本工業(yè)協(xié)會(EIAJ)注冊登記的順序號,并不反映器件的性能,順序號相鄰的兩個器件的某一性能可能相差很遠。例如,2SC2680型的最大額定耗散功率為200mW,而2SC2681的最大額定耗散功率為100W。但是,登記順序號能反映產(chǎn)品時間的先后。登記順序號的數(shù)字越大,越是近期產(chǎn)品。
5) 第六、七兩部分的符號和意義各公司不完全相同。
6) 日本有些半導體分立器件的外殼上標記的型號,常采用簡化標記的方法,即把2S省略。例如,2SD764,簡化為D764,2SC502A簡化為C502A。
7) 在低頻管(2SB和2SD型)中,也有工作頻率很高的管子。例如,2SD355的特征頻率fT為100MHz,所以,它們也可當高頻管用。
8) 日本通常把Pcm?1W的管子,稱做大功率管。
- 命名(10057)
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&nbs
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875意法半導體慕尼黑上海電子展展開發(fā)物聯(lián)網(wǎng)關(guān)鍵元器件
圍繞“領(lǐng)略意法半導體萬物智能技術(shù)”主題,意法半導體將展示其讓駕駛更環(huán)保、更安全、更智聯(lián)、更安全的產(chǎn)品技術(shù)。此外,意法半導體還將展出開發(fā)物聯(lián)網(wǎng)產(chǎn)品所需的全部關(guān)鍵元器件。
2018-03-15 15:48:01
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1996如何辨別軍用半導體器件型號和標志
本文首先介紹了美國半導體分立器件型號命名方法,其次介紹了如何辨別軍用半導體器件型號和標志,具體的跟隨小編一起來了解一下。
2018-05-31 13:03:25
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17568日本為什么能制裁韓國半導體產(chǎn)業(yè)?
從半導體全產(chǎn)業(yè)鏈來看,日本在14種半導體重要材料方面均占有50%以上份額,是全球最大的半導體材料輸出國。
2019-07-08 14:11:08
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8820日本半導體制裁韓國事件刷屏 而日本,正是半導體材料和設(shè)備的強國
日本半導體制裁韓國事件刷屏半導體圈?。ㄈ蚩只牛?b class="flag-6" style="color: red">日本半導體 封殺韓國?。?/div>
2019-07-08 14:38:56
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8794半導體器件型號的命名方法和半導體二極管參數(shù)符號及其意義說明
一、 中國半導體器件型號命名方法
半導體器件型號由五部分(場效應(yīng)器件、半導體特殊器件、復合管、PIN型管、激光器件的型號命名只有第三、四、五部分)組成。五個部分意義如下:
第一部分:用數(shù)字
2019-10-04 09:25:00
25732
25732意法半導體最新推出MasterGaN器件
意法半導體的MasterGaN4*功率封裝集成了兩個對稱的225mΩ RDS(on)、650V氮化鎵(GaN)功率晶體管,以及優(yōu)化的柵極驅(qū)動器和電路保護功能,可以簡化高達200W的高能效電源變換
2021-04-16 14:41:04
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3668意法半導體推出具超強散熱能力的車規(guī)級表貼功率器件封裝ACEPACK SMIT
意法半導體推出了各種常用橋式拓撲的ACEPACK SMIT封裝功率半導體器件。與傳統(tǒng) TO 型封裝相比,意法半導體先進的ACEPACK SMIT 封裝能夠簡化組裝工序,提高模塊的功率密度。
2023-01-16 15:01:25
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意法半導體怎么樣
意法半導體怎么樣 意法半導體(ST)集團于1987年成立,是由意大利的SGS微電子公司和法國Thomson半導體公司合并而成。1998年5月,SGS-THOMSON Microelectronics
2023-02-08 14:24:11
3012
3012意法半導體供應(yīng)超千萬顆碳化硅器件
意法半導體(ST)宣布與采埃孚科技集團公司(ZF)簽署碳化硅器件長期供應(yīng)協(xié)議。從 2025 年起,采埃孚將從意法半導體采購碳化硅器件。
2023-04-26 10:18:51
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2274淺談功率半導體器件與普通半導體器件的區(qū)別
功率半導體器件與普通半導體器件的區(qū)別在于,其在設(shè)計的時候,需要多一塊區(qū)域,來承擔外加的電壓,如圖5所示,300V器件[1]的“N-drift”區(qū)域就是額外承擔高壓的部分。與沒有“N-drift”區(qū)的普通半導體器件[2]相比,明顯尺寸更大,這也是功率半導體器件的有點之一。
2023-10-18 11:16:21
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意法半導體新能源功率器件解決方案
在《意法半導體新能源功率解決方案:從產(chǎn)品到應(yīng)用,一文讀懂(上篇)》文章中,我們著重介紹了ST新能源功率器件中的傳統(tǒng)IGBT和高壓MOSFET器件,讓大家對其在相關(guān)領(lǐng)域的應(yīng)用有了一定了解。接下來,本文將聚焦于ST的SiC、GaN等第三代半導體產(chǎn)品以及其新能源功率解決方案。
2025-02-07 10:38:50
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