（文章來(lái)源：百家號(hào)）
? ? ? ? 憶阻器是一類(lèi)新的電路 - 它們可以結(jié)束硅時(shí)代并永遠(yuǎn)改變電子器件。自2008年惠普首次開(kāi)發(fā)出帶有二氧化鈦薄膜的工作原型以來(lái)，工程師們一直在尋求完善該模型，現(xiàn)在，密歇根理工大學(xué)的研究人員已經(jīng)制造出一種基于二硫化鉬納米片的理想憶阻器。

查爾斯和Carroll McArthur材料科學(xué)與工程教授Yun Hang Hu領(lǐng)導(dǎo)了這項(xiàng)研究，該研究于今年1月在Nano Letters上發(fā)表，基于硅的晶體管是計(jì)算機(jī)芯片的主要組成部分，它使用電子流動(dòng)。如果晶體管中的電子流被中斷，則所有信息都會(huì)丟失。然而，憶阻器是具有記憶功能的電子設(shè)備; 它們的阻力取決于內(nèi)部狀態(tài)變量的動(dòng)態(tài)演變。換句話(huà)說(shuō)，憶阻器可以記住流過(guò)材料的電荷量，即使在電源關(guān)閉時(shí)也能保留數(shù)據(jù)。

憶阻器可用于制造超高速存儲(chǔ)芯片，以更少的能耗消耗更多數(shù)據(jù)”胡說(shuō)。

此外，晶體管受二進(jìn)制代碼限制 - 所有的零和零運(yùn)行互聯(lián)網(wǎng)，Candy Crush游戲，F(xiàn)itbits和家用電腦。相比之下，憶阻器以類(lèi)似于人類(lèi)大腦的方式運(yùn)行，使用多個(gè)級(jí)別，實(shí)際上每個(gè)數(shù)字在0和1之間。憶阻器將導(dǎo)致計(jì)算機(jī)革命，并提供創(chuàng)造人類(lèi)人工智能的機(jī)會(huì)。

與具有固定電阻的電阻器不同，憶阻器具有與電壓相關(guān)的電阻?！焙忉屨f(shuō)，并補(bǔ)充說(shuō)材料的電性能是關(guān)鍵?！皯涀杵鞑牧媳仨毦哂锌呻S電壓可逆地變化的電阻，他的研究表明，二硫化鉬納米片對(duì)于憶阻器很有前景。該材料的成功歸結(jié)為工程原子結(jié)構(gòu)，理想的憶阻器是對(duì)稱(chēng)的。在兩個(gè)象限中，電流和電壓之間的關(guān)系是均勻的，舍入的并且相等。實(shí)際上，憶阻器通常表現(xiàn)出不平衡的電流 - 電壓特性。然而，胡的二硫化鉬憶阻器確實(shí)顯示出理想的對(duì)稱(chēng)性。這將使材料更加可預(yù)測(cè)和一致，因?yàn)樗菫殡娮赢a(chǎn)品開(kāi)發(fā)的。

為了實(shí)現(xiàn)這種對(duì)稱(chēng)性，胡和他的研究團(tuán)隊(duì)開(kāi)始使用塊狀二硫化鉬，也稱(chēng)為礦物輝鉬礦，用作工業(yè)潤(rùn)滑劑。然后他們操縱原子，結(jié)構(gòu)排列，稱(chēng)為不同的晶相。具有2H相的塊狀材料很好地作為常規(guī)電阻器，并且為了使其成為憶阻器，該團(tuán)隊(duì)剝離了分子層。該剝離過(guò)程產(chǎn)生具有1T相的二硫化鉬納米片。具有1相的納米片表現(xiàn)出相對(duì)于憶阻器所需的電壓的電阻的可逆變化。研究人員最終將納米片分散在銀箔的兩面，形成對(duì)稱(chēng)的憶阻器。

這種材料正處于這個(gè)應(yīng)用的最初階段，”胡說(shuō)，并補(bǔ)充說(shuō)新材料和更好的憶阻器可以從根本上改變計(jì)算機(jī)的構(gòu)建方式。它將從更小更快的計(jì)算機(jī)芯片開(kāi)始，但隨后他在辦公室里做手勢(shì)?！斑@些憶阻器材料將非常通用，有一天，這塊白板和那個(gè)咖啡杯可能是電腦，擁有對(duì)稱(chēng)的憶阻器材料使我們更接近那一天。