惠普實驗室資深院士Stan Williams聲稱，該公司自2008年開始研發(fā)，基于“憶阻器”技術的兩端點、非揮發(fā)性存儲器技術，可望在未來18個月內投入市場，甚至取代閃存。

　　HP的一位發(fā)言人表示目前尚未有確切的憶阻器產品發(fā)展藍圖，但他證實“HP的目標是在2013年底前看到憶阻器產品?！?/p>

　　Williams表示，憶阻器在改變位元狀態(tài)、讀/寫時間、保留或擦除數據等方面的性能都相當引人矚目，具有取代閃存的潛力。因此“在2014/2015左右我們將進入后DRAM和SRAM世代，”Williams對于推動憶阻器快速成為通用存儲器相當有信心。

　　Williams拒絕評論有關HP和Hynix目前在制程技術、記憶體容量或是記憶效應材料等方面的研發(fā)細節(jié)。“我們在Hynix的晶圓廠中試制了數百片晶圓。我們對目前的進展很滿意?！辈贿^，Williams仍未透露首個商用化記憶體是否會是多層元件。

　　當發(fā)展這項技術的成本成為一種挑戰(zhàn)時，便有可能成為未來與量產型閃存市場競爭的阻礙。對此Williams指出，在每位元價格的基礎上，若不計NRE費用，我們是有可能實現更低成本的。

　　結合了存儲器與電阻特性的憶阻器，最初是柏克萊大學教授蔡少棠(Leon Chua)于1971年提出的兩端點元件電器特性的理論。而到了2008年，HP在《Nature》上提出了一篇論文，結合了兩端點鈦氧化物元件的IV特性和蔡少棠所預測的憶阻器特性。“我們發(fā)現，在納米級架構中移動少數幾個原子，就能改變三個數量級的阻值。事實上，許多納米元件都具備固有的憶阻(memresistive)行為，”他說。

　　過去三年來，惠普已經累積了約500個憶阻器專利。他也承認，相變存儲器(PCM)、電阻式RAM(RRAM)和其他的兩端點存儲器也都可歸類為憶阻器類型元件。Williams也表示，目前也有許多其他公司正在研究金屬氧化物電阻RAM，三星目前也有一個比惠普更大的團隊在進行研究。

　　Williams指出，憶阻存儲器開關或電阻式RAM元件在存儲器容量方面都勝過閃存?！拔覀兡艹阶钕冗M閃存達一倍之多?！?/p>

　　蘊涵邏輯和突觸

　　Williams比較了HP的電阻式RAM和閃存技術，并聲稱其電阻式RAM在所有比較項目中均可達到或超越閃存的性能。據表示，其讀取時間少于10ns，而寫入/擦除時間約為0.1ns。另外，最近測量結果顯示，HP元件的資料保存能力大約可達到10^12周期。

　　憶阻器存儲器的最大優(yōu)點之一，在于它的結構簡單，因此它能采用全球晶圓廠在制造CMOS兼容元件時所使用的通用材料。