（文章來源：DeepTech深科技）

新式存儲器可分為獨立型產(chǎn)品，以及嵌入于邏輯工藝，用于取代部分傳統(tǒng)的嵌入式快閃存儲器 eFlash 技術，而在嵌入式技術上，趨勢已快速成熟中。但用于獨立型存儲器上，目前還有性能、成本的問題待克服。

因此，新式存儲器無論是 MRAM 、PCRAM 和 ReRAM 等，并不會沖擊到現(xiàn)在國內(nèi)正如火如荼發(fā)展的 DRAM 、3D NAND 芯片產(chǎn)業(yè)，但對于一些應用領域如云計算、物聯(lián)網(wǎng)帶動的邊緣計算，加入新式存儲器技術后，確實能讓整個產(chǎn)業(yè)的發(fā)展如虎添翼。

新式存儲器技術已經(jīng)被提出將近 20 年，成熟之路是跌跌撞撞。直到 2015 年，英特爾的 3D XPoint 技術橫空出世，被認為是類似于 PCRAM 的結構，整個新式存儲技術才算是豁然開朗，之后幾年的發(fā)展更是勢如破竹。

為了替新式存儲器產(chǎn)業(yè)添柴火，身為全球半導體龍頭的應用材料針對 MRAM 、 PCRAM 、ReRAM 推出兩款機臺設備：Endura Clover MRAM 物理氣相沉積（PVD）機臺，以及 Endura Impulse 物理氣相沉積（PVD）機臺，成為推動該產(chǎn)業(yè)發(fā)展的有力推手。

DeepTech 通過與應用材料兩位專家，分別是應用材料中國區(qū)事業(yè)部總經(jīng)理兼首席技術官趙甘鳴博士，以及應用材料金屬沉積產(chǎn)品全球產(chǎn)品經(jīng)理周春明博士的對話，來一窺新式存儲器將帶給這個世界什么樣的變化，借此見證存儲產(chǎn)業(yè)的歷史轉折。

因為，計算能力已不再是單獨的處理器能力決定，而是說處理器跟存儲器之間來回的傳輸數(shù)據(jù)，也因為面臨瓶頸，導致計算能力無法再前進。Near Memory Computing 的定義，就是用大量的高帶寬、大容量，把存儲器和計算處理器更緊密連在一起，在系統(tǒng)層級增加計算性能。

這概念其實都是用現(xiàn)有的構建模塊，比如 DRAM、NAND 、SRAM 等去實現(xiàn)，未來也逐漸與新式存儲器 MRAM、ReRAM、PCRAM 結合來增加計算性能，并且打造“存儲器計算”（In-Memory Computating）的基礎。

In-Memory Computating 在這幾年是個非?；鸬母拍睿赡苓€要至少 3 ~ 5 年的時間才能實現(xiàn)。不同于 Near Memory Computing 是把存儲跟處理放得更靠近，In-Memory Computating 就是把存儲和處理器整合在一起進行計算，就沒有傳輸、延遲等問題，并且大幅提升效能。

在 MRAM 制造過程中，需要在一個平臺上實現(xiàn)超過 10 種材料、超過 30 層薄膜的堆積、沉積是非常復雜的。相較之下， PCRAM 和 ReRAM 沒有那么多層，但它還是有很多層的結構，包括電極、選擇器、存儲器，里面的材料非常獨特。比如說 PCRAM，其材料結構是 GST ，包含鍺 Ge 、銻 Sb、碲 Te，并不是常用的材料，挑戰(zhàn)是如何沉積這些復合材料，控制其組分。

針對 PCRAM 和 ReRAM 大規(guī)模量產(chǎn)，應用材料對應的設備為 Endura Impulse PVD 系統(tǒng)，可嚴格控制多組分材料成分，同時可以實現(xiàn)出色的薄膜厚度、均勻性、界面控制。以大趨勢觀之，新式存儲器的大規(guī)模量產(chǎn)會從嵌入式開始，比如臺積電將 ReRAM 和 MRAM 嵌入至現(xiàn)有工藝，之后新式存儲技術才會往獨立存儲器領域發(fā)展，因為其需要的密度會更高。

迎接“數(shù)據(jù)爆炸”時代，芯片急需高計算性能，偏偏遇上摩爾定律放緩的時代，而類腦芯片、量子計算距離實現(xiàn)又太遠，新式存儲技術在磨刀多年后，遇上設備材料實現(xiàn)突破，正好可以趕上萬物互連、海量數(shù)據(jù)計算的時代，上戰(zhàn)場打仗。

新式存儲器大規(guī)模量產(chǎn)之際，正好遇上國內(nèi)的 3D NAND 和 DRAM 兩種傳統(tǒng)存儲器要加入國際競爭舞臺一搏高下之時。雖然彼此應用領域、層面相異，但湊巧地，新舊技術同樣走在歷史轉折的一頁，互相見證全球科技產(chǎn)業(yè)鋪成的軌跡。