（memdec）ld應(yīng)用于生成對(duì)存儲(chǔ)器的片選、de以及we信號(hào)中。片選信號(hào)是在刷新周期以外、當(dāng)?shù)刂犯呶唬╯a16～sa19）為dh（將d0000h～dffffh設(shè)置在sram主板空間）、且bale為低電平
2020-12-10 16:44:18
控制信號(hào)有些不同的地方。 深圳市英尚微電子有限公司是一家專業(yè)的靜態(tài)隨機(jī)記憶體產(chǎn)品及方案提供商，十年來專業(yè)致力代理分銷存儲(chǔ)器芯片IC, SRAM、MRAM、pSRAM、 FLASH芯片、SDRAM
2017-06-02 10:45:40
SRAM 即靜態(tài)RAM.它也由晶體管組成，SRAM的高速和靜態(tài)特性使它們通常被用來作為Cache存儲(chǔ)器。計(jì)算機(jī)的主板上都有Cache插座。下圖所示的是一個(gè)SRAM的結(jié)構(gòu)框圖。由上圖看出SRAM一般由
2022-11-17 14:47:55
從三個(gè)層面認(rèn)識(shí)SRAM存儲(chǔ)器
2021-01-05 07:09:10
靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器SRAM是什么？有何優(yōu)缺點(diǎn)？動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器DRAM是什么？有何優(yōu)缺點(diǎn)？
2021-12-24 07:04:20
靜態(tài)RAM的基本構(gòu)造塊是SRAM存儲(chǔ)單元。通過升高字線的電平觸發(fā)存儲(chǔ)單元，再通過位線對(duì)所觸發(fā)的存儲(chǔ)單元進(jìn)行讀出或?qū)懭?。在靜態(tài)CMOS存儲(chǔ)器中，存儲(chǔ)單元陣列將會(huì)占去整個(gè)存儲(chǔ)器芯片面積的一半以上，在一些
2020-06-05 15:18:24
驅(qū)動(dòng)器和磁泡存儲(chǔ)器。從1970年代開始，主流的集成半導(dǎo)體存儲(chǔ)器則主要分為三類：動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 (DRAM)、靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 (SRAM) 和閃存。計(jì)算機(jī)內(nèi)存主要是DRAM和SRAM。SRAM則
2021-12-08 07:23:46
sram存儲(chǔ)原理是依靠，概念靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（Static Random-Access Memory，SRAM）是隨機(jī)存取存儲(chǔ)器的一種。所謂的“靜態(tài)”，是指這種存儲(chǔ)器只要保持通電，里面儲(chǔ)存的數(shù)據(jù)
2021-07-27 06:06:26
以分成SRAM(Static RAM：靜態(tài)RAM)和DRAM(dynamic RAM：動(dòng)態(tài)RAM)。ROM是Read Only Memory的縮寫，翻譯過來就是只讀存儲(chǔ)器。常見的ROM又可分為掩膜ROM
2012-01-06 22:58:43
/SRAM 或通過 FSMC 的外部存儲(chǔ)器）。D總線：此總線用于將 Cortex?-M4F 數(shù)據(jù)總線和 64 KB CCM 數(shù)據(jù) RAM 連接到總線矩陣。內(nèi)核通過此總線進(jìn)行立即數(shù)加載和調(diào)試訪問。此總線訪問的對(duì)象...
2021-08-05 07:41:43
， 每塊區(qū)域的大小是 512MB（1）Block0 內(nèi)部區(qū)域功能劃分Block0 主要用于設(shè)計(jì)片內(nèi)的 FLASH，0x0000 0000-0x0007FFFF：取決于 BOOT 引腳，為 FLASH、系統(tǒng)存儲(chǔ)器、 SRAM 的別名。0x08000000-0x0807FFFF：片內(nèi) FLASH，我們編寫.
2022-01-20 08:21:34
存儲(chǔ)器存儲(chǔ)器是計(jì)算機(jī)系統(tǒng)中的記憶設(shè)備，用來存放程序和數(shù)據(jù)。隨著技術(shù)的發(fā)展，CPU的速度變化迅速，但存儲(chǔ)器的速度增加得較慢。這使得計(jì)算機(jī)的速度在很大程度上受限于存儲(chǔ)器速度。為了解決這個(gè)問題，設(shè)計(jì)了
2022-01-19 06:35:54
失是指存儲(chǔ)器斷電后，里面存儲(chǔ)的內(nèi)容是否會(huì)丟失，另一邊的速度而言呢，易失性存儲(chǔ)器的速度要快于非易失性存儲(chǔ)器。1.1 易失性存儲(chǔ)器 按照RAM的物理存儲(chǔ)機(jī)制，可以...
2021-07-16 07:55:26
SRAM：其特點(diǎn)是只要有電源加于存儲(chǔ)器，數(shù)據(jù)就能長(zhǎng)期保存?！ ?、動(dòng)態(tài)DRAM：寫入的信息只能保存若干ms時(shí)間，因此，每隔一定時(shí)間必須重新寫入一次，以保持原來的信息不變?！ 】涩F(xiàn)場(chǎng)改寫的非易失性存儲(chǔ)器
2017-10-24 14:31:49
SRAM：其特點(diǎn)是只要有電源加于存儲(chǔ)器，數(shù)據(jù)就能長(zhǎng)期保存。 2、動(dòng)態(tài)DRAM：寫入的信息只能保存若干ms時(shí)間，因此，每隔一定時(shí)間必須重新寫入一次，以保持原來的信息不變?！ 】涩F(xiàn)場(chǎng)改寫的非易失性存儲(chǔ)器
2017-12-21 17:10:53
目錄【1】存儲(chǔ)器的層次結(jié)構(gòu)【2】存儲(chǔ)器的分類【3】SRAM基本原理：結(jié)構(gòu)：芯片參數(shù)與引腳解讀：CPU與SRAM的連接方式【4】DRAM基本原理：結(jié)構(gòu)芯片引腳解讀：【5】存儲(chǔ)器系統(tǒng)設(shè)計(jì)【6】存儲(chǔ)器擴(kuò)展
2021-07-29 06:21:48
存儲(chǔ)器的理解存儲(chǔ)器是由簡(jiǎn)單的電子器件例如PMOS管、NMOS管進(jìn)行組合形成邏輯上的與非或門，之后在此基礎(chǔ)上，形成組合邏輯用于存儲(chǔ)信息，例如R-S鎖存器和門控D鎖存器，進(jìn)而進(jìn)一步組合復(fù)雜化，形成我們
2021-12-10 06:54:11
存儲(chǔ)器重新映射（Remap）的原因：◆使Flash存儲(chǔ)器中的FIQ處理程序不必考慮因?yàn)橹匦掠成渌鶎?dǎo)致的存儲(chǔ)器邊界問題；◆用來處理代碼空間中段邊界仲裁的SRAM和Boot Block向量的使用大大減少
2018-06-10 00:47:17
從個(gè)人電腦的角度看嵌入式開發(fā)板——小白學(xué)ARM（五）各種存儲(chǔ)器——SRAM、DRAM、SDRAM、ROM、NOR、NAND？？？mini2440開發(fā)板vs個(gè)人電腦各種存儲(chǔ)器——SRAM、DRAM
2021-12-21 06:01:19
加起來肯定是填不滿的。一般來說， 0X00000000依次開始存放FLASH——0X00000000，SRAM——0X40000000，BOOTBLOCK，外部存儲(chǔ)器 0X80000000，VPB（低速
2014-03-24 11:57:18
本章教程講解DMA存儲(chǔ)器到存儲(chǔ)器模式。存儲(chǔ)器到存儲(chǔ)器模式可以實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)在兩個(gè)內(nèi)存的快速拷貝。程序中，首先定義一個(gè)靜態(tài)的源數(shù)據(jù)，存放在內(nèi)部 FLASH，然后使用DMA傳輸把源數(shù)據(jù)拷貝到目標(biāo)地址上（內(nèi)部SRAM），最后對(duì)比源數(shù)據(jù)和目標(biāo)地址的數(shù)據(jù)，判斷傳輸是否準(zhǔn)確。
2023-04-17 15:28:08
問題一：位圖都存儲(chǔ)在哪了？都在程序存儲(chǔ)器里嗎問題二：能不能將位圖存儲(chǔ)到外部?jī)?nèi)存中？問題三：F429的程序存儲(chǔ)器和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器有多大？
2020-05-20 04:37:13
地擦除，而EEPROM可以單個(gè)字節(jié)擦除。SRAM是靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器。它是一種具有靜止存取功能的內(nèi)存，不需要刷新電路即能保存它內(nèi)部存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)。注意：SRAM和SDRAM是不相同的，SDRAM是同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)
2022-03-02 07:20:19
數(shù)據(jù) (L1D) 存儲(chǔ)器。另外，每個(gè) CorePac 還擁有局域的二級(jí)統(tǒng)一存儲(chǔ)器。每個(gè)局域存儲(chǔ)器均能獨(dú)立配置成存儲(chǔ)器映射的SRAM、高速緩存，或是兩者的組合。 KeyStone 架構(gòu)包含共享的存儲(chǔ)器子系統(tǒng)，其由
2011-08-13 15:45:42
SRAM(StaticRandom-AccessMemory）：靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器，所謂的“靜態(tài)”，是指這種存儲(chǔ)器只要保持通電，里面儲(chǔ)存的數(shù)據(jù)就可以恒常保持。DRAM（Dynamic Random
2021-11-03 06:22:12
當(dāng)系統(tǒng)運(yùn)行了一個(gè)嵌入式實(shí)時(shí)操作系統(tǒng)時(shí)（RTOS），操作系統(tǒng)通常都是使用非易失的
存儲(chǔ)器來運(yùn)行軟件以及采集數(shù)據(jù)。
存儲(chǔ)器的選擇面很廣闊，其中包括電池供電的
SRAM（靜態(tài)隨機(jī)訪問儲(chǔ)存
器），各種各樣的閃存以及串口EEPROM（電可擦的，可編程的只讀
存儲(chǔ)器）?！ ?/div>
2019-06-28 08:29:29
512KB FLASH，64KB SRAM可是在看到手冊(cè)上的存儲(chǔ)器映像時(shí)，系統(tǒng)存儲(chǔ)器并沒有包括在512KB的FLASH中，那這BOOTLOADER存在哪了呢？沒有接觸過BOOTLOADER，十分不解，還請(qǐng)大家給解答。
2014-11-26 21:05:35
STM32 存儲(chǔ)器一 存儲(chǔ)器組織1. FLASH2. SRAM3. 啟動(dòng)一 存儲(chǔ)器組織程序存儲(chǔ)器、數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器、寄存器和輸入輸出端口被組織在同一個(gè)4GB的線性地址空間內(nèi)。數(shù)據(jù)字節(jié)以小端格式存放在存儲(chǔ)器
2021-08-02 06:06:32
為什么有的電子設(shè)備用eMMC存儲(chǔ)器 ？而有的用DDR存儲(chǔ)器呢？這兩者有什么區(qū)別嗎？
2021-06-18 06:13:25
：Flash、SRAM等。只有加入了這些東西，才能成為一個(gè)擁有實(shí)際意義的、可以工作的處理芯片——STM32。STM32的存儲(chǔ)器地址空間被劃分為大小相等的8塊區(qū)域，每塊區(qū)域大小為512MB。對(duì)STM32存儲(chǔ)器知識(shí)
2018-08-14 09:22:26
什么是EEPROM存儲(chǔ)器？
2021-11-01 07:24:44
單元的通路，稱為位線。每一個(gè)存儲(chǔ)單元都能通過選擇適當(dāng)?shù)淖志€和位線被唯一地定位。宇芯有限公司介紹關(guān)于SRAM存儲(chǔ)器的讀操作分析。 圖1 六管單元的讀出操作 SRAM存儲(chǔ)單元讀操作分析存儲(chǔ)單元的讀操作是指被
2020-04-29 17:27:30
為例，即有256kb的flash存儲(chǔ)器和8K的sram存儲(chǔ)器 一、CC2530里的四種存儲(chǔ)空間（結(jié)構(gòu)上劃分的存儲(chǔ)空間，并不是實(shí)際的存儲(chǔ)器，是一種理論上的概念） 1.CODE 程序存儲(chǔ)器用處存放程序代碼
2016-04-15 15:30:05
1、第一個(gè)圖中的由CPLD傳來的信號(hào)存儲(chǔ)到SRAM中，但是SRAM之后沒有連接別的芯片，信號(hào)一直待在存儲(chǔ)器里嗎，這個(gè)SRAM存儲(chǔ)器有什么用？。2、第二個(gè)圖中的SRAM存儲(chǔ)器連接在CPLD和USB芯片之間，起到信號(hào)暫存的作用，很好理解。兩種CPLD和SRAM的連接方式有什么區(qū)別？求解答謝謝大佬們
2020-04-01 17:45:39
時(shí)，其中的 信息都會(huì)隨之丟失。 DRAM主要用于主存（內(nèi)存的主體部分），SRAM主要用于高速緩存存儲(chǔ)器?！ 。?）只讀存儲(chǔ)器（ROM）特點(diǎn)：只讀存儲(chǔ)器的特點(diǎn)是只能讀出不能隨意寫入信息，在主板上的ROM
2020-12-25 14:50:34
Memory4、EPROM——(UV)Erazible Programmable ROM5、EEPROM/E2PROM——Electrical ErasableProgrammable ROM6、靜態(tài)存儲(chǔ)器 SRAM——Static RAM(動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)器 DRAM——Dynamic RAM)7、按字節(jié)尋
2022-01-26 07:30:11
存儲(chǔ)器是由哪些存儲(chǔ)單元構(gòu)成的？存儲(chǔ)器是用來做什么的？單片機(jī)中的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器RAM有哪些特性呢？
2022-01-17 06:52:14
單片機(jī)的程序存儲(chǔ)器和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器共處同一地址空間為什么不會(huì)發(fā)生總線沖突呢？
2023-05-10 15:17:56
你好，我懷疑，在4Mbit（128 K×32）流水線同步SRAM（CY7C1339 G）。沒有這個(gè)引腳ADSP，ADSC，我能得到同步SRAM內(nèi)存。我可以用作為一個(gè)外部存儲(chǔ)器，如果我能比我用ADSP
2019-08-15 07:02:35
，TMS320C32可以從8/16/32位存儲(chǔ)器中訪問8/16/32位數(shù)據(jù)，或者從16/32位存儲(chǔ)器中執(zhí)行32位的程序。但是如果內(nèi)外部數(shù)據(jù)的位數(shù)不一致時(shí)該如何處理呢?C32的外部總線控制寄存器可以根據(jù)
2019-06-14 05:00:08
，通?？梢允褂玫?b class="flag-6" style="color: red">存儲(chǔ)器有片上存儲(chǔ)器和片外存儲(chǔ)器，其中前者指的是FPGA內(nèi)嵌的存儲(chǔ)器，如片上RAM、FIFO、緊耦合存儲(chǔ)器等；后者為FPGA片外存儲(chǔ)器，如SRAM、SDRAM等。本文介紹了將片內(nèi)存儲(chǔ)器
2018-12-07 10:27:46
的測(cè)試系統(tǒng)應(yīng)運(yùn)而生。本文提出了一種多功能存儲(chǔ)器芯片的測(cè)試系統(tǒng)硬件設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn)，對(duì)各種數(shù)據(jù)位寬的多種存儲(chǔ)器芯片（SRAM、MRAM、NOR FALSH、NAND FLASH、EEPROM等）進(jìn)行了詳細(xì)的結(jié)口
2019-07-26 06:53:39
如何為網(wǎng)絡(luò)應(yīng)用選擇合適的同步SRAM存儲(chǔ)器？
2021-05-24 06:13:40
AHB接口的作用有哪些？什么是FSMC的地址映射呢？如何使用FSMC外接存儲(chǔ)器呢？
2021-12-15 07:32:27
存儲(chǔ)器的MOVX指令該怎樣去使用呢？怎樣去調(diào)用存儲(chǔ)器的窗口呢？
2022-01-21 07:15:01
本人新手，需要構(gòu)建一個(gè)使用大量SRAM存儲(chǔ)器的應(yīng)用，求指點(diǎn)，具體需求如下：需要大量的高速存儲(chǔ)，只能使用SRAM才能滿足要求，計(jì)劃使用10塊8M的片外SRAM。目前我已學(xué)會(huì)基本的知識(shí)（看完芯航線
2019-08-07 15:25:58
：1.Low power SRAM (低功耗靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器)1Mbit-16Mbit.2.Async Fast SRAM(異步高速SRAM）4Mbit-72Mbit.3.Sync Fast SRAM(同步高速
2013-08-23 11:00:03
開關(guān)電路，搭建存儲(chǔ)器編程開發(fā)環(huán)境，讀寫國(guó)產(chǎn)Lyontek的SRAM芯片：LY62L5128。國(guó)產(chǎn)的存儲(chǔ)器好像比較少，支持一下。 一，LY62L5128 CMOS SRAM 靜態(tài)存儲(chǔ)器（SRAM）是由
2016-08-30 04:32:10
存儲(chǔ)器可分為哪幾類？存儲(chǔ)器有哪些特點(diǎn)？存儲(chǔ)器有哪些功能？
2021-10-20 06:46:21
數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器 FLASH程序存儲(chǔ)器 FLASH數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器 片內(nèi)RAM數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器16M字節(jié)外部數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器各有什么區(qū)別？特點(diǎn)？小弟看到這段 很暈。ADuC812的用戶數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器包含三部分，片內(nèi)640字節(jié)的FLASH數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器、256字節(jié)的RAM以及片外可擴(kuò)展到16M字節(jié)的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器。求助高手。解釋一下不同。
2011-11-29 09:50:46
組成該存儲(chǔ)器需要多少片ROM芯片和SRAM芯片？ROM芯片、SRAM芯片各需連接CPU的那幾根地址線和數(shù)據(jù)線？
2021-10-27 06:52:43
虛擬存儲(chǔ)器具有哪些功能呢？虛擬存儲(chǔ)器的特征有哪些呢？
2021-12-23 09:04:39
計(jì)算機(jī)中的存儲(chǔ)器有何用途呢？半導(dǎo)體存儲(chǔ)器可分為哪幾類呢？
2022-01-21 06:12:54
隨著微電子技術(shù)的迅猛發(fā)展，SRAM存儲(chǔ)器逐漸呈現(xiàn)出高集成度、快速及低功耗的發(fā)展趨勢(shì)。在半導(dǎo)體存儲(chǔ)器的發(fā)展中，靜態(tài)存儲(chǔ)器(SRAM)由于其廣泛的應(yīng)用成為其中不可或缺的重要一員。下面詳細(xì)介紹關(guān)于SRAM
2022-11-17 16:58:07
嗨，我想知道哪種類型的存儲(chǔ)器IC可以與基于SRAM的FPGA（即Spartan 3系列）一起使用，以將程序文件（.bit文件）存儲(chǔ)在其中。是否有選擇這些設(shè)備的文檔？此外，Xilinx還制造了任何此類存儲(chǔ)芯片。謝謝，阿文德古普塔
2019-08-07 09:42:51
而言，鐵電存儲(chǔ)器具有一些獨(dú)一無二的特性。傳統(tǒng)的主流半導(dǎo)體存儲(chǔ)器可以分為兩類--易失性和非易失性。易失性的存儲(chǔ)器包括靜態(tài)存儲(chǔ)器SRAM和動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)器DRAM。SRAM和DRAM在掉電的時(shí)候均會(huì)失去保存的數(shù)據(jù)
2011-11-19 11:53:09
而言，鐵電存儲(chǔ)器具有一些獨(dú)一無二的特性。傳統(tǒng)的主流半導(dǎo)體存儲(chǔ)器可以分為兩類--易失性和非易失性。易失性的存儲(chǔ)器包括靜態(tài)存儲(chǔ)器SRAM和動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)器DRAM。SRAM和DRAM在掉電的時(shí)候均會(huì)失去保存的數(shù)據(jù)
2011-11-21 10:49:57
記憶。浮置柵被設(shè)計(jì)成可以存儲(chǔ)電荷的構(gòu)造，柵極及主板利用氧化膜進(jìn)行了絕緣處理，一次積累的電荷可以長(zhǎng)時(shí)間（10 年以上）保持。當(dāng)然，如果氧化膜存在缺陷，或者由于某種原因使絕緣膜遭到破壞，那么閃速存儲(chǔ)器將失去
2018-04-10 10:52:59
靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器SRAM存儲(chǔ)數(shù)據(jù)原理
2021-02-26 06:36:26
存儲(chǔ)器的種類很多，按存儲(chǔ)類型來分，可分為FLASH存儲(chǔ)器、EPROM存儲(chǔ)器、EEPROM存儲(chǔ)器、SRAM存儲(chǔ)器等。FLASH的特點(diǎn)是必擦除以后才能編程；EEPROM寫入速度較慢，通常為ms（毫秒）級(jí)，不
2010-08-09 14:52:20
59 使用新SRAM工藝實(shí)現(xiàn)嵌入式ASIC和SoC的存儲(chǔ)器設(shè)計(jì)基于傳統(tǒng)六晶體管(6T)存儲(chǔ)單元的靜態(tài)RAM存儲(chǔ)器塊一直是許多嵌入式設(shè)計(jì)中使用ASIC/SoC實(shí)現(xiàn)的開發(fā)人員所采用的利器，因
2009-02-01 09:11:51
1164 
SRAM,SRAM原理是什么?
靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器SRAM。
SRAM主要用于二級(jí)高速緩存(Level2 C ache)。它利用晶體管來存儲(chǔ)數(shù)據(jù)。與DRAM相比，SRAM的速度快
2010-03-24 16:11:328479 本應(yīng)用筆記介紹如何利用IAR嵌入式工作臺(tái)工具分配和存取MAXQ微控制器上的閃存和SRAM存儲(chǔ)器。
2012-06-21 14:44:172281 
sram（靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器）是一種只要在供電條件下便能夠存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)器件，而且是大多數(shù)高性能系統(tǒng)的一個(gè)關(guān)鍵部分。sram具有眾多的架構(gòu)，各針對(duì)一種特定的應(yīng)用。本文旨在對(duì)目前市面上現(xiàn)有的sram做全面評(píng)述。
2017-11-03 18:03:052730 隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（RAM）特點(diǎn)：包括DRAM（動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器）和SRAM（靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器），當(dāng)關(guān)機(jī)或斷電時(shí)，其中的 信息都會(huì)隨之丟失。 DRAM主要用于主存（內(nèi)存的主體部分），SRAM主要用于高速緩存存儲(chǔ)器。
2019-01-07 16:46:4915156 實(shí)驗(yàn)?zāi)康?. 認(rèn)識(shí) DEC2812 外部存儲(chǔ)器 SRAM； 2. 熟悉 SRAM 的讀取操作。
2019-07-31 16:12:0016 文件系統(tǒng)就不能完全滿足需求。通常的解決辦法是將數(shù)據(jù)直接存儲(chǔ)在非易性存儲(chǔ)器中（NVRAM）。NVRAM有兩種基本類型，一是基于SRAM的傳統(tǒng)NVRAM，另一種是近些年廣泛使用的鐵電存儲(chǔ)器，與傳統(tǒng)的基于SRAM技術(shù)的存儲(chǔ)器相比，鐵電存儲(chǔ)器在信號(hào)接口、操作功耗方面
2019-11-14 09:46:351228 
外部SRAM是指連接在FPGA外部的靜態(tài)RAM（SRAM）。外部SRAM存儲(chǔ)器也有很多種類。對(duì)于外部SRAM的選擇是由應(yīng)用需求的性質(zhì)決定的。使用外部SRAM存儲(chǔ)器兼具優(yōu)缺點(diǎn)。 優(yōu)點(diǎn) 外部SRAM
2019-11-18 23:20:225234 關(guān)鍵詞：異步SRAM , SRAM SRAM是Static Random-Access Memory的縮寫，中文稱為靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器。SRAM是一種具有靜止存取功能的存儲(chǔ)器，不需要通過刷新電路就能保存
2020-03-08 17:15:003527 
8 BIT 單片機(jī)，由于能支持的RAM存儲(chǔ)比較小，內(nèi)部緩存又不夠；或者16 BIT MCU，支持的RAM比較大，但對(duì)低功耗有要求而無法用DRAM的系統(tǒng)。那么如何設(shè)計(jì)SRAM存儲(chǔ)主板呢?下面由英尚微電子介紹SRAM存儲(chǔ)器主板基本設(shè)計(jì)的五大步驟。 1.地址緩沖器在提供給存儲(chǔ)器的
2020-04-28 14:16:361185 隨著微電子技術(shù)的迅猛發(fā)展，SRAM存儲(chǔ)器逐漸呈現(xiàn)出高集成度、快速及低功耗的發(fā)展趨勢(shì)。在半導(dǎo)體存儲(chǔ)器的發(fā)展中，靜態(tài)存儲(chǔ)器(SRAM)由于其廣泛的應(yīng)用成為其中不可或缺的重要一員。下面由英尚微電子詳細(xì)介紹
2020-04-30 15:48:132878 
目前針對(duì)不同的應(yīng)用市場(chǎng)，SRAM產(chǎn)品的技術(shù)發(fā)展已經(jīng)呈現(xiàn)出了兩大趨勢(shì)：一是向高性能通信網(wǎng)絡(luò)所需的高速器件發(fā)展，由于讀寫速度快，SRAM存儲(chǔ)器被用作計(jì)算機(jī)中的高速緩存，提高它的讀寫速度對(duì)于充分發(fā)揮
2020-04-30 14:58:021446 
半導(dǎo)體存儲(chǔ)器SRAM是靠雙穩(wěn)態(tài)存儲(chǔ)信息,而半導(dǎo)體存儲(chǔ)器DRAM則是靠電容存儲(chǔ)，半導(dǎo)體靜態(tài)存儲(chǔ)器SRAM的存儲(chǔ)原理是依靠雙穩(wěn)態(tài)電路存儲(chǔ)器中最小的存儲(chǔ)單位就是一個(gè)雙穩(wěn)態(tài)半導(dǎo)體電路或一個(gè)CMOS晶體管
2020-05-10 10:10:547053 最近30年，隨著微電子技術(shù)的飛速發(fā)展，半導(dǎo)體存儲(chǔ)器也正朝著顯著的方向發(fā)展，由于DRAM具有高密度和每位低價(jià)格的優(yōu)點(diǎn)，已成為了生產(chǎn)最多的用于計(jì)算機(jī)主體的易失性存儲(chǔ)器（也稱為揮發(fā)性存儲(chǔ)器）。SRAM
2020-05-19 09:27:541903 SRAM不需要刷新電路即能保存它內(nèi)部存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)。SRAM存儲(chǔ)器具有較高的性能，但是SRAM芯片也有它的缺點(diǎn)，即它的集成度較低，功耗較DRAM大。SRAM的速度快但昂貴，一般用小容量的SRAM作為更高
2020-07-16 14:07:445228 
本文檔的主要內(nèi)容詳細(xì)介紹的是SRAM存儲(chǔ)器接口的Protel DXP電路圖免費(fèi)下載。
2020-07-28 17:43:0513 正確的同步靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（SRAM）的選擇對(duì)于帶寬要求更高，系統(tǒng)性能更好的網(wǎng)絡(luò)應(yīng)用至關(guān)重要。系統(tǒng)設(shè)計(jì)人員需要了解不同同步SRAM技術(shù)的特性和優(yōu)勢(shì)，以便為其應(yīng)用選擇正確的存儲(chǔ)器。 決定正確的同步
2020-08-03 15:32:331159 
靜態(tài)數(shù)據(jù)隨機(jī)存儲(chǔ)器存儲(chǔ)器（SRAM）是隨機(jī)存儲(chǔ)器存儲(chǔ)器的一種。說白了的靜態(tài)數(shù)據(jù)，就是指這類存儲(chǔ)器要是維持接電源，里邊存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)信息就可以恒常維持。相對(duì)性下，動(dòng)態(tài)性隨機(jī)存儲(chǔ)器存儲(chǔ)器（DRAM）里邊所存儲(chǔ)
2020-08-10 16:43:2413590 存儲(chǔ)器概況 存儲(chǔ)器是計(jì)算機(jī)系統(tǒng)中的記憶設(shè)備，主要是用來存放程序和數(shù)據(jù)。存儲(chǔ)器按存儲(chǔ)特性可分為非易失和易失兩大類。目前常見的多為半導(dǎo)體存儲(chǔ)器。 非易失性存儲(chǔ)器 非易失存儲(chǔ)器是指在系統(tǒng)停止供電的時(shí)候仍然
2020-12-07 14:26:135413 
隨機(jī)存儲(chǔ)存儲(chǔ)器，可讀可寫，分為SRAM和DRAM，即靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器和動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器，理解上靜動(dòng)態(tài)主要體現(xiàn)是否需要刷新，通常DRAM需要刷新，否則數(shù)據(jù)將丟失;SRAM的效率較好，而成本較高，通常將SRAM作為cache使用。
2021-03-18 15:14:063763 低功耗SRAM存儲(chǔ)器應(yīng)用于內(nèi)有電池供電對(duì)功耗非常敏感的產(chǎn)品，是靜態(tài)隨機(jī)訪問存儲(chǔ)器的一種類別，靜態(tài)隨機(jī)訪問存儲(chǔ)器（SRAM）作為最重要的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器，廣泛地嵌入于高性能微處理器。隨著集成電路制造工藝
2021-06-08 16:49:321933 隨著微電子技術(shù)的迅猛發(fā)展，SRAM存儲(chǔ)器逐漸呈現(xiàn)出高集成度、快速及低功耗的發(fā)展趨勢(shì)。在半導(dǎo)體存儲(chǔ)器的發(fā)展中，靜態(tài)存儲(chǔ)器(SRAM)由于其...
2022-02-07 11:25:292 SRAM是一種具有靜止存取功能內(nèi)存的靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器，不需要進(jìn)行刷新電路便能保存它內(nèi)部存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)。
2022-11-17 15:07:54452 SRAM也是易失性存儲(chǔ)器，但是，與DRAM相比，只要設(shè)備連接到電源，信息就被存儲(chǔ)，一旦設(shè)備斷開電源，就會(huì)失去信息。
這個(gè)設(shè)備比DRAM要復(fù)雜得多，它一般由6個(gè)晶體管組成，因此被稱為6T存儲(chǔ)器(如圖1)。
2023-03-21 14:27:014723 
存儲(chǔ)器：存儲(chǔ)器是MCU主板的重要組成部分，用于存儲(chǔ)程序代碼和數(shù)據(jù)。主板上通常包括閃存、SRAM、EEPROM等存儲(chǔ)器。
2023-04-01 17:49:174499 
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