半導體存儲器分類

1、按功能分為

（1）隨機存取存儲器（RAM）特點：包括DRAM（動態(tài)隨機存取存儲器）和SRAM（靜態(tài)隨機存取存儲器），當關機或斷電時，其中的 信息都會隨之丟失。 DRAM主要用于主存（內(nèi)存的主體部分），SRAM主要用于高速緩存存儲器。

（2）只讀存儲器（ROM）特點：只讀存儲器的特點是只能讀出不能隨意寫入信息，在主板上的ROM里面固化了一個基本輸入/輸出系統(tǒng)，稱為BIOS（基本輸入輸出系統(tǒng)）。其主要作用是完成對系統(tǒng)的加電自檢、系統(tǒng)中各功能模塊的初始化、系統(tǒng)的基本輸入/輸出的驅(qū)動程序及引導操作系統(tǒng)。

2、按其制造工藝可分為

（1）雙極型存儲器特點：運算速度比磁芯存儲器速度約快 3個數(shù)量級，而且與雙極型邏輯電路型式相同，使接口大為簡化。

（2）MOS晶體管存儲器特點：集成度高、容量大、體積小、存取速度快、功耗低、價格便宜、維護簡單。

3、按其存儲原理分為

（1）靜態(tài)存儲器特點：需要電源才能工作，只要電源正常，就能長期穩(wěn)定的保存信息。

（2）動態(tài)存儲器特點：超大容量的存儲技術，跟其它類型的存儲器相比，每兆比特的價格為最低。