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最近30年，隨著微電子技術(shù)的飛速發(fā)展，半導(dǎo)體存儲器也正朝著顯著的方向發(fā)展，由于DRAM具有高密度和每位低價格的優(yōu)點，已成為了生產(chǎn)最多的用于計算機主體的易失性存儲器（也稱為揮發(fā)性存儲器）。SRAM的密度一般比DRAM要落后一代。然而SRAM具有的低功耗和高性能的特點，使它們成為了DRAM的實際替代者?，F(xiàn)今大量用于商品的SRAM使用NMOS和PMOS技術(shù)制造（或者兩種技術(shù)的結(jié)合，稱為混合MOS）。
1995年半導(dǎo)體存儲器的銷售額占總IC市場的42%，但是隨著1995年的強勁增長，存儲器的價格在接著的三年中急劇下降。到1998年存儲器的銷售額只占總IC市場的21%。在20世紀(jì)90年代半導(dǎo)體存儲器的銷售額平均約為IC總銷售額的30%。曾經(jīng)預(yù)言在2005年以前IC的總銷售額中存儲器的市場份額都將逐漸增加。在高密度和高速應(yīng)用方面，正在采用雙極型和MOS技術(shù)的各種結(jié)合。
半導(dǎo)體存儲器的種類繁多，通常從功能上可將其分為只讀儲器（ROM）和隨機存儲器（RAM）。只讀存儲器的特點是其內(nèi)容在計算機開機使用之前已經(jīng)寫入，開機后只能讀出使用而不能寫入，且儲存數(shù)據(jù)不會因系統(tǒng)的掉電而丟失。它主要面向已經(jīng)定型的程序或?qū)Ｓ脭?shù)據(jù)。
隨機存儲器的特點是可以隨時對其進(jìn)行讀寫操作，但電源切斷時，儲存的信息會隨之消失。在隨機存儲器中按照對數(shù)據(jù)操作方式的不同，可以將RAM分為動態(tài)存儲器（DRAM）與靜態(tài)存儲器（SRAM）；SRAM的密度和性能通常通過等比例縮小器件的幾何形狀來增強。已發(fā)展了具有亞微米尺寸的先進(jìn)的4Mb到16MbSRAM芯片的設(shè)計和系統(tǒng)結(jié)構(gòu)，現(xiàn)在可以得到商業(yè)芯片。DRAM發(fā)展中的主要改進(jìn)是從三晶體管（3T）設(shè)計轉(zhuǎn)變?yōu)閱尉w管（1T）設(shè)計，使得可以生產(chǎn)采用3-D溝槽電容器和堆疊電容器的4Mb到16Mb密度的芯片。lw
半導(dǎo)體SRAM存儲器綜述
- 半導(dǎo)體(200951)
- 存儲器(161606)
- sram(113777)
- SRAM存儲器(13126)
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閃速存儲器 （Flash Memory）簡稱閃存器或閃存，是一種非易失性存儲器(Non-volatile Memory， NVM)。目前常用的兩種閃存器是或非閃存器 (NOR Flash）和與非閃存
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當(dāng)前，越南的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)規(guī)模相對較小，與臺日韓以及中國業(yè)者相比，依然較為有限。越南北部的半導(dǎo)體企業(yè)以封測和組裝制造為主，產(chǎn)品主要應(yīng)用于存儲器。而越南南部的半導(dǎo)體企業(yè)主要專注于IC設(shè)計，目前只有英特爾
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353半導(dǎo)體存儲器的介紹與分類
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2023-11-15 10:20:01731
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三星：半導(dǎo)體市場明年將復(fù)蘇
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2023-10-31 11:39:06592
592華為公開半導(dǎo)體芯片專利：可提高三維存儲器的存儲密度
根據(jù)專利摘要，該申請涉及提高三維存儲器存儲密度的半導(dǎo)體芯片技術(shù)領(lǐng)域。這個半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的外部層沉積層、電容器、第一次接觸柱子及首家信號線組成，外圍堆疊層包括層疊設(shè)置的多個膜層對，膜層對第一個防止介質(zhì)層和柵極層，包括各雙膜形成多個臺階。
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AT89C52怎么選擇外部存儲器？
大家有誰知道AT89C52怎么選擇外部存儲器，我之前用的是P89V51，選擇外部存儲器是定義AUXR=0x02;，但是現(xiàn)在想用AT89C52單片了，程序該怎么改了??？？AT89C52手??冊上找不到怎么選擇外部存儲器說明，各位高手有誰知道啊 ？?
2023-10-26 06:11:25
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存儲領(lǐng)域發(fā)展至今，已有很多不同種類的存儲器產(chǎn)品。下面給大家介紹幾款常見的存儲器及其應(yīng)用。
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首批參會企業(yè)名單亮相！GMIF2023全球存儲器行業(yè)創(chuàng)新論壇與您相約深圳
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使用STM32設(shè)計HMI_綜述
頻率可達(dá)216MHz/2(fCLK = HCLK /2)? 支持的存儲器類型? 靜態(tài)存儲支持? SRAM? PSRAM? NOR/ONENAND? ROM? LCD接口? 支持8080和6800模式
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存儲器的工作原理、分類及結(jié)構(gòu)
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2023-09-09 16:18:272105
2105STM32F7系統(tǒng)架構(gòu)和存儲器映射
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PrimeCell AHB SDR和SRAM/NOR存儲器控制器（PL243）技術(shù)參考手冊
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PrimeCell AHB SRAM/NOR存儲器控制器（PL241）技術(shù)參考手冊
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AHB MC利用了新開發(fā)的靜態(tài)存儲器控制器（SMC）。AHB MC有一個
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從RAM到閃存：電子設(shè)備中的數(shù)據(jù)如何存儲與訪問?
半導(dǎo)體存儲器是當(dāng)今電子設(shè)備的核心組件，從智能手機到高性能計算機，幾乎所有設(shè)備都需要某種形式的半導(dǎo)體存儲器。根據(jù)應(yīng)用需求和工作原理，半導(dǎo)體存儲器可以分為兩大類：內(nèi)存和閃存。本文將介紹這兩大類存儲器的種類和工作原理。
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dram存儲器斷電后信息會丟失嗎 dram的存取速度比sram快嗎
DRAM（Dynamic Random Access Memory）存儲器是一種易失性存儲器，意味著當(dāng)斷電時，存儲在其中的信息會丟失。這是因為DRAM使用電容來存儲數(shù)據(jù)，電容需要持續(xù)地充電來保持?jǐn)?shù)據(jù)的有效性。一旦斷電，電容會迅速失去電荷，導(dǎo)致存儲的數(shù)據(jù)丟失。
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2204半導(dǎo)體存儲器的介紹與分類
何謂半導(dǎo)體存儲器？ 半導(dǎo)體存儲器是指通過對半導(dǎo)體電路加以電氣控制，使其具備數(shù)據(jù)存儲保持功能的半導(dǎo)體電路裝置。 與磁盤和光盤裝置等相比，具有 數(shù)據(jù)讀寫快 存儲密度高 耗電量少 耐震 等特點。 關(guān)閉電源
2023-07-12 17:01:131098
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物聯(lián)網(wǎng)與半導(dǎo)體存儲器：一段推動市場增長的聯(lián)動史
，工業(yè)自動化，醫(yī)療保健，交通和物流等領(lǐng)域，物聯(lián)網(wǎng)都正在發(fā)揮著越來越重要的作用。然而，這個巨大的、連接一切的網(wǎng)絡(luò)背后的關(guān)鍵組件——半導(dǎo)體存儲器，也因此受益匪淺，市場
2023-06-30 10:08:22694
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回顧易失性存儲器發(fā)展史
，非易失性存儲器在計算機關(guān)閉后存儲數(shù)據(jù)仍保留在計算機中。易失性存儲器的主要特征是它們需要電源來維持其存儲狀態(tài)。主要分為兩種類型：靜態(tài)隨機存取存儲器(SRAM)和動態(tài)隨機存取存儲器(DRAM)。 1963年，F(xiàn)airchild發(fā)明了SRAM。作為即1959年I
2023-06-28 09:05:28874
874PLC系統(tǒng)的存儲器分類介紹
PLC系統(tǒng)中的存儲器主要用于存放系統(tǒng)程序、用戶程序和工作狀態(tài)數(shù)據(jù)。PLC的存儲器包括系統(tǒng)存儲器和用戶存儲器。
2023-06-26 14:02:453775
3775半導(dǎo)體存儲器簡介
半導(dǎo)體存儲器一般可分為易失性(Volatile Memory)和非易失性存儲器(Non Volatile Memory)。易失性存儲器是指數(shù)據(jù)信息只有在通電條件下才能保存，斷電后數(shù)據(jù)會丟失，主要有
2023-06-25 14:30:181959
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RA6快速設(shè)計指南 [9] 存儲器 (1)
I/O寄存器、程序ROM、數(shù)據(jù)閃存和外部存儲器區(qū)域。 圖16. RA6M3存儲器映射 8.1 SRAM RA6 MCU提供帶
2023-06-21 12:15:03421
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如何保存數(shù)據(jù)在SRAM存儲器中通過SW?
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* 詳細(xì)說明：
* 這個例子的目的是展示如何保存數(shù)據(jù)在 SRAM 存儲器中通過
2023-06-05 09:47:48
存儲器集成電路測試，記憶體積體電路測試，Memory IC Test
單獨的半導(dǎo)體存儲器可以利用存儲器專用測試設(shè)備進(jìn)行測試，該設(shè)備通常包含硬件算法圖形生成器 ( Algorithmnic Pattern Generator, APG),具有算術(shù)邏輯單元
2023-05-31 17:03:25659
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存儲器集成電路測試
存儲器是集成電路領(lǐng)域的通用器件，其市場用量巨大，從類型上分為 ROMEPROM、E2PROM、SRAM、DRAM、FLASH 等。
2023-05-30 09:56:44251
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什么是外部存儲器
磁表面存儲器——磁表面存儲器，它們都是利用涂敷在載體表面薄層磁性材料來記錄信息的，載體和表面磁性材料統(tǒng)稱為記錄介質(zhì)。
存儲密度——磁表面存儲器單位長度或單位面積磁層表面所能存儲的二進(jìn)制信息量
2023-05-26 11:27:061409
1409單板硬件設(shè)計：存儲器（ NAND FLASH)
在單板設(shè)計中，無論是涉及到一個簡易的CPU、MCU小系統(tǒng)或者是復(fù)雜的單板設(shè)計，都離不開存儲器設(shè)計：1、存儲器介紹存儲器的分類大致可以劃分如下：ROM和RAM指的都是半導(dǎo)體存儲器，ROM在系統(tǒng)停止供電
2023-05-19 17:04:36766
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單板硬件設(shè)計：存儲器（ NAND FLASH)
在單板設(shè)計中，無論是涉及到一個簡易的CPU、MCU小系統(tǒng)或者是復(fù)雜的單板設(shè)計，都離不開存儲器設(shè)計：
1、存儲器介紹
存儲器的分類大致可以劃分如下：
ROM和RAM指的都是半導(dǎo)體存儲器，ROM在系統(tǒng)
2023-05-19 15:59:37
太極半導(dǎo)體與佰維存儲?戰(zhàn)略合作簽約儀式圓滿舉行
總經(jīng)理張光明、佰維存儲董事長孫成思等出席了簽約儀式。 簽約儀式上，太極半導(dǎo)體董事長孫鴻偉與佰維存儲董事長孫成思作為雙方代表在簽約臺上正式簽約。此舉標(biāo)志著雙方全面戰(zhàn)略合作伙伴關(guān)系正式確立，太極半導(dǎo)體將依托自身車規(guī)級存儲器方面的
2023-05-12 21:23:572115
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單片機的程序存儲器和數(shù)據(jù)存儲器共處同一地址空間為什么不會發(fā)生總線沖突呢？
單片機的程序存儲器和數(shù)據(jù)存儲器共處同一地址空間為什么不會發(fā)生總線沖突呢？
2023-05-10 15:17:56
半導(dǎo)體存儲器和可編程邏輯器件簡介
半導(dǎo)體存儲器是一種能存儲大量二值信息的半導(dǎo)體器件。在電子計算機以及其他一些數(shù)字系統(tǒng)的工作過程中，都需要對大量的數(shù)據(jù)進(jìn)行存儲。因此，存儲器也就成為了數(shù)字系統(tǒng)不可缺少的組成部分。
2023-05-04 11:36:56425
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國產(chǎn)512kbit串行SRAM----SCLPSRAC1
EMI Serial SRAM是為串行接口的SRAM，外擴SRAM可以通過使用SPI的接口來將外部RAM添加到幾乎所有應(yīng)用中。串行訪問的靜態(tài)隨機存取存儲器采用先進(jìn)的CMOS技術(shù)進(jìn)行設(shè)計和制造，以提供高速性能和低功耗。
2023-04-27 17:37:44615
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如何為RT1172選擇FLASH存儲器？
通過quad SPI接口選擇FLASH存儲器與RT1172一起使用時，應(yīng)該將其設(shè)置為Buffer Read模式還是Continuous Read模式？
2023-04-27 06:03:21
CH32V103基礎(chǔ)教程28-DMA （外設(shè)到存儲器）
關(guān)于DMA，具有三種數(shù)據(jù)傳輸方式：存儲器到存儲器、存儲器到外設(shè)、外設(shè)到存儲器。在第十三章以及第二十七章，已講解存儲器到存儲器傳輸方式以及存儲器到外設(shè)傳輸方式，本章將講解DMA外設(shè)到存儲器傳輸方式。使用串口1作為外設(shè)，通過串口調(diào)試助手等向開發(fā)板發(fā)送數(shù)據(jù)，數(shù)據(jù)會被返回給開發(fā)板并通過串口調(diào)試助手顯示。
2023-04-20 16:37:41
CH32V103基礎(chǔ)教程27-DMA （存儲器到外設(shè)）
關(guān)于DMA，具有三種數(shù)據(jù)傳輸方式：存儲器到存儲器、存儲器到外設(shè)、外設(shè)到存儲器。前面已講解過關(guān)于存儲器到存儲器數(shù)據(jù)傳輸方式，本章將講解存儲器到外設(shè)的傳輸方式以及在下一章將會講解外設(shè)到存儲器的傳輸方式
2023-04-20 16:35:13
一文了解新型存儲器MRAM
MRAM(Magnetoresistive Random Access Memory)是一種新型的非揮發(fā)性的磁性隨機存儲器。它擁有靜態(tài)隨機存儲器(SRAM)的高速讀取寫入能力，以及動態(tài)隨機存儲器
2023-04-19 17:45:462542
2542CH32V103基礎(chǔ)教程13-DMA（存儲器到存儲器）
本章教程講解DMA存儲器到存儲器模式。存儲器到存儲器模式可以實現(xiàn)數(shù)據(jù)在兩個內(nèi)存的快速拷貝。程序中，首先定義一個靜態(tài)的源數(shù)據(jù)，存放在內(nèi)部 FLASH，然后使用DMA傳輸把源數(shù)據(jù)拷貝到目標(biāo)地址上（內(nèi)部SRAM），最后對比源數(shù)據(jù)和目標(biāo)地址的數(shù)據(jù)，判斷傳輸是否準(zhǔn)確。
2023-04-17 15:28:08
非易失性存儲器Flash和EEPROM之間的差異與優(yōu)缺點
存儲設(shè)備，包括Flash和EEPROM。一、Flash和EEPROM之間的差異Flash和EEPROM均被視為非易失性存儲器。非易失性存儲器意味著該設(shè)備能夠保存數(shù)據(jù)且無需持續(xù)供電，即使關(guān)閉電源也能保存
2023-04-07 16:42:42
MRAM實現(xiàn)對車載MCU中嵌入式存儲器的取代
及SRAM相當(dāng),大大超出了閃存的105次。在功能及性能方面均超過現(xiàn)有存儲器的自旋注入MRAM,很有可能將會取代在設(shè)備中使用的多種存儲器(見圖1)。如果關(guān)鍵技術(shù)的研發(fā)工作進(jìn)展順利，自旋注入MRAM今后
2023-04-07 16:41:05
RA2快速設(shè)計指南 [6] 存儲器
這兩個存儲器，從而提高性能并允許在同一個周期訪問程序和數(shù)據(jù)。存儲器映射中包含片上RAM、外設(shè)I/O寄存器、程序ROM、數(shù)據(jù)閃存和外部存儲器區(qū)域。 圖13. RA2A1存儲器映射 7.1 SRAM
2023-04-06 16:45:03466
466半導(dǎo)體激光器的應(yīng)用
1. 在光電子領(lǐng)域的應(yīng)用 (1)光纖通信。半導(dǎo)體激光器是光纖通信系統(tǒng)的唯一實用化光源，光纖通信已成為當(dāng)代通信技術(shù)的主流。 (2)光盤存取。半導(dǎo)體激光已經(jīng)用于光盤存儲器，其最大優(yōu)點是存儲的聲音、文字
2023-04-06 07:41:351584
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是否可以將FLASH用作輔助存儲器？
我們正在嘗試將內(nèi)部 ROM 閃存用作 LPC 1768、LPC 55S16 中的輔助存儲器（而不是 EEPROM）。是否可以將 FLASH 用作輔助存儲器，如果可能，我們?nèi)绾问褂?。請指?dǎo)我們實現(xiàn)這一目標(biāo)
2023-04-04 08:16:50
國產(chǎn)RISC-V MCU 之 先楫半導(dǎo)體 MCU 介紹
信號，雙 RISC-V 內(nèi)核-32KB 高速緩存 (I/D Cache) 和雙核共高達(dá) 512KB的零等待指令和數(shù)據(jù)本地存儲器 (ILM / DLM)，加上256KB 通用 SRAM，極大避免了低速
2023-04-03 14:32:24
我們常用存儲器知道有哪些嘛
存儲器按存儲介質(zhì)特性來說，可以分為兩類，一類就是易失性存儲器，一類是非易失性存儲器。從計算機角度上看，易失性存儲器可以理解為內(nèi)存，而非易性存儲器可以理解為硬盤。
2023-03-30 14:22:431551
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工商網(wǎng)監(jiān)
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