非易失性存儲(chǔ)元件有很多種，如EPROM、EEPROM、NOR FLASH和NAND FLASH，前兩者已經(jīng)基本被淘汰了，因此我僅關(guān)注后兩者，本文對(duì)FLASH的基本存儲(chǔ)單元結(jié)構(gòu)、寫(xiě)操作、擦除操作和讀操作的技術(shù)進(jìn)行了簡(jiǎn)單介紹，對(duì)了NOR和NAND由存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)決定的特性和應(yīng)用場(chǎng)合的差異，對(duì)后續(xù)的硬件設(shè)計(jì)和驅(qū)動(dòng)編程起到鋪墊作用。

1 FLASH基本存儲(chǔ)單元---浮柵場(chǎng)效應(yīng)管

　　NOR FLASH和NAND FLASH都是使用浮柵場(chǎng)效應(yīng)管(Floating Gate FET)作為基本存儲(chǔ)單元來(lái)存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的，浮柵場(chǎng)效應(yīng)管共有4個(gè)端電極，分別是為源極（Source）、漏極（Drain）、控制柵極（Control Gate）和浮置柵極（Floating Gate），前3個(gè)端電極的作用于普通MOSFET是一樣的，區(qū)別僅在于浮柵，F(xiàn)LASH就是利用浮柵是否存儲(chǔ)電荷來(lái)表征數(shù)字0’和‘1’的，當(dāng)向浮柵注入電荷后，D和S之間存在導(dǎo)電溝道，從D極讀到‘0’；當(dāng)浮柵中沒(méi)有電荷時(shí)，D和S間沒(méi)有導(dǎo)電溝道，從D極讀到‘1’，原理示意圖見(jiàn)圖1.1[1],圖1.2是一個(gè)實(shí)際浮柵場(chǎng)效應(yīng)管的剖面圖。

注：SLC可以簡(jiǎn)單認(rèn)為是利用浮柵是否存儲(chǔ)電荷來(lái)表征數(shù)字0’和‘1’的，MLC則是要利用浮柵中電荷的多少來(lái)表征‘00’，‘01’，‘10’和‘11’的，TLC與MLC相同。

2 FLASH基本存儲(chǔ)單元的操作---寫(xiě)/擦除/讀

　　FLASH中，常用的向浮柵注入電荷的技術(shù)有兩種---熱電子注入(hot electron injection)和F-N隧道效應(yīng)(Fowler Nordheim tunneling)；從浮柵中挪走電荷的技術(shù)通常使用F-N隧道效應(yīng)(Fowler Nordheim tunneling)，基本原理見(jiàn)圖2[2]。

　　寫(xiě)操作就是向浮柵注入電荷的過(guò)程，NOR FLASH通過(guò)熱電子注入方式向浮柵注入電荷（這種方法的電荷注入效率較低，因此NOR FLASH的寫(xiě)速率較低），NAND FLASH則通過(guò)F-N隧道效應(yīng)向浮柵注入電荷。FLASH在寫(xiě)操作之前，必須先將原來(lái)的數(shù)據(jù)擦除（即將浮柵中的電荷挪走），也即FLASH擦除后讀出的都是‘1’。

　　擦除操作就是從浮柵中挪走電荷的過(guò)程，NOR FLASH和NAND FLASH都是通過(guò)F-N隧道效應(yīng)將浮柵中的電荷挪走的。

　　讀出操作時(shí)，控制柵極上施加的電壓很小，不會(huì)改變浮柵中的電荷量，即讀出操作不會(huì)改變FLASH中原有的數(shù)據(jù)，也即浮柵有電荷時(shí)，D和S間存在導(dǎo)電溝道，從D極讀到‘0’；當(dāng)浮柵中沒(méi)有電荷時(shí)，D和S間沒(méi)有導(dǎo)電溝道，從D極讀到‘1’。

3 NOR FLASH 和NAND FLASH的結(jié)構(gòu)和特性

3.1 NOR FLASH的結(jié)構(gòu)和特性

　　NOR FLASH的結(jié)構(gòu)原理圖見(jiàn)圖3.1，可見(jiàn)每個(gè)Bit Line下的基本存儲(chǔ)單元是并聯(lián)的，當(dāng)某個(gè)Word Line被選中后，就可以實(shí)現(xiàn)對(duì)該Word的讀取，也就是可以實(shí)現(xiàn)位讀取（即Random Ａccess），且具有較高的讀取速率，圖3.1是一個(gè)3*8bit的NOR FLASH的原理結(jié)構(gòu)圖，圖3.2是沿Bit Line切面的剖面圖，展示了NOR FLASH的硅切面示意圖，這種并聯(lián)結(jié)構(gòu)決定了NOR FLASH的很多特性。

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（1）基本存儲(chǔ)單元的并聯(lián)結(jié)構(gòu)決定了金屬導(dǎo)線(xiàn)占用很大的面積，因此NOR　FLASH的存儲(chǔ)密度較低，無(wú)法適用于需要大容量存儲(chǔ)的應(yīng)用場(chǎng)合，即適用于code-storage，不適用于data-storage,見(jiàn)圖3.3[3]。

（2）基本存儲(chǔ)單元的并聯(lián)結(jié)構(gòu)決定了NOR FLASH具有存儲(chǔ)單元可獨(dú)立尋址且讀取效率高的特性，因此適用于code-storage，且程序可以直接在NOR 中運(yùn)行（即具有RAM的特性）。

（3）NOR FLASH寫(xiě)入采用了熱電子注入方式，效率較低，因此NOR寫(xiě)入速率較低，不適用于頻繁擦除/寫(xiě)入場(chǎng)合。

　　最后來(lái)個(gè)小貼士：NOR ?FLASH的中的N是NOT，含義是Floating Gate中有電荷時(shí)，讀出‘0’，無(wú)電荷時(shí)讀出‘1’，是一種‘非’的邏輯；OR的含義是同一個(gè)Bit Line下的各個(gè)基本存儲(chǔ)單元是并聯(lián)的，是一種‘或’的邏輯，這就是NOR 的由來(lái)。?

3.2 NAND FLASH的結(jié)構(gòu)和特性

　　NAND FLASH的結(jié)構(gòu)原理圖見(jiàn)圖3.4，可見(jiàn)每個(gè)Bit Line下的基本存儲(chǔ)單元是串聯(lián)的，NAND讀取數(shù)據(jù)的單位是Page，當(dāng)需要讀取某個(gè)Page時(shí)，F(xiàn)LASH 控制器就不在這個(gè)Page的Word Line施加電壓，而對(duì)其他所有Page的Word Line施加電壓（電壓值不能改變Floating Gate中電荷數(shù)量），讓這些Page的所有基本存儲(chǔ)單元的D和S導(dǎo)通，而我們要讀取的Page的基本存儲(chǔ)單元的D和S的導(dǎo)通/關(guān)斷狀態(tài)則取決于Floating Gate是否有電荷，有電荷時(shí)，Bit Line讀出‘0’，無(wú)電荷Bit Line讀出‘1’，實(shí)現(xiàn)了Page數(shù)據(jù)的讀出，可見(jiàn)NAND無(wú)法實(shí)現(xiàn)位讀?。碦andom Ａccess），程序代碼也就無(wú)法在NAND上運(yùn)行。

　　圖3.4是一個(gè)8*8bit的NAND FLASH的原理結(jié)構(gòu)圖，圖3.5是沿Bit Line切面的剖面圖，展示了NAND FLASH的硅切面示意圖，NAND FLASH的串聯(lián)結(jié)構(gòu)決定了其很多特點(diǎn).

（1）基本存儲(chǔ)單元的串聯(lián)結(jié)構(gòu)減少了金屬導(dǎo)線(xiàn)占用的面積，Die的利用率很高，因此NAND FLASH存儲(chǔ)密度高，適用于需要大容量存儲(chǔ)的應(yīng)用場(chǎng)合，即適用于data-storage，見(jiàn)圖3.3[3]。

（2）基本存儲(chǔ)單元的串聯(lián)結(jié)構(gòu)決定了NAND FLASH無(wú)法進(jìn)行位讀取，也就無(wú)法實(shí)現(xiàn)存儲(chǔ)單元的獨(dú)立尋址，因此程序不可以直接在NAND 中運(yùn)行,因此NAND是以Page為讀取單位和寫(xiě)入單位，以Block為擦除單位，見(jiàn)圖3.6。

（3）NAND FLASH寫(xiě)入采用F-N隧道效應(yīng)方式，效率較高，因此NAND擦除/寫(xiě)入速率很高，適用于頻繁擦除/寫(xiě)入場(chǎng)合。同時(shí)NAND是以Page為單位進(jìn)行讀取的，因此讀取速率也不算低（稍低于NOR）。

最后來(lái)個(gè)小貼士：NAND FLASH的中的N是NOT，含義是Floating Gate中有電荷時(shí)，讀出‘0’，無(wú)電荷時(shí)讀出‘1’，是一種‘非’的邏輯；AND的含義是同一個(gè)Bit Line下的各個(gè)基本存儲(chǔ)單元是串聯(lián)的，是一種‘與’的邏輯，這就是NAND 的由來(lái)。

3.3 NOR 和NAND的比對(duì)

?????? 通過(guò)3.1和3.2節(jié)對(duì)NOR和NAND結(jié)構(gòu)和特點(diǎn)的解析，我們可以得出圖3.7[5]和圖3.8[5]中的結(jié)論，更詳細(xì)的比對(duì)請(qǐng)見(jiàn)參考文獻(xiàn)[3]

審核編輯：劉清