IBM 最近展示了如何將相變存儲裝置（PCM）整合到固態(tài)存儲階層架構(gòu)（hierarchy），并展示了第一款采用 PCIe 介面的相變存儲裝置儲存系統(tǒng)主機(jī)板原型；在下一代主流存儲技術(shù)爭霸戰(zhàn)中，相變存儲裝置似乎已經(jīng)占據(jù)優(yōu)勢。

　　在一場于2014年非揮發(fā)性存儲研討會（2014 Non-Volatile Memory Workshop）的簡報(bào)中，IBM介紹了相變存儲裝置儲存系統(tǒng)架構(gòu)，并以快閃存儲固態(tài)硬碟（SSD）做為比較；在各方面的比較上，相變存儲裝置都略勝快閃存儲一籌。此外該公司提出了一款伺服器系統(tǒng)設(shè)計(jì)，以結(jié)合快閃存儲陣列與相變存儲裝置陣列的存儲階層架構(gòu)來取代硬盤（HDD）。

　　「我們是以快閃存儲固態(tài)硬碟與相變存儲裝置PCIe儲存卡，在兩種裝置的系統(tǒng)層級進(jìn)行比較；」IBM儲存系統(tǒng)研究小組成員Ioannis Koltsidas表示，該公司所合作的希臘帕特雷大學(xué)（University of Patras），以古希臘神話中的英雄特修斯（Theseus）來為相變存儲裝置儲存卡命名。

　　而研究人員是拿相變存儲裝置PCIe儲存卡與兩款快閃存儲固態(tài)硬碟──包括一款企業(yè)級產(chǎn)品與一款消費(fèi)性產(chǎn)品──進(jìn)行比較，發(fā)現(xiàn)兩款固態(tài)硬碟的存取時(shí)間，分別是相變存儲裝置儲存卡的12倍與275倍。

　　IBM儲存系統(tǒng)研究小組成員Ioannis Koltsidas展示相變化儲存系統(tǒng)電路板原型

　　雖然相變存儲裝置晶片在 2012年左右就已經(jīng)問世，但實(shí)際布署的案例非常少，也聽到業(yè)界出現(xiàn)少數(shù)對其可靠性的抱怨；無論如何，IBM顯然十分看好相變存儲裝置前景，但人們可能也會認(rèn)為，相變存儲裝置需要先解決一些技術(shù)上的問題。

　　相變存儲裝置的最大優(yōu)勢在于存取速度高于快閃存儲，但仍稍遜于DRAM；此外相變存儲裝置也擁有非揮發(fā)性。而相變存儲裝置的正常輸入/輸出（I/O）吞吐量，在硬盤的每秒I/O運(yùn)作效率降低時(shí)可維持上升，有機(jī)會取代目前快閃存儲所扮演的角色。

　　快閃存儲正面臨擴(kuò)充性（scalability）的問題，重復(fù)寫入次數(shù)最多約為1萬次；相變存儲裝置的可擴(kuò)充性則不斷提升，重復(fù)讀寫次數(shù)可高達(dá)1，000萬次──而若是透過前向糾錯（forward error correction）技術(shù)，甚至可將重復(fù)讀寫次數(shù)提升到10兆（trillion）次。

　　IBM表示，相變存儲裝置（藍(lán)色部分）能整合至大多數(shù)伺服器與儲存系統(tǒng)的存儲階層中

　　相變存儲裝置是采用在兩個電極之間夾著硫化物合金（chalcogenidic alloy）的三明治結(jié)構(gòu)，高電流會將硫化物合金轉(zhuǎn)為非晶（amorphous）型態(tài)（代表0），而中電流則會將之轉(zhuǎn)換為結(jié)晶型態(tài)（代表1），低電流則允許其狀態(tài)被讀取。其0與1的程式化時(shí)間分別為70奈秒（nanosecond）與120奈秒；IBM所測試的儲存系統(tǒng)之相變存儲裝置采用90奈米制程，時(shí)脈頻率66MHz。