存儲器芯片開發(fā)的主要挑戰(zhàn)是面對日益增長的微處理器性能提高，如何保持同步提供高吞吐速度與較低功耗？面對挑戰(zhàn)存儲器制造商選擇改變計算架構(gòu)和移至更小的工藝節(jié)點生產(chǎn)。除此之外，很多業(yè)者也在尋找其他路徑，研發(fā)更先進的存儲器以替代當前的存儲器。

研發(fā)中的新一代存儲器可能會對未來的計算架構(gòu)產(chǎn)生重大影響。經(jīng)過許多年的研發(fā)，新一代存儲器的種類正在不斷增加，但仍有更多的新存儲器在研發(fā)的路上。

今天我們已經(jīng)看到有許多新一代存儲器浮出水面，例如非易失性磁性隨機存儲器（MRAM）、相變存儲器（PCM）和電阻式記憶存儲器（ReRAM）。接下來的一些新存儲器可能是這些存儲技術(shù)的擴展，或者是基于全新的技術(shù)或體系結(jié)構(gòu)的改變。例如有一種近內(nèi)存或內(nèi)存計算技術(shù)，會將計算任務(wù)帶到內(nèi)存周邊或內(nèi)存內(nèi)部，可極大地提高計算效率。當然，這些存儲器能否最終成功現(xiàn)在還很難下定論，但我們可以斷定的是其中的某些技術(shù)很有前途，并有可能替代當今流行的DRAM、NAND和SRAM。

我們匯集了未來可能的新內(nèi)存類型，它們是：

●FeFET或FeRAM：鐵電體隨機存取存儲器，與DRAM類似，可以在讀取操作中隨機存取每個獨立的位。FeFET存儲器使用的是鐵電材料，可以在兩種極化狀態(tài)之間快速切換。它可以在低功耗下提供高性能，同時還具有非易失性的附加優(yōu)勢，F(xiàn)eFET有望成為新一代閃存器件。Fraunhofer、格羅方德和NaMLab從2009年就開始了FeFET的研發(fā)，SK 海力士、Lam等也有相關(guān)的研發(fā)計劃。

●相變存儲器：PCM是另一種高性能、非易失性存儲器，基于硫?qū)倩衔锊Ａ?。這種化合物有一個很重要的特性，當它們從一相移動到另一相時能夠改變它們的電阻。與基于NAND的傳統(tǒng)非易失性存儲器不同，PCM器件可以實現(xiàn)幾乎無限數(shù)量的寫入。此外，PCM器件的優(yōu)勢還包括：訪問響應(yīng)時間短、字節(jié)可尋址、隨機讀寫等，其也是諸多被稱為能夠“改變未來”的存儲技術(shù)之一。英特爾、IBM、三星、美光科技和松下都已經(jīng)開始PCM的布局。

● ReRAM：電阻式隨機存取非易失性存儲器。ReRAM關(guān)閉電源后存儲器仍能記住數(shù)據(jù)。ReRAM可以由許多化合物制成，ReRAM的主要優(yōu)勢在于其可擴展性、CMOS兼容性、低功耗和電導調(diào)制效應(yīng)，這些優(yōu)點讓ReRAM可以輕松擴展到先進工藝節(jié)點，能夠進行大批量生產(chǎn)和供應(yīng)。所有這些都使ReRAM成為下一代存儲器的主要競爭者。未來將用于人工智能應(yīng)用程序。Crossbar、東芝、Elpida、索尼、松下、美光、海力士、富士通等廠商都在開展ReRAM的研究和生產(chǎn)。在制造方面，中芯國際（SMIC）、臺積電（TSMC）和聯(lián)電（UMC）都已經(jīng)將ReRAM納入自己未來的發(fā)展線路圖中。

● MRAM：非易失性的磁性隨機存儲器。以磁性方式存儲數(shù)據(jù)，但使用電子來讀取和寫入數(shù)據(jù)。磁性特征提供非易失性，電子讀寫提供速度。MRAM擁有靜態(tài)隨機存儲器（SRAM）的高速讀取、寫入能力，以及DRAM的高集成度，而且基本上可以無限次地重復寫入。不過，當前的MRAM存儲元件也有其明顯的產(chǎn)品短板。很多嵌入式系統(tǒng)都必須在高溫下運行，而高溫往往會損害MRAM的數(shù)據(jù)保存能力。另外，MRAM的保持力、耐久性和密度也需要得到進一步的提升。對于STT-MRAM的商業(yè)產(chǎn)品，Avalanche Technology、Spin Memory和Everspin Technologies都在布局。格羅方德、英特爾和三星等都已經(jīng)宣布將MRAM列入自己未來的產(chǎn)品計劃中。

●除此以外，還有自旋軌道轉(zhuǎn)矩MRAM（SOT-MRAM），旨在取代SRAM的下一代MRAM。納米管RAM，納米管RAM的研發(fā)已有多個年頭了，皆在取代DRAM。也有人正在同一器件上開發(fā)碳納米管等下一代存儲器。

新一代存儲器還有更多的努力是向垂直方向推進。例如， 3D SRAM，它將SRAM堆疊在邏輯上，作為平面SRAM的潛在替代品。

當這些新的存儲器最終上市時，下一步會是什么業(yè)界很難下定論?！拔覀冮_始看到這些新興的或下一代的存儲器最終獲得更多的吸引力，但它們?nèi)蕴幱谠缙陂_發(fā)階段，”LAM Research的高級技術(shù)總監(jiān)亞歷克斯尹說。

當前和未來的下一代存儲器還將面臨著其他挑戰(zhàn)。“隨著新材料、存儲概念和材料技術(shù)的出現(xiàn)，新的存儲類型激增，” KLA首席顧問ScottHoover表示。“這在材料和結(jié)構(gòu)表征領(lǐng)域提出了重大挑戰(zhàn)。很有可能，技術(shù)進步和基本理解的節(jié)奏將取決于我們表征、測量、控制和改進獨特材料和結(jié)構(gòu)的能力。”

總而言之，當前和未來的下一代存儲器可能會找到一個合適的位置，但它們不會主宰整個環(huán)境。Hoover說：“預計在未來5-10年內(nèi)，新興內(nèi)存作為獨立產(chǎn)品不會對現(xiàn)有NAND或DRAM市場造成重大阻礙?！?/p>

SRAM替代品

今天的系統(tǒng)集成了處理器、圖像處理以及內(nèi)存和存儲，通常稱為內(nèi)存/存儲層次結(jié)構(gòu)。在當今層次結(jié)構(gòu)的第一層，SRAM被集成到處理器中以實現(xiàn)快速數(shù)據(jù)訪問。下一層DRAM是獨立的，用于主內(nèi)存。磁盤驅(qū)動器和基于NAND的固態(tài)存儲驅(qū)動器（SSD）用于存儲。

▲ 普適數(shù)據(jù)和計算源的新興存儲器

DRAM和NAND正努力跟上系統(tǒng)的帶寬和/或功率需求。DRAM很便宜，但它消耗能量，也不穩(wěn)定，這意味著當系統(tǒng)斷電時，它會丟失數(shù)據(jù)。同時，NAND價格低廉且不易失，它在系統(tǒng)關(guān)閉時保留數(shù)據(jù)。但NAND和磁盤驅(qū)動器速度很慢。

因此多年來，業(yè)界一直在尋找一種“通用內(nèi)存”，這種內(nèi)存具有與DRAM和FLASH相同的屬性，可以取代它們。競爭對手是MRAM、PCM和ReRAM。新的存儲器提出了一些大膽的主張。例如，STT-MRAM具有SRAM的速度和閃存的非波動性，具有無限的持久性。與NAND相比，ReRAM速度更快，比特可調(diào)。

“對于技術(shù)開發(fā)人員，我們一直在設(shè)想，有一天，某種類型的通用內(nèi)存或殺手級內(nèi)存將能夠同時取代SRAM、DRAM和FLASH，”UMC產(chǎn)品營銷總監(jiān)David Hideo Uriu說?！跋乱淮鎯ζ魅匀粺o法取代任何傳統(tǒng)存儲器，但它們可以結(jié)合存儲的傳統(tǒng)優(yōu)勢，滿足利基市場的需求?！?/p>

一段時間以來，MRAM、PCM和ReRAM一直在出貨，主要面向利基市場。因此，DRAM、NAND和SRAM仍然是主流存儲器。

但在研發(fā)方面，行業(yè)正在研發(fā)一些新技術(shù)，包括潛在的SRAM替代品。一般來說，處理器集成了CPU、SRAM和各種其他功能。SRAM存儲處理器快速需要的指令。這叫做一級緩存。在操作中，處理器會從一級緩存請求指令，但CPU有時會錯過它們。因此處理器還集成了二級和三級緩存，稱為二級和三級緩存。

多年來，業(yè)界一直在尋找SRAM的替代品。這些年來有好幾個可能的競爭者。其中之一包括旋轉(zhuǎn)傳遞扭矩的MRAM（STT-MRAM）。STT-MRAM具有SRAM的速度和閃存的非波動性，具有無限的持久性。

STT-MRAM是一種具有磁隧道結(jié)（MTJ）存儲單元的單管結(jié)構(gòu)。它利用電子自旋的磁性在芯片中提供不易揮發(fā)的特性。寫入和讀取功能在MTJ單元中共享相同的并行路徑。

Everspin已經(jīng)在為固態(tài)硬盤供應(yīng)SST-MRAM器件。此外，一些芯片制造商正專注于嵌入式STT-MRAM，它被分為兩個市場：嵌入式閃存替換和緩存。

為此，STT-MRAM正準備取代嵌入式NOR flash。此外，STT-MRAM的目標是取代SRAM，至少對于三級緩存?！癝TT-MRAM正朝著更密集地嵌入到SoCs的方向發(fā)展，在SoCs中，其較小的單元尺寸、較低的待機功耗要求和非易失性為更大且易失性強的SRAM提供了令人信服的價值主張，而SRAM則被用作通用的板載存儲器和末級緩存，”Veeco沉積和蝕刻市場高級營銷總監(jiān)Javier Banos說。

▲ STT-MRAM的MJT細胞

但STT-MRAM的速度不足以取代一級和/或二級緩存的SRAM。還有一些可靠性問題?！拔覀兿嘈牛瑢τ赟TT-MRAM，接入時間將在5ns到10ns之間飽和，”應(yīng)用材料的Pakala說。“當您轉(zhuǎn)到一級和二級緩存時，我們認為您需要轉(zhuǎn)到SOT-MRAM?！?/p>

如今，SOT-MRAM最大的問題在于它只在50%的時間內(nèi)進行切換，這就是為什么它仍處于研發(fā)階段。“與SRAM相比，SOT-MRAM具有潛在的優(yōu)勢，如密度更高、功耗更低，因為它不易波動，”UMC的Uriu說?！靶枰獙OT-MRAM應(yīng)用到具有成本效益的應(yīng)用中，以滿足有意愿的客戶?！?/p>

事實上，SOT-MRAM還沒準備好。這個行業(yè)需要兩年或兩年以上的時間才能確定它是否可行。

與此同時，在研發(fā)方面，其他潛在的SRAM替代品，即3DSRAM，也在進行中。在3DSRAM中，SRAM芯片堆疊在處理器上，通過硅通孔（TSVs）連接。

DRAM競爭者

與SRAM一樣，業(yè)界多年來一直試圖取代DRAM。在當今的計算架構(gòu)中，數(shù)據(jù)在處理器和DRAM之間移動。但有時這種交換會導致延遲和功耗增加，有時稱為內(nèi)存墻。

DRAM在帶寬需求方面落后了。另外，在今天的1xnm節(jié)點上，DRAM的擴展速度正在減慢。

“我們的應(yīng)用需要大量內(nèi)存。隨著機器學習的發(fā)展，這個問題變得越來越嚴重。它們需要大量的存儲”斯坦福大學電子工程和計算機科學教授SubhasishMitra說?！叭绻隳馨阉械拇鎯ζ鞫挤旁谝粋€芯片上，會很美好。你不需要從芯片到DRAM，花費大量的精力和時間去訪問內(nèi)存。所以我們必須采取措施?！?/p>

這里有很多選擇：堅持使用DRAM、替換DRAM、將DRAM堆疊到高帶寬內(nèi)存模塊中，或者遷移到新的體系結(jié)構(gòu)中。

好消息是DRAM并沒有停滯不前，業(yè)界正在從今天的DDR4接口標準向下一代DDR5技術(shù)遷移。例如，三星最近推出了一款12GB的LPDDR5移動DRAM設(shè)備。在5500mb/s的數(shù)據(jù)速率下，該設(shè)備的速度是LPDDR4芯片的1.3倍。

不過，將很難同時替換DRAM和NAND。它們價格便宜，經(jīng)過驗證，可以處理大多數(shù)任務(wù)。此外，他們都有未來改進的路線圖?！癗AND還有5年多的時間和3代多的時間。未來5年，DRAM將緩慢擴張，”MKW Ventures Consulting的負責人MarkWebb表示?！拔覀冇锌煽康男碌拇鎯ζ?，實際上是可用的以及可以出貨的。這些正在增長和增強，但還沒有到取代DRAM和NAND的時候?！?/p>

一種新的存儲類型正在獲得驅(qū)動力，即3D XPoint。3D XPoint是英特爾于2015年推出的一種基于PCM的技術(shù)。PCM用于固態(tài)顯示器（SSDs）和DIMMs，它將信息存儲在非晶和晶相中。

但英特爾在這項技術(shù)上遲到了。英特爾正在推出帶有3D XPoint的固態(tài)硬盤?！拔以?015年做了一個預測，基于這樣一個假設(shè)，即英特爾將在2017年前推出DIMM。他們最終直到2019年才這么做，”客觀分析公司分析師Jim Handy表示。

盡管如此，英特爾的3D XPoint器件采用雙層堆疊結(jié)構(gòu)，采用20nm的工藝，擁有128千兆的密度。MKW的Webb說：“這是一個很好的持久性內(nèi)存，但它不能取代NAND或DRAM。”

現(xiàn)在，英特爾和美光正在開發(fā)下一個版本的PCM，將于2020年面世。據(jù)Webb介紹，下一代3D Xpoint可能基于20nm工藝技術(shù)，但它可能有四個堆棧?！拔覀兿Ｍ拿芏仍黾觾杀丁＝裉焓?28GB，我們預計下一代將達到256GB。”

當PCM正在加速發(fā)展時，諸如鐵電FETs（FeFETs）等其他技術(shù)仍在研發(fā)中?！霸贔eFET存儲單元中，鐵電絕緣體被插入標準MOSFET器件的柵極堆棧中，”鐵電存儲器（FMC）首席執(zhí)行官Stefan Müller解釋道。

FMC和其他公司正在開發(fā)嵌入式和獨立FeFET器件。嵌入式FeFET將集成在控制器中。獨立器件可能成為新的內(nèi)存類型或DRAM替換?！癋eRAM是一個很好的替代品，它比DRAM消耗的能量要少得多。但可靠性需要提高，”LAM的Yoon說。

與此同時，多年來，Nantero公司一直在為嵌入式和DRAM替代開發(fā)碳納米管RAM。碳納米管是柱狀結(jié)構(gòu)，具有很強的導電性。在研發(fā)階段，Nantero的NRAMs比DRAM和非易失性FLASH更快。但這比預期的商業(yè)化時間要長。

富士通是NRAMs的第一個客戶，預計將在2019年出樣品，2020年投產(chǎn)。

碳納米管正在向其他幾個方向發(fā)展。2017年，DARPA推出了幾個項目，包括3DSoC。麻省理工學院、斯坦福大學和Skywater是3DSoC項目的合作伙伴，該項目的目標是開發(fā)一個單片3D器件，ReRAM被堆疊在碳納米管邏輯之上。ReRAM是基于電阻元件的電子開關(guān)。

這項技術(shù)仍處于研發(fā)階段，它并不是DRAM的替代品。相反，它屬于所謂的計算內(nèi)存類別。目標是使內(nèi)存和邏輯功能更接近，以緩解系統(tǒng)中的內(nèi)存瓶頸。

人工智能存儲

在多年的工作中，ReRAM曾經(jīng)被吹捧為NAND的替代品。但是NAND的擴展比以前想象的要遠，導致許多人重新定位。

今天，一些人正在研究嵌入式ReRAM。其他人正在為面向利基的應(yīng)用開發(fā)獨立的ReRAM。從長遠來看，ReRAM正在拓展其視野。它的目標是人工智能應(yīng)用或DRAM的替代品，或者兩者兼而有之。

一家名為Crossbar的ReRAM公司正在開發(fā)一種可能取代DRAM的獨立器件。這涉及到一個帶有ReRAM和邏輯的類似Crossbar的架構(gòu)。

“在與客戶（尤其是在數(shù)據(jù)中心）交談之后，最大的痛點是DRAM，而不是NAND?！斑@是因為功耗和成本，” Crossbar負責戰(zhàn)略營銷和業(yè)務(wù)發(fā)展的副總裁Sylvain Dubois說?！皩τ诟呙芏鹊莫毩?yīng)用，我們的目標是在數(shù)據(jù)中心為讀取密集型應(yīng)用更換DRAM。DRAM的密度是原來的8倍，成本降低了約3到5倍，這大大降低了TCO，同時也大大節(jié)省了超大規(guī)模數(shù)據(jù)中心的能源。”

Crossbar的ReRAM技術(shù)也是機器學習的目標。機器學習涉及神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)。在神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)中，系統(tǒng)處理數(shù)據(jù)并識別模式。它匹配某些模式并學習其中哪些屬性是重要的。

Crossbar的ReRAM技術(shù)也是機器學習的目標。機器學習涉及神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)。在神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)中，系統(tǒng)處理數(shù)據(jù)并識別模式。它匹配某些模式并學習其中哪些屬性是重要的。

神經(jīng)形態(tài)計算也使用神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)。為此，先進的ReRAM正試圖在硅中復制大腦。我們的目標是利用精確定時的脈沖模擬信息在器件中的移動方法，在這一領(lǐng)域，特別是在材料方面，有很多研究正在進行中。

“最大的問題是需要做什么才能真正實現(xiàn)這一目標，”Brewer Science半導體業(yè)務(wù)執(zhí)行董事SrikanthKommu說?！皣@材料能否在這一領(lǐng)域有所作為，有很多研究?，F(xiàn)在，一切還不確定。”

材料有兩個方面。一個是速度和耐用性，第二個問題涉及可制造性和缺陷性，這兩個因素都會影響產(chǎn)量和最終成本?！捌渲泻芏喽际腔诠詈腿毕荩盞ommu說?！叭绻毕萋适?00，你需要每兩年改進70%。”

隨著AI/ML的采用和推廣，出于功能和性能方面的原因，人們對神經(jīng)形態(tài)結(jié)構(gòu)的興趣與日俱增。Leti和Reram的初創(chuàng)公司W(wǎng)eebit Nano最近展示了一種神經(jīng)形態(tài)計算，他們在系統(tǒng)中執(zhí)行對象識別任務(wù)。

演示使用了Weebit的Reram技術(shù)，運行推理任務(wù)使用了Spiking神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)算法?！叭斯ぶ悄苷谘杆侔l(fā)展，“ Weebit首席執(zhí)行官CobyHanoch表示，“我們看到了人臉識別、自動駕駛汽車以及醫(yī)療預測等領(lǐng)域的應(yīng)用。

結(jié)論

STT-MRAM還提出了一個DRAM替代方案。但是，STT-MRAM或其他新的存儲器不會改變DRAM或NAND目前的地位。

不過，下一代的存儲器還是值得關(guān)注的。到目前為止，它們還沒有打破現(xiàn)有行業(yè)的平衡。但在不斷變化的存儲器市場上，它們正在削弱現(xiàn)有的存儲器公司。“我們正處在一個擁有新興內(nèi)存技術(shù)的地方，這場競賽還沒有贏得勝利，”O(jiān)bjective Analysis的Handy給出了這樣的結(jié)論。