固態(tài)硬盤 簡單些有點象平時的U盤，只是電路板更復(fù)雜。沒有象機械硬盤那樣的馬達及儲存碟盤，而主要以半導(dǎo)體固體作為數(shù)據(jù)儲存介質(zhì)。

由于固態(tài)硬盤的內(nèi)部構(gòu)造與傳統(tǒng)硬盤有很大的區(qū)別，所以兩者在硬件故障的表現(xiàn)形式上也有所不同，固態(tài)硬盤內(nèi)部是一系列較為復(fù)雜的電子元件，其中包括存儲芯片、控制芯片等，所以最常見的故障首先是電路故障，其次是固件故障。固件故障多表現(xiàn)為主板和系統(tǒng)無法識別硬盤，型號、容量識別錯誤或者讀取某個區(qū)域文件及文件夾時頻繁死機等。

主板和系統(tǒng)無法識別硬盤，大多數(shù)是由于固態(tài)硬盤里的電路元件損壞，而型號容量識別錯誤則可能是固態(tài)硬盤固件損壞導(dǎo)致的。電路損壞只要更換相應(yīng)的配件即可修復(fù)，而修復(fù)固件故障必須首先有能讀寫固態(tài)硬盤固件的工具和軟件，而后還要有相同版本得完好固件才能修復(fù)，修復(fù)過程是相當(dāng)復(fù)雜的。因此修復(fù)固態(tài)硬盤不單需要經(jīng)驗、設(shè)備，還需要充足的配件和固件程序庫。我公司在固態(tài)硬盤恢復(fù)方面積累了豐富經(jīng)驗，并且擁有充足的配件以及類型繁多的固件程序版本，所以在恢復(fù)此類故障時擁有很高的成功率。

固態(tài)硬盤內(nèi)最重要的是控制單元和固態(tài)存儲單元，固態(tài)存儲單元是用來記錄數(shù)據(jù)的，控制單元則是控制硬盤正常工作的。 打開固態(tài)硬盤我們便可以看到電路上多個FLASH閃存顆粒，這些顆粒就是固態(tài)硬盤的存儲單元，存儲單元有一定使用壽命也就是有擦寫次數(shù)的限制，當(dāng)存儲單元達到或超過擦寫次數(shù)時就會出現(xiàn)不穩(wěn)定的情況或出現(xiàn)壞塊，這時會導(dǎo)致整個固態(tài)硬盤不能正常工作。

例如出現(xiàn)系統(tǒng)讀取數(shù)據(jù)時很卡或頻繁死機。

由于讀取設(shè)備的限制，損壞的存儲單元內(nèi)數(shù)據(jù)恢復(fù)過程既復(fù)雜難度又大，這最終有可能影響恢復(fù)的效果。有些人會問只是一個存儲單元損壞而已，我用設(shè)備把其他存儲單元讀出來，讀出來的數(shù)據(jù)不是大部分可用的么？但是答案是否定，原因就是FLASH存儲單元采用了損耗均衡的算法，數(shù)據(jù)被分割成很小的數(shù)據(jù)塊，然后根據(jù)存儲塊的損耗程度（即擦寫次數(shù)）進行漂移存儲。

為什么要采用耗均衡的算法呢？

我們知道FLASH存儲單元有擦寫次數(shù)限制，特別是MLC存儲單元，它的可擦寫次數(shù)大約為1萬次，SLC是MLC的10倍。但是我們知道硬盤的某些區(qū)域在使用中會被頻繁的擦寫，比如系統(tǒng)引導(dǎo)扇區(qū)，虛擬內(nèi)存等等，這些區(qū)域的頻繁擦寫會導(dǎo)致FLASH存儲單元的提前損壞，從而導(dǎo)致硬盤報廢，但是此時其他區(qū)域的FLASH存儲單元也許只擦寫了幾百次，為了防止這種情況出現(xiàn)，耗均衡的算法便誕生了，這個算法最早被應(yīng)用于U盤上。

什么是損耗均衡的算法呢？

損耗均衡會按照一定大小將存儲單元劃分為若干個塊，并為使用中的塊進行索引編號，每次擦寫都會更新一個塊。其核心思想就是將新寫入的數(shù)據(jù)寫進寫入次數(shù)較少的塊，將擦寫次數(shù)較多的塊中的數(shù)據(jù)移至擦寫次數(shù)較少的塊。

以上我們可以看出來固態(tài)硬盤中的數(shù)據(jù)在底層實際是無序存放，所以就算把其它存儲單元中的數(shù)據(jù)用專業(yè)設(shè)備讀出來也很難將數(shù)據(jù)恢復(fù)出來。將無序的數(shù)據(jù)進行整理后輸出則是控制單元的作用，如果控制單元損壞，那么必須用同樣型號的控制單元進行更換，如果沒有匹配的控制單元則數(shù)據(jù)恢復(fù)的難度較大，所以這也是業(yè)界的一大難題。由于不同的廠家不同的型號甚至不同的批次的固態(tài)硬盤內(nèi)部數(shù)據(jù)塊的排序算法都不一樣，因此要花很長時間去研究數(shù)據(jù)塊排序的算法，然后根據(jù)這個算法再編寫出相應(yīng)的恢復(fù)軟件。