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電子發(fā)燒友網(wǎng)報道（文 / 吳子鵬）2025 年 9 月 4 日，第十三屆半導(dǎo)體設(shè)備與核心部件及材料展（CSEAC 2025）在無錫太湖國際博覽中心隆重召開。CSEAC 2025 以 “專業(yè)化、產(chǎn)業(yè)化、國際化” 為宗旨，涵蓋展覽展示、主旨論壇、專題論壇、圓桌對話、產(chǎn)業(yè)上下游對接會、人才招聘會、高校科研成果展、企業(yè)人力資源宣講會等多項活動。
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在同期舉辦的 “功率及化合物半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展論壇” 上，北方華創(chuàng)、英飛凌、華潤微電子等產(chǎn)學(xué)研用領(lǐng)域的頭部機構(gòu)代表輪番登臺，分享行業(yè)洞見與技術(shù)成果。
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·市場規(guī)模持續(xù)擴容：據(jù)數(shù)據(jù)顯示，2024 年全球功率半導(dǎo)體市場規(guī)模已達 530 億美元，近四年復(fù)合增長率約 5%；
·增長潛力進一步釋放：隨著第三代半導(dǎo)體材料加速滲透，未來五年全球市場規(guī)模有望以 8% 以上的復(fù)合增長率突破 800 億美元；
·中國地位凸顯：作為全球最大的功率半導(dǎo)體消費國，中國貢獻了約 40% 的市場份額，是推動全球產(chǎn)業(yè)增長的核心力量。
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值得關(guān)注的是，化合物半導(dǎo)體作為功率器件的重要組成部分，正成為半導(dǎo)體行業(yè)新的增長引擎。伴隨新能源汽車、可再生能源等新興領(lǐng)域的快速發(fā)展，以及 5G、AI 技術(shù)的持續(xù)進步，化合物半導(dǎo)體市場有望長期保持高速增長態(tài)勢。
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在 800V 高壓平臺下，傳統(tǒng)硅基 IGBT 器件的導(dǎo)通損耗和開關(guān)損耗顯著上升，直接導(dǎo)致系統(tǒng)效率下降、成本增加；而碳化硅（SiC）MOSFET 憑借更高的耐壓能力、更低的導(dǎo)通與開關(guān)損耗、更高的工作頻率及熱導(dǎo)率，成為該平臺下的更優(yōu)選擇。
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作為半導(dǎo)體基礎(chǔ)產(chǎn)品領(lǐng)域的核心企業(yè)，北方華創(chuàng)深耕半導(dǎo)體裝備、真空及鋰電裝備、精密電子元器件等業(yè)務(wù)，產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于集成電路、先進封裝、半導(dǎo)體照明、第三代半導(dǎo)體、新能源光伏、新型顯示、真空熱處理、新能源鋰電等領(lǐng)域，致力于成為該領(lǐng)域值得信賴的引領(lǐng)者。
李仕群特別指出，裝備是第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展的 “重中之重”。在化合物半導(dǎo)體領(lǐng)域，北方華創(chuàng)已形成完整的設(shè)備矩陣，可提供長晶爐、干法刻蝕設(shè)備、薄膜設(shè)備、爐管設(shè)備、清洗設(shè)備等，為客戶提供覆蓋全流程的工藝解決方案。
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聚焦碳化硅器件制造，其性能表現(xiàn)與制造環(huán)節(jié)的 “均勻性”“穩(wěn)定性” 高度綁定 —— 盡管器件自身電容、導(dǎo)通電阻、閾值電壓等參數(shù)的微小差異，會直接影響開關(guān)損耗、并聯(lián)均流等核心性能，但這類差異的根源不僅與器件設(shè)計相關(guān)，更依賴裝備對工藝的精準控制。
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為解決這一關(guān)鍵問題，北方華創(chuàng)通過專項技術(shù)創(chuàng)新實現(xiàn)突破：例如推動外延設(shè)備從 “水平單片式” 向 “垂直多片式” 迭代，并疊加原位刻蝕、自動打磨功能。其中，原位刻蝕可在不取出晶圓的情況下清除外延層表面雜質(zhì)；自動打磨則能減少核心部件損耗，最終使外延層的摻雜均勻性顯著提升，間接縮小器件自身電容的參數(shù)差異，為高性能碳化硅器件量產(chǎn)奠定基礎(chǔ)。
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陳立烽表示，“提升系統(tǒng)效率、性價比與可靠性” 是電力電子系統(tǒng)永恒的核心需求，而功率器件存在特定的 “甜蜜點”—— 即器件在某一電壓等級、功率密度與應(yīng)用場景下，能同時實現(xiàn)效率、成本與可靠性最優(yōu)適配的區(qū)間。這一區(qū)間曾長期由硅基器件（如 IGBT、超級結(jié) MOSFET）定義，而寬禁帶半導(dǎo)體憑借材料特性突破，正重構(gòu)這一核心邏輯。
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他強調(diào)，碳化硅 MOSFET 在終端應(yīng)用中的關(guān)鍵，在于精準找到這一 “甜蜜點”，無論是 AI 服務(wù)器電源還是電機驅(qū)動場景均是如此。英飛凌的碳化硅 MOSFET 可幫助開發(fā)人員有效提升系統(tǒng)效率、功率密度與可靠性，為應(yīng)用創(chuàng)新提供支撐。
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基于豐富的量產(chǎn)經(jīng)驗與兼容性技術(shù)積累，英飛凌推出了革命性的 CoolSiC? MOSFET 技術(shù)，實現(xiàn)了全新的產(chǎn)品設(shè)計。相較于 IGBT、MOSFET 等傳統(tǒng)硅基開關(guān)，SiC 功率 MOSFET 具備顯著優(yōu)勢，可為系統(tǒng)設(shè)計人員提供最優(yōu)的性能、可靠性與易用性，同時賦予設(shè)計人員新的靈活性，助力其實現(xiàn)前所未有的效率與可靠性水平。此外，高壓 CoolSiC? MOSFET 技術(shù)在反向恢復(fù)特性上也取得了突破性改進，相關(guān)產(chǎn)品覆蓋 650V、1200V、1700V、2000V 電壓等級，包含分立封裝產(chǎn)品與模塊產(chǎn)品，可滿足不同場景需求。
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陳立烽特別介紹，英飛凌 SiC MOSFET 電源模塊提供多種拓撲配置，包括三電平（three-level）、四管（fourpack）、半橋（half-bridge）、六管（sixpack）及升壓（booster）結(jié)構(gòu)。其中，CoolSiC? MOSFET Easy 模塊憑借良好的熱界面、低雜散電感、堅固的結(jié)構(gòu)設(shè)計及 PressFIT 連接技術(shù)，在工業(yè)與新能源領(lǐng)域具備突出競爭力。
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在碳化硅領(lǐng)域的布局上，華潤微作為具備芯片設(shè)計、掩模制造、晶圓制造、封裝測試全產(chǎn)業(yè)鏈一體化運營能力的 IDM（垂直整合制造）半導(dǎo)體企業(yè)，目前主營業(yè)務(wù)分為 “產(chǎn)品與方案”“制造與服務(wù)” 兩大板塊。憑借自主的產(chǎn)品設(shè)計能力與可控的制造過程，華潤微在分立器件及集成電路領(lǐng)域均已形成較強的產(chǎn)品技術(shù)與制造工藝優(yōu)勢，構(gòu)建了先進的特色工藝體系與系列化產(chǎn)品線。
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具體到碳化硅業(yè)務(wù)進展，馬榮耀介紹：
·產(chǎn)線建設(shè)：華潤微擁有國內(nèi)首條 6 英寸 SiC 晶圓產(chǎn)線，目前已實現(xiàn)穩(wěn)定量產(chǎn)，并具備進一步擴產(chǎn)的能力；
·產(chǎn)品落地：SiC JBS G3 與 SiC MOS G2 產(chǎn)品已完成系列化開發(fā)并實現(xiàn)量產(chǎn)，整體性能達到國際領(lǐng)先水平，正圍繞新能源汽車、充電樁、光儲逆變、數(shù)據(jù)中心電源、工業(yè)電源等領(lǐng)域全面推廣上量；
·車規(guī)突破：針對車載 OBC（車載充電機）、DC-DC 轉(zhuǎn)換器、車載空壓機、主驅(qū)逆變等場景的多款車規(guī)級 SiC MOS 及模塊，均已完成樣品開發(fā)，并進入行業(yè)頭部客戶的測試認證與量產(chǎn)導(dǎo)入階段；
·技術(shù)迭代：SiC MOS G3、G4 平臺正同步研發(fā)，目前已啟動 G4 平臺產(chǎn)品的系列化工作，以滿足更高效率應(yīng)用場景的需求。
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馬榮耀強調(diào)，華潤微正持續(xù)加大 SiC 平臺研發(fā)投入，重點聚焦 “提升產(chǎn)品可靠性、降低缺陷率與比導(dǎo)通電阻（Rsp）” 三大方向，旨在增強在中高端市場的核心競爭力。他在分享中還提及華潤微產(chǎn)品與國內(nèi)某廠商產(chǎn)品的對比數(shù)據(jù)：在均流能力、寄生電感、系統(tǒng)效率等關(guān)鍵指標上，華潤微的碳化硅產(chǎn)品表現(xiàn)更為出色。
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在同期舉辦的 “功率及化合物半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展論壇” 上，北方華創(chuàng)、英飛凌、華潤微電子等產(chǎn)學(xué)研用領(lǐng)域的頭部機構(gòu)代表輪番登臺，分享行業(yè)洞見與技術(shù)成果。
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中國：全球最大功率器件消費國，貢獻 40% 市場份額
作為 “功率及化合物半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展論壇” 主持人，陜西省半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會常務(wù)副理事長兼秘書長何曉寧分享了行業(yè)發(fā)展的關(guān)鍵統(tǒng)計數(shù)據(jù)。他指出，當前功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)正迎來黃金發(fā)展期：·市場規(guī)模持續(xù)擴容：據(jù)數(shù)據(jù)顯示，2024 年全球功率半導(dǎo)體市場規(guī)模已達 530 億美元，近四年復(fù)合增長率約 5%；
·增長潛力進一步釋放：隨著第三代半導(dǎo)體材料加速滲透，未來五年全球市場規(guī)模有望以 8% 以上的復(fù)合增長率突破 800 億美元；
·中國地位凸顯：作為全球最大的功率半導(dǎo)體消費國，中國貢獻了約 40% 的市場份額，是推動全球產(chǎn)業(yè)增長的核心力量。
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陜西省半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會常務(wù)副理事長兼秘書長何曉寧
?值得關(guān)注的是，化合物半導(dǎo)體作為功率器件的重要組成部分，正成為半導(dǎo)體行業(yè)新的增長引擎。伴隨新能源汽車、可再生能源等新興領(lǐng)域的快速發(fā)展，以及 5G、AI 技術(shù)的持續(xù)進步，化合物半導(dǎo)體市場有望長期保持高速增長態(tài)勢。
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北方華創(chuàng)：裝備創(chuàng)新是第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的 “基石”
北方華創(chuàng)化合物半導(dǎo)體行業(yè)總裁李仕群以《同芯共贏，以裝備創(chuàng)新推動第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)蓬勃發(fā)展》為主題進行分享。他首先強調(diào)，創(chuàng)新技術(shù)與應(yīng)用場景正持續(xù)帶動化合物半導(dǎo)體需求升級，并以 800V 高壓平臺為例進行說明：在 800V 高壓平臺下，傳統(tǒng)硅基 IGBT 器件的導(dǎo)通損耗和開關(guān)損耗顯著上升，直接導(dǎo)致系統(tǒng)效率下降、成本增加；而碳化硅（SiC）MOSFET 憑借更高的耐壓能力、更低的導(dǎo)通與開關(guān)損耗、更高的工作頻率及熱導(dǎo)率，成為該平臺下的更優(yōu)選擇。
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北方華創(chuàng)化合物半導(dǎo)體行業(yè)總裁李仕群
?作為半導(dǎo)體基礎(chǔ)產(chǎn)品領(lǐng)域的核心企業(yè)，北方華創(chuàng)深耕半導(dǎo)體裝備、真空及鋰電裝備、精密電子元器件等業(yè)務(wù)，產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于集成電路、先進封裝、半導(dǎo)體照明、第三代半導(dǎo)體、新能源光伏、新型顯示、真空熱處理、新能源鋰電等領(lǐng)域，致力于成為該領(lǐng)域值得信賴的引領(lǐng)者。
李仕群特別指出，裝備是第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展的 “重中之重”。在化合物半導(dǎo)體領(lǐng)域，北方華創(chuàng)已形成完整的設(shè)備矩陣，可提供長晶爐、干法刻蝕設(shè)備、薄膜設(shè)備、爐管設(shè)備、清洗設(shè)備等，為客戶提供覆蓋全流程的工藝解決方案。
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聚焦碳化硅器件制造，其性能表現(xiàn)與制造環(huán)節(jié)的 “均勻性”“穩(wěn)定性” 高度綁定 —— 盡管器件自身電容、導(dǎo)通電阻、閾值電壓等參數(shù)的微小差異，會直接影響開關(guān)損耗、并聯(lián)均流等核心性能，但這類差異的根源不僅與器件設(shè)計相關(guān)，更依賴裝備對工藝的精準控制。
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為解決這一關(guān)鍵問題，北方華創(chuàng)通過專項技術(shù)創(chuàng)新實現(xiàn)突破：例如推動外延設(shè)備從 “水平單片式” 向 “垂直多片式” 迭代，并疊加原位刻蝕、自動打磨功能。其中，原位刻蝕可在不取出晶圓的情況下清除外延層表面雜質(zhì)；自動打磨則能減少核心部件損耗，最終使外延層的摻雜均勻性顯著提升，間接縮小器件自身電容的參數(shù)差異，為高性能碳化硅器件量產(chǎn)奠定基礎(chǔ)。
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英飛凌：碳化硅 MOSFET 賦能電力電子系統(tǒng) “高效創(chuàng)新”
英飛凌科技高級技術(shù)總監(jiān)、工業(yè)與基礎(chǔ)設(shè)施業(yè)務(wù)大中華區(qū)技術(shù)負責人陳立烽，以《CoolSiC? MOSFET 賦能電力電子系統(tǒng)的創(chuàng)新設(shè)計》為主題，從應(yīng)用系統(tǒng)視角剖析了碳化硅 MOSFET 的發(fā)展趨勢。?
英飛凌科技高級技術(shù)總監(jiān)、工業(yè)與基礎(chǔ)設(shè)施業(yè)務(wù)大中華區(qū)技術(shù)負責人陳立烽
?陳立烽表示，“提升系統(tǒng)效率、性價比與可靠性” 是電力電子系統(tǒng)永恒的核心需求，而功率器件存在特定的 “甜蜜點”—— 即器件在某一電壓等級、功率密度與應(yīng)用場景下，能同時實現(xiàn)效率、成本與可靠性最優(yōu)適配的區(qū)間。這一區(qū)間曾長期由硅基器件（如 IGBT、超級結(jié) MOSFET）定義，而寬禁帶半導(dǎo)體憑借材料特性突破，正重構(gòu)這一核心邏輯。
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他強調(diào)，碳化硅 MOSFET 在終端應(yīng)用中的關(guān)鍵，在于精準找到這一 “甜蜜點”，無論是 AI 服務(wù)器電源還是電機驅(qū)動場景均是如此。英飛凌的碳化硅 MOSFET 可幫助開發(fā)人員有效提升系統(tǒng)效率、功率密度與可靠性，為應(yīng)用創(chuàng)新提供支撐。
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基于豐富的量產(chǎn)經(jīng)驗與兼容性技術(shù)積累，英飛凌推出了革命性的 CoolSiC? MOSFET 技術(shù)，實現(xiàn)了全新的產(chǎn)品設(shè)計。相較于 IGBT、MOSFET 等傳統(tǒng)硅基開關(guān)，SiC 功率 MOSFET 具備顯著優(yōu)勢，可為系統(tǒng)設(shè)計人員提供最優(yōu)的性能、可靠性與易用性，同時賦予設(shè)計人員新的靈活性，助力其實現(xiàn)前所未有的效率與可靠性水平。此外，高壓 CoolSiC? MOSFET 技術(shù)在反向恢復(fù)特性上也取得了突破性改進，相關(guān)產(chǎn)品覆蓋 650V、1200V、1700V、2000V 電壓等級，包含分立封裝產(chǎn)品與模塊產(chǎn)品，可滿足不同場景需求。
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陳立烽特別介紹，英飛凌 SiC MOSFET 電源模塊提供多種拓撲配置，包括三電平（three-level）、四管（fourpack）、半橋（half-bridge）、六管（sixpack）及升壓（booster）結(jié)構(gòu)。其中，CoolSiC? MOSFET Easy 模塊憑借良好的熱界面、低雜散電感、堅固的結(jié)構(gòu)設(shè)計及 PressFIT 連接技術(shù)，在工業(yè)與新能源領(lǐng)域具備突出競爭力。
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華潤微電子：技術(shù)迭代驅(qū)動碳化硅 “替代革命”
華潤微電子重慶有限公司（以下簡稱 “華潤微”）產(chǎn)品線總經(jīng)理馬榮耀，以《SiC MOS 技術(shù)進步驅(qū)動行業(yè)變革》為主題分享時指出，碳化硅技術(shù)正加速替代硅基 IGBT 與超級結(jié) MOSFET：2024 年全球碳化硅市場規(guī)模已超 300 億元，預(yù)計 2029 年將達到 800-1000 億元，市場增長空間廣闊。?
華潤微電子重慶有限公司產(chǎn)品線總經(jīng)理馬榮耀
?在碳化硅領(lǐng)域的布局上，華潤微作為具備芯片設(shè)計、掩模制造、晶圓制造、封裝測試全產(chǎn)業(yè)鏈一體化運營能力的 IDM（垂直整合制造）半導(dǎo)體企業(yè)，目前主營業(yè)務(wù)分為 “產(chǎn)品與方案”“制造與服務(wù)” 兩大板塊。憑借自主的產(chǎn)品設(shè)計能力與可控的制造過程，華潤微在分立器件及集成電路領(lǐng)域均已形成較強的產(chǎn)品技術(shù)與制造工藝優(yōu)勢，構(gòu)建了先進的特色工藝體系與系列化產(chǎn)品線。
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具體到碳化硅業(yè)務(wù)進展，馬榮耀介紹：
·產(chǎn)線建設(shè)：華潤微擁有國內(nèi)首條 6 英寸 SiC 晶圓產(chǎn)線，目前已實現(xiàn)穩(wěn)定量產(chǎn)，并具備進一步擴產(chǎn)的能力；
·產(chǎn)品落地：SiC JBS G3 與 SiC MOS G2 產(chǎn)品已完成系列化開發(fā)并實現(xiàn)量產(chǎn)，整體性能達到國際領(lǐng)先水平，正圍繞新能源汽車、充電樁、光儲逆變、數(shù)據(jù)中心電源、工業(yè)電源等領(lǐng)域全面推廣上量；
·車規(guī)突破：針對車載 OBC（車載充電機）、DC-DC 轉(zhuǎn)換器、車載空壓機、主驅(qū)逆變等場景的多款車規(guī)級 SiC MOS 及模塊，均已完成樣品開發(fā)，并進入行業(yè)頭部客戶的測試認證與量產(chǎn)導(dǎo)入階段；
·技術(shù)迭代：SiC MOS G3、G4 平臺正同步研發(fā)，目前已啟動 G4 平臺產(chǎn)品的系列化工作，以滿足更高效率應(yīng)用場景的需求。
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馬榮耀強調(diào)，華潤微正持續(xù)加大 SiC 平臺研發(fā)投入，重點聚焦 “提升產(chǎn)品可靠性、降低缺陷率與比導(dǎo)通電阻（Rsp）” 三大方向，旨在增強在中高端市場的核心競爭力。他在分享中還提及華潤微產(chǎn)品與國內(nèi)某廠商產(chǎn)品的對比數(shù)據(jù)：在均流能力、寄生電感、系統(tǒng)效率等關(guān)鍵指標上，華潤微的碳化硅產(chǎn)品表現(xiàn)更為出色。
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工商網(wǎng)監(jiān)
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