受到智能手機發(fā)展停滯、服務(wù)器存在出貨量不確定以及英特爾處理器缺貨的影響，主要NAND Flash閃存制造商將會出現(xiàn)供過于求的情況。據(jù)中國閃存市場ChinaFlashMarket報價，截止到2018年5月份NAND Flash綜合價格指數(shù)已累計下滑28%。

此前，三星和海力士等企業(yè)曾表示將進行擴產(chǎn)，但今年下半年閃存市場價格下滑以及隨時可能出現(xiàn)的產(chǎn)能過剩問題，三星目前已經(jīng)削減了存儲芯片擴產(chǎn)計劃以阻止價格進一步下滑。

10月12日，紫光成都存儲器制造基地項目開工動員活動在成都雙流自貿(mào)試驗區(qū)舉行。

紫光集團董事長 趙偉國

官方稱，紫光成都存儲器制造基地占地面積約1200畝，將建設(shè)12英寸3D NAND存儲器晶圓生產(chǎn)線，并開展存儲器芯片及模塊、解決方案等關(guān)聯(lián)產(chǎn)品的研發(fā)、制造和銷售。

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無懼價格崩跌 紫光全力沖產(chǎn)能

目前，NAND Flash的價格下行趨勢已經(jīng)確立。根據(jù)中國閃存市場ChinaFlashMarket近日發(fā)布的數(shù)據(jù)，截止至2018年8月27日，NAND Flash價格指數(shù)已累計下滑超過40%，NAND Flash每GB價格下探至0.13美元，基本回到了2016年漲價時期的價格水平。

根據(jù)統(tǒng)計機構(gòu)DRAMeXchange統(tǒng)計數(shù)據(jù)顯示，由于3D NAND生產(chǎn)能力的增加，企業(yè)SSD市場明年競爭更加激烈，2019年NAND閃存芯片價格下降幅度將在25-30％左右。

眾所周知，大陸占全球總存儲的消耗量 50 ％且芯片自制率幾乎是零，全數(shù)仰賴美國、日本、韓國進口。這就意味著，中國存儲芯片迫切需要自力更生。盡管價格崩跌已成趨勢，但不能阻擋中國存儲芯片發(fā)展的決心。

在南京舉行的“中國芯片發(fā)展高峰論壇 China IC Summit ”上，紫光集團董事長趙偉國指出，中國已有第一支采用自己自主研發(fā)芯片所生產(chǎn)的U盤。

紫光位于武漢的 12 寸晶圓廠今年已投入32 層3D NAND 芯片生產(chǎn)，目前以月產(chǎn)能2000 片小量生產(chǎn)，該生產(chǎn)基地規(guī)劃三座大型 12 寸晶圓廠，合計單月產(chǎn)能上看 30 萬片。

不僅如此，2017年2月12日總投資300億元美元的紫光南京半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)基地正式宣布開工，該項目計劃將投入3D NAND 芯片生產(chǎn)。

日前，在成都存儲器制造基地開工儀式上，趙偉國表示紫光不僅要打破國際巨頭在芯片產(chǎn)業(yè)上的壟斷，更要提升中國芯片產(chǎn)業(yè)的整體水平，進而改變?nèi)蛐酒漠a(chǎn)業(yè)格局！

自此，紫光分別武漢、南京、成都擁有生產(chǎn)基地，三箭齊發(fā)全力擴充儲存芯片產(chǎn)能。

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產(chǎn)能過剩只是短暫現(xiàn)象

由于全球存儲芯片價格崩跌之勢已現(xiàn)，對于紫光在此時大動作進行擴產(chǎn)，也讓外界不禁擔(dān)心，紫光若啟動三大生產(chǎn)基地生產(chǎn) 3D NAND 芯片，會不會演變成長期產(chǎn)業(yè)供過于求的危機？

對于眼前 3D NAND 產(chǎn)能過剩，甫從華為離職加入紫光集團擔(dān)任執(zhí)行副總裁的楚慶認為，這是短暫現(xiàn)象。因為現(xiàn)有的幾家半導(dǎo)體大廠包括三星、東芝都是同步發(fā)展 96 層技術(shù)，伴隨技術(shù)突破，一定會有不少產(chǎn)能增加，形成供過于求，但這些新產(chǎn)能很快就會被新增的需求吃掉。

雖然 3D NAND 技術(shù)不斷往上迭，從 32 層、 64 層迭到 96 層技術(shù)，是一年密度增長一倍的速度。但到了 128 層甚至 144 層，技術(shù)挑戰(zhàn)難度會越來越大，產(chǎn)品不會一直順利產(chǎn)出，就跟摩爾定律失效是一樣的原理。

楚慶表示，無論是從供給面或是技術(shù)面來看，未來 NANDFlash 產(chǎn)業(yè)前景都非常樂觀，今年旗艦級智能手機的存儲容量是 256GB ，明年會成長到 512GB ，消耗的存儲芯片越來越可觀。但3D NAND技術(shù)的發(fā)展也會遇到不小瓶頸，紫光要奮力追趕。

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存儲芯片一定要自主研發(fā)

紫光集團執(zhí)行副總裁高啟全認為，中國發(fā)展存儲芯片不能再走授權(quán)代工的路，一定要技術(shù)自主開發(fā)，用到別人的專利就付錢，同時也累積自己手上的專利實力，如果最后真的無法成功，那也必須接受事實。

自主 DRAM 和 3D NAND 技術(shù)這條道路，中國才處于萌芽階段，但已可以感受到前方是荊棘密布。也正因為如此，有人開始質(zhì)疑，為什么不走捷徑，干脆與國際大廠技術(shù)授權(quán)合作，既可以合法合規(guī)的生產(chǎn)芯片，又可免除接連不斷的司法威脅？

但醍醐灌頂與飲鴆止渴之間的差別有多大，其實就在于一念之間。根據(jù)多位具有豐富存儲器產(chǎn)業(yè)經(jīng)驗的高層人士表示，大陸萬萬不可再像***一樣，走上拿技術(shù)授權(quán)、幫大廠代工的老路。

回顧*** DRAM 過去 20 年的產(chǎn)業(yè)發(fā)展歷程，講白了就是為美、日、歐等國大廠打了 20 年工，到最后仍是無法擁有自己的技術(shù)，只換來“生產(chǎn)成本最低的 DRAM 廠”的稱號。但更讓人痛心的，是二十年心血一朝付諸東流的現(xiàn)實。

前車之鑒不遠，在存儲半導(dǎo)體這條路上，再怎么苦，也要堅持技術(shù)自主！

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“板凳要坐十年冷”的心理準備

紫光存儲事業(yè)未來面臨最大的挑戰(zhàn)是“市場關(guān)”。存儲器是一個高投入、高風(fēng)險、高壁壘的戰(zhàn)場，當年三星為了發(fā)展內(nèi)存芯片事業(yè)連續(xù)忍受13年的虧損，才最終實現(xiàn)盈利。這意味著，紫光發(fā)展存儲事業(yè)的初期也很有可能面臨一段長時期的虧損局面。

從當前市場競爭態(tài)勢來看，東芝與西部數(shù)據(jù)在2017年經(jīng)歷了長時間的法律訴訟與合資爭議之后，已于2017年12月13日達成和解，協(xié)議包括雙方延展合資關(guān)系至2029年，并確保西部數(shù)據(jù)在Fab6工廠中能夠參與投資，確保了西部數(shù)據(jù)可以繼續(xù)參與96層以后3D NAND Flash的競爭。東芝隨即在12月21日宣布Fab 7的興建計劃。

集邦咨詢半導(dǎo)體研究中心表示，觀察中國大陸在NAND閃存領(lǐng)域的發(fā)展，以紫光集團旗下的長江存儲為中國最快成軍的開發(fā)廠商。由于長江存儲開發(fā)早期技術(shù)力不足，難以與一線大廠相抗衡，預(yù)估其初期產(chǎn)品會以卡碟類為大宗。隨著長江存儲技術(shù)發(fā)展來到64/96層，才有機會進軍SSD市場，但此市場技術(shù)競爭相當激烈，短期會難以在成本上取得優(yōu)勢。

“目前在主流存儲芯片產(chǎn)品領(lǐng)域，中國完全是空白，在長江存儲項目之前，不是縮短差距的問題，原來是零，所以和國際巨頭的距離是無限遠，我想有五年的時間，我們可以站穩(wěn)腳跟，再有五年，應(yīng)該有相當?shù)某删?，所以要有‘板凳要坐十年冷’的心理準備和?zhàn)略耐力。”趙偉國說。

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三星制霸3D NAND市場

中國閃存市場總經(jīng)理邰煒表示，目前3D NAND已經(jīng)是各個原廠主要量產(chǎn)的產(chǎn)品，各主要廠商3D產(chǎn)能的占比方面，三星的3D NAND占總產(chǎn)能的85%、東芝及西部數(shù)據(jù)占75%、美光也達到了90%、SK Hynix則為60%。

根據(jù) DRAMeXchange 數(shù)據(jù)，DRAM 市場主要三星、海力士、美光三家廠商占據(jù)，三星市占率約為 48%，三星+海力士+美光的市占率高達 90%以上。

今年7月份，存儲芯片大廠三星正式宣布已開始量產(chǎn)96層堆疊、單Die 32GB容量的第五代V-NAND閃存芯片。同時，三星還正式發(fā)布了首款LPDDR5內(nèi)存芯片?？梢哉f，三星在存儲領(lǐng)域進一步拉開了與其他競爭對手的差距。

小結(jié)：

紫光是中國發(fā)展半導(dǎo)體業(yè)領(lǐng)頭羊之一，但要真的成為全球一線存儲器制造商，前方荊棘依然密布。對于紫光集團來說，現(xiàn)在正是全面發(fā)力存儲芯片的關(guān)鍵時期，當務(wù)之急是紫光能否走上自主研發(fā)之路和頂住市場壓力？