隨機(jī)存取存儲器

RAM代表隨機(jī)存取存儲器。隨機(jī)訪問是能夠以與該存儲器設(shè)備中的任何其他元件一樣快速且容易地訪問存儲設(shè)備的元件的能力。設(shè)備的大小或它有多少個存儲器元件和單元并不重要。

相反，順序存儲設(shè)備（如CD）上的數(shù)據(jù)無法以這種方式訪問。通常，驅(qū)動器的激光器必須行進(jìn)，CD必須旋轉(zhuǎn)才能讀取存儲在磁盤上的特定值。因此，根據(jù)當(dāng)前的位置和旋轉(zhuǎn)情況，不能保證可以在相同的時間內(nèi)訪問該存儲設(shè)備上的不同部分。

今天，SRAM和DRAM是兩種最常用的技術(shù)，兩者都具有獨特的性能，優(yōu)點和缺點。

動態(tài)隨機(jī)存取存儲器（DRAM）

DRAM使用電容器存儲集成電路中的每一位數(shù)據(jù)。電容可以充電或放電以表示二進(jìn)制數(shù)字的兩種狀態(tài)：

電容器會隨著時間的推移放電，因此會丟失存儲的值它們不會定期刷新。這是由存儲器刷新電路完成的，該電路負(fù)責(zé)重寫電容器中的數(shù)據(jù)。此外，動態(tài)RAM的使用更加復(fù)雜，因為它需要比SRAM更精確的時序。

然而，這種簡單的設(shè)計允許RAM芯片很小，因此這種類型的存儲器主要用于現(xiàn)代計算機(jī)，智能手機(jī)，游戲機(jī)，以及通常在其他地方，小包裝中需要大量相對便宜的內(nèi)存。

靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器（SRAM）

與DRAM相比，SRAM使用晶體管代替電容來存儲信息：

這種類型的存儲器比DRAM更復(fù)雜，更大，更昂貴。但是，它也更快，不需要定期刷新。此外，它比DRAM使用更少的功率。這些正面特性使SRAM非常適合需要較少量的快速內(nèi)存，例如CPU中的本地緩存。

非易失性RAM（NVRAM）

DRAM和SRAM都是易失性的，這意味著它們不會永久存儲數(shù)據(jù)，并且在未啟動時會快速丟失存儲的信息。今天，最常用的NVRAM類型是閃存，它通常用于替代計算機(jī)中的硬盤驅(qū)動器或作為嵌入式和移動設(shè)備上的主要存儲介質(zhì)。

這些優(yōu)點是快速隨機(jī)訪問，更好的物理耐久性和小功耗。但是，它們只能擦除和重寫一定次數(shù)。

DRAM與制造商的SRAM

A DRAM比SRAM更小，更便宜，更容易構(gòu)建。但是，它通常使用起來更慢，更復(fù)雜;它需要更精確的時序和額外的刷新電路。因此，SRAM通常是業(yè)余愛好者的最佳選擇。這兩種類型通常與并行輸入和輸出一起使用。