7月29日，投資120億元、代表全球新一代顯示技術(shù)發(fā)展方向的三安光電Mini/MicroLED芯片和投資16.33億元在鄂州市葛店開發(fā)區(qū)舉行開工儀式。

三安光電Mini/Micro LED芯片產(chǎn)業(yè)化項目奠基培土 （圖片來源：鄂州發(fā)改委）

根據(jù)今年4月24日，三安光電與湖北省葛店經(jīng)濟技術(shù)開發(fā)區(qū)管理委員會簽訂的項目投資合同，三安光電將在湖北省葛店經(jīng)濟技術(shù)開發(fā)區(qū)管理委員會轄區(qū)內(nèi)投資興辦III-V族化合物半導體項目，主要生產(chǎn)經(jīng)營Mini/Micro LED外延與芯片產(chǎn)品及相關(guān)應用的研發(fā)、生產(chǎn)、銷售。

該項目位于湖北省鄂州市葛店經(jīng)濟技術(shù)開發(fā)區(qū)，毗鄰武漢市東湖高新區(qū)左嶺大道，在相距不到10公里的范圍內(nèi)，聚集了包括華星光電、天馬微電子、國家存儲器基地等在內(nèi)的“芯屏端”生產(chǎn)企業(yè)。

該項目作為全球首個大規(guī)模基于第三代半導體、代表新型顯示產(chǎn)業(yè)方向的光電芯片項目，總投資120億元。項目將建成Mini/Micro LED氮化鎵芯片、Mini/Micro LED砷化鎵芯片、4K顯示屏用封裝三大產(chǎn)品系列的研發(fā)基地。

據(jù)了解，三安光電Mini/Micro LED芯片項目，用地約756畝，總投資120億元，總建筑面積47.77萬平方米，將建成Mini/Micro LED氮化鎵芯片、Mini/Micro LED砷化鎵芯片、4K顯示屏用封裝三大產(chǎn)品系列的研發(fā)生產(chǎn)基地，預計氮化鎵芯片系列年產(chǎn)161萬片（藍光Mini LED 72萬片/年；藍光Micro LED 9萬片/年；綠光Mini LED 72萬/年；綠光Micro LED 8萬片/年）、砷化鎵芯片系列年產(chǎn)75萬片（紅光Mini LED 66萬片/年；紅光Micro LED 9萬片/年）、4K顯示屏用封裝產(chǎn)品年產(chǎn)84000臺的研發(fā)制造能力。產(chǎn)品主要提供三星、華為、蘋果等全球知名公司，預計年實現(xiàn)銷售收入72億元、利潤總額17.84億元、稅收9.3億元。

項目分二期建設(shè)，建成達產(chǎn)后將形成具有自主知識產(chǎn)權(quán)、掌握核心技術(shù)、掌握行業(yè)話語權(quán)，具有重要國際影響力的Mini/MicroLED芯片產(chǎn)業(yè)生產(chǎn)基地，也將帶來光電芯片、新一代功率器件、射頻芯片和濾波器、Micro顯示屏及其上下游產(chǎn)業(yè)鏈入駐聚集效應。

項目開工之際，鄂州市委市政府召開工業(yè)高質(zhì)量發(fā)展座談會，省人民政府副省長曹廣晶，省發(fā)改、經(jīng)信、財政、生態(tài)環(huán)境等部門領(lǐng)導，市委書記王立、市長劉海軍及市人大、市政府、市政協(xié)有關(guān)領(lǐng)導，三安集團、國家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金、長江產(chǎn)業(yè)基金參加會議。中微半導體設(shè)備、晶盛機電、聚飛光電、格力、京東方、中興、TCL、三星等一批行業(yè)知名企業(yè)負責人應邀參加座談會，大家齊聚一堂，為鄂州工業(yè)高質(zhì)量發(fā)展獻計獻策。

在全市工業(yè)高質(zhì)量發(fā)展座談會上，中微半導體設(shè)備股份有限公司董事長尹志堯致辭 （圖片來源：鄂州發(fā)改委）

國家半導體集成電路產(chǎn)業(yè)基金王占甫董事長祝賀三安光電項目動工 （圖片來源：鄂州發(fā)改委）

三安光電表示，Mini/Micro LED是公司未來重點發(fā)展方向之一。本次開工的項目符合國家產(chǎn)業(yè)政策規(guī)劃，符合公司產(chǎn)業(yè)發(fā)展方向和發(fā)展戰(zhàn)略，有利于改善公司產(chǎn)品結(jié)構(gòu)，提升公司核心競爭力，鞏固公司行業(yè)地位。

三安光電作為國內(nèi)LED芯片的領(lǐng)導者，此次在湖北落戶的Mini和Micro LED芯片項目也預示著Mini 和Micro LED的產(chǎn)業(yè)化更進一步，即將進入快車道。